JPS61172331A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPS61172331A JPS61172331A JP19253584A JP19253584A JPS61172331A JP S61172331 A JPS61172331 A JP S61172331A JP 19253584 A JP19253584 A JP 19253584A JP 19253584 A JP19253584 A JP 19253584A JP S61172331 A JPS61172331 A JP S61172331A
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- gas
- substrate
- electrode
- etching process
- reaction chamber
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造に用いられている平行平板型
プラズマ０ＶＤ装置あるいはドライエツチング装置に係
わり、特に基板上に成膜した膜厚のばらつき、および薄
膜をエツチングする際のエツチング深さのばらつきを少
なくするのに好適なプラズマ処理装置に関するものであ
る０ 〔発明の背景〕 掟来、ガスの流れを制御することにより、成膜あるいは
エツチングの均一化をはかろうとする従来技術としては
、特開昭５８−１５２９５号公報に記載されているよう
にガス噴出孔を傾斜させたもの、あるいは特開昭５７−
１００７２０ 号公報に記載されているように排気口近
傍にガス流れ調整板を設けたものが提案されている。
プラズマ０ＶＤ装置あるいはドライエツチング装置に係
わり、特に基板上に成膜した膜厚のばらつき、および薄
膜をエツチングする際のエツチング深さのばらつきを少
なくするのに好適なプラズマ処理装置に関するものであ
る０ 〔発明の背景〕 掟来、ガスの流れを制御することにより、成膜あるいは
エツチングの均一化をはかろうとする従来技術としては
、特開昭５８−１５２９５号公報に記載されているよう
にガス噴出孔を傾斜させたもの、あるいは特開昭５７−
１００７２０ 号公報に記載されているように排気口近
傍にガス流れ調整板を設けたものが提案されている。
ところが、上記のような各従来技術では、部品形状の最
適化を試行錯誤により求めなければならないばかりでな
く、部品加工およびその交換にも多大の時間と労力を要
する恐れがある。
適化を試行錯誤により求めなければならないばかりでな
く、部品加工およびその交換にも多大の時間と労力を要
する恐れがある。
本発明は上記のような従来技術の問題点を解消し、成膜
あるいはエツチング中にガスの流れをコントロールする
ことにより、均一な成膜またはエツチング深さをうろこ
とを目的とするものである。
あるいはエツチング中にガスの流れをコントロールする
ことにより、均一な成膜またはエツチング深さをうろこ
とを目的とするものである。
本発明は上記目的を達成するために、排出口を有する真
空反応室内に、基板を載置した電極と、この電画に対設
し、かつ導入口および吹出口を有するガス供給電極とを
設けてなるプラズマ処理装置において、前記ガス供給電
極内に導入ガスの流れを妨げる仕切板を任意数設け、こ
の仕切板の位置を成膜あるいはエツチング中に真空反応
室外の駆動装置により制御し、前記ガス供給電極から吹
出されるガスの流量を成膜あるいはエツチング中にコン
トロールすることを特徴とするものである。
空反応室内に、基板を載置した電極と、この電画に対設
し、かつ導入口および吹出口を有するガス供給電極とを
設けてなるプラズマ処理装置において、前記ガス供給電
極内に導入ガスの流れを妨げる仕切板を任意数設け、こ
の仕切板の位置を成膜あるいはエツチング中に真空反応
室外の駆動装置により制御し、前記ガス供給電極から吹
出されるガスの流量を成膜あるいはエツチング中にコン
トロールすることを特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例を図面について説明する。
第１および第２図は本実施例であるプラズマ０ＶＤ装置
の縦断面図および部分断面図である。
の縦断面図および部分断面図である。
同図において、底部に排出口１ａ、ｌを有する真空反応
室１内には、その上、下部にガス供給電極４および基板
２を載置する電極３が相対するようにそれぞれ設置され
ており、その電極３の下方には基板２を加熱するヒータ
５が設けられている。
室１内には、その上、下部にガス供給電極４および基板
２を載置する電極３が相対するようにそれぞれ設置され
ており、その電極３の下方には基板２を加熱するヒータ
５が設けられている。
上記ガス供給電極４は、真空反応室１外に突出するガス
導入口４ａと、このガス導入口４ａに連通ずる空室４に
およびこの空室４ｂの底面に設けた複数個のガス吹出口
４Ｃとからなり、前記空室４４内には、左右方向および
前後方向にそれぞれ摺動自在な仕切板６．７が設けられ
ている。この仕切板６の摺動方向の両端には、動力伝達
機構例えばワイヤ８Ａ、８Ｂがそれぞれ連結されており
、これらのワイヤ８Ａ、８Ｂを駆動部９Ａ、９Ｂにより
、仕切板６はガス供給電極４の空室４Ｊ３．の底面を摺
動して左右方向に移動される。他方の仕切板７も前記仕
切板６と同様にして前後方向に移動される。
導入口４ａと、このガス導入口４ａに連通ずる空室４に
およびこの空室４ｂの底面に設けた複数個のガス吹出口
４Ｃとからなり、前記空室４４内には、左右方向および
前後方向にそれぞれ摺動自在な仕切板６．７が設けられ
ている。この仕切板６の摺動方向の両端には、動力伝達
機構例えばワイヤ８Ａ、８Ｂがそれぞれ連結されており
、これらのワイヤ８Ａ、８Ｂを駆動部９Ａ、９Ｂにより
、仕切板６はガス供給電極４の空室４Ｊ３．の底面を摺
動して左右方向に移動される。他方の仕切板７も前記仕
切板６と同様にして前後方向に移動される。
上記仕切板６．７のそれぞれの駆動部９Ａ、９Ｂおよび
９０，９Ｄ（図示せず）は第３図（第２図Ｘ−Ｘ線断面
）、に示すように、モーター９ＡｃＬ、 ９Ｂａとその
モータ軸に取付けた一対のプーリ９Ａ４゜９Ｂ＋および
モータ９０，９Ｄとそのモータ軸に取付けた一対のブー
！Ｊ ９０４ 、９Ｄ４とからそれぞれ構成され、前記
ブーＩＪ ９ＡＪ 、 ９Ｅ４にそれぞれ巻かれたワイ
ヤ８Ａ、８Ｂを介して仕切板６が左右方向に移動され、
一方、前記ブーＩＪ ９（１、９Ｄ４にそれぞれ巻かれ
たワイヤ８０．８Ｄを介して仕切板７が前後方向に移動
される。前記仕切板６，７には・その長手方向の中央部
に長孔６ｎ、７４が互に直交するようにそれぞれ設けら
れている。
９０，９Ｄ（図示せず）は第３図（第２図Ｘ−Ｘ線断面
）、に示すように、モーター９ＡｃＬ、 ９Ｂａとその
モータ軸に取付けた一対のプーリ９Ａ４゜９Ｂ＋および
モータ９０，９Ｄとそのモータ軸に取付けた一対のブー
！Ｊ ９０４ 、９Ｄ４とからそれぞれ構成され、前記
ブーＩＪ ９ＡＪ 、 ９Ｅ４にそれぞれ巻かれたワイ
ヤ８Ａ、８Ｂを介して仕切板６が左右方向に移動され、
一方、前記ブーＩＪ ９（１、９Ｄ４にそれぞれ巻かれ
たワイヤ８０．８Ｄを介して仕切板７が前後方向に移動
される。前記仕切板６，７には・その長手方向の中央部
に長孔６ｎ、７４が互に直交するようにそれぞれ設けら
れている。
本実施例は上記のような構造からなり、ガス供給電極４
の導入口４ｒｚより空室４６内に流入したガスは、吹出
口４Ｃより真空反応室１に噴出され電極３上の基板２の
表面を流通した後、真空反応室１の排出口１４．１４か
ら排出される。
の導入口４ｒｚより空室４６内に流入したガスは、吹出
口４Ｃより真空反応室１に噴出され電極３上の基板２の
表面を流通した後、真空反応室１の排出口１４．１４か
ら排出される。
この場合、仕切板６，７の長孔６ａ、７ａを第３図に示
すように一部分重合して開口部１０を形成させることに
より、ガス供給電極４の空室４ｂの底面に設けた吹出口
４Ｃの開口を制限できるため、吹出ガス量を限定するこ
とが可能である。
すように一部分重合して開口部１０を形成させることに
より、ガス供給電極４の空室４ｂの底面に設けた吹出口
４Ｃの開口を制限できるため、吹出ガス量を限定するこ
とが可能である。
また、前記基板２の表面を流通するガスは、その基板２
がヒータ５により加熱されているため１表面化学反応を
生じて基板２上に堆積して薄膜を形成する。
がヒータ５により加熱されているため１表面化学反応を
生じて基板２上に堆積して薄膜を形成する。
次に上述した本実施例による成膜結果の一例図面につい
て説明する。
て説明する。
第４図は従来例（仕切板がない場合）の基板上に形成さ
れる薄膜の膜厚分布を示す図で、この図より明らかなよ
うに、膜厚は基板２の中央部に至るほど薄肉となってい
る。これに対し、本実施例（仕切板６，７を設けた場合
）では、第５図の曲ＭＡ−０に示すような膜厚分布とな
る０ すなわち、曲、ｌｌ［Ａは仕切板６，７の長孔６α。
れる薄膜の膜厚分布を示す図で、この図より明らかなよ
うに、膜厚は基板２の中央部に至るほど薄肉となってい
る。これに対し、本実施例（仕切板６，７を設けた場合
）では、第５図の曲ＭＡ−０に示すような膜厚分布とな
る０ すなわち、曲、ｌｌ［Ａは仕切板６，７の長孔６α。
７４の一部重合による開口部１０を基板２の左端に位置
させ、この基板左端の上方からガスを供給して成膜した
場合の結果である。曲線Ｂは前記開口部１０を基板２の
右端に位置させて成膜した場合の結果である。曲線０は
前記開口部１０を仕切板６，７の各モータ９和ｑＤ４を
介して制御することにより、基板２の周辺に沿って移動
させながら成膜した場合の結果である。この曲ｉＪ。
させ、この基板左端の上方からガスを供給して成膜した
場合の結果である。曲線Ｂは前記開口部１０を基板２の
右端に位置させて成膜した場合の結果である。曲線０は
前記開口部１０を仕切板６，７の各モータ９和ｑＤ４を
介して制御することにより、基板２の周辺に沿って移動
させながら成膜した場合の結果である。この曲ｉＪ。
は前記曲線Ａ、Ｂを組合せた形状となり、膜厚の形状が
均一化して改善されていることが明白である。
均一化して改善されていることが明白である。
上述した本実施例はプラズマ処理装置の場合であるが１
プラズマを利用するドライエツチング装置の場合も、同
様の方法によりエツチング深さを均一化することが可能
である。
プラズマを利用するドライエツチング装置の場合も、同
様の方法によりエツチング深さを均一化することが可能
である。
以上説明したように、本発明によれば、成膜あるいはエ
ツチング中に、ガス供給！極の吹出口からのガス吹出流
量を制御することにより、成膜の膜厚あるいはエツチン
グ深さを均一化することができる。
ツチング中に、ガス供給！極の吹出口からのガス吹出流
量を制御することにより、成膜の膜厚あるいはエツチン
グ深さを均一化することができる。
第１図は本発明のプラズマ処理装置の一実施例を示す縦
断面図およびそのガス供給電極部の詳細断面図、第３図
は第２図のＸ−Ｘ線断面図・第４図および第５図は従来
例および本発明に係わる実施例における膜厚分布を示す
図である。 １・・・真空反応室、 １ａ、１４・・・排出口 ２・・・基板 ３・・・電極 ４・・・ガス供給電極 ４４・・・ガス導入口 ４ｋ・・・空室 ４ｃ・・・ガス吹出口 ６．７・・・仕切板 ６ｔＬ、６４・・・長孔 ９Ａ〜９Ｄ・・・駆動装置 第１図 第２図 篤 ３ 図 第 ＋ 図 第 ５ 図 手続補正書防式） ％式％ ２、発 明の 名 称 プラズマ処理装置３、補正を
する者 １１件との関係 特 許 出 願 人と、 弥
’５１Ｑ１株式会社 日 立 製 作所４
、代 理 人
断面図およびそのガス供給電極部の詳細断面図、第３図
は第２図のＸ−Ｘ線断面図・第４図および第５図は従来
例および本発明に係わる実施例における膜厚分布を示す
図である。 １・・・真空反応室、 １ａ、１４・・・排出口 ２・・・基板 ３・・・電極 ４・・・ガス供給電極 ４４・・・ガス導入口 ４ｋ・・・空室 ４ｃ・・・ガス吹出口 ６．７・・・仕切板 ６ｔＬ、６４・・・長孔 ９Ａ〜９Ｄ・・・駆動装置 第１図 第２図 篤 ３ 図 第 ＋ 図 第 ５ 図 手続補正書防式） ％式％ ２、発 明の 名 称 プラズマ処理装置３、補正を
する者 １１件との関係 特 許 出 願 人と、 弥
’５１Ｑ１株式会社 日 立 製 作所４
、代 理 人
Claims (1)
- 排出口を有する真空反応室に、基板を載置した電極と
、この電極に対設し、かつ導入口および吹出口を有する
ガス供給電極とを設けてなるプラズマ処理装置において
、前記ガス供給電極内に導入ガスの流れを妨げる仕切板
を任意数設け、この仕切板の位置を成膜あるいはエッチ
ング中に真空反応室外の駆動装置により制御し、前記ガ
ス供給電極から吹出されるガスの流量を成膜あるいはエ
ッチング中にコントロールすることを特徴とするプラズ
マ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19253584A JPS61172331A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19253584A JPS61172331A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61172331A true JPS61172331A (ja) | 1986-08-04 |
Family
ID=16292890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19253584A Pending JPS61172331A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61172331A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112017932A (zh) * | 2019-05-31 | 2020-12-01 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置中气体输送系统的耐腐蚀结构 |
-
1984
- 1984-09-17 JP JP19253584A patent/JPS61172331A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112017932A (zh) * | 2019-05-31 | 2020-12-01 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置中气体输送系统的耐腐蚀结构 |
| CN112017932B (zh) * | 2019-05-31 | 2022-11-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置中气体输送系统的耐腐蚀结构 |
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