JPS61183323A - ジオルガノ(ポリ)シロキサンの分子量を高める方法 - Google Patents

ジオルガノ(ポリ)シロキサンの分子量を高める方法

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JPS61183323A
JPS61183323A JP61022234A JP2223486A JPS61183323A JP S61183323 A JPS61183323 A JP S61183323A JP 61022234 A JP61022234 A JP 61022234A JP 2223486 A JP2223486 A JP 2223486A JP S61183323 A JPS61183323 A JP S61183323A
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    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/06Preparatory processes
    • C08G77/08Preparatory processes characterised by the catalysts used

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ジオルガノ(ポリ)シロキサンの分子量を高
める方法に関する。
従来の技術 ジオルガノ(ポリ)シロキサンを触媒とじての第四アン
モニウム塩基と混合して加熱することにより該シロキサ
ンの分子量を高めることは既に公知である。このために
は、例えば米国特許第4.008.261号明細書[1
977年2月15日発行、プラウ7 (E、D、 Br
own)他、ビー0コーニング・コーポレーション(D
ow CorningCorporation ) ]
が挙げられる。上記特許明細書中の概要には、該明細書
に記載の触媒は湿分に対して敏感であると明記されてい
る。
発明が解決しようとする問題点 従って、本発明の課題は、ジオルガノポリシロキサンを
第四ホスホニウム塩基と混合して加熱することにより該
シロキサンの分子量を高める方法を改良することであり
、評言すれば第四ホスホニウム塩基は、分子量を高める
べきジオルガノ(ポリ)シロキサン中に特に容易に分配
され、分子量の増大を特に短時間内で達成することがで
き、更に特に高い粘度を有するジオルガノポリシロキサ
ンを製造することができ、このためには本発明〒使用さ
れる第四ホスホニウム塩基はジオルガノポリシロキサン
の高い粘度が達成される前に縮合の際に形成される水に
よって無効果になるべきでなく、鎖長を調節するオルガ
ノ珪素化合物を共用すると、Si結合したヒドロキシル
基30重量ppm(百万部当り1部)を有するジオルガ
ノポリシロキサンが得うれかつジオルガノポリシロキサ
ンの所望の分子量が達成された後に第四ホスホニウム塩
基を少なくとも135°Cに加熱することにより不作用
にすることができる方法を提供すること1あった。
間塵点を解決するたぬの手段 前記課題は、本発明により、ジオルガノ(ポリ)シロキ
サンを第四ホスホニウム塩基と混合して加熱することに
より該シロキサンの分子量を高める方法により解決され
、該方法は上記ホスホニウム塩基の陽イオン内で燐の置
換基の1つが炭素原子、水素原子及び珪素原子並びに場
合によりシロキサン酸素原子のいずれかから成りかつ1
価であり、一方燐の残りの3つの置換基が同じか又は異
なった、脂肪族炭素−炭素多重結合不含の炭化水素基で
あることにより解決される。
ジオルガノ(ポリ)シロキサンとしては、本発明による
方法においても、従来の公知方法において第四ホスホニ
ウム塩基を用いてジオルガノ(ポリ)シロキサンの分子
量を高めるために使用することができた任意のジオルガ
ノ(ポリ)シロキサンを使用することができる。
このようなオルガノ(ポリ)シロキサンの例は、特に式
: %式%) 〔式中、Rは夫々間じか又は異なっており、場合により
ハロゲン化された、1価の炭化水素基、又は炭素原子、
水素原子、エーテル酸素原子又は弗素原子から構成され
た、1価の脂肪族基を表わし、Xは3〜8の値の整数及
びnは少なくとも1、有利には少なくとも2の整数を表
わす〕で示されるものである。
有利にはnは最高、粘度を高めるべきジオルガノポリシ
ロキサンの平均粘度が250Cで最高1000mm2・
S であるような値である。
前記式中の基Rは、基1個当り有利には工ないし最高1
8個の炭素原子を有する。炭化水素基Rの例は、アルキ
ル基例えばメチル、エチル、ビニル及びフェニル基並び
にオクタデシル基箋ハロゲン化された炭化水素基Rの例
は3,3.3−トIJフルオルプロピル基、又はo−、
p−又はm−グロルフェニル基である。炭素原子、水素
原子、エーテル酸素原子又は弗素原子から構成された1
価の脂肪族基Rは1,1,2゜2.3.3−へキサフル
オルプロピルオキシプロビル基又は1,1,2.2−テ
トラフルオルエトキシゾロビル基である。既に入手簡単
であるために、本発明による方法で使用されるオルガノ
(ポリ)シロキサン中の有機基、ひいては前記式中の基
Rの数の少なくとも80%はメチル基!あるのが有利で
ある。
本発明による方法では1種類のジオルガノ(ポリ)シロ
キサンを使用することができる。しかし、本発明方法で
は少なくとも2種類の異なったジオルガノ(ポリ)シロ
キサンから成る混合物を使用することもできる。
本発明による方法では、分子量を高めるべきジオルガノ
ポリシロキサンとしては、末端単位内に夫々1個のSi
結合したヒドロキシル基を有する、25°Cで100〜
200mm2−s−”、特に25°Cで140mm2・
S又は25°C−7%約140 mm2・s−1の粘度
を有するジメチルホリシロキサンを使用するのが有利で
ある。
陽イオン内で燐の置換基が炭素原子、水素原子及び珪素
原子並びに場合によりシロキサン酸原子のいずれかから
構成されかつ1価であり、一方では燐の残りの3つの置
換基が同じか又は異なっており、脂肪族炭素−炭素多重
不含の炭化水素基である第四ホスホニウム塩基としては
、式: %式% で示されるものが有利である。上記式中、Rは前記のも
のを表わし R1は2価のPC結合された、炭素原子、
水素原子又は場合により珪素原子もしくは酸素原子から
成り、かつ脂肪族炭素−炭素多重結合不含の1価の基を
表わし、かつR2は同じか又は異なっており、脂肪族炭
素−炭素多重結合不含の炭化水素基を表わす。
ジオルガノ(ポリ)シロキサンに関する前記式における
基Rが表わす全ての実施態様及び例は、有利な第四ホス
ホニウム塩基に関する前記式中のRについても十分に当
てはまる。しかしながら、有利なホスホニウム塩基に関
する前記式中の炭化水素基Rが表わす別の例としては、
t−ブチル基が挙げられる。
基R1は炭素原子及び水素原子並びにまた珪素原子及び
シロキサン酸素原子から構成されているのが有利である
。基R1としては、式:%式%) 〔式中、Rは前記のものを表わしかつmは1〜8の整数
、特に3を表わす〕を示されるもの、例えば式: %式%) の基が特に有利1ある。
有利な種類のR1の別の例は、式: %式%) 〔式中、R及びmは夫々前記のものを表わし、pはO又
は1及びyは1〜1000の整数を表わす〕で示される
もの1ある。
式: %式% の原子団の例は、式: R3Si[CH2−、(CH3)、:)□−〔式中、R
,m及びpは夫々前記のものを表わす〕!示されるもの
、例えば式: %式%) 結合不含の炭化水素基であってよく、該基は第四ホスホ
ニウム塩基を用いてジオルガノ(ポリ)シロキサンの分
子量を高めるための従来公知方法でも使用することがで
きる第四ホスホニウム塩基中に存在することができる。
R2は有利には1個の基肖り最高18個の炭素原子を含
有する。従って、基R2の例は、メチル、エチル、n−
プロピル、イソプロピル、n−ブチル、S−ブチル、t
−ブチル又は2−エチルヘキシル基又はオクタデシル基
、脂環式炭化水素基、例えばシクロペンチル基又はシク
ロヘキシル基、又はメチルシクロヘキシル基、アリール
基ff1J、jはフェニル基又はナフチル基、アルカリ
ル基例えばトリル基、又はアルアルキル基例えばベンジ
ル基である。基R2として特に有利であるのは、その比
較的容易な入手性のたぬにn−ベンシル基である。
本発明に基づき有利に使用されるホスホニウム塩基は、
例えば式: %式% 〔式中、R及びR1は夫々前記のものを表わしかつXは
塩基原子、臭素原子又は沃素原子である〕f示されるオ
ルガノ珪素化合物、例えば式:〔(CH3)3Sio〕
3Si(CH2)30ノ1示されるオルガノポリシロキ
サンを式:〔式中 R2は前記のものを表わす〕で示さ
れるホスフィン、例えばトリーn−ブチルホスフィンと
反応式: %式% に基づき反応させかつこうして得られたホスホニウムハ
ロゲン化物を塩基性化合物、例えばアルカリ金属水酸化
物、例えば水酸化ナトリウム、又はAg□0と水の混合
物と反応させることにより実施することができる。ホス
フィンとの反応は、出発物質及びホスホニウムハロゲン
化物に対して不活性の溶剤、例えばジメチルホルムアミ
ド中でかつ100〜120°C″!?実施スルのが有利
〒ある。
本発明方法を実施する際には、1種の本発明で使用され
る第四ホスホニウム塩基を使用することが1きる。しか
し、この種のホスホニウム塩基の少なくとも2種類の異
なったものから成る混合物を使用することもできる。
本発明により使用される第四ホスホニウム塩基はジオル
ガノ(ポリ)シロキサン中で十分に可溶性1あるので、
これらはこのシロキサン中に特に容易に分配させかつ該
シロキサン中に特に容易に導入することができる。
本発明1使用されるホスホニウム塩基は、その他の夫々
使用されるオルガノ珪素化合物の全重量に対して0.0
05〜0.04重量%ないしは50−400重IpI)
mの量!使用するのが有利1ある。第四ホスホニウム塩
基の量が多くなる程に、分子量を高める速度は一層高く
なりかつまたジオルガノポリシロキサンの分子量も一層
高くなる。
本発明による方法では、鎖長を調節するオルガノ珪素化
合物を併用することが1きる。この場合には、ジオルガ
ノ(ポリ)シロキサンの分子量を高めるための従来公知
方法でも併用することができた、鎖長を調節する任意の
オルガノ珪素化合物を使用することができる。このよう
な、鎖長を調節するオルガノ珪素化合物の例は、式: %式% 〔式中、Rは前記のものを表わしかっ2は1〜5oの整
数を表わす〕フ示されるもの並びに式%式%) 〔式中、Rは同様に前記のものを表わす〕1示されるも
のである。この種の化合物の個々の例は、トリメチルシ
ロキシ基によって末端ブロックされた、25°Gで20
mPa、s の粘度を有するジメチルポリシロキサン、
ヘキサメチルジシロキサン、1,3−ジビニル−1,1
,3,3−テトラメチルジシロキサン及びヘキシメチル
ジシラザン1ある。
鎖長を調節するオルガノ珪素化合物の量は、当業者に周
知のように、分子量の所望の高さに左右される。鎖長を
調節するオルガノ珪素化合物の量が多くなる程に、得ら
れるジオルガノポリシロキサンの粘度は一層低くなる。
本発明による方法では、鎖長を調節するオルガノ珪素化
合物を共用するのが有利である。
本発明で使用される第四ホスホニウム塩基は、分子量を
高めるべきジオルガノ(ポリ)シロキサン及び場合によ
り共用される鎖長を調節するオルガノ珪素化合物に室温
で少なくとも加熱開始の1時間前に加えるのが有利1あ
る、それというのもさもなければ・ジオルガノ(ポリ)
シロキサンを第四ホスホニウム塩基と混合して加熱する
際には加熱開始後の10分間まで実質的な粘度上昇は観
察されず、このことは空時収率を低下させるからである
。上記の他のオルガノ珪素化合物との混合前に、本発明
で使用される第四ホスホニウム塩基の例えば室温で液状
の、トリメチルシロキシ基によって末端ブロックされた
ジメチルポリシロキサン中の溶液は保管することが1き
る。
本発明による方法は、有利には100〜130°Cで実
施すべき1ある。周囲大気圧、すなわち1020 hP
a(絶対)又は約1020 hPa(絶対)の圧力で実
施することが1きる。しかしまた、より高いか又は低い
圧力、例えば0.1〜500 hPa (絶対)で実施
することもできる。本発明による方法は、・マツチ式で
も又は連続的にも実施することができる。
以下に記載の実施例で使用した10重量%の、第四ホス
ホニウム塩基の溶液は以下の方法で製令した。
温度計、攪拌機及び還流冷却器を備えた2ノの3つ首フ
ラスコに3−グロルプロピルトリス−(トリメチルシロ
キシ)−シラン129g(0,346モル)及びトリー
n−ブチルホスフィン71 g (0,351モル)ヲ
ジメチルホルムアミド10106O中1攪拌下)C11
00CtC24時間加熱する。次いで、ジメチルホルム
アミドをI Q−3hPa (絶対)で留去する。該残
留物を水700mJ中に溶かしかつAg2O70gと混
合する。24時間後、こうして得られた混合物を沢過し
、r液をトリメチルシロキシ基によって末端ブロックさ
れた、250Cで20mPa、sの粘度を有するジメチ
ルポリシロキサンと混合しかつこうして得られた混合物
から水を10−3−hPa (絶対)で留去する。
実施例 例1 収容能1ノの実験室用捏和機内フ、末端単位に夫々1個
のSi結合したヒドロキシル基を有する、25°Cで1
40 mm2− S−” (7)粘度を有するジメチル
ポリシロキサン500gをトリメチルシロキシ基によっ
て末端位でブロックされた、25°C’t’20mm2
−5−” (7)粘度ヲ有スルジメチルポリシロキサン
55g1及び前記のようにして製造した第四ホスホニウ
ム塩基の10重量%の溶液0.2gと混合しかつ次いT
!l hPa CP2対)、110°Cで60分間捏和
する。この際、冷却トララフ内テ、1hPa(絶対)f
fillocc未満1沸騰する成分が、使用オルガノポ
リシロキサンの全重量に対して8重量%捕果される。
次いで180°Cに加熱しかつその直後に冷却する。こ
うして得られた清澄な、無色の、トリメチルシロキシ基
によって末端位!ブロックされたジメチルポリシロキサ
ンは、25°C11087mm2・S−1の粘度を有す
る。これはSi結合したヒドロキシル基30重量ppm
未満を含有し、20ooCに空気に接触させて16時間
加熱した後に、粘度変化は25°C1測定して1.6%
にすぎず、かつ室温12ケ月間貯蔵した後に、混濁は確
認されない。
例2 例1に記載の操作法を繰返すが、但しトリメチルシロキ
シ基で末端位でブロックされた、25°Cv 20 m
m2−s−” (D粘度を有すルー))チル2リシロキ
サン55gの代りに該・ジメチルポリシロキサン14.
5 gだけを使用する点を変更する。
こうして得られた清澄な、無色の、トリメチルシロキシ
基1末端位でブロックされたジメチルポリシロキサンは
、25°G−+412o00mm2・S−1の粘度を有
する。これはSi結合したヒドロキシル基30重量%未
満を含有し、空気に接触させて200°Cに16時間加
熱した後に、粘度変化は25°Cで測定して2.6%に
すぎず、かつ室温で2時間貯蔵した後に混濁は確認され
ない。
例3 例1に記載の操作法を繰返すが、但しトリメチルシロキ
シ基1末端位tブロックされた、25°CM 20 m
Pa、sの粘度を有するジメチルポリシロキサン55g
の代りに該ジメチルポリシロキサン10.4 gだけを
使用する点を変更する。
こうして得られた清澄な、無色の、トリメチルシロキシ
基で末端位1ブロツクされたジメチルポリシロキサンは
、25°Cで532000mm2・S−1の粘度を有す
る。これはSi結合したヒドロキシル基30重量%未満
を含有し、空気に接触させて2000Cに16時間加熱
した後に、粘度変化は25°Cで測定して3.2%にす
ぎずかつ室温″′c!2ケ月間貯蔵した後に混濁は確認
されない。
例牛 例1に記載の方法を繰返すが、但し例1の冒頭に記載し
た低分子量生成物から成る混合物を捏和機に導入する既
に16時間に調製する点を変(する。25°C1約10
00 mPa 、 s  を越える粘度は既に10分間
後に達成される。
こうして製造したオルガノポリシロキサンの特性は例1
に基づき製造したオルガノポリシロキサンの特性と同じ
である。
汐115 1300C及び8 hPa (絶対)ニ保持シタ、長さ
140 cmの反応帯域を有する二重スクリュー捏和機
に、連続的に末端単位に夫々1個のSi結合したヒドロ
キシル基を有する、25°Cff1140mm2・S−
1の粘度を有する・クメチルボリシロキサン100ノ/
h1及び前記方法f製造した第四ホスホニウム塩基の1
0%の溶液40g/hを連続的に供給した。排出スクリ
ューを介して、オルガノポリシロキサンを16000に
保つ熱交換器により、排出管内フ末端単位内に夫々1個
のSi結合したヒドロキシル基を有する、25oCテ8
000QmPa、s ノ粘度を有するジメチル?リシロ
キサンに転化される。
これは清澄かつ無色である。このオルガノポリシロキサ
ンを室温112ケ月間貯蔵した後も、該オルガノポリシ
ロキサンの粘度及び外観の変化は確認されない。
これはオルガノポリシロキサンエラストマーを製造する
ために極めて好適1ある。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ジオルガノ(ポリ)シロキサンを第四ホスホニウム
    塩基と混合して加熱することにより該シロキサンの分子
    量を高める方法において、上記ホスホニウム塩基の陽イ
    オン内で燐の置換基の1つが炭素原子、水素原子及び珪
    素原子並びに場合によりシロキサン酸素原子のいずれか
    から成りかつ1価であり、一方燐の残りの3つの置換基
    が同じか又は異なつた、脂肪族炭素−炭素多重結合不含
    の炭化水素基であることを特徴とする、ジオルガノ(ポ
    リ)シロキサンの分子量を高める方法。 2、ホスホニウム塩基の陽イオンにおける燐の、珪素不
    含の3つの置換基がn−ブチル基である特許請求の範囲
    第1項記載の方法。 3、第四ホスホニウム塩基として式: 〔(CH_3)_3SiO〕_3Si(CH_2)_3
    (n−C_4H_9)_3POHで示されるものを使用
    する特許請求の範囲第1項又は第2項記載の方法。 4、第四ホスホニウム塩基を、その他のその都度使用さ
    れるオルガノポリ珪素化合物の全重量に対して0.00
    5〜0.04重量%の量で使用する特許請求の範囲第1
    項から第3項までのいずれか1項に記載の方法。 5、第四ホスホニウム塩基を、分子量を高めるべきオル
    ガノ(ポリ)シロキサン、及び場合により共用される鎖
    長調節性オルガノ珪素化合物に室温で加熱開始の少なく
    とも1時間前に加える特許請求の範囲第1項から第4項
    までのいずれか1項に記載の方法。
JP61022234A 1985-02-07 1986-02-05 ジオルガノ(ポリ)シロキサンの分子量を高める方法 Granted JPS61183323A (ja)

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DE3504185.4 1985-02-07
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EP (1) EP0193748B1 (ja)
JP (1) JPS61183323A (ja)
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