JPS61174729A - 樹脂封止形半導体装置の封止状態検出方法 - Google Patents

樹脂封止形半導体装置の封止状態検出方法

Info

Publication number
JPS61174729A
JPS61174729A JP1570985A JP1570985A JPS61174729A JP S61174729 A JPS61174729 A JP S61174729A JP 1570985 A JP1570985 A JP 1570985A JP 1570985 A JP1570985 A JP 1570985A JP S61174729 A JPS61174729 A JP S61174729A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
mold
resin
dam
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1570985A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0376783B2 (ja
Inventor
Kunio Sato
邦夫 佐藤
Yuji Hashiguchi
橋口 勇二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP1570985A priority Critical patent/JPS61174729A/ja
Publication of JPS61174729A publication Critical patent/JPS61174729A/ja
Publication of JPH0376783B2 publication Critical patent/JPH0376783B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体素子がマウントされ樹脂封止されたモ
ールド部を所定間隔に複数個連接してなる半導体素子付
きリードフレームにおいて、各モールド部の封止状態を
検出する樹脂封止形半導体装置の封止状態検出方法に関
するものである。
(従来の技術) 従来、このような分野の技術としては、米国特許第38
110131号明細書、およびrLSI工場自動化プロ
セス技術集成」 (昭5f3−3−31)株式会社エデ
ィポックP、341−346等に記載されるものがあっ
た。
以下、その構成を概略図を用いて説明する。
第2図は従来の封止状態検出方法に用いられる半導体素
子付きリードフレームの平面図、および第3図は第2図
中のA−A線断面図である。
第2図および第3図において、1は複数個連接された半
導体素子付きリードフレームである。この半導体素子付
きリードフレーム1は、厚さ例えば0.2511のリー
ドフレーム本体2と、ICチップ等の半導体素子がマウ
ントされ樹脂封止された複数個のモールド部3と、この
モールド部3から外側に突出する複数本のリード部4と
、各リード部4を連結するタイバー部5と、各リード部
4間に位置しかつ対峙するモールド部3の外側とタイバ
ー部5の内側との間に位置する第1のダム部6と、リー
ドフレーム本体2の内側とこれに対峙するモールド部3
の外側との間に位置する第2のダム部7と、リードフレ
ーム本体2の両測部長手方向に沿って設けられた複数個
の孔8とにより構成される。なお、第2図および第3図
では、各ダム部6.7に樹脂が充填されている。
次に1、このように構成される半導体素子付きり、−ド
フレーム1の製造方法を第4図〜第6図を参照しつつ説
明する。なお、第4図はリードフレーム本体2の平面図
、第5図はトランスファモールド金型の斜視図、および
第6図はモールド後の半導体素子付きリードフレーム1
の概略平面図である。
先ず、リードフレーム本体2の半導体素子搭載用のマウ
ント部9に、図示しない半導体素子をマウント(固定)
し、この半導体素子とリード部4とをワイヤでポンディ
ング(接続)した後、半導体素子部の樹脂封止を行なう
第5図は、トランスファモールディング法に用いられる
金型である。この金型は、プランジャー10により上下
動する上金型11と、固定された下金型12とを備えて
いる。各金型11.12の対応する面には、タブレット
化された粉末樹脂(これを樹脂タブレットという)を収
納する凹状のカル部13と、カル部13と連通する溝状
のランナ一部14と、ランナ一部14に複数の溝状のゲ
ート部15を介して連接された複数の半導体素子収納用
のキャビティ1Bが、それぞれ設けられている。ここで
、−木のランナ一部14の片側に連接されるキャビティ
1Bの数は、リードフレーム本体2に設けられるマウン
ト部9の数に対応している。
こノヨうなトランスファモールド金型を用いて樹脂封止
を行なうには、加熱された金型12に、半導体素子を搭
載したリードフレーム本体2をセットする。この際、第
4図の二点鎖線で示す各半導体素子部Bが各キャビティ
lθ内に収納される。そして、エポキシ樹脂粉末等をバ
インダーで固めて作られた樹脂タブレットを、高周波加
熱し、これを金型12のカル部13内に投入し、プラン
ジャー10によって上型金型11を下型金型12に押し
つける。すると、カル部13内の樹脂タブレットが、ロ
ード部14及びゲート部!5を経て各キャビティ1B内
に注入され、各各半導体素子部Bが樹脂封止される。な
お、キャビティ1B内に樹脂が充填される際に、第1と
第2のダム部6,7へ樹脂が飛び出す、この余剰樹脂は
上下金型11.12で挟んだ際、リードフレーム本体2
にじ令まされてできるもので、リードフレーム本体2の
厚さく例えば、0.25mm)分の厚みを有している。
第6図は、樹脂封止後の複数個の半導体素子付きリード
フレームエを示すものである。金形11.12から取出
された各半導体素子付きリードフレームエは、樹脂から
なるカル20、ランナー2I及びゲート22で連結され
ているため、これらのカル20、ランナー21及びゲー
ト22等が取除かれて第2図のような半導体素子付きリ
ードフレームlが形成される。その後、このリードフレ
ーム1は、モールド部3及びリード部4がリードフレー
ム本体2から切離されると共に、モールド部外縁のダム
部6,7が取除かれて各々の樹脂封止形半導体装置とな
る。
ところで、最近、トランスファモールディング法の生産
効率をさらに上げるために、マルチプランジャ一方式に
よる自動化が進められている。自動化の項目としては、
(1)ローディングフレームへのリードフレームのセッ
ト、(2)ローディングフレームのマルチプランジャー
金型へのセット、(3)樹脂タブレットの加熱および金
型への投人、 (4)金型の作動、 (5)樹脂封止さ
れたリードフレームとローディングフレームの取出し、
(8)金型のクリーニング、 (7)カル、ランチ、ゲ
ートなどの分離である。
マルチプランジャー金型は、長いランナーがなく、プラ
ンジャー1本に対して1〜4個程度のキャビティで構成
されるので、成形ばらつきが小さく、#M脂脂層用効率
高い等の利点を有し、自動化が容易となる。
このように自動的に量産される樹脂封止型半導体装置に
おいて、例えば金型12のカル部13内に投入される樹
脂タブレットは、くずれ易く、欠けを生じやすいため、
投入量が少なくなったり、あるいはモールド成形条件の
不良、ゲート部16の詰り等の原因によって、モールド
成形の不良がしばしば起こる。
そこで、従来の封止状態検出方法は、半導体素子付きリ
ードフレーム1のダム部6.7に樹脂が完全に充填され
ているか否かを作業者が目視検査で確認し、モールド部
3の封止状態を判断していた。その理由は、モールド成
形時において、キャビティ16内に樹脂が注入され、該
キャビティ18内に樹脂が完全に充満すると、余剰樹脂
がダム部6.7へと流出して該ダム部6,7に充填され
る。そのため、ダム部6,7に多少でも空間がある場合
は、モールド部内部においてもボイドがあることが確認
できる。従ってダム部6.7における孔開き状態を目視
で検査することにより、封止状態の良、否の判定が行な
えるのである。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記のような封止状態検出方法では、封
止状態の良、否を作業者の目視検査で行なっているため
、検査能率が悪く、生産能率を上げるためのモールドか
ら製品の箱詰へという自動化を阻害するという問題点が
あった。また、目視検査という人的判断では誤りが起こ
りやすく、不良品が合格とされた場合、最終的にはダム
部6゜7が全て除かれるため、封止状態の再確認が不可
能となる。この場合、電気的には良品である場合もあり
、製品使用後において早期に密封不良になるという問題
点があった。
本発明は、前記従来技術が持っていた問題点として、目
視検査では検査能率が悪く、信頼性も低いという点につ
いて解決した封止状態検出方法を提供するものである。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、前記問題点を解決するために、モールド部、
リード部及びタイバー部を所定間隔に複数個連接してな
る半導体素子付きリードフレームのダム部に、樹脂が充
填されているか否かにより、モールド部の封止状態を検
出する樹脂封止形半導体装置の封止状態検出方法におい
て、前記モールド部及びダム部を露出しうる開口部を有
するマスク板で前記半導体素子付きリードフレームを遮
蔽し5開孔の有無を検出するセンナを前記開口部に対応
する位置に配置し、該センサ、または前記マスク板で遮
蔽された半導体素子付きリードフレームのいずれか一方
を前記リードフレームの長手方向に移動させて、前記ダ
ム部における開孔の有無を検出するようにしたものであ
る。
(作 用) 本発明によれば、以上のように封止状態検出方法を構成
したので、マスク板はモールド部及びダム部以外を遮蔽
し、この遮蔽されない部分の孔開き状態をセンサで検出
する。この際、センサまたは半導体素子付きリードフレ
ームのいずれか一方が走査されるので、複数個のモール
ド部ごとのダム部の孔開き状態が順次、自動的に検出さ
れる。
したがって前記問題点を除去できるのである。
(実施例) 第1図は本発明の封止状態検出方法に使用される検出装
置の一構成例を示す平面図、第7図は第1図の左側面図
、第8図は第1図のC部分の拡大平面図である。以下、
これらの図面を参照しつつ本発明の詳細な説明する。な
お、図面中、第2図中の要素と同一の要素には同一の符
号が付されている。
第1図および第7図において、 30はステンレス等か
らなる不透明なマスク板であり、このマスク板30は検
査の対象となる半導体素子付きリードフレーム1より大
きな面積を有し、その長手方向にはモールド部3の配列
間隔と同一の間隔で複数個の開口部31を有している。
開口部31の開口面積は、第8図に示すように、少なく
ともモールド部3の外縁に位置するダム部6,7が全て
透視しうる大きさに形成されている。
マスク板30の側面には支持部材30が突設され、この
支持部材30がロッド33に摺動自在に装着されている
。支持部材30はシリンダ34に連結され、該シリンダ
34によって第1図の矢印で示すようにロッド33上を
左右に移動する。また、マスク板30の下方位置にはリ
ードフレーム装着部材35が取付けられ、さらに該装着
部材35の一端に位置決めガイド38が設けられている
。リードフレーム装着部材35には、検査の対象となる
半導体素子付きリードフレーム1が、位置決めガイド3
6により位置決めされて着脱自在に装着される。
さらに、マスク板30に設けられた複数個の開口部31
の1つの上下位置には、開孔の有無を検出するセンサ4
0が固定状態で配設されている。センサ40は、例えば
発光部40aと受光部40bからなる透過形の光センサ
で構成される。
以上のように構成される検出装置を用いてモールド部3
の封止状態を検出するには、次のような方法で行なわれ
る。
まず、検査すべき半導体素子付きリードフレーム1をリ
ードフレーム装着部材35に位置決めして取付ける。す
ると、第8図のように、モールド部外縁のダム部6,7
がマスク板開口部31から露出する。そして、光センサ
40の発光部40aから開口部31へ光線を照射し、支
持部材32をシリンダ34により順次移動させていく、
すると、ある開口部31下において、第8図に示すよう
にダム部6.7が全て樹脂で充填されている場合は、発
光部40aから照射された光線が受光部40bへ入射し
ないため、モールド状態が良好であると検出される。と
ころが、もしダム部6,7の1ケ所にでも孔が開いてい
ると、その孔を通して発光部40aから照射された光線
が受光部40bへ入射し、モールド状態に欠陥があるこ
とが検出される。
このように、本実施例に係る封止状態検出方法によれば
、マスク板30で遮蔽した半導体素子付きリードフレー
ムlを、光センサ40の設置位置へ順次移動させてダム
部6,7の孔開き状態を検出し、これによってモールド
部3の封止状態を検出するようにしたので、従来の目視
検査に比べて、検査能率が向上すると共に、検出精度が
著しく良くなる。従って、このような検出方法を用いた
検出装置を、例えば自動モールド装置に取付け、モール
ド不良時に出力される光センサ40の異常信号に基づき
、警報を発すると共に自動モールド装置を停止させれば
、モールド不良原因を早期に除去でき、これによってモ
ールド不良製品を大量に出すことが防止できる。
なお、上記実施例においては、マスク板30及び半導体
素子付きリードフレーム1を移動させるようにしたが、
これらを固定して光センサ40を走査しても、封止状態
の検出を的確に行なうことがでキル、特に、光センサ4
0を走査させる方法では、半導体素子付きリードフレー
ム1が大型化しても、走査機構が簡単になるという利点
がある。
また、上記実施例では、センサ40として透過形の光セ
ンサを用いているが、これは反射形の光センサでもよく
、さらには光センサに限定されずに、開孔の有無を検出
できるセンサ、例えば電磁波等を用いたセンサでもよい
さらにまた、上記実施例のように、半導体素子付きリー
ドフレーム1のモールド部3と同数の開口部31を有す
るマスク板30を用いる代りに、例えば1個の開口部を
有するマスク板を用い、これを半導体素子付きリードフ
レーム1と共に、あるいはセンサと共に移動させて、ダ
ム部6,7の孔開き状態を検出するようにしてもよい。
その他、本発明は、上記実施例の半導体素子付きリード
フレームlの形状や走査方法等に限定されず、種々の変
化が可能であることはいうまでもない。
(発明の効果) 以上詳細に説明したように、本発明によれば、半導体素
子付きリードフレームをマスク板で遮蔽しつつ、センサ
で順次ダム部の孔開き状態を検出するようにしたので、
孔開き状態の検出能率と検出精度が向上するという効果
が期待できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に係る検出方法を説明するため
の検出装置の平面図、第2図は従来の検出方法を説明す
るための半導体素子付きリードフレームの平面図、第3
図は第2図のA−A線断面図、第4図〜第6図は第2図
における半導体素子付きリードフレームの製造方法を説
明するための図、第7図は第1図の右側面図、第8図は
第1図のC部分拡大図である。 1・・・・・半導体素子付きリードフレーム、2・・・
・・リードフレーム本体、3・・・・・モールド部、4
・・・・・リード部、5・・・・・タイバー部、6,7
・・・・・ダム部、30・・・・・マスク板、31・・
・・・開口部、33・・・・・ロンド、34・・・・・
シリンダ、 35・・・・−リードフレーム装着部材、
40・・・・・センサ。 出願人代理人   柿  本  恭  成善 l 図 30:7スク扱 31:Mr1郁 蔓4 回 第5 区

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 半導体素子がマウントされ樹脂封止されたモールド部と
    、このモールド部から外側に突出する複数本のリード部
    と、この各リード部を連結するタイバー部とを、所定間
    隔に複数個連接してなる半導体素子付きリードフレーム
    の、前記各リード部間に位置しかつ対応する前記モール
    ド部の外側と前記ダイバー部の内側との間のダム部に、
    樹脂が充填されているか否かにより前記モールド部の封
    止状態を検出する樹脂封止形半導体装置の封止状態検出
    方法において、 前記モールド部及びダム部を露出しうる開口部を有する
    マスク板で前記半導体素子付きリードフレームを遮蔽し
    、開孔の有無を検出するセンサを前記開口部に対応する
    位置に配置し、該センサ、または前記マスク板で遮蔽さ
    れた半導体素子付きリードフレームのいずれか一方を前
    記リードフレームの長手方向に移動させて、前記ダム部
    における開孔の有無を検出する樹脂封止形半導体装置の
    封止状態検出方法。
JP1570985A 1985-01-30 1985-01-30 樹脂封止形半導体装置の封止状態検出方法 Granted JPS61174729A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1570985A JPS61174729A (ja) 1985-01-30 1985-01-30 樹脂封止形半導体装置の封止状態検出方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1570985A JPS61174729A (ja) 1985-01-30 1985-01-30 樹脂封止形半導体装置の封止状態検出方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61174729A true JPS61174729A (ja) 1986-08-06
JPH0376783B2 JPH0376783B2 (ja) 1991-12-06

Family

ID=11896293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1570985A Granted JPS61174729A (ja) 1985-01-30 1985-01-30 樹脂封止形半導体装置の封止状態検出方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61174729A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02105550A (ja) * 1988-10-14 1990-04-18 Nec Corp 半導体装置の製造装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59228727A (ja) * 1983-06-10 1984-12-22 Hitachi Ltd 検査装置
JPS6250055U (ja) * 1985-09-19 1987-03-27

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59228727A (ja) * 1983-06-10 1984-12-22 Hitachi Ltd 検査装置
JPS6250055U (ja) * 1985-09-19 1987-03-27

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02105550A (ja) * 1988-10-14 1990-04-18 Nec Corp 半導体装置の製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0376783B2 (ja) 1991-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10483181B2 (en) Electronic package and fabrication method
JP2024063148A (ja) 窓部材、窓部材の製造方法、およびウェアラブル機器
JPS61174729A (ja) 樹脂封止形半導体装置の封止状態検出方法
CN107263827A (zh) 树脂密封装置和树脂密封装置的异常检测方法
TWI704043B (zh) 樹脂成型裝置及樹脂成型品的製造方法
JPH0961122A (ja) パッケージずれ検出装置
JP7329002B2 (ja) 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス
US6880981B2 (en) Optical coupling apparatus and method for manufacturing the same
JPH084267Y2 (ja) 素子パッケージ成形用金型
KR20200108700A (ko) 커넥터 일체형 반사형 광센서 및 그 제조 방법
JPH04373139A (ja) リードフレームのセット不良検出装置
JPH05291546A (ja) 固体撮像素子の製造方法
JPH0620159B2 (ja) 光半導体装置の製造方法
JP2673444B2 (ja) リードフレームのセット異常検出方法と樹脂封止成形用金型
KR0152556B1 (ko) 감지 블록을 갖는 리드프레임 공급바 및 그를 이용한 감지 방법
JPH0590549A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
KR940005440Y1 (ko) 와이어 본딩상태 검사장치
KR20000007753A (ko) 위치 정렬핀 감지기를 포함하는 반도체 소자 성형 금형
KR100196301B1 (ko) 고체 촬상 소자의 제조 방법
JPH1187452A (ja) 検査装置および位置ずれ検査方法
JPH09199656A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS60234332A (ja) 半導体集積回路素子の樹脂封止装置
JPH043105B2 (ja)
JPH04199666A (ja) 半導体装置のリードフォーミング装置
JPH085473A (ja) 中空型樹脂封止半導体圧力センサ