JPS61181178A - ジヨセフソン接合素子とその製造方法 - Google Patents
ジヨセフソン接合素子とその製造方法Info
- Publication number
- JPS61181178A JPS61181178A JP60021575A JP2157585A JPS61181178A JP S61181178 A JPS61181178 A JP S61181178A JP 60021575 A JP60021575 A JP 60021575A JP 2157585 A JP2157585 A JP 2157585A JP S61181178 A JPS61181178 A JP S61181178A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconductor thin
- thin film
- weak coupling
- josephson junction
- weak
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- -1 AA or alloys thereof Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、良好な接合特性を有し、かつ極めて製造し易
いジョセフソン接合素子およびその製造方法に関する。
いジョセフソン接合素子およびその製造方法に関する。
（従来の技術）
本発明者は先に、ジョセフソン接合素子の弱結合部を極
限まで短縮してその特性を改善することを可能とし、し
かも容易に同一特性の素子を大量生産し得る準平面型ジ
ョセフソン接合素子を提案したく特公昭５５−７７１２
号）。この後本発明者は上記ジョセフソン接合素子の改
良発明として、第９図に示されるように基板１上に２つ
の帯状の超伝導体薄膜を絶縁体層を介して交差させ、こ
の交差領域の相対する各縁において絶縁体層の厚み側面
を横切って上下の超伝導体薄膜２．３を一つの線状の弱
結合部５で結合させたジョセフソン接合素子を提案した
（特公昭５９−２３９１号）。
限まで短縮してその特性を改善することを可能とし、し
かも容易に同一特性の素子を大量生産し得る準平面型ジ
ョセフソン接合素子を提案したく特公昭５５−７７１２
号）。この後本発明者は上記ジョセフソン接合素子の改
良発明として、第９図に示されるように基板１上に２つ
の帯状の超伝導体薄膜を絶縁体層を介して交差させ、こ
の交差領域の相対する各縁において絶縁体層の厚み側面
を横切って上下の超伝導体薄膜２．３を一つの線状の弱
結合部５で結合させたジョセフソン接合素子を提案した
（特公昭５９−２３９１号）。
このジョセフソン接合素子は、マスク合せの精度がそれ
ほど高くなくても下部超伝導体薄膜２と上部超伝導体薄
膜３との重なり面積が所定の値となり、素子の特性（静
電容量）の均一な素子を極めて容易につくることができ
る。また、本発明者は、第１０図に示されるように２つ
の帯状の超伝導体薄膜２．３を絶縁体層を介して交差さ
せ、絶縁体層の厚み側面を横切って上下の超伝導体薄膜
２．３を弱結合部５により結合させたジョセフソン接合
素子を提案した（特公昭５９−１６４３０号）。
ほど高くなくても下部超伝導体薄膜２と上部超伝導体薄
膜３との重なり面積が所定の値となり、素子の特性（静
電容量）の均一な素子を極めて容易につくることができ
る。また、本発明者は、第１０図に示されるように２つ
の帯状の超伝導体薄膜２．３を絶縁体層を介して交差さ
せ、絶縁体層の厚み側面を横切って上下の超伝導体薄膜
２．３を弱結合部５により結合させたジョセフソン接合
素子を提案した（特公昭５９−１６４３０号）。
このジョセフソン接合素子は、上記特公昭５９−２３９
１号記載のジョセフソン接合素子の場合と同じ利益を得
ることができるとともに、上部下部の超伝導体薄膜を弱
結合する弱結合部５のリソグラフィに関してもマスク合
せにそれほど高精度は要求されない。
１号記載のジョセフソン接合素子の場合と同じ利益を得
ることができるとともに、上部下部の超伝導体薄膜を弱
結合する弱結合部５のリソグラフィに関してもマスク合
せにそれほど高精度は要求されない。
（発明が解決しようとする問題点）
上記特公昭５９−２３９１号に記載されたジョセフソン
接合素子においては、３μｍ程度の幅の上部下部の超伝
導体薄膜の交差部分に０．５μｍ程度の線幅の弱結合部
を設ける必要があり、マスク合せに高精度が要求される
等の製造工程に難点があった。また、上記特公昭５９−
１６４３０号に記載されたジョセフソン接合素子におい
ては、上部下部の超伝導体薄膜２．３の上方以外の部分
に存在する弱結合材料（第１０図斜線部分５′）が、ジ
ョセフソン接合の抵抗値を下げて接合の良さを表わすフ
ァクターであるＩ−ＲＪ 積を小さくして、特性を劣化
する。
接合素子においては、３μｍ程度の幅の上部下部の超伝
導体薄膜の交差部分に０．５μｍ程度の線幅の弱結合部
を設ける必要があり、マスク合せに高精度が要求される
等の製造工程に難点があった。また、上記特公昭５９−
１６４３０号に記載されたジョセフソン接合素子におい
ては、上部下部の超伝導体薄膜２．３の上方以外の部分
に存在する弱結合材料（第１０図斜線部分５′）が、ジ
ョセフソン接合の抵抗値を下げて接合の良さを表わすフ
ァクターであるＩ−ＲＪ 積を小さくして、特性を劣化
する。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点は、絶縁体層を介して交差された上部下部２
つの帯状の超伝導体薄膜上に弱結合材料がかぶさった基
板表面に、ドライエツチングを施して、絶縁体層および
上部下部２つの帯状の超伝導体薄膜の側壁部分以外の弱
結合材料を除去することにより解決される。
つの帯状の超伝導体薄膜上に弱結合材料がかぶさった基
板表面に、ドライエツチングを施して、絶縁体層および
上部下部２つの帯状の超伝導体薄膜の側壁部分以外の弱
結合材料を除去することにより解決される。
上部および下部超伝導体薄膜を形成する材料としてはＮ
ｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｌａ、ＰｂＳＳｎ、Ｉｎ。
ｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｌａ、ＰｂＳＳｎ、Ｉｎ。
ＡＡなどの金属あるいはそれ・らの合金など超伝導性を
示す各種の超伝導物質を用いることができる。
示す各種の超伝導物質を用いることができる。
これら超伝導体薄膜の厚さは例えば数百〜数千人程度の
厚さである。絶縁体層は５ｉＯｚ などの絶縁物質又は
半導体をスパッタリングあるいは蒸着することにより、
あるいは超伝導体薄膜の表面を・酸化性雰囲気中にさら
すことにより形成される。
厚さである。絶縁体層は５ｉＯｚ などの絶縁物質又は
半導体をスパッタリングあるいは蒸着することにより、
あるいは超伝導体薄膜の表面を・酸化性雰囲気中にさら
すことにより形成される。
この絶縁体層の厚さは例えば５０Ａないし数千Ａ程度に
選ばれる。弱結合材料としては前記各種超伝導物質、Ｃ
ｕなどのノーマル金属、テルルや不純物をドープした半
導体、ビスマス等を用いることができる。この弱結合材
料は基板全面にわたって百〜数千人程度の厚さに設けら
れる。下部超伝導体薄膜の側壁部分および絶縁体層と上
部超伝導体薄膜とからなる積層体の側壁部分以外に積層
された弱結合材料を除去するドライエツチングとしては
、ガスプラズマエツチング、スパッタエツチング、イオ
ンビームエツチングを使用することができるが、いずれ
のドライエツチング法を用いる場合においても、深さ方
向のエツチング速度が横方向のエツチング速度よりも速
いいわゆる異方性エツチング特性を使用する必要がある
。従って、ガスプラズマエツチングを用いる場合におい
ては放電電極が平行に対向したものを使用するのがよい
。側壁部分に残される弱結合材料の厚さは種々のエツチ
ング条件を変化することにより制御することができるが
、スパッタエツチングを用いる場合はアルゴン等の雰囲
気のガス圧を変化することにより制御することができる
。
選ばれる。弱結合材料としては前記各種超伝導物質、Ｃ
ｕなどのノーマル金属、テルルや不純物をドープした半
導体、ビスマス等を用いることができる。この弱結合材
料は基板全面にわたって百〜数千人程度の厚さに設けら
れる。下部超伝導体薄膜の側壁部分および絶縁体層と上
部超伝導体薄膜とからなる積層体の側壁部分以外に積層
された弱結合材料を除去するドライエツチングとしては
、ガスプラズマエツチング、スパッタエツチング、イオ
ンビームエツチングを使用することができるが、いずれ
のドライエツチング法を用いる場合においても、深さ方
向のエツチング速度が横方向のエツチング速度よりも速
いいわゆる異方性エツチング特性を使用する必要がある
。従って、ガスプラズマエツチングを用いる場合におい
ては放電電極が平行に対向したものを使用するのがよい
。側壁部分に残される弱結合材料の厚さは種々のエツチ
ング条件を変化することにより制御することができるが
、スパッタエツチングを用いる場合はアルゴン等の雰囲
気のガス圧を変化することにより制御することができる
。
（作 用）
本発明においては絶縁体層を介して交差する上部下部の
２つの帯状の超伝導体薄膜が設けられた基板全面にわた
って弱結合部を形成する材料の層が設けられたのち、基
板表面にドライエツチングを施してこれによって絶縁体
層および上部下部超伝導体薄膜の側壁以外に被着した弱
結合材料を除去するようにしたので、弱結合部を形成す
るフォトリソグラフィ技術も電子ビームリソグラフィ技
術も必要としない。そのため、マスク合せに係る問題は
全く発生しない。また、上部下部の超伝導体薄膜の上方
以外に存在する弱結合材料がジョセフソン接合の抵抗を
下げることがない。
２つの帯状の超伝導体薄膜が設けられた基板全面にわた
って弱結合部を形成する材料の層が設けられたのち、基
板表面にドライエツチングを施してこれによって絶縁体
層および上部下部超伝導体薄膜の側壁以外に被着した弱
結合材料を除去するようにしたので、弱結合部を形成す
るフォトリソグラフィ技術も電子ビームリソグラフィ技
術も必要としない。そのため、マスク合せに係る問題は
全く発生しない。また、上部下部の超伝導体薄膜の上方
以外に存在する弱結合材料がジョセフソン接合の抵抗を
下げることがない。
（実施例）
以下、本発明を図面を用いて説明する。第１ａ図および
第１ｂ図から第６ａ図および第６ｂ図は本発明のジョセ
フソン接合素子の製造方法を説明する平面および側面図
である。
第１ｂ図から第６ａ図および第６ｂ図は本発明のジョセ
フソン接合素子の製造方法を説明する平面および側面図
である。
（Ｉ）まず、基板１上にフォトリソグラフィ又は電子ビ
ームリソグラフィにより下部超伝導体薄膜が設けられる
部分が除かれたレジストマスクＭ＋を作成する（第１ａ
図及び第１ｂ図）。
ームリソグラフィにより下部超伝導体薄膜が設けられる
部分が除かれたレジストマスクＭ＋を作成する（第１ａ
図及び第１ｂ図）。
（ｎ）次に、このマスクＭ１ を通して超伝導物質を数
百ないし数千穴の厚さにスパッタリング又は蒸着し、次
にマスクを取除いて帯状のパターン（下部超伝導体薄膜
２）を残す。このパターンの両端は外部接続を容易にす
るために拡大されている（第２ａ図及び第２ｂ図）。
百ないし数千穴の厚さにスパッタリング又は蒸着し、次
にマスクを取除いて帯状のパターン（下部超伝導体薄膜
２）を残す。このパターンの両端は外部接続を容易にす
るために拡大されている（第２ａ図及び第２ｂ図）。
（ＩＩ［）次いでこの下部超伝導体薄膜２に交差して帯
状の窓をもつレジストマスクＭ２を配置しく第３ａ図及
び第３ｂ図）、 （ｒＶ）３１０２ などの絶縁物質又は半導体物質を５
０人ないし数千穴の厚さにスパッタリング又は蒸着し、
それから超伝導物質を数百ないし数千穴の厚さにスパッ
タリング又は蒸着し、その後マスクを取除いて帯状のパ
ターン（絶縁体層４と上部超伝導物質３とからなる帯状
積層体６）を残す（第４ａ図及び第４ｂ図）。
状の窓をもつレジストマスクＭ２を配置しく第３ａ図及
び第３ｂ図）、 （ｒＶ）３１０２ などの絶縁物質又は半導体物質を５
０人ないし数千穴の厚さにスパッタリング又は蒸着し、
それから超伝導物質を数百ないし数千穴の厚さにスパッ
タリング又は蒸着し、その後マスクを取除いて帯状のパ
ターン（絶縁体層４と上部超伝導物質３とからなる帯状
積層体６）を残す（第４ａ図及び第４ｂ図）。
（Ｖ）全面をスパッタクリーニングして酸化物を超伝導
体表面から取除いた後、全面に弱結合材料５′を数百へ
の厚さにスパッタリング又は蒸着する（第５ａ図及び第
５ｂ図）。
体表面から取除いた後、全面に弱結合材料５′を数百へ
の厚さにスパッタリング又は蒸着する（第５ａ図及び第
５ｂ図）。
（ＶＴ）基板全面にわたってドライエツチングを行い、
前記下部超伝導体薄膜２および前記積層体６の側壁部分
以外に積層した弱結合材料を除去する。
前記下部超伝導体薄膜２および前記積層体６の側壁部分
以外に積層した弱結合材料を除去する。
工程（ｒＶ）までは特公昭５９−１６４３０号に開示さ
れた方法と全く同じであり、同様の利益を得ることがで
きる。即ち、下部超伝導体薄膜２表面を損傷する恐れが
ない。また、スパッタクリーニングの際絶縁体層４の厚
み側面の整形が行われる。
れた方法と全く同じであり、同様の利益を得ることがで
きる。即ち、下部超伝導体薄膜２表面を損傷する恐れが
ない。また、スパッタクリーニングの際絶縁体層４の厚
み側面の整形が行われる。
上述された工程においては、絶縁物質又は半導体物質を
スパッタリング又は蒸着して絶縁体層が形成されるが、
この絶縁体層が比較的薄い場合（通常２００Å以下）に
はピンホールを生じて超伝導ショートを生じることがあ
る。このピンホールを閉塞するには絶縁体層を酸化すれ
ばよい。
スパッタリング又は蒸着して絶縁体層が形成されるが、
この絶縁体層が比較的薄い場合（通常２００Å以下）に
はピンホールを生じて超伝導ショートを生じることがあ
る。このピンホールを閉塞するには絶縁体層を酸化すれ
ばよい。
絶縁物質又は半導体物質をスパッタクリーニング又は蒸
着して絶縁体層をつ（る代りに、マスクＭ２の窓を通し
て露出している超伝導体薄膜２の表面を酸化雰囲気にさ
らに酸化して絶縁体層としてもよい。
着して絶縁体層をつ（る代りに、マスクＭ２の窓を通し
て露出している超伝導体薄膜２の表面を酸化雰囲気にさ
らに酸化して絶縁体層としてもよい。
第７図および第８図は本発明のジョセフソン接合素子の
拡大平面図および拡大断面図である。これら図面からも
弱結合材料５′は下部超伝導体薄膜２および積層体６の
側壁部分のみに設けられていることがわかる。弱結合材
料５′が上部と下部超伝導体層３．２間で露出する絶縁
体層４の厚み側面を横切って設けられた箇所にジョセフ
ソン接合が形成される。即ち、この箇所に設けられた弱
結合材料５′のみが弱結合部５を形成している。
拡大平面図および拡大断面図である。これら図面からも
弱結合材料５′は下部超伝導体薄膜２および積層体６の
側壁部分のみに設けられていることがわかる。弱結合材
料５′が上部と下部超伝導体層３．２間で露出する絶縁
体層４の厚み側面を横切って設けられた箇所にジョセフ
ソン接合が形成される。即ち、この箇所に設けられた弱
結合材料５′のみが弱結合部５を形成している。
（発明の効果）
本発明は、弱結合部の形成にフォトリングラフィ技術も
電子ビームリソグラフィも必要としないので、マスク合
せに高精度が要求される等の製造工程の難点が除去され
る。従って極めて容易にジョセフソン接合素子を製造す
ることができる。また、第１０図斜線部分には弱結合材
料が設けられないのでジョセフソン接合の抵抗値が低下
することがなく、良好な特性 （高１． ＲＪ積）のジョセフソン接合素子を得ること
ができる。
電子ビームリソグラフィも必要としないので、マスク合
せに高精度が要求される等の製造工程の難点が除去され
る。従って極めて容易にジョセフソン接合素子を製造す
ることができる。また、第１０図斜線部分には弱結合材
料が設けられないのでジョセフソン接合の抵抗値が低下
することがなく、良好な特性 （高１． ＲＪ積）のジョセフソン接合素子を得ること
ができる。
第１ａ図および第１ｂ図から第６ａ図および第６ｂ図は
本発明の製造方法を説明する図、第７図および第８図は
本発明のジョセフソン接合素子を示すそれぞれ平面図お
よび断面図、第９図および第１０図は従来のジョセフソ
ン接合素子の平面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・下部超伝導体薄膜
、３・・・・・・上部超伝導体薄膜、４・・・・・・絶
縁体層、５・・・・・・弱結合部、５′・・・・・・弱
結合材料、６・・・・・・積層体。 第１０図 第２０図 第４０図 第９図 第１Ｏ図
本発明の製造方法を説明する図、第７図および第８図は
本発明のジョセフソン接合素子を示すそれぞれ平面図お
よび断面図、第９図および第１０図は従来のジョセフソ
ン接合素子の平面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・下部超伝導体薄膜
、３・・・・・・上部超伝導体薄膜、４・・・・・・絶
縁体層、５・・・・・・弱結合部、５′・・・・・・弱
結合材料、６・・・・・・積層体。 第１０図 第２０図 第４０図 第９図 第１Ｏ図
Claims (2)
- （１）帯状の下部超伝導体薄膜、この下部超伝導体薄膜
に交差して配され、絶縁体層の上方に上部超伝導体薄膜
が積層された帯状積層体および前記下部超伝導体薄膜と
前記上部超伝導体薄膜とを結ぶ弱結合部からなるジョセ
フソン接合素子において、前記弱結合部を形成する弱結
合材料が、前記下部超伝導体薄膜と前記帯状積層体の側
壁部分のみに設けられていることを特徴とするジョセフ
ソン接合素子。 - （２）基板上に帯状の下部超伝導体薄膜を形成し、絶縁
体層の上方に上部超伝導体薄膜が積層された帯状積層体
を前記下部超伝導体薄膜に交差して形成し、 基板全面にわたって弱結合部を形成する弱結合材料を積
層し、次に この弱結合材料が表層に積層された基板表面にドライエ
ッチングを施し、前記下部超伝導体薄膜および前記積層
体の側壁部分を除いて前記積層された弱結合材料を除去
するジョセフソン接合素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60021575A JPS61181178A (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | ジヨセフソン接合素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60021575A JPS61181178A (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | ジヨセフソン接合素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61181178A true JPS61181178A (ja) | 1986-08-13 |
Family
ID=12058827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60021575A Pending JPS61181178A (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | ジヨセフソン接合素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61181178A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63226981A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-21 | Fujitsu Ltd | 超伝導集積回路装置およびその製造方法 |
| JPS63261769A (ja) * | 1987-04-18 | 1988-10-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物超電導材料の作製方法 |
| US6682621B2 (en) * | 2000-08-21 | 2004-01-27 | National Institute For Materials Science | Method of forming high temperature superconducting josephson junction |
| MD174Z (ro) * | 2009-05-19 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Material semiconductor |
| MD323Z (ro) * | 2009-12-29 | 2011-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Microfir termoelectric în izolaţie de sticlă |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58134484A (ja) * | 1982-02-05 | 1983-08-10 | Rikagaku Kenkyusho | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
-
1985
- 1985-02-06 JP JP60021575A patent/JPS61181178A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58134484A (ja) * | 1982-02-05 | 1983-08-10 | Rikagaku Kenkyusho | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63226981A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-21 | Fujitsu Ltd | 超伝導集積回路装置およびその製造方法 |
| JPS63261769A (ja) * | 1987-04-18 | 1988-10-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物超電導材料の作製方法 |
| JPH0577313B2 (ja) * | 1987-04-18 | 1993-10-26 | Handotai Energy Kenkyusho | |
| US6682621B2 (en) * | 2000-08-21 | 2004-01-27 | National Institute For Materials Science | Method of forming high temperature superconducting josephson junction |
| US6839578B2 (en) | 2000-08-21 | 2005-01-04 | National Institute For Materials Science | Method of forming high temperature superconducting Josephson junction |
| MD174Z (ro) * | 2009-05-19 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Material semiconductor |
| MD323Z (ro) * | 2009-12-29 | 2011-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Microfir termoelectric în izolaţie de sticlă |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS58200586A (ja) | ニオブ−絶縁体−ニオブのジヨセフソンのトンネル接合デバイスのその場製造の方法 | |
| US4366494A (en) | Josephson junction and a method of making the same | |
| US5418213A (en) | Method for forming continuous oxide superconducting layer having difference thickness portions for superconducting device | |
| JP2584003B2 (ja) | 超電導素子及びその製造方法 | |
| JPS61181178A (ja) | ジヨセフソン接合素子とその製造方法 | |
| US4430790A (en) | Method of making a Josephson junction | |
| JPS5978585A (ja) | ジヨセフソン集積回路 | |
| JP2594934B2 (ja) | 弱結合型ジヨセフソン素子 | |
| JP2682136B2 (ja) | ジョセフソン素子の製造方法 | |
| JPS5916430B2 (ja) | ジヨセフソン接合素子とその製造方法 | |
| JP2535539B2 (ja) | ジョセフソン回路の製造方法 | |
| JPS5846197B2 (ja) | ジヨセフソン接合素子とその製造方法 | |
| JPS60208873A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
| JP2976904B2 (ja) | 超電導電界効果型素子およびその作製方法 | |
| JP2656364B2 (ja) | 超電導素子の製造方法 | |
| JPH0322711B2 (ja) | ||
| JP2989943B2 (ja) | 超電導集積回路の製造方法 | |
| JPS58134484A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
| JP2517081B2 (ja) | 超伝導素子およびその製造方法 | |
| JPH02213176A (ja) | 準平面型ジョセフソン接合素子 | |
| JPH053754B2 (ja) | ||
| JPS61144892A (ja) | シヨセフソン集積回路の製造方法 | |
| JPH02192774A (ja) | 準平面型ジョセフソン接合素子 | |
| JPH0519993B2 (ja) | ||
| JPS592391B2 (ja) | ジヨセフソン接合素子とその製造方法 |