JPS61180423A - 分子線エピタキシ装置 - Google Patents

分子線エピタキシ装置

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Publication number
JPS61180423A
JPS61180423A JP1991285A JP1991285A JPS61180423A JP S61180423 A JPS61180423 A JP S61180423A JP 1991285 A JP1991285 A JP 1991285A JP 1991285 A JP1991285 A JP 1991285A JP S61180423 A JPS61180423 A JP S61180423A
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JP
Japan
Prior art keywords
sample
crystal growth
chamber
pulley
carrying
Prior art date
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Pending
Application number
JP1991285A
Other languages
English (en)
Inventor
Sumio Okuno
奥野 澄雄
Norio Kanai
金井 謙雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP1991285A priority Critical patent/JPS61180423A/ja
Publication of JPS61180423A publication Critical patent/JPS61180423A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/02631Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、分子線エピタキシ装置(以下、MBE装置と
略)Iこ関するものである。
〔発明の背景〕
従来のMBFf装置としては、例えば、高橋編、「分子
線エピタキシー技術」、工業調査会発行、(1,984
,1,20)のP64〜65に記載のような、結晶成長
室等をモジュール化して構成するものが知られている。
このMBE装置では、基本的な構成に成長室モジュール
を追加することで複数個の結晶成長室を有するものV成
り得、スループブトを向上させることが可能である。
しかし、このMBE装置では、スペースファクタについ
ては考慮されていない。即ち、搬送室と結晶成長室との
間で試料を搬送するマニピュレータが結晶成長室に対応
した位置で装置設置床面に対して略平行に往復動するよ
うに設けられているため、全体の装置設置床面積が増大
するという問題がある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、搬送室と結晶成長室との間で試料を搬
送する搬送手段が占有する床面積を狭小化することで、
全体の装置設置床面積の増大を抑制できるMBE装置を
提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、搬送室と、該搬送室を共有する結晶成長室と
、コンストンバネの繰り出し並びに巻き取って該フンス
トンバネに設けられた試料保持具を前記搬送室と前記結
晶成長室との間で往復動させる搬送手段と、前記試料保
持具が前記結晶成長室に対応可能に前記搬送手段を移動
させる移動手段とを具備したことを特徴とするもので、
搬送室と結晶成長室との間で試料を搬送する搬送手段が
占有する床面積を狭小化しようとしたものである。
〔発明の実施例〕
Bハ 本発〆の一実施例を第1図〜第5図により説明する。
il1図、第2図で、導入室10には、その上方位置で
準備室Iが真空間開閉手段、例えば、ゲートバルブ(9
)を介して設けられている。搬送家信は、この場合、縦
形に設けられている。準備室孔は、搬送家信の下部に真
空間開閉手段、例えば、ゲーとバルブ31を介して設け
られている。結晶成長家父〜Iは、搬送家信を共有し設
けられている。即ち、結晶成長室(資)〜弱は、高さ方
向に、この場合、結晶成長室50〜52が下段位置壷こ
、結晶成長室閏〜5が上段位置になるように配置されて
真空間開閉手段、例えば、ゲートバルブ支〜訂を介して
搬送家信に設けられている。搬送家信の下部には、搬出
室ωが真空間開閉手段、例えば、ゲートバルブ繋を介し
て設けられている。
第3図〜第5図で、搬送家信は、縦形に設けられた外槽
41と、外槽41内で外槽41と同心状に配設された内
槽42とで構成されている。外槽41と内槽42とで形
成された空間Cは、減圧排気され、内槽42内は大気圧
下にある。
第1図〜第5図で、コンストンバネ70の繰り出し並び
に巻き取りでコンストンバネ70に設けられた試料保持
具、例えば、試料す鳴いnを搬送電信と結晶成長室50
〜55との間で往復動させる搬送手段nと、試料すくい
71が結晶成長室間〜団に対応可能すなわちゲートバル
ブ支〜舅に対応可能に搬送手段nを移動させる移動手段
(資)とが搬送家信に設けられている。
第3図〜第5図で、搬送手段nは、コンストンバネ70
と試料すくい71とプーリ73,74と歯車乃と磁気カ
ブプリング76とで構成されている。移動手段間は、ボ
ールネジ81とスクリュシャフト82と磁気カップリン
グ83 a −83Cと、軸受84a、 &4bと駆動
モータ85a、85k)とビニオン圀と内歯車87a、
87bと歯車間とスクリュシャフト圏を回転駆動する駆
動装W(図示省略)とで構成されている。
第3図〜第5図で、スクリュシャフト鯰は、内槽42の
中心を軸心として内槽仕向に回転可能に挿設されている
。スクリュシャフト鯰の一端は、駆動装置に連接されて
いる。ボールネジ81は、スクリュシャフト圏に、この
場合、上下方向に2段螺合されている。ボールネジ81
には、軸受84aを介して磁気カブプリング&3aが回
動可能に設けられている。磁気カブプリング8aは、内
槽42内面と対応し所定の隙間を有している。駆動モー
タl115aには、ピニオン羽が設けられ、ビニオン関
は、この場合、上段の磁気カップリング83aのボスに
設けられた内歯車87aに噛合してしる。上、下段の磁
気カップリング83aは、固定具羽により固定されてい
る。この場合、下段のボールネジ81には、プラグ匍を
介し駆動モータ85bが設けられている。
駆動モータ85bには、歯車間が設けられている。
プラグ9には、軸受84bを介し磁気カップリング83
bが回動可能に設けられている。磁気カブプリング83
bは、内槽C内面と対応し所定の隙間を有している。磁
気カップリング83bのボスには内歯車87bが設けら
れ、内歯車87bは、歯車間に噛合している。磁気カッ
プリング83cは、内槽42をはさみ磁気カップリング
83aと対向して設けられている。磁気カップリング8
3cは、内槽42外面と所定の隙間を有している。上、
下段の磁気カブプリング83cは、固定具91により固
定されている。搬送ステージ蛇は、略水平面を保持し固
定具91に片持ち支持されている。プーリ73は、この
場合、2個用いられ、試料す(いnの往復動軸線を中心
とする対称位置で搬送ステージnに回動可能に設けられ
ている。プーリnの回動軸には磁気カブプリング76が
設けられている。磁気カップリング76は、内槽42を
はさみ磁気カップリング&lbと対向している。プーリ
74は、この場合、2個用いられ、試料すくいnの往復
動軸線を中心とする対称位置で搬送ステージ92に回動
可能に設けられている。プーリ74の回動軸間隔は、プ
ーリ73の回動軸間隔よりも小さく繰り出されるコンス
トンバネ70かに料すくいnの往復動軸と平行になるよ
うな間隔になっている。プーリ73の回動は、歯車乃を
介してプーリ74に伝達され、ブーIJ nの回転方向
と同一方向にプーリ74は回転するようになっている。
コンストンバネ70は、この場合、2条用いられ、フン
ストンバネ70の一端は、プーリnに固定されている。
プーリ73に一端を固定されたフンストンバネ70は、
プーリ74に途中接触し、その他端には試料す々い71
が試料すくい面を略水平として設けられている。
第1図〜第5図で、駆動装置によりスクリュシャフト羽
を回転させることによりボールネジ81は内槽42内を
上下方向に移動させられる。この移動により磁気カブプ
リング83a、83bは同一方向に同時に移動し、この
移動により磁気カブプリング83cも空間0を同一方向
に同時に移動させられる。
この移動により搬送手段72も空間お内を同一方向に同
時に移動させられる。このような搬送手段72の空間4
内での移動量は、ス々リュシャフト&の回転度数を検出
し駆動装置の作動を制御することで所定量に精度良4調
節される。また、試料すくいnを所定の結晶成長室すな
わちゲートバルブに対応させることは、駆動モータ85
aを作動させることで実施される。すなわち、駆動モー
タ85aを作動させることで、磁気カブプリング83a
、 83bは、円周方向に内槽42内面に沿って移動さ
せられる。この移動により磁気カップリング&lcは空
間c内を同一方向に同時に移動させられ、この移動によ
り搬送手段72も空間4内を同一方向に同時に移動させ
られる。この移動により試料すくいnが所定のゲートバ
ルブ(こ対応した時点で駆動モータ85aの作動は停止
され′る。この状態で、駆動モータ85bが作動され、
これにより磁気カップリング&3bは回転させられる。
この回転により磁気カップリング76はプーリnの回動
軸を軸心として回転させられ、これととも畳こプーリn
は時計回り方向に回転させられる。プーリnの回転は歯
車πを介してプーリ74に伝達され、プーリ74は時計
回り方向に回転させられる。このようなプーリ73.7
4の回転によりコンストンバネ70は繰り出され、試料
すくい71は、開放されたゲートバルブを介して空間招
から結晶成長室内へと移動させられる。このような移動
前に試料す4い71が試料(図示省略)を保持している
場合は、試料は、搬送家信から結晶成長室へ搬入された
ことになり、また、このような移動前に試料す鳴いnが
試料を保持していない場合は、結晶成長室内にある試料
を受は取るために試料す鳴い71は移動させられたこと
になる。
結晶成長室内に移動した試料すくい71を結晶成長室か
ら空間4内へ移動させて戻すためには、上記操作と逆の
操作を実施すなわちプーリ73.74を反時計回り方向
に回転させれば良い。このような移動前に試料す鳴いn
が試料を保持している場合は、試料は、結晶成長室から
搬送家信へ搬出されたことになり、また、このような移
動前に試料すくい71が試料を保持していない場合は、
結晶成長室から退避するために試料すくい71は移動さ
せられたことになる。
本実施例では、次のような効果を得ることができる。
(1)搬送手段が占有する床面積を狭小化できるため、
全体の装置設置床面積の増大を抑制できる。
(2)真空下1こある搬送手段を非接触で移動できるた
め、摺動に起因する発塵を防止できる。
(3)移動手段の駆動部を大気側に設は大気側から真空
側へのI動力の伝達を非接触で行えるため、真空に起因
する問題がなくなり信頼性を向上できる。
(4)複数個の結晶成長室を高さ方向に設けているため
、結晶成長室が占有する床面積を狭小化でき全体の装置
設置床面積の増大を抑制できる。
なお、本実施例では、搬送手段を移動手段により上下方
向に移動させるようにしているが、この方向は上下方向
に特に限定されるものではな(、例えば、水平方向であ
っても良い。また、本実施例では、試料保持具として試
料すくいを用いているが、その他に、例えば、電磁チャ
ック等のように試料を吸着して保持する手段、開閉する
爪で試料をつかみ保持する手段等を用いても良い。また
、未実施例では、試料保持具である試料すくいを搬送室
と結晶成長室との間で直進往復動させるようにしている
が、この他に、フンストンバネの繰す出し量並びに巻き
取り量を調節することで、部分回動を含み往復動させる
ようにしても良い。
〔発明の効果〕
本発明は、以上説明したように、搬送室と結晶成長室と
の間で試料を搬送する搬送手段が占有する床面積を狭小
化できるので、全体の装置設置床面積の増大を抑制でき
るM B B*flを提供できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
@1図は、本発明によるMBB!Jfiの一実施例を示
す平面外観図、第2図は、第1図のMBE装置の正面外
観図、第3図は、第2図の搬送室の部分縦断面図、第4
図は、第3図の要部拡大縦断面図、第5図は、第3図の
要部平面図である。 俯・・・・・・搬送室、父ないし5・・−・・結晶成長
室、7゜・・・・・・コンストンバネ、71・・曲XL
t−<ぃ、η・・・・・・搬送手段、(資)・・・・・
・移動手段4′lI21 才2図 千3図 4tu 80−違ダ勧り晩 才5図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、搬送室と、該搬送室を共有する結晶成長室と、コン
    ストンバネの繰り出し並びに巻き取りで該コンストンバ
    ネに設けられた試料保持具を前記搬送室と前起結晶成長
    室との間で往復動させる搬送手段と、前記試料保持具が
    前記結晶成長室に対応可能に前記搬送手段を移動させる
    移動手段とを具備したことを特徴とする分子線エピタキ
    シ装置。
JP1991285A 1985-02-06 1985-02-06 分子線エピタキシ装置 Pending JPS61180423A (ja)

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JP1991285A JPS61180423A (ja) 1985-02-06 1985-02-06 分子線エピタキシ装置

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63315594A (ja) * 1987-06-15 1988-12-23 Nissin Electric Co Ltd 分子線エピタキシ−装置
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US10221867B2 (en) 2013-12-10 2019-03-05 Dayco Ip Holdings, Llc Flow control for aspirators producing vacuum using the venturi effect

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