JPS61187376A - 太陽電池用基板 - Google Patents

太陽電池用基板

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JPS61187376A
JPS61187376A JP60026375A JP2637585A JPS61187376A JP S61187376 A JPS61187376 A JP S61187376A JP 60026375 A JP60026375 A JP 60026375A JP 2637585 A JP2637585 A JP 2637585A JP S61187376 A JPS61187376 A JP S61187376A
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JP
Japan
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plating
intermediates
nonmetallic
less
5mum
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Application number
JP60026375A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0515072B2 (ja
Inventor
Yasuhiro Arakida
荒木田 泰弘
Jun Ono
潤 小野
Kazuhiko Fukamachi
一彦 深町
Susumu Kawauchi
川内 進
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eneos Corp
Original Assignee
Nippon Mining Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nippon Mining Co Ltd filed Critical Nippon Mining Co Ltd
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Publication of JPS61187376A publication Critical patent/JPS61187376A/ja
Publication of JPH0515072B2 publication Critical patent/JPH0515072B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、太陽電池特にアモルファス81太陽電池の基
板に関する。アモルファス81太陽電池は基板上に1μ
mlJ下のアモルファスS1膜を積層させることにより
形成されるが、アモルファスS1膜の膜厚が1μm以下
と非常に薄いため2価格、性能いずれの面においても基
板材料の影響を強く受ける。基板としては、ガラス。
金属、セラミック等が利用されるが、量産性の高いロー
ル・ツー・ロール方式が適用できるため金属が基板とし
て用いられることが多くなってきている。金属基板に要
求される条件としては。
■ 熱膨張係数がアモルファス日1に近いこと。
■ アモルファスS1との密着性が良いこと。
■ アモルファス81への不純物拡散がなく。
しかも良好なオーミック接触が得られること。
■ 耐熱性に優れていること。
■ 低価格で資源的に豊富であシ、シかも巻取りが可能
な程度に薄膜化が可能々こと。
■ 熱伝導性が優りていること。
々どがあげられる。これらの特徴をもつ金属基板として
は、現在、ステンレス板が一般的に用いられている。と
ころで、一般に圧延されたステンレス板には圧延時に発
生するうねり、傷。
スクラッチ等が多数存在し、そのtまの状態で用いると
ピンホール発生の原因となり、セル特性が劣化する。そ
こでその対策として電解研磨法などによって鏡面仕上げ
が行われRmaxα05μm以下の本のが得られている
。しかし研磨材では、介在物及び介在物が除去された後
の穴が残りセル特性の低下原因となる。
本発明はかかる現状に鑑み鋭意研究を行った結果、上記
のような欠点のない太陽電池基板を提供するものである
。すなわち本発明は、材料の表面における平均直径が5
μを超える非金属μ月上5μ以下の範囲の非金属、介在
物の個数が1mm2当たり50個以下のステンレス板を
用いた太陽電池用基板及び該ステンレス板上にニッケル
めっきを施した太陽電池用基板に関する。なお、前記非
金属介在物の平均直径とは材料表面に対して垂直に介在
物を見たときの1介在物の占める面積と等しい面積の真
円の直径を表わす。
属介在物の個数を1個以下とし、平均直径2μ八 以上5μ月下の範囲の非金属介在物の個数を1mm2当
たり50個月下としたのは、5μを超える非金属介在物
が存在した場合、あるいは平均直径2μ以上5μ以下の
範囲の非金属介在物の個数が1mm2当た950個以上
の場合は、介在物及び研磨工程あ□るいは酸洗工程で介
在物が除去されたために発生する穴が太陽電池セル特性
の低下の原因となるからである。また、5μmを超える
介在物が1個を超えて存在すると、ある確率で表面に出
た場合、めっきふくれを生じめっき性を低下させるため
である。またN1めっきを施したのは、    − 埼→Hコーナナ、圧延ステンレス上にN1めっきを施す
と研磨と同等なRmaxα1μfn以下の表面を低コス
トで得ることが可能であるからである。
このようにして得られたN1めっき表面の反射率は鏡面
研磨面と同等な反射率を有し、またN1はアモルファヌ
81中への拡散の問題もない。
更に光沢N1めっきを施した場合には、そのレベリング
作用のためN1電着は凹部に優先的になされステンレス
上に表面の欠陥は有効的に埋められる。
以下に本発明の詳細な説明する。
酸洗方法、脱酸剤の種類、投入時期を変更すること及び
熱間圧延温度を変化させることで介在物の大きさと分布
状況を変更させ厚さa、2■の板とした。その際の供試
材の成分及び介在物測定結果を第1表に示す。
第1表 供試材の成分及び介在物測定結果費介在物個数
は表面を400倍で測定し60視野観察した平均値で示
した。
続いて常法により債面研磨及びN1めっきを施した。N
1めっきに際しては電解脱脂してから酸洗し、下記浴を
用いてN1ストライクめっき、厚さ5μmのN1めっき
を順次行った。
N1ストライクめっき 塩化ニッケル    250 f/を 塩    酸     100−/2 電流密度   5 A/am’ 浴    温      20℃ N1めりき 塩化ニッケル     a s v/を硫酸ニッケル 
   280 f/l ホ   ウ   酸         aay/lYニ
ッケルRH−11ml/l (日鉱メタルブレーティング■製) YニッケルRH−21attt/l (日鉱メタルブレーティング■製) 電流密度   8 A/dm’ 浴    温     50℃ このようにして得られた基板を第2表の方法に従って評
価した。
第2表 基板の評価方法 第2表の方法に従って得られた評価結果を第3表に示す
第3表から明らかな様に本発明太陽電池基板を使用した
a−8i太陽電池は従来の太陽電池基板を使用したa 
−Si太陽電池に比べ短絡電流工θCが向上し、変換効
率ηが向上する。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)材料の表面における平均直径が5μを超える非金
    属介在物の個数が1mm^2当たり1個以下であり、平
    均直径が2μ以上5μ以下の範囲の非金属介在物の個数
    が1mm^2当たり50個以下のステンレス板を用いた
    太陽電池用基板。
  2. (2)材料の表面における平均直径が5μを超える非金
    属介在物の個数が1mm^2当たり1個以下であり、平
    均直径が2μ以上5μ以下の範囲の非金属介在物の個数
    が1mm^2当たり50個以下のステンレス板上にニッ
    ケルめっきを施した太陽電池基板。
JP60026375A 1985-02-15 1985-02-15 太陽電池用基板 Granted JPS61187376A (ja)

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JP60026375A JPS61187376A (ja) 1985-02-15 1985-02-15 太陽電池用基板

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JP60026375A JPS61187376A (ja) 1985-02-15 1985-02-15 太陽電池用基板

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JPS61187376A true JPS61187376A (ja) 1986-08-21
JPH0515072B2 JPH0515072B2 (ja) 1993-02-26

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012149309A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Jfe Steel Corp 耐薬品性に優れたステンレスクラッド鋼

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5639699A (en) * 1979-09-10 1981-04-15 Toshiba Corp Acoustic transducer

Patent Citations (1)

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JPH0515072B2 (ja) 1993-02-26

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