JP7329002B2 - 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス - Google Patents
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Description
本発明の第2の態様による半導体デバイスは、樹脂で封止され、裏面が前記樹脂から露出し、おもて面が信号を入射する機能面である第1の半導体素子と、樹脂で封止され、裏面が前記樹脂から露出する第1のフレームのおもて面に設けられ、おもて面が信号を出射する機能面である第2の半導体素子とを備え、前記樹脂の封止により、少なくとも前記第1の半導体素子の機能面が露出するように形成された第1開口と、少なくとも前記第2の半導体素子の機能面が露出するように形成された第2開口とが形成されている。
図1は、本発明の一実施の形態による半導体デバイス1を例示する模式図である。図1および以降のいくつかの図では、デカルト座標系と呼ばれる右手系の直交座標系で、X方向、Y方向およびZ方向の向きを表すものとする。X方向、Y方向およびZ方向は、相互に直交する方向であり、X方向およびY方向は、半導体デバイス1を載置する平面と平行な方向であり、Z方向は、上記載置する平面と直交する方向である。
半導体デバイス1は、第1の半導体素子としての受光素子20および第2の半導体素子としての発光素子40と、受光素子20および発光素子40の外部電極となるフレーム11~14とを含む、いわゆるノンリードタイプのデバイスである。実施形態の半導体デバイス1では、受光素子20および発光素子40を共通に実装するフレーム(基材)を備えていない。つまり、フレーム11~14と受光素子20は樹脂30で封止されることで位置が固定され、発光素子40はフレーム12の上面に載置されて位置が固定されている。
樹脂30には、受光素子20の受光部20aをプラスZ方向に露出する開口部70と、発光素子40をプラスZ方向に露出する開口部71が形成されている。開口部70はカバーガラス50で覆われ、開口部71はカバーガラス51で覆われている。
半導体デバイス1は、発光素子40から発せられた光が外部の物体に反射し受光素子20へ入射する時間を測定するTOF(Time of Flight)センサとしての用途等に用いられる。
受光素子20の配線数が図示されている数よりも多い場合は、さらに別のボンディングワイヤによって不図示のフレームと接続される。
発光素子40についても、配線数が図示されている数よりも多い場合は、さらに別のボンディングワイヤによって不図示のフレームと接続される。
樹脂30は、例えば遮光性のフィラーを含有し、赤外光の透過率が例えば10%以下の黒色系の樹脂である。
半導体デバイス1の機能面をおもて面とすると、半導体デバイス1のマイナスZ方向側の面は裏面(底面とも呼ぶ)である。
半導体デバイス1の裏面において、受光素子20の裏面と、フレーム11~フレーム14の裏面とが樹脂30から露出する。フレーム11~フレーム14は、銅等の導電性の金属部材によって構成される。
半導体デバイス1の裏面、受光素子20の裏面、およびフレーム11~フレーム14の裏面は、略同一平面内にあり、これらの面はいわゆる面一(つらいち)である。
図1の半導体デバイス1は、樹脂30で封止され、裏面が樹脂30から露出し、おもて面が機能面(信号を入射する面)である受光素子20と、樹脂30で封止され、裏面が樹脂30から露出する外部電極用フレーム12のおもて面に設けられ、おもて面が機能面(信号を出射する面)である発光素子40とを備えている。半導体デバイス1には、樹脂封止により、少なくとも受光素子20の機能面を露出させるように形成された開口部70と、少なくとも発光素子40の機能面を露出させるように形成された開口部71とが形成されている。
受光素子20とフレーム13、14の外部電極とを接続するボンディングワイヤ15は、樹脂30で封止されている。発光素子40とフレーム11の外部電極とを接続するボンディングワイヤ16は、樹脂封止されずに開口部71内に露出されている。
実施形態の発光素子40は、例えば約0.3mm角程度の大きさであり、その一部のみ樹脂30で封止することが困難であることから、図1に示すように開口部71に露出させている。
なお、発光素子40のサイズが受光素子20のサイズと同等程度の大きいサイズであれば、受光素子20と同様に、発光素子40についても発光部を除くおもて面およびボンディングワイヤ16等を樹脂30で封止してもよい。この場合、後述する金型成型による樹脂封止の工程で、受光素子20および発光素子40を樹脂封止すればよい。
以下、上述した半導体デバイス1の製造方法の一例について、図2のフローチャートおよび図3~図6を参照して説明する。図2は、半導体デバイス1の製造手順を例示するフローチャートである。図3~図6は、製造段階の中間体または半導体デバイス1を示す模式図である。
図2のステップS10において、例えば厚さ150μmのステンレス板で構成された基材10を用意する。そして、図3(a)に例示するように、基材10の上面(プラスZ方向側の面)の所定位置に、例えばメッキによって所定厚さのフレーム11~14を形成する。
図2のステップS20において、図3(b)に例示するように、基材10の上面の所定位置、図3(b)ではフレーム13と14の間の位置に受光素子20をダイボンディングする。
なお、受光素子20をダイボンディングする際に、DAF(Die Attach Film)を用いて基材10上に固定してもよい。DAFは、例えば厚さ25μmの絶縁性の熱硬化性樹脂等を用いることができる。
図2のステップS30において、中間体1Aに対し、トランスファーモールド法による樹脂封止を行う。
図4(a)に例示するように、トランスファーモールド法による樹脂封止用の金型は、上型81および下型82によって構成される。作業者または製造装置は、下型82の上(プラスZ方向側)に図3(b)の中間体1Aを載置する。さらに、中間体1Aの上(プラスZ方向側)から、離型フィルム83を介して上型81をセットする。
ただし、上述した上型81の小突起81aと大突起81bにより、発光素子40が実装されるフレーム12のおもて面の実装予定領域と、フレーム11のおもて面のうちのボンディングワイヤ16が接続される予定位置の領域(電極領域)と、受光素子20のおもて面のうちの受光部20aが位置する領域とは樹脂30で覆われない。そのため、図5(a)に例示するように、金型(上型81および下型82)が開かれるとこれらの領域は樹脂30から露出する。
図2のステップS40において、樹脂30の硬化後に金型(上型81および下型82)を開いて樹脂30で封止された中間体1Aを取り出し、中間体1Aから基材10を引き剥がす。基材10が剥がされた中間体1Aを中間体1Bとする。フレーム11~フレーム14は、基材10を剥がした際に樹脂30側(中間体1B側)に残る。この結果、図5(a)に示すように、中間体1Bの下面(マイナスZ方向側の面)には、略面一に形成された樹脂30、受光素子20の下面および、フレーム11~フレーム14が露出する。なお、DAFを用いてダイボンディングしていた際には、受光素子20の裏面ではなく、DAFが露出する。
図2のステップS50において、図5(b)に例示するように、開口部71において露出しているフレーム12のおもて面の所定位置に、発光素子40をダイボンディングする。さらに、発光素子40の不図示の電極PADとフレーム11の電極領域との間を、ボンディングワイヤ16で接続する。図5(b)の中間体を中間体1Cと呼ぶ。
図2のステップS60において、図6に例示するように、受光素子20側の開口部70の上部開放端に形成されている台座70aに、カバーガラス50を載置する。さらに、発光素子40側の開口部71の上部開放端に形成されている台座71aに、カバーガラス51を載置する。カバーガラス50、51は所定の波長域の光を透過するフィルター部材でもよく、また、カバーガラス50、51にフィルター部材を積層したものを用いても良い。
以上例示した工程1から工程6により、半導体デバイス1が製造される。
(1)半導体デバイス1の製造方法は、第1の半導体素子としての受光素子20および第2の半導体素子としての発光素子40を有する半導体デバイス1の製造方法であって、発光素子40が載置されるフレーム12を基材10上に配置する工程(S10、図3)と、受光素子20を基材10上に配置する工程(S10、図3)と、基材10上で受光素子40の周面およびフレーム12の周面を覆い、受光素子20の機能面(信号を入射する面)が少なくとも露出する開口部70を形成し、フレーム12の上面に設定された発光素子40の載置領域が少なくとも露出する開口部71を形成するように、金型成型で少なくとも受光素子20およびフレーム12を樹脂30で封止する工程(S30、図5)とを含む。
このように構成したので、基板を持たない半導体デバイス1を製造することができる。半導体デバイス1は、発光素子と受光素子を共通の基板上に配置する従来例に比べて、発光素子40からの光が半導体デバイス1の内部の構成部材を伝わって受光素子20の受光部20aに漏洩光として入射することを抑制できる。
また、開口部70には受光部20およびその周辺領域を露出するのみで、ボンディングワイヤ15や受光素子20の電極は樹脂30によって覆われている為、開口部70において不用な反射光が生じ、誤検出の要因となることを防ぐことができる。
このように構成したので、半導体デバイス1は基板を持たずに受光素子20と受光素子40を樹脂封止で配置することができ、発光素子40からの光が半導体デバイス1の基板を伝わって受光素子20の受光部20aに漏洩光として入射することを抑制できる。
このように構成したので、受光素子20に比べてサイズが小さい発光素子40を、半導体デバイス1の組み立て工程において樹脂封止(S30)の後から載せることが可能になる。そのため、製造上の自由度が高くなる。
このように構成したので、カバーガラス50および51の位置決めが容易になり、また、カバーガラス50および51が窪み内に収まることで直接衝撃を受けにくくなり、耐衝撃性を高めることができる。
図7(a)は、複数の発光素子41aおよび41bと、1つの受光素子20とを有する半導体デバイス101を例示する上面視図である。図7(b)は、図7(a)のA-A断面を示す模式図である。受光素子20を挟んで図示左側に第1の発光素子41aが、図示右側に第2の発光素子41bが、それぞれ搭載されている。カバーガラス51aの下側(マイナスZ方向側)において、第1の発光素子41aおよびボンディングワイヤ16a等が樹脂30から露出し、カバーガラス51bの下側(マイナスZ方向側)において、第2の発光素子41bおよびボンディングワイヤ16b等が樹脂30から露出する。さらに、カバーガラス50の下側(マイナスZ方向側)において、受光素子20の一部(受光部として機能する領域)が樹脂30から露出する。
なお、図7(a)において、実線で示す3つの矩形枠は、カバーガラス51a、カバーガラス51b、カバーガラス50の輪郭を表している。破線の内側を白地で示した3つの矩形枠は、中央が受光素子20の上方に設けられた開口部70に対応し、左右の2つが発光素子41a、41bの上方にそれぞれ設けられた開口部71a、71bに対応する。
また、発光素子41a、41bとして波長が異なる2つの発光素子を用いる場合には、波長差による光の検出差を見ることで、脈波センサ等として使用することができる。
図8(a)は、複数の発光素子41cおよび41dと、複数の受光素子21aおよび21bとを有する半導体デバイス102を例示する上面視図である。図8(b)は、図8(a)のB-B断面を示す模式図である。図示左側に第1および第2の発光素子41cおよび41dが、中央に第1の受光素子21aが、図示右側に第2の受光素子21bが、それぞれ搭載されている。カバーガラス51cの下側(マイナスZ方向側)において、第1の発光素子41cおよびボンディングワイヤ16c等と、第2の発光素子41dおよびボンディングワイヤ16d等が樹脂30から露出し、カバーガラス50aの下側(マイナスZ方向側)において、第1の受光素子21aの一部(受光部)が樹脂30から露出し、カバーガラス50bの下側(マイナスZ方向側)において、第2の受光素子21bの一部(受光部)が樹脂30から露出する。
変形例2は、カバーガラス51cの下側(マイナスZ方向側)に存在する一つの開口部71cに複数の発光素子41c、41dが搭載される例である。
また、受光および発光を共に別波長にすることで、センシングの高機能化を図ることができる。例えば、脈波/心拍数/酸素飽和度/体温/血圧などの複合センシング機能を持たせることが可能になる。
図9(a)は、複数の発光素子41c、41dおよび41eと、複数の受光素子21aおよび21cとを有する半導体デバイス103を例示する上面視図である。図示左側に第1および第2の発光素子41cおよび41dが、中央に第1の受光素子21aが、図示右側に第2の受光素子21cおよび第3の発光素子41eが、それぞれ搭載されている。カバーガラス51cの下側(マイナスZ方向側)において、第1の発光素子41cおよびボンディングワイヤ16c等と、第2の発光素子41dおよびボンディングワイヤ16d等が樹脂30から露出し、カバーガラス50aの下側(マイナスZ方向側)において、第1の受光素子21aの一部(受光部)が樹脂30から露出し、カバーガラス50dの下側(マイナスZ方向側)において、第2の受光素子21cの一部(受光部)が樹脂30から露出する。さらに、カバーガラス51eの下側(マイナスZ方向側)において、第3の発光素子41eおよびボンディングワイヤ16e等が樹脂30から露出する。
変形例3は、カバーガラス51cの下側(マイナスZ方向側)に存在する一つの開口部71cに複数の発光素子41c、41dが搭載されるとともに、カバーガラス51eの下側(マイナスZ方向側)に存在する一つの開口部に一つの発光素子41eが搭載され、カバーガラス50dの下側(マイナスZ方向側)に存在する一つの開口部71dに一つの受光素子21cが搭載される例である。
このように構成することにより、変形例1の半導体デバイス101および変形例2の半導体デバイス102の複合化が図れるため、高機能化や検出精度をさらに高めることができる。
要するに、本発明に係る半導体デバイスは、第1の半導体素子は樹脂封止で位置が固定され、第2の半導体素子は樹脂で位置が固定されたフレーム上に固定されるので、共通の基板上に配置する場合に比べて、一方の半導体素子から他方の半導体素子に対する物理的な影響を低減することができ、半導体デバイスの性能が向上する。
また、各実施形態および変形例は、それぞれ単独で適用しても良いし、組み合わせて用いても良い。
本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。
Claims (9)
- 信号を入射する機能面を有する第1の半導体素子および信号を出射する機能面を有する第2の半導体素子を有する半導体デバイスの製造方法であって、
前記第1の半導体素子を基材上に配置する第1の工程と、
少なくとも前記第2の半導体素子が載置される第1のフレームを前記基材上に配置する第2の工程と、
前記基材上で前記第1の半導体素子の少なくとも周面および前記第1のフレームの少なくとも周面を覆い、前記第1の半導体素子の機能面が少なくとも露出する第1開口を形成し、前記第1のフレームの上面に設定された前記第2の半導体素子の載置領域が少なくとも露出する第2開口を形成するように、金型成型で少なくとも前記第1の半導体素子および前記第1のフレームを樹脂で封止する第3の工程と、
を含む、半導体デバイスの製造方法。 - 請求項1に記載の半導体デバイスの製造方法において、
少なくとも前記第3の工程の後に、前記第2開口を介して前記第2の半導体素子を前記第1のフレームの前記載置領域に配置する第4の工程とを含む、半導体デバイスの製造方法。 - 請求項1または2に記載の半導体デバイスの製造方法において、
前記第3の工程で樹脂封止された第1の中間体から前記基材を剥がし、前記第1の半導体素子の底面と前記第1のフレームの底面を前記樹脂から露出させる第5の工程とを含む、半導体デバイスの製造方法。 - 請求項1または2に記載の半導体デバイスの製造方法において、
前記第3の工程で樹脂封止された第1の中間体から前記基材を剥がし、前記第1の半導体素子の底面に貼付された絶縁部材と前記第1のフレームの底面を前記樹脂から露出させる第5の工程とを含む、半導体デバイスの製造方法。 - 請求項1から4までのいずれか一項に記載の半導体デバイスの製造方法において、
前記第1の半導体素子は受光素子であり、
前記第2の半導体素子は発光素子であり、
前記樹脂は遮光性を有する、半導体デバイスの製造方法。 - 樹脂で封止され、裏面が前記樹脂から露出し、おもて面が信号を入射する機能面である第1の半導体素子と、
樹脂で封止され、裏面が前記樹脂から露出する第1のフレームのおもて面に設けられ、おもて面が信号を出射する機能面である第2の半導体素子とを備え、
前記樹脂の封止により、少なくとも前記第1の半導体素子の機能面が露出するように形成された第1開口と、少なくとも前記第2の半導体素子の機能面が露出するように形成された第2開口とが形成されている、半導体デバイス。 - 請求項6に記載の半導体デバイスにおいて、
前記第1の半導体素子と、前記第1の半導体素子の外部電極となる第2および第3のフレームとを接続するボンディングワイヤが前記樹脂で封止され、
前記第2の半導体素子と、前記第2の半導体素子の外部電極となる第4のフレームとを接続するボンディングワイヤが前記樹脂で封止されずに前記第2開口内に露出されている、半導体デバイス。 - 請求項6または7に記載の半導体デバイスにおいて、
前記第1の半導体素子は受光素子であり、
前記第2の半導体素子は発光素子であり、
前記樹脂は遮光性を有する、半導体デバイス。 - 請求項6から8までのいずれか一項に記載の半導体デバイスにおいて、
前記第1開口と前記第2開口は、すり鉢状に形成され、
前記第1開口と前記第2開口の開放端には、前記第1開口および前記第2開口を覆う透明部材の台座が設けられ、
前記第1開口の前記台座に前記第1開口を覆う第1の透明部材が設けられ、前記第2開口の前記台座に前記第2開口を覆う第2の透明部材が設けられている、半導体デバイス。
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Country | Link |
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---|---|---|---|---|
JP2005209936A (ja) | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法及びこれに用いる耐熱性粘着テープ |
WO2014029839A2 (de) | 2012-08-23 | 2014-02-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische vorrichtung |
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