JPS61177796A - スル−ホ−ル回路の製造方法 - Google Patents
スル−ホ−ル回路の製造方法Info
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- JPS61177796A JPS61177796A JP1661285A JP1661285A JPS61177796A JP S61177796 A JPS61177796 A JP S61177796A JP 1661285 A JP1661285 A JP 1661285A JP 1661285 A JP1661285 A JP 1661285A JP S61177796 A JPS61177796 A JP S61177796A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は厚膜導電体からなる高信頼性のスルーホール回
路を製造する方法に関するものである。
路を製造する方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、厚膜導電体の製造法では、金属薄板上にレジスト
を回路部以外の所に設け、電解メッキして回路部に導電
体を形成し、次いで得られ尺導電体を絶縁層に金属薄板
を外側にして貼９付けた後、スルーホール用穴あけを行
い、それから金属薄板をエツチング除去し、再び導電体
上に電解メッキを行って、電解メッキのみでスルーホー
ル回路成していた。しかしながら、電解メッキだけでス
ルーホール部に導電体を形成した場合第２図に示すよう
に１スル一ホール中央部で滑らかくつながらず、絶縁層
との間にすき間を有する、くぼみのあるメッキになって
しまうという問題点があった。
を回路部以外の所に設け、電解メッキして回路部に導電
体を形成し、次いで得られ尺導電体を絶縁層に金属薄板
を外側にして貼９付けた後、スルーホール用穴あけを行
い、それから金属薄板をエツチング除去し、再び導電体
上に電解メッキを行って、電解メッキのみでスルーホー
ル回路成していた。しかしながら、電解メッキだけでス
ルーホール部に導電体を形成した場合第２図に示すよう
に１スル一ホール中央部で滑らかくつながらず、絶縁層
との間にすき間を有する、くぼみのあるメッキになって
しまうという問題点があった。
この欠点は、特に絶縁層が厚い場合に顕著であり、断線
という回路にとって致命的な故障の原因となっていた。
という回路にとって致命的な故障の原因となっていた。
（問題を解決するための手段及び作用）本発明は、スル
ーホール用の穿孔が済んだ箇所に無電解メッキを行い、
導電体をスルーホール内壁部に形成した後、電解メッキ
を行うととくより上記問題点を解決したものである。
ーホール用の穿孔が済んだ箇所に無電解メッキを行い、
導電体をスルーホール内壁部に形成した後、電解メッキ
を行うととくより上記問題点を解決したものである。
すなわち、電解メッキ法などによって作成された少なく
とも導電体、絶縁層、導電体がこの順に積層された部分
を有する積層体に、少なくとも、（１）スルーホール用
穴あけを行う工程、（ｉｉ）無電解メッキのための活性
化液による前処理を行う工程、（ｉｉｉ）無電解メッキ
を行う工程、（ｉｖ）電解メッキによシスルーホール導
通を行う工程、を施すことを特徴とする、償頼性の高い
、均一な内壁部のスルーホールを有する回路の製造方法
を提供するものである。
とも導電体、絶縁層、導電体がこの順に積層された部分
を有する積層体に、少なくとも、（１）スルーホール用
穴あけを行う工程、（ｉｉ）無電解メッキのための活性
化液による前処理を行う工程、（ｉｉｉ）無電解メッキ
を行う工程、（ｉｖ）電解メッキによシスルーホール導
通を行う工程、を施すことを特徴とする、償頼性の高い
、均一な内壁部のスルーホールを有する回路の製造方法
を提供するものである。
本発明の製造方法が適用される、少なくとも金属薄板、
導電体、絶縁層、導電体、金属薄板からなる積層体は、
いかなる方法によって得られたものでも良く、また、こ
れら連続する５層を含んでいれば、他の層が更に積層さ
れても全く差し支えない。この積層体の好ましい例とし
ては、金属薄板上に電解メッキにより導電体を設けた−
のを絶縁層の両面に金属薄板を外側にして貼シ合わせた
、金属薄板、導電体、絶縁層、導電体、金属薄板の５層
のみからなる積層体があげられる。この積層体に本発明
の製造方法を適用する場合には、スルーホール用の穴あ
けを行い、次いで無電解メッキのための活性化液による
前処理を行い、その後、無電解メッキ→金属薄板除去→
電解メッキするか、或いは、金属薄板除去→無電解メッ
キ→電解メッキによ）スルーホール接続を行う。このよ
うに本発明の製造工程は（１）スルーホール用穴あけを
行う工程、（ｉｉ）無電解メッキのための活性化液によ
る前のであれば、これらの各工程間に別の工程が入って
いたシ、或いはこれら全工程の前後に別の工程が入って
いても何ら差し支えない。
導電体、絶縁層、導電体、金属薄板からなる積層体は、
いかなる方法によって得られたものでも良く、また、こ
れら連続する５層を含んでいれば、他の層が更に積層さ
れても全く差し支えない。この積層体の好ましい例とし
ては、金属薄板上に電解メッキにより導電体を設けた−
のを絶縁層の両面に金属薄板を外側にして貼シ合わせた
、金属薄板、導電体、絶縁層、導電体、金属薄板の５層
のみからなる積層体があげられる。この積層体に本発明
の製造方法を適用する場合には、スルーホール用の穴あ
けを行い、次いで無電解メッキのための活性化液による
前処理を行い、その後、無電解メッキ→金属薄板除去→
電解メッキするか、或いは、金属薄板除去→無電解メッ
キ→電解メッキによ）スルーホール接続を行う。このよ
うに本発明の製造工程は（１）スルーホール用穴あけを
行う工程、（ｉｉ）無電解メッキのための活性化液によ
る前のであれば、これらの各工程間に別の工程が入って
いたシ、或いはこれら全工程の前後に別の工程が入って
いても何ら差し支えない。
スルーホールの穴あけは、ノリやカス等が発生せず、穴
の周囲の導体層が絶縁層から剥離しなければいかなる方
法によっても艮く、例えばドリルやパンチ等を使えば良
い。
の周囲の導体層が絶縁層から剥離しなければいかなる方
法によっても艮く、例えばドリルやパンチ等を使えば良
い。
無電解メッキのための活性化処理では、通常の無電解メ
ッキ用活性化剤が用いられるが、金属薄板がアルミニウ
ム、亜鉛、スズの場合は、通常の活性化剤は使用出来ず
、浴中に金属薄板が溶出し浴を著しく劣化させた）、あ
るいは金属薄板が全て溶出し回路部の導電体以外の部分
が活性化処理されたい様に浴を中性領域、ｐＨ＝４〜１
０、特にｐＨ＝５〜９．５に管理出来るものが使用され
る。これに使用出来るものとしては、ノぞラジウムの有
機錯体があシ、例えば活性化液としては、シエーリング
社のアクチベーター・ネオガント８３４、還元液として
は、シエーリング社のりデューサー・ネオガン）ＷＡを
それぞれ硫酸、はう酸でｐＨ調節して使用することが出
来る。また、活性化処理の前処理には、金属薄板上ある
いはスルーホール内壁部の汚れをとるために表面活性化
剤による脱脂工程及び無電解メッキによシ析出する金属
の密着性向上のための粗面上のために過硫酸アンモニウ
ム水溶液からなるソフトエツチング工程を設けた方が良
い。
ッキ用活性化剤が用いられるが、金属薄板がアルミニウ
ム、亜鉛、スズの場合は、通常の活性化剤は使用出来ず
、浴中に金属薄板が溶出し浴を著しく劣化させた）、あ
るいは金属薄板が全て溶出し回路部の導電体以外の部分
が活性化処理されたい様に浴を中性領域、ｐＨ＝４〜１
０、特にｐＨ＝５〜９．５に管理出来るものが使用され
る。これに使用出来るものとしては、ノぞラジウムの有
機錯体があシ、例えば活性化液としては、シエーリング
社のアクチベーター・ネオガント８３４、還元液として
は、シエーリング社のりデューサー・ネオガン）ＷＡを
それぞれ硫酸、はう酸でｐＨ調節して使用することが出
来る。また、活性化処理の前処理には、金属薄板上ある
いはスルーホール内壁部の汚れをとるために表面活性化
剤による脱脂工程及び無電解メッキによシ析出する金属
の密着性向上のための粗面上のために過硫酸アンモニウ
ム水溶液からなるソフトエツチング工程を設けた方が良
い。
無電解メッキの種類としては、導電性と経済性の点から
銅が好ましいが、ニッケル、銀、金等導電体ならば何で
も良い。金属薄板がアルミニウム、亜鉛、スズの場合、
金属薄板除去→無電解メッキのプロセスをとれば通常の
無電解メッキ液が使用出来るが、無電解メッキ→金属薄
板除去のプロセスの場合は中性領域、ｐＨ＝４〜１０の
無電解メッキ液を使用する必要がある。これらの例とし
てはニッケルの場合、日本カニゼン社製シューマーＳ−
６８０などがある。
銅が好ましいが、ニッケル、銀、金等導電体ならば何で
も良い。金属薄板がアルミニウム、亜鉛、スズの場合、
金属薄板除去→無電解メッキのプロセスをとれば通常の
無電解メッキ液が使用出来るが、無電解メッキ→金属薄
板除去のプロセスの場合は中性領域、ｐＨ＝４〜１０の
無電解メッキ液を使用する必要がある。これらの例とし
てはニッケルの場合、日本カニゼン社製シューマーＳ−
６８０などがある。
以下に本発明の態様を一層明確にするために実施例をあ
げて説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるも
のではなく、種々の変形が可能である。
げて説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるも
のではなく、種々の変形が可能である。
（実施例１）
膜厚４０μｍ アルミニウム薄板上に、イーストマンゴ
ダック社製ネガ型レジスト「マイクロレジスト７４７−
１１０ ｃｓｔＪを乾燥後、膜厚が５ μｍ になる様
に塗布、プレベークして、回路ノターンマスクを通して
高圧水銀ランプで露光し、専用の現像液およびリンス液
を用いて現像し、ポストベークして、回路部以外の部分
にレジストを形成した。
ダック社製ネガ型レジスト「マイクロレジスト７４７−
１１０ ｃｓｔＪを乾燥後、膜厚が５ μｍ になる様
に塗布、プレベークして、回路ノターンマスクを通して
高圧水銀ランプで露光し、専用の現像液およびリンス液
を用いて現像し、ポストベークして、回路部以外の部分
にレジストを形成した。
次イテハーショク村田社製ピロリン酸鋼メッキ液を用い
て、アルミニウム薄板を陰極とし、初め電流密度０．５
Ａ／ ｄ １１１”で平均膜厚２μｍμｍツメツた後
、電流密度を８ Ａ ／ ｄビに増加させ、計１００μ
ｍ厚の銅を回路部に形成した。その後、デュポン社製ポ
リイミドフィルム「カシトン」（膜厚２５μｍ）の両面
にボスチック社製フェノール樹脂−二トリル♂ム系接着
剤ｒＸＡ５６４−４Ｊを乾燥後の膜厚が５μｍになるよ
うに塗布し九絶縁性基板の両側から、上記電解メッキを
行ったものをアルミニウム薄板を外側にして１５０℃で
３０分間熱圧着して貼り付け、次にスルーホール形成部
にドリルで０．７０ｍ＄の穴をあけた。その後すでＫｐ
Ｈ調整済みのシューリング社製の活性化液アクチペータ
ー・ネオガント８３４、還元液リデューサ−・ネオガン
）ＷＡを使って活性化処理し、それからアルミニウム薄
板を３６重量優の塩酸を水で２：３に希釈した液でエツ
チング除去した。そのあと無電解鋼メッキ（室町化学製
ＭＫ−４３０）を行い、次いでバーショウ村田社製ピ党
すン酸剤メッキ液を用いて、電流密度８Ａ／ｄビで膜厚
１００μｍ （配線密度５本／１１３１）銅メッキを行
った。メッキ終了後、スルーホールを介して表裏パター
ン間の電気抵抗を測定したところどのスルーホールも５
ｍΩ以下であった。また、スルーホール内壁部には全く
くぼみが見られなかった。
て、アルミニウム薄板を陰極とし、初め電流密度０．５
Ａ／ ｄ １１１”で平均膜厚２μｍμｍツメツた後
、電流密度を８ Ａ ／ ｄビに増加させ、計１００μ
ｍ厚の銅を回路部に形成した。その後、デュポン社製ポ
リイミドフィルム「カシトン」（膜厚２５μｍ）の両面
にボスチック社製フェノール樹脂−二トリル♂ム系接着
剤ｒＸＡ５６４−４Ｊを乾燥後の膜厚が５μｍになるよ
うに塗布し九絶縁性基板の両側から、上記電解メッキを
行ったものをアルミニウム薄板を外側にして１５０℃で
３０分間熱圧着して貼り付け、次にスルーホール形成部
にドリルで０．７０ｍ＄の穴をあけた。その後すでＫｐ
Ｈ調整済みのシューリング社製の活性化液アクチペータ
ー・ネオガント８３４、還元液リデューサ−・ネオガン
）ＷＡを使って活性化処理し、それからアルミニウム薄
板を３６重量優の塩酸を水で２：３に希釈した液でエツ
チング除去した。そのあと無電解鋼メッキ（室町化学製
ＭＫ−４３０）を行い、次いでバーショウ村田社製ピ党
すン酸剤メッキ液を用いて、電流密度８Ａ／ｄビで膜厚
１００μｍ （配線密度５本／１１３１）銅メッキを行
った。メッキ終了後、スルーホールを介して表裏パター
ン間の電気抵抗を測定したところどのスルーホールも５
ｍΩ以下であった。また、スルーホール内壁部には全く
くぼみが見られなかった。
（実施例２）
膜厚４０μｍアルミニウム薄板上に、イーストマンコダ
ック社製ネガ屋レジスト「マイクロレジス） ７４７−
１１０ｃＳｔＪを乾燥後、膜厚が５μｍになる様に塗布
、プレベークして、回路パターンマスクを通して高圧水
銀ランプで露光し、専用の現像液およびリンス液を用い
て現像し、ポストベークして、回路部以外の部分にレジ
ストを形成した。
ック社製ネガ屋レジスト「マイクロレジス） ７４７−
１１０ｃＳｔＪを乾燥後、膜厚が５μｍになる様に塗布
、プレベークして、回路パターンマスクを通して高圧水
銀ランプで露光し、専用の現像液およびリンス液を用い
て現像し、ポストベークして、回路部以外の部分にレジ
ストを形成した。
次いでバーショウ行田社製ピロリン酸剤メッキ液を用い
て、アルミニウム啓板を陰極とし、初め電流密度０．５
Ａ／ａｍ”で平均膜厚２μｍμｍツメツキ後、電流密度
を８Ａ／ｄビに増加させ、計１００μｍ厚の鋼を回路部
に形成した。その後、デュポン社製ポリイミＦ’フィル
ム「カシトン」膜厚２５μｍ）の両面にＩスーツ２社製
フェノール樹脂−二トリル！ム系接着剤ｒＸＡ５ａ４−
４Ｊを乾燥後の膜厚が５μｍ１ｌｃなるように塗布した
絶縁性基板の両側から、上記電解メッキを行ったものを
アルミニウム薄板を外側にして１５０℃で３０分間熱圧
着してｊｌ）付け、次にスルーホール形成部にドリルで
０．７０ｉＱｆの穴をあけた。その後すでにｐＨ調整ず
みのシューリング社製の活性化液アクチペーターφネオ
ガン）８３４、還元液リデューサ−・ネオガン）ＷＡを
使って活性化処理し、無電解ニッケルメッキ（日本カニ
ゼン社製シュー−ｒ−８−６８０）を行った。その後ア
ルミニウム薄板を３３６重量係の塩酸を水で２＝３に希
釈した液でエツチング除去した。次いでバーショウ行田
社製ピロリン酸銅メッキ液を用いて、電流密度８ Ａ／
ｄｉｒｔ”で膜厚１００μｍ（配線密度５本／酊）銅
メッキを行った。
て、アルミニウム啓板を陰極とし、初め電流密度０．５
Ａ／ａｍ”で平均膜厚２μｍμｍツメツキ後、電流密度
を８Ａ／ｄビに増加させ、計１００μｍ厚の鋼を回路部
に形成した。その後、デュポン社製ポリイミＦ’フィル
ム「カシトン」膜厚２５μｍ）の両面にＩスーツ２社製
フェノール樹脂−二トリル！ム系接着剤ｒＸＡ５ａ４−
４Ｊを乾燥後の膜厚が５μｍ１ｌｃなるように塗布した
絶縁性基板の両側から、上記電解メッキを行ったものを
アルミニウム薄板を外側にして１５０℃で３０分間熱圧
着してｊｌ）付け、次にスルーホール形成部にドリルで
０．７０ｉＱｆの穴をあけた。その後すでにｐＨ調整ず
みのシューリング社製の活性化液アクチペーターφネオ
ガン）８３４、還元液リデューサ−・ネオガン）ＷＡを
使って活性化処理し、無電解ニッケルメッキ（日本カニ
ゼン社製シュー−ｒ−８−６８０）を行った。その後ア
ルミニウム薄板を３３６重量係の塩酸を水で２＝３に希
釈した液でエツチング除去した。次いでバーショウ行田
社製ピロリン酸銅メッキ液を用いて、電流密度８ Ａ／
ｄｉｒｔ”で膜厚１００μｍ（配線密度５本／酊）銅
メッキを行った。
メッキ終了後、スルーホールを介して表裏ノターン間の
電気抵抗を測定したところどのスルーホールも５ｍΩ以
下であった。また、スルーホール内壁部には全くくぼみ
が見られなかった。
電気抵抗を測定したところどのスルーホールも５ｍΩ以
下であった。また、スルーホール内壁部には全くくぼみ
が見られなかった。
（実施例３）
膜厚５０μｍ亜鉛薄板上に、イーストマンコグツク社製
ネガ型レジスト「マイクロレジスト７４７１１０ｅＳｔ
Ｊを乾燥後、膜厚がｚｐｍＶｃなる様に塗布、プレベー
クして、回路パターンマスクを通して高圧水銀ランプで
露光し、専用の現像液およびリンス液を用いて現偉し、
ポストベークして、回路部以外の部分にレジストを形成
した。
ネガ型レジスト「マイクロレジスト７４７１１０ｅＳｔ
Ｊを乾燥後、膜厚がｚｐｍＶｃなる様に塗布、プレベー
クして、回路パターンマスクを通して高圧水銀ランプで
露光し、専用の現像液およびリンス液を用いて現偉し、
ポストベークして、回路部以外の部分にレジストを形成
した。
次いでバーショウ行田社製ピロリン酸剤メッキ液を用い
て、亜鉛薄板を陰極とし、初め電流密度Ｉ Ａ／ｄビで
平均膜厚５μｍ鋼メッキした後、電流１５度を５人／ｄ
ばに増加させ、計５０μｍ厚の銅を回路部に形成した。
て、亜鉛薄板を陰極とし、初め電流密度Ｉ Ａ／ｄビで
平均膜厚５μｍ鋼メッキした後、電流１５度を５人／ｄ
ばに増加させ、計５０μｍ厚の銅を回路部に形成した。
その後絶縁フェス（日立化成製ＷＩ−６４０）で導電ノ
ぞターン面をオーツ９−コートし、セメダイン社製５Ｇ
−ＥＰＯＥＰ−００８工ポキシ樹脂系接着剤を用いて、
亜鉛薄板を外側にして２枚貼シ合わせる。
ぞターン面をオーツ９−コートし、セメダイン社製５Ｇ
−ＥＰＯＥＰ−００８工ポキシ樹脂系接着剤を用いて、
亜鉛薄板を外側にして２枚貼シ合わせる。
次にスルーホール形成部にドリルで０．７ｏｍ＄の穴を
あけた。その後すでにＰＨｖ４整済みのシ二−リング社
製の活性化液アクチベーター・ネオガン）８３４、還元
液リデューサ−・ネオガン）ＷＡを使って活性化処理し
、それから亜鉛薄板を５重量係の水酸化ナトリウム水溶
液でエツチング除去した。そのあと無電解鋼メッキ（室
町化学製ＭＫ−４３０）を行い、次いでノ・−ショク打
出社製ピロリン酸剤メッキ液を用いて、電流密度ｓＡ／
ｄｍ”で膜厚５０μｍ＜配線密度８本／ｍ）銅メッキを
行った。メッキ終了後、スルーホールを介して表裏パタ
ーン間の電気抵抗を測定したところどのスルーホールも
５ｍΩ以下であった。また、スルーホール内壁部には全
くくぼみが見られなかった。
あけた。その後すでにＰＨｖ４整済みのシ二−リング社
製の活性化液アクチベーター・ネオガン）８３４、還元
液リデューサ−・ネオガン）ＷＡを使って活性化処理し
、それから亜鉛薄板を５重量係の水酸化ナトリウム水溶
液でエツチング除去した。そのあと無電解鋼メッキ（室
町化学製ＭＫ−４３０）を行い、次いでノ・−ショク打
出社製ピロリン酸剤メッキ液を用いて、電流密度ｓＡ／
ｄｍ”で膜厚５０μｍ＜配線密度８本／ｍ）銅メッキを
行った。メッキ終了後、スルーホールを介して表裏パタ
ーン間の電気抵抗を測定したところどのスルーホールも
５ｍΩ以下であった。また、スルーホール内壁部には全
くくぼみが見られなかった。
（実施例４）
膜厚２０μｍスズ薄板上に、イーストマンゴダック社製
ネガ型レジスト「マイクロレジスト７４７−１１０ ｃ
Ｓｔ Ｊを乾燥後、膜厚が５μｍになる様に塗布、プレ
ベークして、回路パターンマスクを通して高圧水銀ラン
プで露光し、専用の現像液およびリンス液を用いて現像
し、ポストベークして、回路部以外の部分にレジストを
形成した。
ネガ型レジスト「マイクロレジスト７４７−１１０ ｃ
Ｓｔ Ｊを乾燥後、膜厚が５μｍになる様に塗布、プレ
ベークして、回路パターンマスクを通して高圧水銀ラン
プで露光し、専用の現像液およびリンス液を用いて現像
し、ポストベークして、回路部以外の部分にレジストを
形成した。
次いでバーショウ村山社製ピロリン酸剤メッキ液を用い
て、スズ薄板を陰極とし、初め電流密度０、 Ｉ Ａ／
ａｒで平均膜厚０．５μｍμｍツメツキ後、電流＠度
を５ Ａ／ ｔｌｍ”に増加させ、５０μｍ厚の鋼を回
路部て形成した。その後絶縁フェス（日立化成製ＷＩ−
６４０）で導電ノにターン面をオーノーコートし、セメ
ダイン社製５Ｇ−ＥＰＯＥＰ−００８工ポキシ樹脂系接
着剤を用いて、スズ薄板を外側にして２枚貼り合わせる
。次にスルーホール形成部に）Ｉ ＩＪルで０．７０ｍ
０の穴をあけた。その後すでにｐｉ調整ずみのシ二−リ
ング社製の活性化液アクチペーターψネオガント８３４
、還元液リデューサ−・ネオガン）ＷＡを使って活性化
処理し、それからスズ薄板を５重量％の水酸化ナトリウ
ム水溶液でエツチング除去した。そのあと無電解鋼メッ
キ（室町化学製ＭＫ−４３０）を行い、次いで／＼−シ
ョウ村田社製ピロリン酸酸剤ッキ液を用いて、電流密度
５ Ａ ／ｄビで膜厚５０μｍ（配線密度８本／態）銅
メッキを行った。メッキ終了後、スルーホールを介して
表裏ノターン間の電気抵抗を測定したところどのスルー
ホールもｓｍΩ以下であった。
て、スズ薄板を陰極とし、初め電流密度０、 Ｉ Ａ／
ａｒで平均膜厚０．５μｍμｍツメツキ後、電流＠度
を５ Ａ／ ｔｌｍ”に増加させ、５０μｍ厚の鋼を回
路部て形成した。その後絶縁フェス（日立化成製ＷＩ−
６４０）で導電ノにターン面をオーノーコートし、セメ
ダイン社製５Ｇ−ＥＰＯＥＰ−００８工ポキシ樹脂系接
着剤を用いて、スズ薄板を外側にして２枚貼り合わせる
。次にスルーホール形成部に）Ｉ ＩＪルで０．７０ｍ
０の穴をあけた。その後すでにｐｉ調整ずみのシ二−リ
ング社製の活性化液アクチペーターψネオガント８３４
、還元液リデューサ−・ネオガン）ＷＡを使って活性化
処理し、それからスズ薄板を５重量％の水酸化ナトリウ
ム水溶液でエツチング除去した。そのあと無電解鋼メッ
キ（室町化学製ＭＫ−４３０）を行い、次いで／＼−シ
ョウ村田社製ピロリン酸酸剤ッキ液を用いて、電流密度
５ Ａ ／ｄビで膜厚５０μｍ（配線密度８本／態）銅
メッキを行った。メッキ終了後、スルーホールを介して
表裏ノターン間の電気抵抗を測定したところどのスルー
ホールもｓｍΩ以下であった。
また、スルーホール内壁部には全くくぼみが見られなか
った。
った。
（発明の効果）
本発明の製造方法にしたがえば、第１図に示すようにス
ルーホール内壁部のメッキにくぼみが全くなく、シたが
って高信頼性に富む、厚膜導電体からなるスルーホール
回路が得られる。
ルーホール内壁部のメッキにくぼみが全くなく、シたが
って高信頼性に富む、厚膜導電体からなるスルーホール
回路が得られる。
第１１Ｎは本発明の製造法によって得られるスルーホー
ル回路のスルーホール部分の断面図、第２図は従来の製
造法によって得られるスルーホール回路のスルーホール
部分の断面図である。 ｌ・・・・・・スルーホール、２・・・・・・１８Ｒｔ
Ｌ ａ・・・・・・導電体（メッキ）、４・・・・・
・くぼみ。 特許出願人 旭化成工業株式会社 第１因 手続補正書（臼兇） 昭和６０年７月１１日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殴 １、事件の表示 昭和６０年特許願第１６６１２号 ２、発明の名称 スルーホール回路の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪府大阪市北区堂島浜１丁目２番 ４、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ５、補正の内容 （１） 明細書第１頁第１９行「厚膜導電体の製造法
」を「厚膜導電体からなるスルホール回路の製造方法」
と訂正する。 （２）同第２頁末行「少なくとも導電体、絶縁層、導電
体がこの」を「少なくとも金属薄板、導電体、絶縁層、
導電体、金属薄板がこの」と訂正する。 （３） 同第５頁第１３行「粗面上のため」を「粗面
化のため」と訂正する。 （４） 同第８頁第１７行［フィルム「カプトン」を
「フィルム（「カプトン」」と訂正する。 （５）同第９頁第９行「３３６重量％」を「３６重量％
」と訂正する。 以上
ル回路のスルーホール部分の断面図、第２図は従来の製
造法によって得られるスルーホール回路のスルーホール
部分の断面図である。 ｌ・・・・・・スルーホール、２・・・・・・１８Ｒｔ
Ｌ ａ・・・・・・導電体（メッキ）、４・・・・・
・くぼみ。 特許出願人 旭化成工業株式会社 第１因 手続補正書（臼兇） 昭和６０年７月１１日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殴 １、事件の表示 昭和６０年特許願第１６６１２号 ２、発明の名称 スルーホール回路の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪府大阪市北区堂島浜１丁目２番 ４、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ５、補正の内容 （１） 明細書第１頁第１９行「厚膜導電体の製造法
」を「厚膜導電体からなるスルホール回路の製造方法」
と訂正する。 （２）同第２頁末行「少なくとも導電体、絶縁層、導電
体がこの」を「少なくとも金属薄板、導電体、絶縁層、
導電体、金属薄板がこの」と訂正する。 （３） 同第５頁第１３行「粗面上のため」を「粗面
化のため」と訂正する。 （４） 同第８頁第１７行［フィルム「カプトン」を
「フィルム（「カプトン」」と訂正する。 （５）同第９頁第９行「３３６重量％」を「３６重量％
」と訂正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくとも金属薄板、導電体、絶縁層、導電体、金属薄
板がこの順に積層された部分を有する積層体を用いて厚
膜導電体からなるスルーホール回路を製造する方法であ
つて、少なくとも、 （ｉ）スルーホール用穴あけを行う工程、 （ｉｉ）無電解メッキのための活性化液による前処理を
行う工程、 （ｉｉｉ）無電解メッキを行う工程、 （ｉｖ）電解メッキによりスルーホール導通を行う工程
、 を有することを特徴とするスルーホール回路の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1661285A JPS61177796A (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | スル−ホ−ル回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1661285A JPS61177796A (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | スル−ホ−ル回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177796A true JPS61177796A (ja) | 1986-08-09 |
Family
ID=11921144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1661285A Pending JPS61177796A (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | スル−ホ−ル回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61177796A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143571A (ja) * | 1974-10-09 | 1976-04-14 | Hiroki Katsuki | Keesuisosochi |
| JPS60195988A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-04 | 旭化成株式会社 | スル−ホ−ル回路の形成方法 |
-
1985
- 1985-02-01 JP JP1661285A patent/JPS61177796A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143571A (ja) * | 1974-10-09 | 1976-04-14 | Hiroki Katsuki | Keesuisosochi |
| JPS60195988A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-04 | 旭化成株式会社 | スル−ホ−ル回路の形成方法 |
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