JPS61181615A - 半導体ウエ−ハ切断装置 - Google Patents
半導体ウエ−ハ切断装置Info
- Publication number
- JPS61181615A JPS61181615A JP60023267A JP2326785A JPS61181615A JP S61181615 A JPS61181615 A JP S61181615A JP 60023267 A JP60023267 A JP 60023267A JP 2326785 A JP2326785 A JP 2326785A JP S61181615 A JPS61181615 A JP S61181615A
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- JP
- Japan
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- wafer
- cutting
- stage
- semiconductor wafer
- semiconductor
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- Pending
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明に半導体装置の製造において、半導体ウェーハ
を個別のチップに分割するための半導体ウェーハ切断装
置に関するものである。
を個別のチップに分割するための半導体ウェーハ切断装
置に関するものである。
第２図に従来から用いられているウェーハ切断装置の全
体構成を模式的に示す平面配置図で、（１）は切断前ウ
ェーハ収納マカジン、（２）セウエーノ・切断ステージ
、（３）はウエーノ・切断具、（４）ハクエーノ１洗浄
ステージ、（５）ハ切断後つエーノ・収納マガジン、（
６）はこれらの間をウエーノ・を搬送するウエーノ・搬
送部である。
体構成を模式的に示す平面配置図で、（１）は切断前ウ
ェーハ収納マカジン、（２）セウエーノ・切断ステージ
、（３）はウエーノ・切断具、（４）ハクエーノ１洗浄
ステージ、（５）ハ切断後つエーノ・収納マガジン、（
６）はこれらの間をウエーノ・を搬送するウエーノ・搬
送部である。
第３図は従来装置のウェーハ切断ステージにおけるウェ
ーハ切断状況を示す斜視図で、ウェーハ切断ステージ（
２）のＩｌ：ＶＣウェーハ（７）をセットし、ダイシン
グソー（８）を装着したウェーハ切断具（３）をその上
に移動させ高速回転させ、ノズル（９）から純水を吹き
つけながら切断する。この切断動作は装置内蔵の小形コ
ンピュータによって制御される。
ーハ切断状況を示す斜視図で、ウェーハ切断ステージ（
２）のＩｌ：ＶＣウェーハ（７）をセットし、ダイシン
グソー（８）を装着したウェーハ切断具（３）をその上
に移動させ高速回転させ、ノズル（９）から純水を吹き
つけながら切断する。この切断動作は装置内蔵の小形コ
ンピュータによって制御される。
切断後のウェーハ（７）は、第２図のウェーハ搬送部（
６）ｔ−通過してウェーハ洗浄ステージ（４）に移送さ
れ、ここで高圧化された高抵抗の純水を多量に吹きつけ
てウェーハ（７）の表面の洗浄を行い、切断後ウェーハ
収納マガジン（５）へ収納されている。
６）ｔ−通過してウェーハ洗浄ステージ（４）に移送さ
れ、ここで高圧化された高抵抗の純水を多量に吹きつけ
てウェーハ（７）の表面の洗浄を行い、切断後ウェーハ
収納マガジン（５）へ収納されている。
以上のような従来の装置では、ウエーノ・（７）に多量
の高圧純水を吹きつけるだけであるので、ウェーハ（７
）の表面に付着した異物、例えばウェーハ切断時に発生
する半導体粉末または空気中に浮遊する異物が静電気に
よってウェーハ（７）の表面に付着したものを完全に除
去することが困難であるという問題点があった。
の高圧純水を吹きつけるだけであるので、ウェーハ（７
）の表面に付着した異物、例えばウェーハ切断時に発生
する半導体粉末または空気中に浮遊する異物が静電気に
よってウェーハ（７）の表面に付着したものを完全に除
去することが困難であるという問題点があった。
この発明に以上のような問題点を解消するためになされ
たもので、ウェーハ切断ステージにおいて洗浄を完ｒ芒
せ、しかも表面に付層した異物を完全に除去できる半導
体ウェーハ切断装置を提供することを目的としている。
たもので、ウェーハ切断ステージにおいて洗浄を完ｒ芒
せ、しかも表面に付層した異物を完全に除去できる半導
体ウェーハ切断装置を提供することを目的としている。
この発明に係る半導体ウェーハ切断装置は、つ工−ハ切
断具に回転式のブラシを取り付け、ウェーハ洗浄ステー
ジを省略したものである。
断具に回転式のブラシを取り付け、ウェーハ洗浄ステー
ジを省略したものである。
〔作 用〕
この発明においてはウェーハ切断ステージのウェーハ切
断具に回転式ブラシを設は友から、ウェーハ切断ステー
ジで供給される高圧純水を用いて上記回転式ブラシによ
って切断後のウェーハ表面の清浄化を完全に、しかもウ
ェーハ切断と同一ステージで行なうことができる。
断具に回転式ブラシを設は友から、ウェーハ切断ステー
ジで供給される高圧純水を用いて上記回転式ブラシによ
って切断後のウェーハ表面の清浄化を完全に、しかもウ
ェーハ切断と同一ステージで行なうことができる。
８ｇ１図はこの発明の一実施例のウェーハ切断ステージ
の構成を示す平面図で、第３図の従来例と同一符号は同
等部分を示す。タイシングンー（８）が装着されるウェ
ーハ切断具（３）にはノズル（９）及び回転式ブラシα
ｑが設けられている。
の構成を示す平面図で、第３図の従来例と同一符号は同
等部分を示す。タイシングンー（８）が装着されるウェ
ーハ切断具（３）にはノズル（９）及び回転式ブラシα
ｑが設けられている。
従来例と同様、ダイシングソー（８）によってウェーハ
（７）を切断するが、その際、ノズル（９）から高圧の
純水を噴射するとともに、その切断した後を回転式ブラ
シαＱによってウェーハ（７）の表面を清浄化する。
（７）を切断するが、その際、ノズル（９）から高圧の
純水を噴射するとともに、その切断した後を回転式ブラ
シαＱによってウェーハ（７）の表面を清浄化する。
従つ°Ｃ１この回転式ブラシαｏｈダイシングン＝（８
）の進行方向に対して後方に取りつける必をがあるが、
ダイシングソー（８）の進行方向に順、逆両方向共にと
ることがあるので、ダイシングソー（８）の進行方向の
前後にそれぞれ１個ずつ取付けられている。
）の進行方向に対して後方に取りつける必をがあるが、
ダイシングソー（８）の進行方向に順、逆両方向共にと
ることがあるので、ダイシングソー（８）の進行方向の
前後にそれぞれ１個ずつ取付けられている。
このような回転式ブラシα１を設けることにょって、ウ
ェーハ（７）の切断時に発生する半導体の粉末さらには
空中に浮遊する微少な塵埃が静電気力によってウェーハ
げ）表面に強固に付着している汚れ等を完全に洗浄除去
することができる。
ェーハ（７）の切断時に発生する半導体の粉末さらには
空中に浮遊する微少な塵埃が静電気力によってウェーハ
げ）表面に強固に付着している汚れ等を完全に洗浄除去
することができる。
なお、上記実施例ではダイシングソー（８）の進行方向
の前後シて回転式ブラシ四を設けたが、ウェーハ（７）
の切断時に同時にその９工−ハ表面を清浄化できる位置
であればよい。またブラシ材料はナイロン、モヘア、１
助物の毛その他適当に選べばよい。
の前後シて回転式ブラシ四を設けたが、ウェーハ（７）
の切断時に同時にその９工−ハ表面を清浄化できる位置
であればよい。またブラシ材料はナイロン、モヘア、１
助物の毛その他適当に選べばよい。
以上説明したようにこの発明に係る半導体ウェーハ切断
装置では、ウェーハ切断具に回転ブラシを取りつけ、ウ
ェーハの切断と同時に上記回転ブラシＶＣよって切断後
のウェーハ表面を清浄化するようにしたので、作業効率
の向上とウェーハ表面の完全清Ｗ化との両効果が連成さ
れる。
装置では、ウェーハ切断具に回転ブラシを取りつけ、ウ
ェーハの切断と同時に上記回転ブラシＶＣよって切断後
のウェーハ表面を清浄化するようにしたので、作業効率
の向上とウェーハ表面の完全清Ｗ化との両効果が連成さ
れる。
第１図はこの発明の一実施例のウェーハ切断ステージの
構成を示す平面図、＠２図は従来から用いられているウ
ェーハ切断装置の全体構成を模式的に示す平面配置図、
第３図はこの従来装置のウェーハ切断ステージにおける
ウェーハ切断状況を示す斜視図である。 図において、（２）はウェーハ切断ステージ、（３）は
ウェーハ切断具、（７） ｔｆ半導体クり−ハ、αＱｒ
１回転式ブラシである。 なお、各図中同一符号は同一またｒｔ相当部分を示す。
構成を示す平面図、＠２図は従来から用いられているウ
ェーハ切断装置の全体構成を模式的に示す平面配置図、
第３図はこの従来装置のウェーハ切断ステージにおける
ウェーハ切断状況を示す斜視図である。 図において、（２）はウェーハ切断ステージ、（３）は
ウェーハ切断具、（７） ｔｆ半導体クり−ハ、αＱｒ
１回転式ブラシである。 なお、各図中同一符号は同一またｒｔ相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）半導体ウェーハをウェーハ切断ステージに載置し
ウェーハ切断具を用いて上記半導体ウェーハを複数の半
導体チップに切断するものにおいて、上記ウェーハ切断
具に回転式ブラシを設け、上記半導体ウエーハの切断と
切断後の上記半導体ウェーハの表面の上記回転式ブラシ
を用いた清浄化とを同一の上記ウェーハ切断ステージで
同時に遂行させるようにしたことを特徴とする半導体ウ
ェーハ切断装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023267A JPS61181615A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 半導体ウエ−ハ切断装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023267A JPS61181615A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 半導体ウエ−ハ切断装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61181615A true JPS61181615A (ja) | 1986-08-14 |
Family
ID=12105823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60023267A Pending JPS61181615A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 半導体ウエ−ハ切断装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61181615A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007188974A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシング装置 |
| US9929051B1 (en) | 2016-09-23 | 2018-03-27 | Chipbond Technology Corporation | Wafer dicing method |
-
1985
- 1985-02-07 JP JP60023267A patent/JPS61181615A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007188974A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシング装置 |
| US9929051B1 (en) | 2016-09-23 | 2018-03-27 | Chipbond Technology Corporation | Wafer dicing method |
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