JPS6117490A - 半導体液相エピタキシヤル成長装置および方法 - Google Patents
半導体液相エピタキシヤル成長装置および方法Info
- Publication number
- JPS6117490A JPS6117490A JP13637684A JP13637684A JPS6117490A JP S6117490 A JPS6117490 A JP S6117490A JP 13637684 A JP13637684 A JP 13637684A JP 13637684 A JP13637684 A JP 13637684A JP S6117490 A JPS6117490 A JP S6117490A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epitaxial growth
- furnace
- furnaces
- temperature
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/08—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、半導体液相エピタキシャル成長装置および方
法に関し、更に詳しくは半導体液相エピタキシャル成長
の原料の熱処理、成長および冷却をそれぞれ異なる炉を
用いて行なう半導体液相エピタキシャル成長装置および
方法に関する。
法に関し、更に詳しくは半導体液相エピタキシャル成長
の原料の熱処理、成長および冷却をそれぞれ異なる炉を
用いて行なう半導体液相エピタキシャル成長装置および
方法に関する。
［従来技術］
半導体液相エピタキシャル成長には、室温から１０００
℃以上に至る広い範囲の温度環境が必要である。従来は
エピタキシャル成長を１つの炉で行っていたのであるが
、これでは炉に広い温度範囲の熱ザイクルかかかり、こ
れが負荷となって炉の内部に変化が起こり、所望の温度
分布か得られなくなる。また、炉の熱容量などによって
時間に対する温度変化率の最大値が決まるのであるが、
エピタキシャル成長で求められる空間的な均熱を得るた
めには熱容量を大きくする必要がある。従って、最大温
度変化率以上に急激な温度変化を実現することはできな
い。そのため温度領域の切り換えに長時間を要する。
℃以上に至る広い範囲の温度環境が必要である。従来は
エピタキシャル成長を１つの炉で行っていたのであるが
、これでは炉に広い温度範囲の熱ザイクルかかかり、こ
れが負荷となって炉の内部に変化が起こり、所望の温度
分布か得られなくなる。また、炉の熱容量などによって
時間に対する温度変化率の最大値が決まるのであるが、
エピタキシャル成長で求められる空間的な均熱を得るた
めには熱容量を大きくする必要がある。従って、最大温
度変化率以上に急激な温度変化を実現することはできな
い。そのため温度領域の切り換えに長時間を要する。
［発明の目的］
本発明の一目的は、一つの炉に広い温度範囲の熱サイク
ルがかかることのない半導体液相エピタキシャル成長装
置および方法を提供することにある。
ルがかかることのない半導体液相エピタキシャル成長装
置および方法を提供することにある。
本発明の別の目的は、従来方法に比へてエピタキシャル
の成長に要求される精密な温度分布を容易に実現でき、
しかも短時間で実施できる半導体液相エピタギシャル成
長方法を提供することにある。
の成長に要求される精密な温度分布を容易に実現でき、
しかも短時間で実施できる半導体液相エピタギシャル成
長方法を提供することにある。
［発明の構成］
本発明の要旨は、複数の炉を有して成り、各炉は異なる
温度範囲での加熱または冷却を行うことを特徴とする半
導体エビタギンヤル成長装置、および原料の熱処理、エ
ビタギノヤル成長および成長したウェハの急冷をそれぞ
れ異なる炉により行うことを特徴とする半導体液相エピ
タギノヤル成長方法に存する。
温度範囲での加熱または冷却を行うことを特徴とする半
導体エビタギンヤル成長装置、および原料の熱処理、エ
ビタギノヤル成長および成長したウェハの急冷をそれぞ
れ異なる炉により行うことを特徴とする半導体液相エピ
タギノヤル成長方法に存する。
本発明の特徴は、半導体液相エピタキシャル成長に複数
の炉、好ましく（Ｊ少なくとも３つの炉を用いることに
ある。各炉はそれぞれ異なった温度範囲に設定される。
の炉、好ましく（Ｊ少なくとも３つの炉を用いることに
ある。各炉はそれぞれ異なった温度範囲に設定される。
たとえば３つの炉を用いた場合、第１の炉は、原料の熱
処理に用いられ、通常７００〜９００℃の温度に保たれ
る。第２の炉は、エピタキシャルの成長に用いられ、通
常６００〜７００℃の温度に保たれる。さらに第３の炉
は、通常室温以下に保たれ、成長の終わったエピタキシ
ャルの冷却に用いられる。反応管および成長用ボートな
との加熱には、所望の温度領域に応じて複数個の炉の中
から任意の１つを使用する。
処理に用いられ、通常７００〜９００℃の温度に保たれ
る。第２の炉は、エピタキシャルの成長に用いられ、通
常６００〜７００℃の温度に保たれる。さらに第３の炉
は、通常室温以下に保たれ、成長の終わったエピタキシ
ャルの冷却に用いられる。反応管および成長用ボートな
との加熱には、所望の温度領域に応じて複数個の炉の中
から任意の１つを使用する。
各炉の温度は、待機状態では常に上記の温度範囲の適当
な温度に保たれている。本発明で用いる炉それぞれは、
従来から用いられている炉と同様のものでよい。
な温度に保たれている。本発明で用いる炉それぞれは、
従来から用いられている炉と同様のものでよい。
［発明の効果］
本発明に従えば、加熱、成長および冷却にそれぞれ異な
る炉を用いるので、エピタキンヤル成長時に要求される
精密な温度分布を実現すべき炉は、高々６００〜７００
℃の温度領域内での熱ザイクルにさらされるたけである
ので、温度分布が安定する。
る炉を用いるので、エピタキンヤル成長時に要求される
精密な温度分布を実現すべき炉は、高々６００〜７００
℃の温度領域内での熱ザイクルにさらされるたけである
ので、温度分布が安定する。
エピタキシャル成長後の急冷が可能であるので、成長し
た結晶が高温にさらされる時間が短くなり、高温による
結晶のダメージの減少および所要時間の短縮が図れる。
た結晶が高温にさらされる時間が短くなり、高温による
結晶のダメージの減少および所要時間の短縮が図れる。
各炉がさらされる熱サイクルの温度領域か小さいので、
炉の寿命が長くなる。
炉の寿命が長くなる。
Claims (3)
- （１）複数の炉を有して成り、各炉は異なる温度範囲で
の加熱または冷却を行うことを特徴とする半導体エピタ
キシャル成長装置。 - （２）３つの炉を有し、第１の炉では７００〜９００℃
で原料の熱処理を行い、第２の炉では６００〜７００℃
でエピタキシャル成長を行ない、第３の炉では室温以下
に急冷を行なう特許請求の範囲第１項記載の装置。 - （３）原料の熱処理、エピタキシャル成長およびエピタ
キシャル成長したウェハの急冷をそれぞれ異なる炉によ
り行うことを特徴とする半導体液相エピタキシャル成長
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13637684A JPS6117490A (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | 半導体液相エピタキシヤル成長装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13637684A JPS6117490A (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | 半導体液相エピタキシヤル成長装置および方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6117490A true JPS6117490A (ja) | 1986-01-25 |
Family
ID=15173711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13637684A Pending JPS6117490A (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | 半導体液相エピタキシヤル成長装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6117490A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5141407A (en) * | 1990-10-01 | 1992-08-25 | Copeland Corporation | Scroll machine with overheating protection |
| US5707210A (en) * | 1995-10-13 | 1998-01-13 | Copeland Corporation | Scroll machine with overheating protection |
-
1984
- 1984-06-30 JP JP13637684A patent/JPS6117490A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5141407A (en) * | 1990-10-01 | 1992-08-25 | Copeland Corporation | Scroll machine with overheating protection |
| US5527158A (en) * | 1990-10-01 | 1996-06-18 | Copeland Corporation | Scroll machine with overheating protection |
| US5707210A (en) * | 1995-10-13 | 1998-01-13 | Copeland Corporation | Scroll machine with overheating protection |
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