JPS61183993A - 架橋ポリシアヌレート重合体、熱可塑性重合体及びポリアラミド繊維からできている回路板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は回路板の分野に関するものであり、更に詳しく
は架橋ポリシアヌレート重合物、熱ｏｒｌｆｆｉ註重合
物およびポリアラミド繊維からｄａされる改善された回
路板に関する。

デー・シー・パラカード（Ｄ、　Ｃ，Ｐａｃｋａｒｄ　
）が。

ＳＡＭＰ’ＢＩ：　　Ｊｏｕｒｎａｌ　第２０巻第１号
第６−１４ｉＮ（１９８４年１月り２月）の「リードレ
スチップキャリアーを相互接続するためのケプラー■ （ＫＥＶＬＡＲ）エポキシ基板」なる論文で示している
ように、リードレスチップキャリア−（１ｅａｄｌｅｓ
ｓ　ｃｈｉｐ　ｃａｒｒｉｅｒ　）を相互連結するため
の夷験的回＠仮としてエポキシとポリアラミド礒ａ（ケ
プラー）との複合物から製造されるものが開示されてい
る。

印刷回路板技術は、リード線取付は電子部品印刷線アセ
ンブリーを製造するために十分確立されたものである。

更に最近では、リードレスチップキャリアー用の印刷−
＠仮が開発されている。リードレスチップキャリアーは
当該技術分野では周知である。集積回路チップは、リー
ドレスチップキャリアーで担持されている。チップとキ
ャリアーの組合せ物は、適切な回路を形成するよう相互
接続される。米国特許第４，４４４．３０９号は、リー
ドレス集積回路チップ用のキャリアーを開示している。

リードレスチップキャリアーの開＠ハ、印刷回１Ｉｌｌ
！仮の構成部分密度をはるかに高める可能性を与えた。

パッケージは、チップキャリアーの全測面上に電気的接
続を有することができ、リード線部に必要なスペースが
省略される。

過去においては、微小回路用にはフラットパック（ｆ　
ｌａｔ　ｐａｃｋ　）またはデュアルインラインパッケ
ージ（ｄｕａｌ　ｉｎ　１ｉｎｅ　ｐａｃｋａｇｅ　）
が使用されていた。微小回路パッケージと板／基板の間
の熱膨張差はディバイスのリード線部の柔軟性により調
節されていた。この微小回路パッケージは、熱膨脹係数
が＋６．４　ｘ　１０　　ｃｍ／ｃＩｒＬ／℃のアルミ
ナなどのセラミック材料製であった。このデバイスは基
板の材料に直接半田付けされるので、リードレスチップ
キャリアーの使用に伴なう熱膨張の差を補償する柔軟性
ハ存しない。パラカードの引用論文に示されているよう
に、基１反とリードレスチップキャリアーとの間に僅か
でも熱膨脹係数の差があると、繊維・明脂基板複合物の
樹脂中に微小クラックが発生するｃ’Ｔ　ｈａ　ａがあ
る。

ｊ１廊と１ケ 本発明は改善された回路４　（ｃｉｒｃｕｉｔ　ｂｏａ
ｒｄ）であり５回路基板の樹脂中でめ微小クラックの福
生に抵抗性を有するリードレスチップキャリアー上に担
持されたリードレス集積回路チップを有する回路の形成
に好適に使用できる。

本発明の回路板は５基板（５ｕｂｓｔｒａｔｅ）と導電
層からなる。基板は、半−相互浸透性綱状恒型の系（半
−ＩＰＮ）の少くとも１層の重合物層を有する。重合＊
−は、好ましくは架橋シアヌレート重合物である半−Ｉ
ＰＮ、Ｔｆ　が８０’Ｃ以上の熱基板の熱膨脹係数は２
．０乃至１：５．　Ｑ　Ｘ　１０−”ｃｒｎ／ｍ／℃で
６り、　好Ｉ　Ｌ＜Ｈ６，０乃”ｐ７．Ｉ］ｘ１０−’
ｃＩｒＬ／ｃＩｒＬ／℃である。本発明は、半田付けに
より少くとも１個のリードレスチップキャリアーと相互
接続された前記の基板をも泣きする。

本発明の一好適実施ｖａｎＶｉ：、おける半−ＩＰＮ材
＃＋ハ、架橋された芳香族ンシアネートと、好ましくハ
ポリエーテルスルホンまたはポリ（エステルカーボネー
ト）なる熱可塑性１酎脂である。回路板のポリアラミド
成分に均等なポリアラミド繊維層であり、４層は少くと
も２方向に均一な性質を有するものであり、不織繊維−
または交叉織り（ｃｒｏｓｓ　ｗｏｖｅｎ　）　した繊
維層が好ましい。

本発明は、架喬シアヌレート重合物、８０℃以上のＴノ
を有する熱可塑性重合物および該重合カーに接着された
少くとも１層の均等なポリアラミドｄ雄層からなる少く
とも１層の重合を吻！蕾をざむ基板から成る改善された
回路板である。基板の熱膨張１＆ａｉｄ２．０乃至８．
Ｏｘ　１０　　ｃｒｎ／ｃｒｎ／℃である。基板に少く
とも１層の導電性材料を有する。

この導電１ｔｉ　Ｕ　、代表的にζエツチングにより回
路の形成に有用な所望形状にされる。

本発明回路板の上面図（図１）および側面図〔図２〕を
参照することにより、当業者には本発明が理解できるで
あろう。この回路板の全体は。

参照番号１１で示す。回路板は、基板１２と少くとも１
ノーの連成材料層１６で出来ている。図１および２に示
すように、リードレステップキャリアーの位置１４があ
り、１４にはリードレスチップは接続されていない。回
路板１１に接続されたリードレステップキャリアーは１
５にその峨要を示す。−層の回路板を示しているが、複
数のｆ−を互いに接続して所望の回路を形成することも
できる。

多重板は各・°−上に一路部分を有する１６層までの異
なるｆ−を持つことができる。

本発明の回１’ｉ！阪１１は、基板１２で製作される。

基板は半−ＩＰＮ材料からなる。相互浸透型重合・吻ネ
ットワーク（ＩＰＮ）　　は、少くとも２種の重合物の
組合せであり、そのうち少くとも１種は他者の存在下で
合成乃至架橋される。半−ＩＰＮでは少くとも２相の連
続相があり、１柑だけが架橋している。もう一つの相は
代表的には熱可塑性重合物である。重合・吻層ｆよ、架
橋シアヌレート４１合物と称されるポリシアヌレートで
できた半−ＩＰＮが好ましく、高分子量の熱ｏＴ塑塑性
重合金分散させるマトリックスとして機ｉ目する。これ
を用いると、熱可塑性重合物と架橋重合物の双方の望ま
しい緒特性を有する熱成形可能な相容性組成物が得られ
る。好適シアヌレート重合物は化学式ＮＣ０−Ｒ−ＯＣ
Ｎ　　にて表わされる芳香族ジシアネート化合物であり
、こ＼でＲは２価の芳香族有機基である。好適な芳香族
ジシアネート化合物は、米国特許第４．１５７，３６０
号および第４．３３４，０４５号に説明されており、こ
れら両特許を引用する。この画′特許には、とくに前記
タイプの化合物でＲが少なくとも１個の芳香族要素であ
ってろ一４０炭素をき有し、該芳香族環が更に、ハロゲ
ン、層４炭素のアルキル、層４炭素のアルコキシおよび
層４炭素のアルキルカルボン酸エステルから選択される
重合時に不活性な基で置換されていてもよいものが包含
される。ＲＩＣは５例えばジフェニル要素、芳香族ジカ
ルボン酸とジフェノールから形成されるジフェニルエス
テル要素；ジフェノールとカーボネート前駆体から形成
されるジプレキシルカーホネート要素：芳香族ジカルボ
ン酸。

ジフェノールおよびカーボネート＠駆体から形成される
ジフェノールエステルカーボネート要素；ならびにそれ
らの混合物が包よされる。好適な要素は、次式で表わす
ことができるもの。

−Ｐｈ−Ｒ’−Ｐｈ−、−Ｐｈ−Ｒ’−Ｐｈ−Ｒ’−Ｐ
ｈ−。

−Ｐ　ｈ　−Ｒ’−Ｐｈ　−０−ＱＣ−Ｐｈ　−ＣＯ−
０−Ｐｈ　−Ｒ’−Ｐ　ｈ−層Ｐｈ−Ｒ’−Ｐｈ−０−
ＣＯ−０−Ｐｈ’−Ｒ’−Ｐｈ’−またはそれらの混合
物であり１式中各所在のｐｈｆｌ独立ｉｃ１．４−フェ
ニレンまたは１．６−フェニレンであり、各所在のＲ′
は独立に２．２−プロピリデンまたは４．４−フタレイ
ンである。特に好適な芳香族ジシアネート化合物は、ジ
ンアナトビスフエノールＡ、、４．４’−ジンアナトビ
スフエノールまたはそのシアナト基に対してオルソ立４
個所がメチル基にて置換された２種のテｒう置換体であ
る。

最も好適な芳香族ジシアナト化合物は、ジンアナトビス
フエノールＡである。

その他の適切なジシアネートにＵ、Ｒがジクミルベンゼ
ン、４．４’−ピフェニル−１，４−ナフチルまたは−
Ｐｈ−Ｌ−Ｐｈ−（但しｐｈは１，４−フェニレンであ
り、Ｌは一〇−層Ｓ−層８（０）−または−５０２−で
ある。）が呂冴される。一般に２個のフェノール性水酸
４を有する芳香族化合物ならば１本発明での便用に適す
るジシアネートに転化することができる。

重合物ｌ−の第二構成材は、芳香族ジシアネート化合′
吻ならびにそのインシアヌレートのオリゴマ−および重
合物と固相で実質的に混和する熱可塑ｉｔ合物である。

ジシアネートとの間で高度の町溶曲を示す熱町塑曲重合
物のツリには、ポリエステル団、ポリカーボネートオよ
びポリエステルカーボネート類が包ざされる。これらの
代表的重合′吻は、ポリエチレンテレフタレ〜ト、ポリ
ブチレンテレフタレート、ポリ（ビスフェノールＡカー
ボネート）、ポリ（ビスフェノールＡカーボネート／テ
レフタレート）、ポリ（ビスフェノールＡ／フェノール
フタレインカーボネート／テレフタレート）である。好
適なポリ（エステルカーボネート〕は１例えばプレボル
セク（Ｐｒｅｖｏｒｓｅｋ　）とケストン（Ｋｅｓｔｏ
ｎ）の米国特許第４．１５６，０６９号（１９７９年）
およびデボナ（ＤｅＢｏｎａ　）等の同第４．６１０，
６５２号（１９８２年）ならびに米国特許出願第１３３
，２２７号（１９８０年６月２４日出＋Ｊ）に対応する
プレボルセクとデボナの公開ヨーロッパ特許出願第２乙
８４４号（１９８１年）に記載されており、これらの全
特許を引用する。

その他の好適熱可塑性重合物には、一般に可溶性は１戊
下するが、ポリスルホン類およびポリ（エーテルスルホ
ン）類がある。代表的なポリスルホンおよびポリエーテ
ルスルホンは、ニーデル（ＵＤＥＬ、　ユニオンカーバ
イド（ＵｎｉｏｎＣａｒｂｉｄｅ１社の商品名）および
ピクトレックス（ＶＩＣＴＲＥＸ、ＩＣＩ社のｔｔ１名
）ｆ６る。被覆溶液中のジシアネート／熱ｏＴ塑性重合
物の重量比は１本発明に関しては限界的でない。しかし
ながら、一般に約１／９乃至約９／１の範囲が好適であ
り２約４／１乃至約１／４の比が更に好適であり、約１
／１　が最も好適である。

基板は、ポリアラミド繊維を有する複合物層として形成
される。ポリアラミド繊維は任意の適当な形態にするこ
とができる。これらの形態には。

半−ＩＰＮマトリックスに分散された充填物としてのチ
ョツプドポリアラミドおよび織物または不織布のマット
またハ１ｆ７ｉの形態をなすポリアラミドがよまれる。

ポリアラミド繊維は、２方向以上に配列されたものが好
ましい。好適なポリアラミド繊維層は、基板面に平行な
面において少なくとも２つの垂直方向で諸性質が均等な
不織布マットおよびスクエア熾りマット（ｓｑｕａｒｅ
−ｗｏｖｅｎ　ｍａｔ）でろる。

基板の￥Ｒ惟層に有用な好適ポリアラミド繊維は。

デーポン社（ＤｕＰｏｎｔ　Ｃｏｍｐａｎｙ）がケブラ
ー（Ｋｅｖｌｅｒ■）鐵、ケる。標名ア製造、１い、ポ
リアラミド繊維である。好適なポリアラミド織布はスク
エア織布で５面密度が６６．９乃至１０２Ｐ／ｍ（１，
０乃至６．０オンス／干万−ｗ−ド）、　最も好ましく
は５９５’／ｉ　（１，７５オンス／乎万ヤード）のも
のである。半−ＩＰＮ重金物材料とポリアラミド。滅維
から製造される本発明の１！！ｌ路阪用の好適基ｔｆｆ
ｄ、２．［］乃至８．Ｏｘ　１０　　ｃｍ／ａｍ／℃，
、好ましくＵ６．０乃至７．　Ｏｘ　１０ｃｒｒＬ／ｒ
ｘ／℃なる熱膨脹係数を有し、そして最も好適な熱膨張
係故に約＋　６．４　ｐｍ　／℃である。基板の誘電率
埴好ましくは２．０乃至５．０であり、更に好ましくは
２．５乃至６．５、最も好ましくは約６．０である。

少なくとも１つの基板表面上に少くとも１層の４覗性材
料層が存する。戊辰的な導′覗漕げ、電気回路の形成に
有用な形状をしている。導電１ｄば。

これを適当な手段により基板に接着することができる。

好適手段は、銅ノーなどの薄い金属の導酸性層を基板に
単に（貞層することである。、、積ｌ−ロールの圧力は
、鋼、−を基板に物理的に接着させるに十分なものでな
ければならない。エツチングなどの適当な方法により導
電層の不要部分を除去することにより、回路としての使
用に適当な所望の形状にすることができる。斯かる形状
の形成ハ、当該技術分野において周知である。

本発明の代表的回路板は５便用に適当ならば如何なる寸
法であってもよい。代表的回路板の寸法は１幅Ｚ６乃至
３８　ｃＩｒＬ（３乃至１５インチ）、長さＺ６乃至３
８ｃｍ（３乃至１５インチ）である。

回路板の厚みは、所望通りに変えることができ、繊維の
量およびタイプは、ノー数をぎめて所望通りかつ、特定
用途の必要に応じて変えることができる。

好適実厖轢鏝における基板は、ポリアラミド繊維の交叉
織りまたは不織布を半−ＩＰＮ材料で被覆したものヲー
メー有し、半−ＩＰＮζジシアナ）−ビスフェノールＡ
　５０　重４４とポリ〔オキシビス（１，４−〕二ニレ
し）イソグロピリデンーオキシーピス（１，４−フェニ
レン）スルホン〕など（Ｄポリエーテルスルホンまたは
ポリ（ビスフェニルカーボネート／テレフタレート（５
０１５０））などのポリエステルカーボネート５０冬か
ら製造され次ものが好ましい。

繊維層は、半−ＩＰＮ重合物ネットワーク内で充填物の
形とすることができる。前述のように、ポリアラミドノ
ーの更に好ましい形釦り織物またに不織布の均等な譲維
層である。ポリアラミド１―に２重合物層に埋置するこ
とも１重合物層に積ノーすることもできる。ポリアラミ
ドＩ―を半−ＩＰＮ高液チップ（ｔｉｐ）　　で被覆し
、それを重合物層に埋置することが好ましい。

ポリアラミド１１の被覆に使用される揮発性溶剤は、芳
香族ジシアネートと熱可塑性重合物が可溶で（通常１重
合物の溶解度で制限されるが）、互いに反応せず触媒作
用もないものでなければならない。ポリカーボネート、
ポリ（エステルカーボネート）、ポリエステル、ポリス
ルホンおよびポリエーテルスルホンの場合、好適溶剤は
塩素化炭化水素（向えば二塩化メタン〕、Ｎ−置換アミ
ド（向えばＤＭＦおよびＮＭＰ）、ケトン（向えばシク
ロヘキサノン）およびエーテル（列エバＴＨＦ　）であ
る。斯かる溶剤は１本発明に使用される芳香族ジシアネ
ートを全部でなくとも大部分を溶解するであろう。「揮
発性」なる用語は、乾燥工程時に妥当な真空ならびに温
度条件下で、芳香族ジシアネートが完全もしくは実質上
完全に硬適当な揮発性とは、大気圧下での沸点が約２５
０℃以下５好ましくは約１５０℃以下であることを示す
。溶剤はまた５礒維（サイジングされたｆｆｌ唯のこと
もある）を湿ｌ閏させるものでなければならない。被覆
工程で用いられる溶液中の全固形分濃度（ジシアネート
および熱可塑性重合物〕は１個々の使用材料に依存する
が１通常は５係乃至約２０優である。ジシアナトビスフ
ェノールＡと。

ポリカーボネートもしくはポリ（エステルカーボネート
）の場合の好適固形分きｔは、約５憾乃至約２０憾であ
って、約１０優乃至約１６４が更に好ましい。所望濃度
に１重合゛吻溶液と繊維の速度に関係するであろう。

芳香族ジシアネートの硬化速度を増大させるため、触媒
を存在させてもよい、有効な触媒には。

亜鉛塩（たとえば塩化亜鉛またはオクタン酸亜鉛）。

６級アミンおよびルイス酸をよめてその曲の各種金属ハ
ロゲン化物がある。触媒は、芳香族ジシアネートおよび
熱可塑性重合物を含む溶剤中に溶解するが、かなり少量
でしか溶解せぬであろう。触媒が重合（硬化）を引き起
すのは５乾燥工程が有効に完了したあとになるであろう
。

被覆工程での接触時間は、普通そう長い時間でなく、一
般に数秒以下が適当である。接触のための一好適手段は
、一般にロールまたはサイジング工程からくる連続繊維
ウェブをＧ液に通し、そのあと乾燥工程に導くことであ
る。

乾燥工程は常温もしくは常彊以上で実施でき。

揮発性溶剤の除去を促進するために不活性ガスもしくは
真空が使用されるが、これらは必ずしも必要ではない。

高１と、芳香族ジシアネートがゲル化段階まで重合する
ような時間の組合せけ回避されねばならない。一般的事
項として、整列され被覆された繊維配列物に存在する遊
離のジシアネート基が乾燥工程で反応する（赤外の分離
ピークとして消滅する〕割合Ｕ、５（１未満でなければ
ならない。

マルチフィラメント繊維（たとえばマルチフィラメント
炭素繊維〕を芳香族ジシアネート庁有溶液でサイジング
する本発明の形態で’ｆｌ、ｍ記の被覆工程のプロセス
は、＠記とは異なる列外的な条件で実施する必要がある
。サイジングでは、溶液の全固形公言１１ｒ１通常５憾
未満でなければならず。

サイズ剤が芳香族ジシアネート化合・吻単独の場合には
約１乃至約２壬が好ましく、サイズ剤が芳香族ジシアネ
ート化合物と熱可塑性重合物の両者を診有する場合には
、約１乃至約２憾が好ましい。

芳香族ジシアネートによるサイジングは、芳香族ジシア
ネートの羊量体もしくは可溶性オリゴマーのいずれかを
用いて実施することができる。サイジングの目的框、マ
ルチフィラメン）＋１維の隙間を被覆し、適用コーティ
ングと高度に相溶する材料でイ截維を湿を閏させること
である。熱可塑性重合・吻単独でのサイジングも実施可
能である。サイジング用の溶剤は被覆用のそれと同じで
もよいが。

別の溶剤でもよく、とくに揮発性が更に高い溶剤がよい
。芳香族ジシアネートと熱可塑性重合物が共にサイジン
グ浴液中に存在する場合、それらの柑討ｄ合は、被覆に
用いられる材料と同一であっても異なる割合であっても
よ〈−そして特にサイジング剤は芳香族ジシアネートを
比較的高名でよ有することができる。

繊維を（例えばロール上で）整列させ乾燥させたあと１
選択により（０°、＋４５°、−４５°、９０″といっ
た通常の方式で）遺み重ね、そのあと硬化させることが
できる。集合体の硬化は、金型内で圧力（向えば０．６
−１０ＭＰａ）および温度（例えば１８０−３１０℃）
をかけて、あるいはオートクレーブ内で実施することが
できる。エポキシ複合物のオートクレーブ内硬化で使用
される袋詰法を、集合体のオートクレーブ内硬化に使用
することも好ましい（但し必須ではない）、、オートク
レーブまたは金型内での幾何形状の損壊を減少させるた
め、高温エポキシ複合物に要求されるステージング要件
に匹敵するものが存在しなければならない。

本発明の基板の全砿＠き量（容債基準）は被覆溶液の濃
度または接触時間を変えることにより。

約５０係乃至約８０係の広い範囲で変更できる。

最終的な成形もしくは硬化された複合物の繊維よｔは、
一般にプレプレグの繊維含量よりも僅かに高目になるだ
けであろう。しかしながら、それに加えて低繊維ｉ量を
所望する場合には、同一繊維をその複列および乾燥工程
の前に、多数回被ｆ１！溶液に通して被覆することが許
される。斯かる場合。

被覆された４１Ｊ！ｒａｔ−相継ぐ通過の間に少くとも
部分的に乾燥させることが好ましい。

好適実施態様では、ポリシアネート好ましくは前記のよ
うな芳香族ジシアネート、熱可塑性重合物好まシくハポ
リエーテルスルホンまたはポリ（エステル／カーボネー
ト）および、ポリアラミドが実質的に不容なるポリシア
ネート化合物および熱可塑性重合物に対する揮発性溶剤
を富有する重合・ｍ溶ばて、均等なポリアラミド層をｆ
ｔＬ僅することにより基板に、１ｌｌｄする。次に、ポ
リシアネートの重合が実質上回瞳される条件下で揮発性
溶剤を蒸発させることにより、この被覆された繊維を乾
燥させる。複数のａｄｉポリアラミドＩｌｉを互いに漬
１曽することもできる。続いて１以上の層ヲ有する谷基
板を架橋きせることかできる。

次に銅その他の適当なＪＪ電性ｖｉ金貼りつけるのであ
るが、４電性材料は回路の形成に有用な適当な形状にす
ることができる。こｈｉ、代表的には金属銅層ヲエソチ
ノグすることによりなされる。

図１に示すように、接触点２１がリードレスチップキャ
リアーの立置に残される。次にリードレスチップキャリ
アー１５を、それと接続点２１とが適切に接続されるよ
うな基板１２の上面に適当な手段で取付けることができ
る。リードレスチップキャリアーは６回路板１１の表面
上に直接半田付けされる。半田付けされた接続部を参照
番号２２で示す。

発明の詳細な説明する際に述べたように、既存の回路優
に＃なう問題な、リードレス集積回路チップ用キャリア
ー〇熱膨脹係数に合わせられぬことであった。斯かるリ
ードレス回路チップキャリアーは１代表的にはアルミナ
などのセラミック材料で出来ており、これら材料の熱膨
脹係数は＋６．４ｘ　１０　　ＣｒｒＬ／ｃＩｒＬ／℃
　である。パラカードの論文が指摘しているように、ポ
リアラミド繊維とエポキシ樹脂で漬られた基板は、５．
層７．ｌｐｐｍ７℃の熱膨脹係数を有すると記されてい
るが、熱膨脹係数の小差のため熱サイクル時に微小クラ
ックが発生した。本発明の基板は、半−ＩＰＨの重合物
層すなわち樹脂層ｔ４しており、エポキシ樹脂のマトリ
ックスはど剛性ではない。本発明の基ｆｉは８０℃以上
好ましくは１５０℃乃至２００℃の十分高いガラス転移
温度を有しており、従って熱サイクル時に寸法安定性を
維持する。半−ＩＰＮの熱５Ｔ塑的側面は、樹脂マ）　
ＩＪノクスの寸法変化Ｔｈｏ１ｍとし、リードレスチッ
プキャリアーと基板の熱膨張に差があったとしても−ｆ
：れを補償することができ、熱クラツク抵抗を改善する
のである。

以下で説明する本発明の回路板の列をゴ１本発明の特徴
とその実施方法を示すものである。しかしながら１本発
明がこれらの詳部にまで限定されると考えてはならない
、、！ｆＩ記無い限り部、数は全て重量基準である。

実施列 ポリ（ビスフェノールＡカーボネート／テレフタレート
（５０１５０））５Ｌ１重量壬とジシアナトピスフェノ
ールＡ５０重を係から構成される半一■ＰＮ樹脂系を用
いて１本発明の回＠ｆｌを製置した。この重合体混会物
２５０１を二塩化メタン１リツトルに添加して啓解させ
た。これを二塩化エタンの沸点まで２乃至３時間加熱し
て溶液を形成し、室幅まで冷却した。１リツトルの浴を
つくり１面密度５９．５９　／イ（１，７５オ／ス／乎
方ヤード）のデュポン社ケブラー４９熾布を該８液に２
分間浸漬し、ひっくり返して更に２分間再浸漬し友。こ
の熾布をフード下室温で一夜乾燥させ。

次に６０℃の真空乾燥器に４時間入れておいた。

０、１２７　ＭＩＲ（０，ＯＬｌ　５インチ）厚みの銅
層？その一万の側にロールで貼りつけた。この漬層゛吻
を２７０℃まで１／２時間にわたり加熱した。債層吻の
諸曲質を下記の表１に要約する。

表　　　１ 易燃性（ＵＬ−９４ン　　　　　　　　Ｖ−１誘電率　
　　　　　　　　　　　　２．８−３．３誘電正接　　
　　　　　　　　　　Ｌｌ、０１４−Ｌｌ、０１９茨面
抵抗（メガオーム）　　　　　　１．２ｘｌＯ’８噴抵
抗（メガオーム／ｃＩｒＬ）　　　　　　２５７ｘ１０
アーク抵抗（秒）　　　　　　　　１５４Ｔｆ（’Ｃ）
　　　　　　　　　　　　２１２Ｘ軸ＣＴ　Ｅ　（１０
ｃｒｒｖ’ｃｒｒｖ”Ｃ）−１０１Ｊ−＋１５ｔ）℃　
　　　　　　４．２２Ｙ軸ＣＴＥ（１１］　　ｃｒｒｔ
／ａｒｖ”Ｃ）−１００−＋１５０℃　　　　　２．９
゜Ｚ＠ＣＴＥ（１０儂／ｃｒｒｖ”Ｃ） ６０−１１０℃　　　　　　　　　　６９１４０−１８
０℃　　　　　　　　　１６１２１０−２ＳＬ１℃　　
　　　　　　　　ン６５ＴＧＡ重量損失係 室温−２００℃　　　　　　　　　　　１．４２室温−
２８０℃　　　　　　　　　　　１，７５５本発明列示
的実施態城につき説明してきたが。

本発明の真の範囲は特許請求の範囲に基き定められるべ
きものである。

【図面の簡単な説明】

図１は本発明回路基板の上面図であり、そして図２は本
発明回路基板の一面図である。 １１・・・回路板　　　　１２・・・基板１６・・・４
醒性材料層 １４・・・リードレスチップキャリアーの位置１５・・
・リードレスチップキャリアー２２・・・リードレスチ
ップキャリアー接続部。 （外４名） ＦＩＧ、１ ＦＩＧ。２

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）架橋されたシアヌレート重合物、８０℃以上のＴ
   ｇを有する熱可塑性重合物を含む少なくとも１層の重合
   物層及び該層に付着された少なくとも１層の均等なポリ
   アラミド繊維層からなる熱膨脹係数が２．０乃至８．０
   ×１０＾−＾６ｃｍ／ｃｍ／℃なる基板ならびに少くと
   も１層の導電性材料からなる回路板。
2. （２）架橋シアヌレート重合物は式ＮＣＯ−Ｒ−ＯＣＮ
   （Ｒは少なくとも１種の芳香族要素からなって６−４０
   個の炭素原子を含有し、該芳香族環は、ハロゲン、Ｃ＿
   １〜Ｃ＿４アルキル、Ｃ＿１〜Ｃ＿４アルコキシおよび
   カルボン酸Ｃ＿１を〜Ｃ＿４アルキルエステルから選択
   される、架橋時に不活性な基で更に置換されていてもよ
   い）なる芳香族ジシアネート単量体を架橋させることに
   より形成されたものである特許請求の範囲第（１）項に
   記載の回路板。
3. （３）導電性材料が、回路の形成に有用な形状をなす特
   許請求の範囲第（１）項に記載の回路板。
4. （４）ポリアラミド層を重合物層で被覆する特許請求の
   範囲第（１）項に記載の回路板。
5. （５）ポリアラミド層を重合物層に埋置する特許請求の
   範囲第（１）項に記載の回路板。
6. （６）熱可塑性重合物を、ポリエーテルスルホン、ポリ
   カーボネートおよびポリ（エステルカーボネート）から
   選択する特許請求の範囲第（１）項に記載の回路板。
7. （７）相互接続された少なくとも１個のリードレスチッ
   プキャリアーを更に有する特許請求の範囲第（１）項に
   記載の回路板。
8. （８）架橋されたシアヌレート重合物、８０℃以上のＴ
   ｇを有する熱可塑性重合物を含む少くとも１層の重合物
   層と、該層に付着された少くとも１層の均等なポリアラ
   ミド層からなる熱膨脹係数が２．０乃至８．０×１０＾
   −＾６ｃｍ／ｃｍ／℃なる基板を有することを特徴とす
   る基板と導電層とを有するタイプの改善された回路板。
9. （９）相互接続された少くとも１個のリードレスチップ
   キャリアーを更に有する特許請求の範囲第（８）項に記
   載の回路板。
10. （１０）半ＩＰＮならびにその中に埋置された少なくと
    も１層の均等なポリアラミド繊維層からなる基板を有す
    る回路板。