JPS61179456A

JPS61179456A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS61179456A
Application number: JP60019313A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Shirai; 茂白井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-02-05
Filing date: 1985-02-05
Publication date: 1986-08-12

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の属する技術分野〕本発明は、光（ここでは広義の光であって、紫外線、可
視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を意味する。）のような
電磁波に対して感受性のある光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のスペクト
ル特性に適合した吸収スペクトル特性を有すること、光
応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時に
おいて人体に対して無公害であること、更には固体撮像
装置においては、残像全所定時間内に容易に処理するこ
とができること等の特性が要求される。殊に、事務機と
してオフィスで使用される電子写真装置内に組込まれる
電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時におけ
る無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ　”　Ｓｉ　　　　　゛
と表記す）があシ、例えば、独国公開第２７４６９６７
号公報、同第２８５５７１８号公報には電子写真用像形
成部材として、独国公開第２９３３４１１号公報には光
電変換読取装置への応用が記載されている。

しかしながら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の
電気的、光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の点
、更には経時的安定性及び耐久性の点において、各々、
個々には特性の向上が計られているが、総合的な特性向
上を計る上で更に改良される余地が存するのが実情であ
る。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来におい
てはその使用時において残留電位が残る場合が度々観測
され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続ける
と、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が生ず
る所謂コ゛−スト現象を発する様になる等の不都合な点
が少なくなかった。

又、ａ−８ｉ材料で光導電層を構成する場合には、その
電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子或
いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気伝
導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いはその他
の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として光
導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕
方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性や耐圧性に問題が生ずる場合があった。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生し念フォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
とや、暗部における支持体側よシの電荷の注入の阻止が
充分でないこと、或いは、転写紙に転写された画像に俗
に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象による
と思われる画像欠陥や、クリーニングにブレードを用い
るとその摺擦によると思われる、俗に「白スジ」と云わ
れている画像欠陥が生じたシしていた。又、多湿雰囲気
中で使用したシ、或いは多湿雰囲気中に長時間放置した
直後に使用すると俗に云う画像のボケが生ずる場合が少
なくなかった。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室よシ取シ出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちになる。この現象は、殊に
支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されているド
ラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点に
於いて解決されるべき点がある。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

〔発明の目的〕

本発明は、上述のとときａ−８ｉで構成された従来の、
光導電層を有する光導電部材における諸問題を解決する
ことを目的とするものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しておシ、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現像を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全くか又は殆んど観測されない、ａ−８ｉで構成
された光受容層を有する光受容部材を提供することにあ
る。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であシ、層品質の高い、ａ−
８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、電子写真用像形成部材として
適用させた場合、静電像形成のための帯電処理の際の電
荷保持能力が充分であり、通常の電子写真法が極めて有
効に適用され得る優れた電子写真特性を有する、ａ−８
ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供する
ことにある。

本発明の別の目的は、長期の使用に於いて画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることが容易
にできる電子写真用のａ　−Ｓｉで構成された光導電層
を有する光導電部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−３ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明は上記の目的を達成するものであって、電子写真
用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等に使用される
光受容部材としてのａ−３ｉの製品成立性、適用性、応
用性等の事項を含めて総括的に鋭意研究を続けた結果、
シリコン原子を母体とする非晶質材料、特にシリコン原
子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）
の少なくともいずれか一方を含有するアモルファス材料
、いわゆる水素化アモルファスシリコン、ハロゲン化ア
モルファスシ’）：’７、＠るいハハロゲン含有水素化
アモルファスシリコン〔以下これらの総称的表記として
Ｖ　ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）　Ｊをもって表現する。〕に
て構成される光受容層を有する光受容部材の層構成を以
下に記載する様な特定の二層構成の下に設計されて作成
される光受容部材が、実用上著しく優れた特性を示すば
かシでなく、従来の光受容部材と比較してみてもあらゆ
る点において凌駕しており、特に電子写真用の光受容部
材として著しく優れた特性を有するという事実を見い出
したことに基いて完成せしめたものである。

すなわち、本発明の光受容部材は、支持体と、該支持体
上に、シリコンを母体とする非晶質材料を含有し光導電
性を有する第一の層と、シリコンを母体とし炭素原子を
含む非晶質材料を含有する第二の層と全積層してなる光
受容層とで構成され、前記第一の層の全層領域又は一部
の層領域に伝導性を制御する物質を含有し、前記第二の
層の全層領域に伝導性を制御する物質を含有しているこ
とを特徴とするものである。

そして、前記第一の層のシリコンを母体とする非晶質材
料には、前述のａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）を用い、前記第二
の層のシリコンを母体とし炭素原子を含む非晶質材料に
は、特にシリコン原子を母体とし、炭素原子（Ｃ）およ
び水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）の少なくとも
一つを含有するアモルファス材料〔以下、これをｒａ−
８ｉ（’（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕を用いる。

また、前記の伝導性を制御する物質としては、半導体分
野における、いわゆる不純物を挙げることができ、本発
明においては、ｐ型伝導特性を与える周期律表第■族に
属する原子（以下「第■族原子」という。）、またはＮ
型伝導特性を与える周期律表第■族に属する原子（以下
「第Ｖ族原子」という。）を用いる。第■族原子として
は、具体的には、Ｂ（硼素）％Ａｔ（アルミニウム）、
Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｔ（タリウ
ム）等があシ、特に８％Ｇａが好適である。第Ｖ族原子
としては、具体的には、Ｐ（燐）、Ａｓ　（砒素）、ｓ
ｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス′）等があシ、特に
Ｐ　％　Ａｓが好適である。

そして、第一の層が含有する伝導性を制御する物質と、
第二の層が含有する伝導性を制御する物質とは、同じで
あっても或いは異なっていてもよく、これらの伝導性を
制御する物質は、第一の層については、その全層領域中
又は一部の層領域中に均一に分布して含有され、第二の
層については、その全層領域中に均一に分布して含有さ
れる。

第一の層について、その全層領域中に、伝導性を制御す
る物質を均一に分布して含有する場合、主として第一の
層の伝導型又は／及び伝導率を制御する効果が奏され、
その含有量は比較的わずかな量でよい。

また、第一の層につｂてその一部の層領域が伝導性を制
御する物質を均一に分布して含有する場合、即ち例えば
、支持体と接する一部の層領域に均一に分布して含有す
る場合、電荷注入阻止層としての効果が奏され、この場
合の含有量は比較的多量である。

さらに、伝導性全制御する物質を均一に分布して含有す
る第１の層の一部の層領域が、上述とは逆に、第二の層
と接する一部の層領域である場合には、第一の層と第二
の層の伝導性を制御する物質が同じ伝導型であれば、第
一の層と第二の層の間のエネルギーレベル的整合性を向
上させて、両層間での電荷の移送を高めるという効果が
奏され、この効果は第二の層の層厚が厚く、暗抵抗が高
い場合に特に顕著である。また、第二の層と接する第一
の層の一部の層領域が伝導性を制御する物質を均一に分
布して含有する場合において、第一の層と第二の層の伝
導性を制御する物質が異なる伝導型のものである場合、
第一の層の第二の層に接する一部の層領域は積極的に第
一の層と第二の層の接合部となシ、帯電処理時における
見掛は上の暗抵抗の増大をはかるという効果が奏される
。

そして、第二の層と接する第一の層の一部の層領域に伝
導性を制御する物質を均一に分布して含有せしめる場合
、その含有量は比較的わずかな量でよい。

本発明において、第一の層に用いる伝導性を制御する物
質、すなわち第１族原子又は第■族原子を構成成分とす
るアモルファス材料を以下、ｒ　ａ−８ｉＭ、　（Ｈ、
Ｘ）　Ｊ　（但しＭ、は第１族原子又は第Ｖ族原子を表
わす。）と表記する。

本発明における第二の層は、シリコン原子を母体とし、
これに炭素原子および伝導性を制御する物質を構造的に
導入し、その全層領域中に該炭素原子および伝導性を制
御する物質が均一に分布したアモルファス材料〔以下「
ａ−８ｉＣＭ２（Ｈ，Ｘ）Ｊ（但し、Ｍ２は第■族原子
又は第Ｖ族原子を表わし、Ｍ２＝Ｍ、又はＭ２　／Ｍ　
＋である。）と表記する。〕で構成されるものであって
、本発明においてはこの第二の層は、耐湿性、連続繰返
し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、および耐久
性などを向上させる目的で設けられる。本発明の第二の
層に炭素原子を構造的に導入する場合、炭素原子の量の
増加に伴って、これらの特性は向上するが、炭素原子の
量が多すぎると層品質が低下し、電気的および機械的特
性も低下する。こうしたことから、炭素原子の量は好ま
しくはＩ　Ｘ　１０−３〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％、よ
シ好ましくは１〜ｇ□　ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０
〜８０ａｔｏｍｉｃ％にするのが望ましい。

さらに、連続繰返し使用特性および耐久性の向上のため
には第二の層の層厚を厚くすることが好ましいが、層厚
が厚くなると残留電位の発生原因となる。本発明では第
二の層が伝導性を制御する物質、すなわち第■族原子又
は第Ｖ族原子全含有することにより、該残留電位の発生
を防止し、あるいは実質的な影響がない程度に該残留電
位の発生を抑止するものである。また、第二の層は通常
だと機械的耐久性には優れているが、先端が鋭角なもの
で表面を摺擦したり、あるいは押圧したシすると、表面
に機械的傷が残らない場合であっても、帯電処理時には
静電荷的痕跡傷として現われ、トナーの転写画像の画像
品質の低下を来たしてしまうが、こうした場合、本発明
によシ伝導性を制御する物質（すなわち第１族又は第Ｖ
族原子）を第二の層に含有せしめておくことによシ、こ
れらの問題の発生を未然に防止できる。

本発明の光受容部材は、前述のように層構成としたこと
によシ、前述したａ−８ｉで構成された光受容層を有す
る光受容部材の諸問題の総てを解決し、極めて優れた電
気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環
境特性を示す。そして特に、電子写真用像形成部材とし
て適用する場合には、画像形成への残留電位の影響が全
くなく、その電気的特性が安定しておシ高感度で、高Ｓ
Ｎ比を有し、耐光疲労、繰返し使用特性に優れ、濃度が
高く、ハーフトーンが鮮明に出て、かつ解像度の高い、
高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

また、本発明の光受容部材は、支持体上に形成される光
受容層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着
性に優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用する
ことができる。

以下、図面に従って、本発明の光受容層についてより詳
細に説明する。

第１〜３図は本発明の光受容部材の層構成全説明するた
めに模式的に示した図であり、図において、１００は光
受容部材、　　１０１は支持体、１０２は第一の層、１
０２’は第１族原子又は第■族原子を含有する層領域、
１０２”は第１族原子又は第Ｖ族原子を含有しない層領
域、１０３は第二の層、１０４は自由表面を表わす。

以下、本発明の光受容部材を構成する各層について記載
する。

支持体本発明において使用される支持体１０１としては、導電
性でも電気絶縁性であっても良い。導電性支持体として
は、例えば、Ｎｉ（：：ｒ、ステンレス、Ａｔ、　Ｃｒ
％Ｍｏ％Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　ｖ、　Ｔｉ。

ｐｔ　、　ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる
。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

Ａｔ％Ｃｒ、　Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ１Ｎｂ、Ｔａ％Ｖ、Ｔ
ｉ。

Ｐｔ　、　Ｐｄ　１１ｎ２０３．５ｎ０２、Ｉ　Ｔ　Ｏ
（Ｉｎ２Ｏ５＋　５ｎＯ２）等から成る薄膜を設けるこ
とによって導電性が付与され、或いはポリエステルフィ
ルム等の合成樹脂フイ／ｌ／　ムであれば、ＮｉＣｒ、
　ｈｔ１Ａｇｓｐｂ％Ｚｎ１Ｎｉ　、　Ａｕ、　Ｃｒ、
　Ｍｏ、Ｉｒ　、　Ｎｂ　、　Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム
蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金
属でその表面をラミネート処理して、その表面に導電性
が付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト
状、板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状
は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１００を
電子写真用像形成部材として使用するのであれば連続高
速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形
成される様に適宜法、定されるが、光導電部材として可
撓性が要求される場合には、支持体としての機能が充分
発揮される範囲内であれば可能な限シ薄くされる。

面乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機
械的強度等の点から、通常は、１０μ以上とされる。

第一の層本発明ニオける第一の層１０２は、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）
で構成される光導電性を有する層であって、該層の全層
領域又は一部の層領域に、第■族原子又は第Ｖ族原子を
均一に分布して含有すること全特徴とする層であシ、前
述の支持体１０１上に設けられている。

第１図は、本発明の光受容部材において、第一の層の全
層領域中に第１族原子又は第Ｖ族原子を均一に含有して
いる場合を模式的に示されテオシ、第一の層１０２はａ
　　ＳＩＭＩ（Ｈ，Ｘ）から構成されている。第１図の
ごとく、第一の層全層領域中に第１族原子又は第■族原
子全含有する場合は、主として伝導型及び／又は伝導率
を制御する効果を奏し、該第１族原子又は第■族原子は
、第二の層において用いられるものと同一であっても或
いは異なっていてもよい。本発明において前述の目的を
達成するためには、第１族原子又は第Ｖ族原子の含有量
は比較的少量であシ、好適には１ｘ　１ｏ−３〜＋０３
ａｔｏｍｉｃ　Ｉ）１）ｍ　、より好適には５　Ｘ　１
０−２〜５　Ｘ　１０２１０２ａｔｏ　ｐｐｍ１最適に
はＩＸ　１０−１〜２　Ｘ　１０２１０２ａｔｏ　ｐｐ
ｍである。

第２図は、本発明の光受容部材において、第一の層１０
２が、第■族原子又は第Ｖ族原子を均一に含有しており
、かつ支持体１０１と接している層領域１０２′と該層
１０２′上に設けられた第１族原子又は第Ｖ族原子のい
ずれも含有していない層領域１０２”とからなる場合を
模式的に示しておシ、層領域１０２′はａ−８ｉＭ、　
（Ｈ，Ｘ）で構成され、層領域１０２”はａ−３ｉ（Ｈ
，Ｘ）で構成されている。

第２図のごとく、支持体１０１に接している一部の層領
域に第１族原子又は第■族原子を含有している場合は、
主として層領域１０２′が電荷注入阻止層の役割を果た
すという効果を奏するものである。該効果を奏するのに
必要な第１族原子又は第Ｖ族原子の含有量は比較的多め
であり、好適には３０〜５　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ、よシ好適には５０〜Ｉ　Ｘ　１０’ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ、最適にハｉ　ｘ　ｉｏ２〜５　Ｘ　１０３
１０３ａｔｏ　ｐｐｍである。また、該効果ヲ奏するた
めには、層領域１０２′の層厚１　ｔ’とし、層領域１
０２”の層厚をｉｌｌとした場合、ｔ’／ｌ’＋ｔ”≦
０．４の関係式が成立することが望ましく、より好まし
くは該関係式の値が０．３５以下、最適には０．３以下
となるようにするのが望ましい。さらに層領域１０２′
の層厚としては、好ましくは３０Ａ〜１０μ、より好ま
しくは４０Ａ〜８μ、最適には５０Ａ〜５μとするのが
望ましい。

第３図は、本発明の光受容部材において、第１の層が、
第１族原子又は第Ｖ族原子のいずれをも含有しない層領
域１０２”と、該層領域１０２”の上に設けられ、かつ
第二の層と接していて、第■族原子又は第Ｖ族原子を均
一に分布して含有する層領域１０２′とからなる場合を
模式的に示すものである。即ち、支持体側の層領域１０
２”’ｉ　ａ−８ｔ　（Ｈ，Ｘ）で構成し、第二の層側
の層領域１０２′をａ　　Ｓ　ＩＭｌ　（Ｈｔ　Ｘ　＞
で構成する場合である。

第３図に示すごとく、第二の層に接している第一の層の
一部の層領域に第１族原子又は第Ｖ族原子を均−尾分布
して含有する場合にあって、該第■族原子又は第Ｖ族原
子が第二の層に用いられるのと同じ伝導型を有するもの
にする場合は、第一の層と第二の層との間のエネルギー
レベル的整合性を向上させ、２つの眉間での電荷の移送
性を高める効果を奏し、この効果は特に第二の層の層厚
が厚く、暗抵抗が高い場合、よシ顕著なものとなる。ま
た、第二の層に接する第一の層の一部の層領域に第１族
原子又は第Ｖ族原子を均一に分布して含有する場合にあ
って、その第１族原子又は第Ｖ族原子を第二の層に用い
られるのと異なる伝導型のものにする場合１、層領域１
０２′は、積極的意義において第一の層と第二の層の接
合部を設けてなるものとなシ、帯電処理時の見掛は上の
暗抵抗の増大を計るという効果を奏する。その場合の第
１族原子又は第Ｖ族原子の含有量は、比較的少量でよく
、好適にはＩ　Ｘ　１０−３〜Ｉ　Ｘ　１０３１０３ａ
ｔｏ　ｐｐｍ、よシ好適には５　Ｘ　１０−２〜５　Ｘ
　１０２１０２ａｔｏ　ｐｐｍ、最適には０．１〜２　
Ｘ　１０２１０２ａｔｏ　ｐｐｍである。

以上、第１〜３図を用いて本発明の光受容部材の第一の
層について記載したが、本発明の光受容部材はこれらに
限定されるものではない。

即ち、第一の層は第１族原子又は第Ｖ族原子を全層領域
中に含有するか、あるいは一部の層領域中に含有するも
のであり、該一部の層領域は、その所在位置について特
に限定はない。

本発明の光受容部材の第一の層の基本的構成であるａ−
３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成するには、例えば
グロー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレー
ティング法等の放電現像を利用する真空堆積法を用いる
。例えばグロー放電法によって第一の層１０２　’ｉ影
形成るには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）’に供給
し得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、水素原子（Ｈ）導
入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガス
を、内部が減圧にしうる堆積室内に導入して、該堆積室
内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されで
ある所定の支持体表面上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る
層を形成させればよい。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをペースとした
混合ガスの雰囲気中でｓｉで構成されたターゲツｔｔ−
スパッタリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積
室に導入してやればよい。

本発明において、必要に応じて第一の層１０２中に含有
せしめるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、特にフッ素、塩素
を好適なものとして挙げることができる。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスとして
は、ＳｉＨ，、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ、Ｈ８，５ｉ４ｎ、。

等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類
）が有効に使用されるものとして挙げられ、特に、層作
成作業のし易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４
，５ｉ２Ｈ，が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるノ・ロゲン原子導入用の原料
ガスとして有効なのは、多くのノ・ロゲン化合物が挙げ
られ、例えばノ・ロゲンガス、ノ・ロゲン化物、ハロゲ
ン間化合物、ノ・ロゲンで置換されたシラン誘導体等の
ガス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましい
ものとして挙げられる。

更にまた、シリコン原子とノ・ロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化しうるノ・ロゲン原子を含
む硅素化合物も有効なものとして挙げることができる。

そして、好適に使用し得るノ・ロゲン化合物としては、
具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガ
ス、ＢｒＦ　、　ＣｔＦ　、　ＣＬＦ　ｓ、ＢｒＦ、、
ＢｒＦ３、ＩＦ３、ＩＦ７、ＩＣ２，ＩＢｒ等のノーロ
ゲン間化合物金挙げることができる。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、いわゆる、ハロゲン原
子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例え
ばＳｉＦ４　ｓ　Ｓｉ２Ｆ６．５ｔｃｔ４、Ｓ　Ｉ　Ｂ
ｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げるこ
とができる。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、ｓｉｔ供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上にハロゲン
原子を含むａ−８ｉから成る第一の層を形成する事が出
来る。

グロー放電法に従って、ノ・ロゲン原子を含む第一の層
を形成する場合、基本的には、Ｓｉ供給用の原料ガスで
あるハロゲン化硅素ガスとＡｒ１Ｈ２、Ｈｅ等のガス等
を所定の混合比とガス流量になる様にして第一の層１０
２　ｆｔ形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによっ
て、所　　　　定の支持体上に第一の層１０２ヲ形成し
得るものであるが、水素原子の導入を計る為にこれ等の
ガスに更に水素原子を含む硅素化合物のガスも所定量混
合して層形成してもよい。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用してもよい。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る第一の層１０２　’
ｉ層形成るには、例えばスパッタリング法の場合にはＳ
ｉから成るターゲットを使用して、これを所定のガスプ
ラズマ雰囲気中でスパッタリングし、イオンブレーティ
ング法の場合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコン
を蒸発源として蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発
源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム法（ＥＢ法
）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラ
ズマ雰囲気中を通過させる事で行う事ができる。

その際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
倒れの場合でも、形成される層中にハロゲン原子を導入
するについては、前記の７１０ゲン化合物又は前記のハ
ロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し
て該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやればよい。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２或いは前記したシラン類等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやればよい。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物を有効なものとして使用できるが、これ等の他に
、ＨＦＳ　ＨＣＺ％　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＨ２Ｉ２
．５ｉＨ２Ｃａ、５ｉＨＣｚ３．５ｉＨ２Ｂｒ、、、５
ｉＨＢｒ３等のハ０ゲン置換水素化硅素、等々のガス状
態の或いは　　゛ガス化し得る、水素原子を構成要素の
１つとするハロゲン化物も有効な第一の層形成用の出発
物質として挙げる事ができる。

これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、第一の層の形
成の際に層中にハロゲン原子の導入　　　　゛と同時に
電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子
も導入されるので、本発明においては好適なノ・ロゲン
原子導入用の原料として使用される。

水素原子を第一の層中に構造的に導入するには、上記の
他にＨ２、或いはＳｉＨ４、Ｓ　ｉ２　Ｈａ、Ｓｉ３Ｈ
８，３ｉ、Ｈ２，等の水素化硅素のガスｋ　Ｓｉ　を供
給する為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて放電
を生起させる事でも行うことができる。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、３ｉターゲ
ツトヲ使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガス
を必要に応じてＨｅ、　Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆
積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉタ
ーゲット’２スパッタリングすることによって、支持体
上にａ−８ｘ（Ｈ。

Ｘ）から成る第一の層が形成される。

本発明において、形成される光受容層の第二の層中に含
有される水素原子（Ｈ）の量又はノ・ロゲン原子（Ｘ）
の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は
、通常の場合１〜４Ｑａｔｏｍｉｃ　％　、好適には５
〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％とされるのが望ましい。

第一の層中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持体温度
又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子（Ｘ）
’を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置系内
へ導入する量、放電電力等を制御してやればよい。

第一の層１０２に第■族原子又は第Ｖ族原子を含有する
層領域１０２’ｉ設けるところは、グロー放電法や反応
スパッタリング法等により前記ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構
成される層領域を形成する際に、第１族原子又は第Ｖ族
原子導入用の出発物質を、前記したａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）
で構成される層領域形成用の出発物質と共に使用して、
形成される層中にその量を制御しながら含有せしめてや
ることによシ行われる。

第一の層を構成する、第１族原子又は第Ｖ族原子の含有
される層領域１０２”ｉ形成するのにグロー放電法を用
いる場合、層領域形成用の原料ガスとなる出発物質は、
前記したａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層領域形成用
の出発物質の中から適宜選択したものに、第１族原子又
は第Ｖ族原子導入用の出発物質が加えられたものである
。

そのような第１族原子又は第■族原子導入用の出発物質
としては第１族原子又は第■族原子を構成原子とするガ
ス状態の物質又はガス化しうる物質をガス化したもので
あれば、いずれのものであってもよい。

本発明において第■族原子導入用の出発物質として有効
に使用されるものとしては、具体的には硼素原子導入用
として、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０−Ｂ５ＨＱ、Ｂ５Ｈ１１
ｓ　Ｂａ　Ｈｗ、　Ｂ６　ＨＩ２、Ｂ６ＨＩ４等の水素
化硼素、ＢＦ３、Ｂａ４、ＢＢｒｌ等のハロゲン化硼素
等を挙げることができるが、この他、Ａ７Ｃ４、ＧａＣ
４、ＩｎＣ４、ＴｔＣ４等も挙げることができる。

本発明において第Ｖ族原子導入用の出発物質として有効
に使用されるのは、具体的には燐原子導入用としては、
ＰＨ３、Ｐ２Ｈ４等の水素比隣、Ｐ　Ｈ４Ｉ　、Ｐ　Ｆ
ｓ　、Ｐ　Ｈ５、ＰＣ！−ｓ、Ｂａ４５　、ＰＢｒ、　
、ＰＢｒ３　、ＰＩ。

等のハロゲン北隣が挙げられる。この他、ＡｓＨ３、Ａ
ＳＦｓ　、Ａｓ　Ｃ４％　ＡＳＢｒ３　、ＡｓＨ５Ｎ　
５ｂＨｓ　％　ＳｂＦ３　％　ＳｂＦ５．５ｈＣｔ３．
５ｂＣｚｓ、ＢｉＨｓ　、ＢｉＣｌ２、Ｂ１Ｂｒ３等も
挙げることができる。

第■族原子又は第Ｖ族原子を含有する第一の層１０２に
導入される第１族原子又は第■族原子の含有量は、堆積
室中に流入される第１族原子又は第Ｖ族原子導入用の出
発物質のガス流量、ガス流量比、放電パワー、支持体温
度、堆積室内の圧力等を制御することによって任意に制
御されうる。

本発明における目的が効果的に達成される為の第一の層
を形成する際の支持体温度は、第一の層の形成法にあわ
せて適宜最適範囲を選択し、第一の層を形成するが、通
常の場合、５０℃〜３５０℃、好適には１００℃〜２５
０℃とするのが望ましい。

本発明における第一の層の形成には、層全構成する原子
の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に比較し
て容易であることから、グロー放電法やスパッタリング
法の採用が望ましいが、これ等の層形成法で第一の層を
形成する場合には、前記の支持体温度と同様に、層の形
成の際の放電パワー、ガス圧が作成される第一の層の特
性を左右する重要な要因である。

本発明の目的を達成しうる特性を有する第一の層を生産
性良く且つ効率的に作成するに当っては、放電パワー条
件については、通常１０〜３００　Ｗ１好適には２０〜
２００Ｗとするのが望ましく、また、堆積室内のガス圧
については、通常０．０１〜Ｉ　Ｔｏｒｒ　、好適には
０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度とするのが望ましい。

本発明においては、第一の層を作成するための支持体温
度、放電パワーの望ましい数１直範囲として前記した範
囲が挙げられるが、これらの層作成ファクターは、通常
は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性
を有する第一の層を形成すべく、相互的且つ有機的関連
性に基づいて、各層作成ファクターの最適値を決めるの
が望ましい。

本発明において第一の層をグロー放電法で形成する際に
使用する希釈ガス、或いはスパッターリング法で形成す
る際に使用するスパッターリング用のガスとしては、い
わゆる稀ガス、例えばＨｅ　、　Ｎｅ　、　Ａｒ等が好
適なものとして挙げることかできる。

本発明においては、第一の層の第■族原子又は第Ｖ族原
子の含有される層領域内において、第１族原子又は第■
族原子を均一に分布させることが必要であり、このこと
は該層領域を形成する際、上述の諸条件を一定に保つこ
とにょって達成される。

第二の層本発明に用いられる第二の層１０３ば、ａ−８ｉＣＭ（
Ｈ，Ｘ）で構成されており、層中ば炭素原子および第■
族原子又は第■族原子が均一に分布されているものであ
って、前記第一の層１０２上に、形成される。第二の層
１０３は、自由表面１０４　ｉ有するものであって、主
に耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環
境特性、耐久　　　　“性を本発明の光受容部材に具有
せしめる目的で設けられる。

又、本発明の光受容部材は、第一の層１０２と第二の層
１０３とを形成する非晶質材料の各々がシリコン原子と
いう共通の構成要素を有しているので、積層界面に於い
て化学的な安定性の確保が充分なされる。

ａ−８ｉＣＭ（Ｈ，Ｘ）で構成される第二ノ層１０３の
形成は、第一の層１０２の形成と同様に、グロー放電法
、スパッタリング法、イオンインプランテーション法、
イオンブレーティング法、エレクトロンビーム法等によ
って行われる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本
投下の負荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所
望される特性等の要因によって適宜選択されて採用され
るが、所望の特性を有する光受容部材を製造するに当っ
ての条件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共
に炭素原子及び水素原子を第二の層中に導入を容易に行
い得る等のことからして、グロー放電法或いはスパッタ
ーリング法が好適である。そして、グロー放電法とスパ
ッターリング法とを同一装置系内で併用して第二の層１
０３′ｆｆ：形成することもできる。

グロー放電法によって第二の層１０３を形成するには、
ａ−８ｉＣＭ（Ｈ，Ｘ）形成用ノ原料カスヲ、必要に応
じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合して、支持体１０
１の設置しである真空堆積用の堆積室に導入し、導入さ
れたガスをグロー放電を生起させることでガスプラズマ
化して前記支持体１０１上に既に形成されている第一の
層１０２上Ｋ　ａ　−Ｓｉ　（：Ｍ　（Ｈ、Ｘ　）　ｋ
堆積させればよい。

ａ−３ｉＣＭ（Ｈ，Ｘ）形成用の原料ガスとしては、Ｓ
ｉ、Ｃ，Ｈ及び／又はハロゲン原子、及び第■族原子又
は第Ｖ族原子の中の少なくとも一つを構成原子とするガ
ス状の物質又はガス化し得る物質をガス化したものであ
ればいずれのものであっても使用できる。

Ｓｌ、Ｃ１Ｈ及び／又はハロゲン原子、第１族原子又は
第■族原子の中の１つとしてｓｉｆ：構成原子とする原
料ガス全使用する場合は、例えばＳｉミラ成原子とする
原料ガスと、Ｃｋ構成原子とする原料ガスと、Ｈ及び／
又はハロゲン原子を構成原子とする原料ガスと第１族原
子又は第Ｖ族原子を構成原子とする原料ガスを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Ｓｉ’に構成原子と
する原料ガスと、Ｃ及びＨ及び／又はハロゲン原子を構
成原子とする原料ガスと、第１族原子又は第Ｖ族原子を
構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で
混合するか、或いは、Ｓｉミラ成原子とする原料ガスと
、５ｉ１ｃ及びＨ及び／又はハロゲン原子の３つを構成
原子とする原料ガスと第１族原子又は第Ｖ族原子全構成
原子とする原料ガスとを混合して使用することができる
。

又、別法として、ＳｉとＨ及び／又はハロゲン原子とを
構成原子とする原料ガスにＣ４−構成原子とする原料ガ
スと第１族原子又は第■族原子を構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することもできる。

第二の層１０３形成用の原料ガスとして有効に使用でき
るものとしては、ＳｉとＨとを構成原子とするＳｉＨ４
、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉｓＨａ　ｓ　５１４Ｈ１゜等のシラ
ン（５ｉａｎｅ　）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを
構成原子とする１、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素
、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３の
アセチレン系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（ｃｓａａ）、ｎ−ブ
タン（ｎ−Ｃ＋Ｈｔｏ）、ペンタン（Ｃ３ＨＩ２　）、
エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、
プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）　、
ブテン−２（０４Ｈ８）、インブチレン（Ｃ４Ｈ８）、
ペンテン（Ｃ５Ｈ１Ｇ）アセチレン系炭化水素としては
、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ
４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、５
ｉ（ＣＨｓ）４、Ｓｉ　（Ｃ２Ｈ５）４等のケイ化アル
キルを挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、Ｈ
導入用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も有効なものとして
使用できる。

第■族原子導入用の出発物質として、具体的には、硼素
原子導入用としては、　Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ□Ｏ１Ｂ、Ｈ
，、ＢｓＨ＋ｔ、Ｂａ　Ｈ，ｏ、　Ｂ６Ｈｔ２、Ｂ６Ｈ
１４等の水素化硼素、ＢＦ３、ＢＣｚ３、ＢＢｒｓ等の
ノ・ロゲン化硼素等を挙げられるが、この他、ＡｔＣ４
、ＣａＣＬｓ　、Ｃａ　（ＣＨｓ　）　ｔ、ＩｎＣｌ２
．　ＴｔＣ１３等も挙げることができる。

第Ｘ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨｓ　
、Ｐ２Ｈ４等の水素比隣、ＰＨ４Ｉ、ＰＦ３　、ＰＦ５
　、ＰＣｌ３　、ＰＣｌ３　、ＰＢｒ３　、　ＰＢｒ３
、ｐｒｓ等のハロゲン比隣が挙げられる。この他、ＡＳ
Ｈａ、ＡｓＦ５　、Ａ３Ｃ４％　、Ａｓ１３ｒ３％　Ａ
ＳＦ５　％　５ｋｌＨ３％　５ｔ）Ｆ３　ｓ　３ｂＦ５
．５ｂＣｔ３．５ｂＣ２ｓ　、Ｂｉｂ３、ＢｉＣｌ２、
Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なも
のとして挙げることができる。

本発明に於ける第二の層１０２は、その要求される特性
が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ、Ｃ１Ｈ及び／又はノ１０ゲン原子、および
第１族原子又は第■族原子を構成原子とする物質はその
作成条件によって構造的には結晶からアモルファスまで
の形態をとシ、電気物性的には導電性から半導体性、絶
縁性までの間の性質を、又光導電的性質から非光導電的
性質までの間の性質を、各々示すので、本発明に於いて
は、目的に応じた所望の特性を有するａ−８ｉＣＭ（Ｈ
，Ｘ）が形成されるべく、所望に従ってその作成条件の
選択が厳密になされる。

例えば、第二の層１０３ヲ耐圧性の向上を主な目的とし
て設けるには、ａ−８ｉＣＭ（Ｈ，Ｘ）は使用条件下に
於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成
される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の層１０３が設けられる場合には、上記
の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光
に対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ−
８ｉＣＭ（Ｈ，Ｘ）が作成される。

第一の層１０２０表面に、ａ　−Ｓ　ｉＣＭ（Ｈ、Ｘ）
から成る第二の層１０３　’ｉ層形成る際、層形成中の
支持体温度は、形成される層の構造及び特性を左右する
重要な因子であって、目的とする特性を有するａ−８ｉ
ＣＭ（Ｈ，Ｘ）が所望通シに作成される様にすべく、層
作成時の支持体温度を厳密に制御するのが望ましい。即
ち、第二の層１０３を形成する際の支持体温度は、第二
の層１０３の形成法に併せて最適範囲を選択する。その
温度は、通常の場合、５０℃〜３５０℃、好適には１０
０℃〜２５０℃にするのが望ましい。第二の層１０３の
形成には、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層
厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である事等のこ
とから、グロー放電法やスパッターリング法の採用が有
利である。これ等の層形成法で第二の層１０３ヲ形成す
る場合、前記の支持体温度と同様に、層形成の際の放電
パワー、カ、ｘ、圧が作成されルａ−ＳｉＣＭ（Ｈ，Ｘ
）　（Ｄ特性を左右する重要な要因である。

本発明の目的を達成し得る特性を有するａ−３ｉＣＭ（
Ｈ、’Ｘ）を生産性良く且つ効率的に作成するに当って
は、放電パワー条件については、それぞれの層の機能に
考慮をはらって適宜選択され、具体的には０゜００５〜
５０　Ｗ／ｃｒ＆の範囲にするのが通常である。しかし
、好ましくは０．０１〜３ＱＷ／ｄ、特に好ましくは０
．０１〜２ｏＷ／ｄの範囲である。

÷４１４ｉｉ井また、堆積室内のガス圧については、通
常０．０１〜Ｉ　Ｔｏｒｒ、好適には０．１〜０．５Ｔ
ｏｒｒ程度とするのが望ましい。

本発明に於いては、第二の層を作成する念めの支持体温
度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した範囲
の値が挙げられるが、これらの層作成ファクターは、通
常は独立的に別々に決められるものではなく、所望特性
のａ−８ｉＣＭ（Ｈ，Ｘ）から成る第二の層１０３　’
ｉ層形成べく、相互的且つ有機的関連性に基いて、各層
作成７アクターの最適値を決めるのが望ましい。

本発明の光受容部材の第二の層に含有せしめる炭素原子
及び水素原子の量は、該層の作製条件と同様、本発明の
目的を達成し得る所望の特性を有する第二の層を形成す
るについて重要な要因である。

即ち、第二の層に含有せしめる炭素原子の量については
、通常はＩ　Ｘ　１０−３〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％、
好ましくは１〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜
８０ａｊｏｍｉｃ　％とするのが望ましい。また、水素
原子の量については、通常は１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％
、好ましくは２〜３５　ａｔｏｍｉｃ　％　、最適には
５〜３０ａｔｏｍｉｃチとするのが望ましい。そして炭
素原子、水素原子の含有量を前記の範囲に調節して形成
される第二の層を有する光受容部材は、実際面に於いて
優れたものとして充分適用し得るものである。

本発明の光受容部材の第二の層に含有せしめる、伝導性
を制御する物質であるところの周期律表第■族に属する
原子又は周期律表第Ｖ族に属する原子の量は、これまた
、該層の作製条件と同様、本発明の目的を達成し得る所
望の特性を有する第二の層を形成するについて重要な因
子である。

即ち、第二の層に含有せしめる第１族原子又は第Ｖ族原
子の量は、通常は１．０〜１０’ａｔｏｍｉｃ１）ｌ）
ｍ％好ましくは１０〜５　Ｘ　１０　ａｔｏｒｎｉｃ　
ｐｐｍ　１最適には１０〜５　Ｘ　１０　ａｔｏｍｌｃ
　ｐｐｍとするのが望ましい。

更にまた、第二の層の層厚は、本発明の目的全効果的に
達成するについて重要な要因でちる。

第二の層の層厚は、一般には目的に応じて決められるも
のである。

そして又、第二の層の層厚は、該層中に含有される炭素
原子や水素原子の量、第一の層の層厚等との関係で七、
各々の層領域に要求される特性に応じた有機的な関連性
を考慮して決める必要もある。更にまた、生産性や置所
性を加味した経済性の点についても考慮して決める必要
もちる。

こうしたことからして、第二の層の層厚は、具体的には
、通常は０．００３〜３０μとするが、好適には０．０
０４〜２０μ、最適には０．００５〜１０μとするのが
望ましい。

〔実施例〕

以下、本発明全実施例】乃至１２に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等実施例に限定されるもので
はない。

各実施例においては、第１の層および第二の層全グロー
放電法を用いて形成した。第４図はグロー放電法による
本発明の光受容部材の製造装置である。

図中の２０２．　２０３．２０４．２０５のガスボンベ
には、本発明の夫々の層を形成するための原料ガスが密
封されておシ、その１例として、たとえば、２０２はＨ
ｅで稀釈された５ｉＩ（４ガス（純度９９．９９９　％
、以下Ｓｉｎ／Ｈｅと略す）ボンベ、２０３はＨｅで稀
釈されたＰＨ３ガス（純度９９．９９９チ、以下ＰＨ３
／Ｈｅと略す。）ボンベ２０４はＨｅで稀釈されたＳｉ
２Ｈ６ガス（純度９９．９９％、以下Ｓ　１２　Ｈ６／
　Ｈｅと略す。）ボンベ、２０５はＣ２Ｈ４ガス（純度
９９．９９９チ）ボンベである。

形成される層中にハロゲン原子を導入する場合には、Ｓ
ｉＨ４ガス又は５ｉ２Ｈ，ガスに代えて、例えば、Ｓｉ
Ｆ４ガスを用いる様にボンベを代えれば良い。

これらのガスを反応室２０１に流入させるにはガスボン
ベ２０２〜２０５のパルプ２２２〜２２５、リークパル
プ２３５が閉じられていることを確認し又、流入パルプ
２１２〜２１５、流出パルプ２１７〜２２ｏ１補助バル
ブ２３２が開かれていることを確認して、先ずメインパ
ルプ２３４ヲ開いて反応室２０１、ガス配管内を排気す
る。次に真空計２３６の読みが約５　Ｘ　１Ｏ−６ｔｏ
ｒｒになった時点で、補助パルプ２３２、流出パルプ２
１７〜２２０ヲ閉じる。

基本シリンダー２３７上に第一の層１０２ヲ形成する場
合の１例をあげる。ガスボンベ２０２よりＳｉｎ、、　
／Ｈｅガス、ガスボンベ２０３よ！１ｌＰＨ３／Ｈｅガ
スの夫々をパルプ２２２．２２３．２２６　’ｉ開いて
出口圧ゲージ２２７．２２８の圧を夫々Ｉ　Ｋｙ　／　
ｃｍ　２に調整し、流入パルプ２１２．２１３　’ｉ徐
々に開けて、マスフロコントローラ２０７．２０８内に
流入させる。引き続いて流出パルプ２１７．２１８、補
助パルプ２３２ヲ徐々に開いて夫々のガスを反応室２０
１内に流入させる。このときのＳｉＨ４／Ｈｅガス流量
、ＰＨ３／Ｈｅガス流量の比が所望の値になるように流
出パルプ２１７．２１８　’＆調整し、又、反応室内の
圧力が所望の値になるように真空計２３６の読み全見な
がらメインパルプ２３４の開口を調整する。そして基体
シリンダー２３７の温度が加熱ヒーター２３８により５
０〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを確認
した後、電源２４０ヲ所望の電力に設定して反応室２０
１内にグロー放電を生起させ基体シリンダー２３７上に
先ず、燐の含有された層領域を形成する。この際、所定
の時間経過後、流出パルプ２１８ヲ閉じることによυ燐
の含有される層領域の層厚を所望に従って任意に制御す
ることができる。

流出パルプ２１８を閉じて、引き続きグロー放電を所望
時間続けることによシ、燐が含有された層領域上に、燐
の含有されない層領域が所望の層厚に形成されて、第一
の層の形成全終了する。

第一の層中にハロゲン原子を含有させる場合には上記の
ガスにたとえばＳ　ｉＦ４／Ｈｅを更に付加して反応室
内に送り込む。

上記の様な操作によって、基体シリンダー２３７上に形
成された第一の層上に第二の層を形成するには、第一の
層の形成の際と同様なパルプ操作によって、例えば、Ｓ
ｉ′Ｈ４ガス、Ｃ２Ｈ４ガス、Ｂ２Ｈｅガスの夫々を、
必要に応じてＨｅ等の稀釈ガスで稀釈して、所望の流量
比で反応室２０１中に流し、所望の条件に従って、グロ
ー放電を生起させることによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出パルプ以外の
流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
２０１内、流出パルプ２１７〜２２１から反応室２０１
内に至るガス配管内に残留することを避けるために、流
出パルプ２１７〜２２１を閉じ補助パルプ２３２．２３
３全開いてメインパルプ２３４を全開して系内金一旦高
真空に排気する操作を必要に応じて行う。

又５層形成を行っている間は層形成の均一化を図るため
基体シリンダー２３７は、モータ２３９によって所望さ
れる速度で一定に回転させる。

実施例１第４図に示した製造装置によシ、ドラム状アルミニウム
基板上に以下の表１の条件で層形成を行った。

こうして得られた感光ドラム（電子写真用像形成部材）
を複写装置に設置し、０５双で０．２ｓｅｃ間コロナ帯
電を行い、光像を照射した。光源はタングステンランプ
を用い、光量は１．０Ａｕｘ・ｓｅｅとした。潜像は■
荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含む）によって現
像され、通常の紙に転写されたが、転写画像は、極めて
良好なものであった。転写されないで感光ドラム上に残
ったトナーは、ゴムブレードによってクリーニングされ
、次の複写工程に移る。このような工程金繰ｐ返し１５
万回以上行っても、画像の劣化は見られなかった。

実施例２〜１２第４図に示した製造装置により、Ｍシリンダー状基板上
に以下の表２〜１２の条件で層形成を行った。

その他の条件は実施例１と同様にして行った。

こうして得られた感光ドラムを用いて実施例１と同様の
方法で複写を行なったところ、実施例１と同様の良好な
結果が得られた。

〔発明の効果の概要〕

本発明の光受容部材は、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
た光導電層を有する光受容部材の層構成を前述のごとき
特定の層構成としたことにより、ａ−８ｉで構成された
従来の光受容部材における諸問題を全て解決することが
でき、特に極めて優れた耐湿性、連続繰返し使用特性、
電気的耐圧性、使用環境特性および耐久性等全盲するも
のである。本発明の光受容部材を電子写真用像形成部材
として適用する場合には、残留電位の影響が全くなく、
その電気的特性が安定しておシ、それを用いて得られる
画像は、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出る等、す
ぐれた極めて秀でたものとなる。

【図面の簡単な説明】

第１〜３図は、本発明の光受容部材の層構造を模式的に
示した図であシ、第４図は、本発明の光受容部材を製造
する友めの装置の１例で、グロー放電分解法による製造
装置の模式的説明図である。１００・・・光受容部材”　　　１０１・・・支持体１
０２・・・第一の層

Claims

【特許請求の範囲】

　支持体と、該支持体上に、シリコン原子を母体とする
非晶質材料を含有し光導電性を有する第一の層と、シリ
コン原子を母体とし炭素原子を含む非晶質材料を含有す
る第二の層とを積層してなる光受容層とで構成され、前
記第一の層には、その全層領域又は一部の層領域に伝導
性を制御する物質を含有し、前記第二の層には、その全
層領域に伝導性を制御する物質を含有していることを特
徴とする光受容部材。