JPS61176188A - 溶射による基板の回路形成方法 - Google Patents
溶射による基板の回路形成方法Info
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- JPS61176188A JPS61176188A JP1538685A JP1538685A JPS61176188A JP S61176188 A JPS61176188 A JP S61176188A JP 1538685 A JP1538685 A JP 1538685A JP 1538685 A JP1538685 A JP 1538685A JP S61176188 A JPS61176188 A JP S61176188A
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- Japan
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- mask
- dry film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はセラミック基板又は金属板にセラミックが溶射
されて絶縁層が形成された複合基板の表面に、マスクを
介して金属を溶射し、回路を形成するようにした溶射に
よる基板の回路形成方法に関するものである。
されて絶縁層が形成された複合基板の表面に、マスクを
介して金属を溶射し、回路を形成するようにした溶射に
よる基板の回路形成方法に関するものである。
一般にセラミック基板又は金属板にセラミックが溶射さ
れて絶縁層が形成された複合基板の表面に回路を形成す
るには、Ag、Au、Ag/Pd、AVlt。
れて絶縁層が形成された複合基板の表面に回路を形成す
るには、Ag、Au、Ag/Pd、AVlt。
AU◇d/P tの様な貴金属ペース)f使用するか、
MoA/in、WAn を水素気流中で1600℃以上
の高温下で焼成し、更にその上にNiメッキを施こすと
いう複雑な工程を経て処理されている。これに対し溶射
による回路形成方法は、Cuの様な安価な金属からMO
等、所望の金属材料を直付けして回路を形成することが
できる大きな利点があるため、最近広く採用されるよう
になってきた。この溶射による基板の回路形成方法にお
いては、マスクを介して金属を溶射する必要があるが、
従来使用されているのはメタルマスクやレジスト印刷マ
スクがほとんど76つた。ところが、メタルマスクを使
用する場合には、絶縁層であるセラミックの表面との密
着性を保つため、メタルマスクの厚さf l w、以上
の板厚にしなければならず、メタルマスクを固定する際
にセラミックの表面が破損しやすいという欠点があつf
co又、メタルマスクだとレーザー加工やエツチング加
工により回路パターンを作る加工費が高価となるばかシ
か、量産効率を上げるには、あらかじめ多数のメタルマ
スクを揃えておく必要があった。又、同一のメタルマス
クを繰シ返して使用していると、メタルマスクが熱で歪
んで変形し、パターン精度が狂って鮮明な回路が形成で
きなくなるばかりか、メタルマスクの表面に付着する溶
射材の除去に多大の時間を要するという欠点があった。
MoA/in、WAn を水素気流中で1600℃以上
の高温下で焼成し、更にその上にNiメッキを施こすと
いう複雑な工程を経て処理されている。これに対し溶射
による回路形成方法は、Cuの様な安価な金属からMO
等、所望の金属材料を直付けして回路を形成することが
できる大きな利点があるため、最近広く採用されるよう
になってきた。この溶射による基板の回路形成方法にお
いては、マスクを介して金属を溶射する必要があるが、
従来使用されているのはメタルマスクやレジスト印刷マ
スクがほとんど76つた。ところが、メタルマスクを使
用する場合には、絶縁層であるセラミックの表面との密
着性を保つため、メタルマスクの厚さf l w、以上
の板厚にしなければならず、メタルマスクを固定する際
にセラミックの表面が破損しやすいという欠点があつf
co又、メタルマスクだとレーザー加工やエツチング加
工により回路パターンを作る加工費が高価となるばかシ
か、量産効率を上げるには、あらかじめ多数のメタルマ
スクを揃えておく必要があった。又、同一のメタルマス
クを繰シ返して使用していると、メタルマスクが熱で歪
んで変形し、パターン精度が狂って鮮明な回路が形成で
きなくなるばかりか、メタルマスクの表面に付着する溶
射材の除去に多大の時間を要するという欠点があった。
又、メタルマスクと絶縁層であるセラミックの表面との
間のわずかな隙間に、溶射金属の微粒子が入シ込んでパ
ターン間が不鮮明となシ、線間耐電圧が劣化しやすいた
め1.メタルマスク自身の線巾のファイン性は約2篇程
度が限度である等、多くの欠点があった。これに対し、
レジスト印刷マスクを使用するとメタルマスクの場合よ
シもパターン間は鮮明になるが、形成する回路を例えば
100μ以上にする場合には、レジスト印刷マスクの膜
厚をそれと同程度以上で、200μ〜300μ程度にし
なければならないが、レジスト印刷マスクの膜厚はだい
たい平均25μ、厚くても40〜50μ程度であシ、そ
れ以上だと印刷が困難になるという欠点があった。
間のわずかな隙間に、溶射金属の微粒子が入シ込んでパ
ターン間が不鮮明となシ、線間耐電圧が劣化しやすいた
め1.メタルマスク自身の線巾のファイン性は約2篇程
度が限度である等、多くの欠点があった。これに対し、
レジスト印刷マスクを使用するとメタルマスクの場合よ
シもパターン間は鮮明になるが、形成する回路を例えば
100μ以上にする場合には、レジスト印刷マスクの膜
厚をそれと同程度以上で、200μ〜300μ程度にし
なければならないが、レジスト印刷マスクの膜厚はだい
たい平均25μ、厚くても40〜50μ程度であシ、そ
れ以上だと印刷が困難になるという欠点があった。
又、レジスト印刷マスクは通常10〜20μ程度の膜厚
だと適正な印刷ができるが、それ以上の膜厚になるとに
じみが生じやすいばかりか、特に溶射によって形成され
たセラミックの最大表面粗さRm a xは20μ以上
もあるため、印刷時点でラインの直線性がそこなわれる
恐れがある等多くの欠点があり、メタルマスクやレジス
ト印刷マスクに代るマスクを使用した溶射による基板の
回路形成方法の出現が望まれていた。
だと適正な印刷ができるが、それ以上の膜厚になるとに
じみが生じやすいばかりか、特に溶射によって形成され
たセラミックの最大表面粗さRm a xは20μ以上
もあるため、印刷時点でラインの直線性がそこなわれる
恐れがある等多くの欠点があり、メタルマスクやレジス
ト印刷マスクに代るマスクを使用した溶射による基板の
回路形成方法の出現が望まれていた。
本発明は上記従来の実情に鑑みて提案されたも、ので、
耐熱性にすぐれ、溶射材が付着せず、量産にも十分に応
じることができると共に、セラミックの表面が粗くても
回路パターンのラインの直線性が良く、ファイン性にす
ぐれていると共に、重ね合せることによってマスクを任
意の膜厚にすることができる実用上きわめて有効な溶射
による基板の回路形成方法を提供せんとするものである
。
耐熱性にすぐれ、溶射材が付着せず、量産にも十分に応
じることができると共に、セラミックの表面が粗くても
回路パターンのラインの直線性が良く、ファイン性にす
ぐれていると共に、重ね合せることによってマスクを任
意の膜厚にすることができる実用上きわめて有効な溶射
による基板の回路形成方法を提供せんとするものである
。
本発明は実験の結果ドライフィルムレジストが耐熱性に
すぐれ、溶射金属が付着しないことから、溶射用のマス
クとして利用できることを見い出してなされたもので、
セラミック基板又は金属板にセラミックを溶射して絶縁
層を形成した複合基板の表面にドライフィルムレジスト
をラミネートし、その上に回路パターンフィルムを乗せ
て露光し、感光部のドライフィルムレジストを重合させ
た後、未重合のドライフィルムレジストを除去してマス
クを形成せしめ、その上から金属を溶射して回路を形成
するようにした、溶射による基板の回路形成方法を特徴
とするものである。
すぐれ、溶射金属が付着しないことから、溶射用のマス
クとして利用できることを見い出してなされたもので、
セラミック基板又は金属板にセラミックを溶射して絶縁
層を形成した複合基板の表面にドライフィルムレジスト
をラミネートし、その上に回路パターンフィルムを乗せ
て露光し、感光部のドライフィルムレジストを重合させ
た後、未重合のドライフィルムレジストを除去してマス
クを形成せしめ、その上から金属を溶射して回路を形成
するようにした、溶射による基板の回路形成方法を特徴
とするものである。
本発明の溶射による基板の回路形成方法においては、基
板の表面に2ミネートしたドライフィルムレジストの上
に回路パターンフィルムを乗せて、その上から紫外線で
露光すると、感光部のドライフィルムレジスト1を重合
してポリマーとなり硬化するが、その他の部分のドライ
フィルムレジストは未重合でオリゴマーのままとなって
いる。従って、これ1No2cO5溶液等で除去して現
像すれば、マスクが形成されることになる。なお、形成
されるマスクの膜厚を厚くするには、その上にさらにド
ライフィルムレジストを重ね合せていけば良い。
板の表面に2ミネートしたドライフィルムレジストの上
に回路パターンフィルムを乗せて、その上から紫外線で
露光すると、感光部のドライフィルムレジスト1を重合
してポリマーとなり硬化するが、その他の部分のドライ
フィルムレジストは未重合でオリゴマーのままとなって
いる。従って、これ1No2cO5溶液等で除去して現
像すれば、マスクが形成されることになる。なお、形成
されるマスクの膜厚を厚くするには、その上にさらにド
ライフィルムレジストを重ね合せていけば良い。
こうして形成されたマスクを介して金属を溶射すれば、
基板上に所望の回路を形成することができる。
基板上に所望の回路を形成することができる。
以下、本発明を図面に示す実施列に基づいて具体的に説
明する。
明する。
第1図乃至第8図は本発明の一実施例を示す工程説明図
である。第1図は金属板1の表面全粗面にするため、ブ
ラスト処理を行なう工程を示す。実験では1311+’
X 50.81111X 50.8111+のkl板を
使用し、A43.#80のブラスト剤を用いて5Kp/
dの圧力でブラスト処理を行なった。次に第2図は金属
板lの表面にセラミックスを溶射して絶縁層を形成し、
複合基板にする工程を示す。実験では#600のホワイ
トアルミナをプラズマ溶射して200μのh12o5の
絶縁層を形成せしめたが、その時の溶射条件を表IのA
に示す。
である。第1図は金属板1の表面全粗面にするため、ブ
ラスト処理を行なう工程を示す。実験では1311+’
X 50.81111X 50.8111+のkl板を
使用し、A43.#80のブラスト剤を用いて5Kp/
dの圧力でブラスト処理を行なった。次に第2図は金属
板lの表面にセラミックスを溶射して絶縁層を形成し、
複合基板にする工程を示す。実験では#600のホワイ
トアルミナをプラズマ溶射して200μのh12o5の
絶縁層を形成せしめたが、その時の溶射条件を表IのA
に示す。
表’ A 8
次に第3図は複合基板のセラミック20表面にドライフ
ィルムレジスト3をラミネートする工程を示す。実験で
はドライ)イルムレシストとしてデュホ/社製O5OL
DERMASK用ノV’ACRJL 8040全、厚み
100μになるように貼シ合せ、100〜150℃に加
熱溶着してラミネートした。ドライフィルムレジストは
プリント基板の回路形成用に開発されたもので、一般に
バインダポリマと光重合性モノマと光重合開始剤と染料
その他添加剤よシなる感光層を、ポリエチレンよシなる
カバーフィルムで表面を、ポリエステルよりなるベース
フィルムで裏面を、それぞれ被覆して構成されており、
カバーフィルムをはがしながら、ベースフィルム側を加
熱ロールで加熱しつつラミネートして行くようになって
いる。次に第4図はラミネートされたドライフィルムレ
ジスト3の上に回路パターンフィルム4を乗せて露光す
る工程を示す。実験では水銀ランプを使用して波長36
511近辺の紫外線を照射した。次に第5図は露光後、
回路パターンフィルム4を取り去った工程金示す。実験
では感光部のドライフィルムレジスト3aは重合してポ
リマーとなシ十分に硬化していると共に、未重合のドラ
イフィルムレジスト3bはオリゴマーのままであること
が確認された。
ィルムレジスト3をラミネートする工程を示す。実験で
はドライ)イルムレシストとしてデュホ/社製O5OL
DERMASK用ノV’ACRJL 8040全、厚み
100μになるように貼シ合せ、100〜150℃に加
熱溶着してラミネートした。ドライフィルムレジストは
プリント基板の回路形成用に開発されたもので、一般に
バインダポリマと光重合性モノマと光重合開始剤と染料
その他添加剤よシなる感光層を、ポリエチレンよシなる
カバーフィルムで表面を、ポリエステルよりなるベース
フィルムで裏面を、それぞれ被覆して構成されており、
カバーフィルムをはがしながら、ベースフィルム側を加
熱ロールで加熱しつつラミネートして行くようになって
いる。次に第4図はラミネートされたドライフィルムレ
ジスト3の上に回路パターンフィルム4を乗せて露光す
る工程を示す。実験では水銀ランプを使用して波長36
511近辺の紫外線を照射した。次に第5図は露光後、
回路パターンフィルム4を取り去った工程金示す。実験
では感光部のドライフィルムレジスト3aは重合してポ
リマーとなシ十分に硬化していると共に、未重合のドラ
イフィルムレジスト3bはオリゴマーのままであること
が確認された。
次に第6図は未重合のドライフィルムレジスト3bを除
去してマスクを形成する現像工程を示す。実験”t’1
d30〜40℃の1%Na2CO’3溶液により現像全
行い、回路導体形成部となる未重合のドライフィルムレ
ジスト3bi溶解した後水洗し、乾燥させた。次に第7
図は現像工程によって未重合のドライフィルムレジスト
3bが除去された部分に回路導体を形成する金属5を溶
射する工程を示す。
去してマスクを形成する現像工程を示す。実験”t’1
d30〜40℃の1%Na2CO’3溶液により現像全
行い、回路導体形成部となる未重合のドライフィルムレ
ジスト3bi溶解した後水洗し、乾燥させた。次に第7
図は現像工程によって未重合のドライフィルムレジスト
3bが除去された部分に回路導体を形成する金属5を溶
射する工程を示す。
実験では#170〜280のCu粉を50μ〜75μの
厚さに溶射して回路導体を形成せしめたが、その時の溶
射条件を表1のBに示す。次に第8図は溶射終了後に残
存する重合したドライフィルムレシス)3af:剥離す
る工程を示す。実験では40℃の3 % KO)(溶液
にひたして重合したドライフィルムレジスト3ai剥離
させたが、形成された回路はパターン間へのCu微粉に
よる汚れがなく、パターン端部の凹凸の少ない良好な回
路であることが確認された。
厚さに溶射して回路導体を形成せしめたが、その時の溶
射条件を表1のBに示す。次に第8図は溶射終了後に残
存する重合したドライフィルムレシス)3af:剥離す
る工程を示す。実験では40℃の3 % KO)(溶液
にひたして重合したドライフィルムレジスト3ai剥離
させたが、形成された回路はパターン間へのCu微粉に
よる汚れがなく、パターン端部の凹凸の少ない良好な回
路であることが確認された。
本発明の有効性を確認するために行なった上記実験と従
来のレジスト印刷マスク、メタルマスクによって形成し
た回路の緒特性測定結果を表Iに示す。
来のレジスト印刷マスク、メタルマスクによって形成し
た回路の緒特性測定結果を表Iに示す。
この表襲からも明らかなように、本発明によって形成さ
れた回路のファインラインは500μ、線間隔は500
μ、線間耐圧は21III幅で2.0Kvと、いずれも
従来のレジスト印刷マスクやメタルマスクによって形成
された回路よシも良好であった。
れた回路のファインラインは500μ、線間隔は500
μ、線間耐圧は21III幅で2.0Kvと、いずれも
従来のレジスト印刷マスクやメタルマスクによって形成
された回路よシも良好であった。
又、Cu溶射膜の断面図を見ても、本発明によって形成
された回路はエツジが垂直でだれがなくきわめて良好で
あった。又、Cu/Al2O3の溶着強度も本発明によ
って形成された回路は1.5 Kpf/mもあシ、従来
のレジスト印刷マスクやメタルマスクによって形成され
た回路よシも良好でアリ、本発明の溶射による基板の回
路形成方法の有効性を確認することができた。
された回路はエツジが垂直でだれがなくきわめて良好で
あった。又、Cu/Al2O3の溶着強度も本発明によ
って形成された回路は1.5 Kpf/mもあシ、従来
のレジスト印刷マスクやメタルマスクによって形成され
た回路よシも良好でアリ、本発明の溶射による基板の回
路形成方法の有効性を確認することができた。
なおさ実施例においては金属板1にセラミック2が溶射
されて絶縁層が形成された複合基板に溶射によって回路
を形成する場合について示したが、セラミック基板に溶
射によって回路を形成する場合には、第1図と第2図に
示した工程は不要である。又、本実施列においては第8
図に示した工程において残存する重合したドライフィル
ムレシス)alt剥離せしめたが、重合したドライフィ
ルムレシス)3aをそのまま残しておいてもかまわない
。
されて絶縁層が形成された複合基板に溶射によって回路
を形成する場合について示したが、セラミック基板に溶
射によって回路を形成する場合には、第1図と第2図に
示した工程は不要である。又、本実施列においては第8
図に示した工程において残存する重合したドライフィル
ムレシス)alt剥離せしめたが、重合したドライフィ
ルムレシス)3aをそのまま残しておいてもかまわない
。
以上具体的に説明したように、本発明においては、耐熱
性にすぐれ、溶射材が付着しないドライフィルムレシス
l用いてマスクを形成せしめたので、量産にも十分に応
じることができる。又、セラミックの表面が粗くても回
路パターンのラインの直線性が良く、金属溶射膜の断面
のエツジが垂直でだれがないため回路のファイン性にす
ぐれている。又、レジスト印刷マスクのように膜厚が厚
くなってもにじみが生じることはないから、回路の解像
性にすぐれている。又、重ね合せることによってマスク
を任意の厚さにすることができるので、回路の厚みを厚
くすることができる。等多くの利点を有し、実用上きわ
めて有効な溶射による基板の回路形成方法を提供し得る
ものである。
性にすぐれ、溶射材が付着しないドライフィルムレシス
l用いてマスクを形成せしめたので、量産にも十分に応
じることができる。又、セラミックの表面が粗くても回
路パターンのラインの直線性が良く、金属溶射膜の断面
のエツジが垂直でだれがないため回路のファイン性にす
ぐれている。又、レジスト印刷マスクのように膜厚が厚
くなってもにじみが生じることはないから、回路の解像
性にすぐれている。又、重ね合せることによってマスク
を任意の厚さにすることができるので、回路の厚みを厚
くすることができる。等多くの利点を有し、実用上きわ
めて有効な溶射による基板の回路形成方法を提供し得る
ものである。
第1図乃至第8図は本発明の一実施1例を示す工程説明
図である。 1・・・金属板、2・・・セラミック、3・・・ドライ
フィルムレジスト、3a・・・重合したドライフィルム
レジスト、3b・・未重合のドライフィルムレジスト、
4・・・回路パターンフィルム 5・・・金属第1図 第7図 第8図
図である。 1・・・金属板、2・・・セラミック、3・・・ドライ
フィルムレジスト、3a・・・重合したドライフィルム
レジスト、3b・・未重合のドライフィルムレジスト、
4・・・回路パターンフィルム 5・・・金属第1図 第7図 第8図
Claims (1)
- セラミック基板又は金属板にセラミックを溶射さして絶
縁層を形成した複合基板の表面にドライフィルムレジス
トをラミネートし、その上に回路パターンフィルムを乗
せて露光し、感光部のドライフィルムレジストを重合さ
せた後、未重合のドライフィルムレジストを除去してマ
スクを形成せしめ、その上から金属を溶射して導体回路
を形成するようにしたことを特徴とする溶射による基板
の回路形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1538685A JPS61176188A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 溶射による基板の回路形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1538685A JPS61176188A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 溶射による基板の回路形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61176188A true JPS61176188A (ja) | 1986-08-07 |
Family
ID=11887301
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1538685A Pending JPS61176188A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 溶射による基板の回路形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61176188A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007103796A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Toyota Industries Corp | 絶縁基板及び半導体装置並びに絶縁基板の製造方法 |
JP2008108976A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Ube Ind Ltd | 熱電変換モジュール及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-01-31 JP JP1538685A patent/JPS61176188A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007103796A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Toyota Industries Corp | 絶縁基板及び半導体装置並びに絶縁基板の製造方法 |
JP2008108976A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Ube Ind Ltd | 熱電変換モジュール及びその製造方法 |
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