JPS61170606A - 螢光ｘ線膜厚計 - Google Patents
螢光ｘ線膜厚計Info
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- JPS61170606A JPS61170606A JP1134485A JP1134485A JPS61170606A JP S61170606 A JPS61170606 A JP S61170606A JP 1134485 A JP1134485 A JP 1134485A JP 1134485 A JP1134485 A JP 1134485A JP S61170606 A JPS61170606 A JP S61170606A
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- rays
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
- G01B15/02—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring thickness
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ〔産業上の利用分野〕
この発明は、ハードディスクの記録媒体および工業用又
は電子部品のメッキの皮膜を測定する装置に関する。
は電子部品のメッキの皮膜を測定する装置に関する。
Ｂ〔発明の概要〕
この発明は、ハードディスクの記録媒体および工業用又
は電子用部品のメッキの皮膜を測定する装置において、
銅ターゲットのベリリウム窓のＸ線管球と、前記Ｘ線管
球と試料間に少なくともニッケル金属フィルターを有す
るフィルター駆動部と、比例計数管等のエネルギー分解
能の悪いＸ線検出器とから構成される装置により、ハー
ドディスクのアルミ上の無電解ニッケル上のコノくルト
（以後ＣＯ／Ｎ１−Ｐ／Ａｔと記す）のＣＯのメッキ皮
膜が測定でき、かつＡｕ、７’ ＱｕのＡｕ メッキ皮
膜等本測定できるようにしたものである。
は電子用部品のメッキの皮膜を測定する装置において、
銅ターゲットのベリリウム窓のＸ線管球と、前記Ｘ線管
球と試料間に少なくともニッケル金属フィルターを有す
るフィルター駆動部と、比例計数管等のエネルギー分解
能の悪いＸ線検出器とから構成される装置により、ハー
ドディスクのアルミ上の無電解ニッケル上のコノくルト
（以後ＣＯ／Ｎ１−Ｐ／Ａｔと記す）のＣＯのメッキ皮
膜が測定でき、かつＡｕ、７’ ＱｕのＡｕ メッキ皮
膜等本測定できるようにしたものである。
Ｃ〔従来の技術〕
ハードディスクは従来Ｆ’ｅ２０３ ／Ａ１．であった
。
。
しかし、最近高密度記録が可能なＣｏ／Ｎ１−Ｐｌａが
非常に脚光をあびている。
非常に脚光をあびている。
後者のハードディスクは、００の皮膜がＬＬ０２〜［ｌ
Ｌ１μｍと非常に薄く、かつＮ１−Ｐの皮膜が５〜５０
μｍと厚いのが特徴であり、特にＣＯのメッキ厚が磁気
的特性において非常に重要な管理項目となっている。従
って、ハードディクスの製造メーカでは、ＣＯおよびＮ
１−Ｐの皮膜の厚さを高精度で測定し管理したいという
強い要望を持っている。
Ｌ１μｍと非常に薄く、かつＮ１−Ｐの皮膜が５〜５０
μｍと厚いのが特徴であり、特にＣＯのメッキ厚が磁気
的特性において非常に重要な管理項目となっている。従
って、ハードディクスの製造メーカでは、ＣＯおよびＮ
１−Ｐの皮膜の厚さを高精度で測定し管理したいという
強い要望を持っている。
一方、メッキ皮膜を測定する測定方法として断面法、β
線後方散乱法および螢光Ｘ線法がある。断面法は、試料
面を垂直に切断し研摩後光学顕微鏡にてメッキ皮膜を観
測する方法である。β線後方散乱法は、放射線源である
放射性同位元素より放射されるβ＃Ｍｔ−試料に照射し
、試料のメッキ皮膜が増す°とβ線の 、後方散乱量が
増すという特性を利用してメッキ皮膜の厚さを測定する
方法である。
線後方散乱法および螢光Ｘ線法がある。断面法は、試料
面を垂直に切断し研摩後光学顕微鏡にてメッキ皮膜を観
測する方法である。β線後方散乱法は、放射線源である
放射性同位元素より放射されるβ＃Ｍｔ−試料に照射し
、試料のメッキ皮膜が増す°とβ線の 、後方散乱量が
増すという特性を利用してメッキ皮膜の厚さを測定する
方法である。
螢光Ｘ線法は、放射線源であるＸ線管球より放射される
Ｘ線を試料に照射し、メッキ皮膜から発生する螢光Ｘａ
＊選択的に検出し、試料のメッキ皮膜が増すと勅記螢光
Ｘ線量が増すという特性を利用してメッキ皮膜の厚さを
測定する方法である。
Ｘ線を試料に照射し、メッキ皮膜から発生する螢光Ｘａ
＊選択的に検出し、試料のメッキ皮膜が増すと勅記螢光
Ｘ線量が増すという特性を利用してメッキ皮膜の厚さを
測定する方法である。
Ｄ〔発明が解決しようとする問題点〕
ＣＯのメッキ皮膜が非常に薄い□ｏ／Ｎ１−ＰＩＡＩの
ハードディスクのメッキ皮膜の厚さを測定する場合、従
来の測定方法では測定精度が非常圧悪い、又は非常に高
価な装置が必要になるという問題点がある。断面法での
測定ｍｉはその測定法より約±ａ５μｍで、１、測定対
象のＣＯのメッキ厚（ＬＯ２〜α１μｍの範囲では測定
はほとんど困難でるる。β線後方散乱線法では、測定原
理上表面メッキのＣＯと中間メッキのＮ１−Ｐ中のＮ１
とを区別することが不可能である。従って、表面メッキ
と中間メッキの膜厚を各々区別して測定することは不可
能である。螢光Ｘ線法の場合、分光績＆を有するゴニオ
メータと、比例計数管又はシンチレーションカウンター
等のＸ線検出器と、Ｘ線発生器とからなる波長分散型の
膜厚計では高精度でＣＯおよび’Ｎ１−Ｐの膜厚を測定
することができるが非常に高価な装置となる。分光結晶
を有するゴニオメータがなく、Ｘ線発生能力が前記波長
分散型の膜厚計と比較して約１イ６１１ と小さくて
済むＸ線発生器と、比例計数管又はシンチレーションカ
ウンターのｘ ｍ検出器とからなるエネルギー分散型の
膜厚計は安価であるが、Ｘ線検出器のエネルギー分解能
が悪く、ｃｏ とＮ１の螢光Ｘ＋ＩＮを各々弁別するこ
とができない。従って、表面メッキのＣＯと中間メッキ
のＮ１−Ｐの膜厚を各々区別して測定することは不可能
である。
ハードディスクのメッキ皮膜の厚さを測定する場合、従
来の測定方法では測定精度が非常圧悪い、又は非常に高
価な装置が必要になるという問題点がある。断面法での
測定ｍｉはその測定法より約±ａ５μｍで、１、測定対
象のＣＯのメッキ厚（ＬＯ２〜α１μｍの範囲では測定
はほとんど困難でるる。β線後方散乱線法では、測定原
理上表面メッキのＣＯと中間メッキのＮ１−Ｐ中のＮ１
とを区別することが不可能である。従って、表面メッキ
と中間メッキの膜厚を各々区別して測定することは不可
能である。螢光Ｘ線法の場合、分光績＆を有するゴニオ
メータと、比例計数管又はシンチレーションカウンター
等のＸ線検出器と、Ｘ線発生器とからなる波長分散型の
膜厚計では高精度でＣＯおよび’Ｎ１−Ｐの膜厚を測定
することができるが非常に高価な装置となる。分光結晶
を有するゴニオメータがなく、Ｘ線発生能力が前記波長
分散型の膜厚計と比較して約１イ６１１ と小さくて
済むＸ線発生器と、比例計数管又はシンチレーションカ
ウンターのｘ ｍ検出器とからなるエネルギー分散型の
膜厚計は安価であるが、Ｘ線検出器のエネルギー分解能
が悪く、ｃｏ とＮ１の螢光Ｘ＋ＩＮを各々弁別するこ
とができない。従って、表面メッキのＣＯと中間メッキ
のＮ１−Ｐの膜厚を各々区別して測定することは不可能
である。
エネルギー分解能の高い半導体検出器全前記エネルギー
分解能の膜厚計にＸ＃検出器として使用すれば、ＣＯと
Ｎ１°の螢光Ｘｉを各々弁別することができるが、やは
り半導体検出器の価格が高く高価な装置となる。
分解能の膜厚計にＸ＃検出器として使用すれば、ＣＯと
Ｎ１°の螢光Ｘｉを各々弁別することができるが、やは
り半導体検出器の価格が高く高価な装置となる。
Ｅ〔問題点を専決するための手段〕
第１図を用いて、本発明の螢光Ｘ線膜厚計の説明を行う
。図において、１次Ｘ５ｔ−発生させるＸｌｌＪ発生器
１の中に高圧発生器２および銅ターゲットのベリリウム
窓のＸ線管球３が収納されている。Ｘ＠電源４からの基
準信号により、高圧発生器２の高電圧出力を変更し、Ｘ
線管球３０１次Ｘ線１１のＸ線の線質をかえることがで
きる。
。図において、１次Ｘ５ｔ−発生させるＸｌｌＪ発生器
１の中に高圧発生器２および銅ターゲットのベリリウム
窓のＸ線管球３が収納されている。Ｘ＠電源４からの基
準信号により、高圧発生器２の高電圧出力を変更し、Ｘ
線管球３０１次Ｘ線１１のＸ線の線質をかえることがで
きる。
さらに、Ｘ線管球３から放射された１次Ｘ線１１は、１
次フィルター駆動部５のニッケル金属フィルター６又は
金属フィルター７により、Ｘ線の線質かかわる。この１
次Ｘ線の線質は、入力装置８から試料のメッキと素材の
情報が入力されると、自動的に制御演算器１０が判断し
、最適なＸ線管球３への印加電圧および１次フィルター
が選択されることにより、決定される。
次フィルター駆動部５のニッケル金属フィルター６又は
金属フィルター７により、Ｘ線の線質かかわる。この１
次Ｘ線の線質は、入力装置８から試料のメッキと素材の
情報が入力されると、自動的に制御演算器１０が判断し
、最適なＸ線管球３への印加電圧および１次フィルター
が選択されることにより、決定される。
１次Ｘ線１１が試料１８に照射されると、試料特有の螢
光Ｘ線１７が発生する。試料の各層のメッキおよび素材
の組合わせにより、各元素からの螢光Ｘ線のなかで、検
出したいＸ線と妨害Ｘ線とのエネルギーが非常に接近し
ており、Ｘ線検出器１２では弁別できない場合がある。
光Ｘ線１７が発生する。試料の各層のメッキおよび素材
の組合わせにより、各元素からの螢光Ｘ線のなかで、検
出したいＸ線と妨害Ｘ線とのエネルギーが非常に接近し
ており、Ｘ線検出器１２では弁別できない場合がある。
その時には、Ｘ線検出器の窓１３の直前に金属フィルタ
ー１５を設けて、検出したいＸ線を透過させ、妨害ｘ＠
を吸収させる。
ー１５を設けて、検出したいＸ線を透過させ、妨害ｘ＠
を吸収させる。
入力装置８からの試料のメッキと素材の情報より、自動
的に制御演算器１０が金属フィルター１５の有無および
最適金属フィルターの選択を判断し、２次フィルター駆
動部１６を作動させる。Ｘ＠検出器１２で検出された螢
光ｘ＃１７は、波高弁別器１４で信号成分のみがエネル
ギー弁別される。この弁別後の信号を制御演算器１０で
厚みに変換するための演算を行い、その演算結果を出力
装置ｉｉ９に出力する。
的に制御演算器１０が金属フィルター１５の有無および
最適金属フィルターの選択を判断し、２次フィルター駆
動部１６を作動させる。Ｘ＠検出器１２で検出された螢
光ｘ＃１７は、波高弁別器１４で信号成分のみがエネル
ギー弁別される。この弁別後の信号を制御演算器１０で
厚みに変換するための演算を行い、その演算結果を出力
装置ｉｉ９に出力する。
？〔実施例〕
試料がｃｏ／Ｎ１−Ｐ／Ａｔ の場合の実施例を・第
２図および第２図ａ〜第２図ｆにて説明する。銅ターゲ
ットのベリリウム窓のＸ線管球３を用いると、１次Ｘ線
１１ａは第２図ａに示すように、銅の特性Ｘｉと連続Ｘ
線の重なったスペクトルとなる。この１次Ｘ線１１ａが
、ニッケル金属フィルター６を透過すると、高エネルギ
一部分が吸収された第２図すのスペクトルをもつ１次Ｘ
線１１ｂになる。
２図および第２図ａ〜第２図ｆにて説明する。銅ターゲ
ットのベリリウム窓のＸ線管球３を用いると、１次Ｘ線
１１ａは第２図ａに示すように、銅の特性Ｘｉと連続Ｘ
線の重なったスペクトルとなる。この１次Ｘ線１１ａが
、ニッケル金属フィルター６を透過すると、高エネルギ
一部分が吸収された第２図すのスペクトルをもつ１次Ｘ
線１１ｂになる。
第２図すにおいて、ＣＯだけを励起する部分２１が多く
て、ＣＯおよびＮ１を励起する部分２２は少ないことが
必要である。
て、ＣＯおよびＮ１を励起する部分２２は少ないことが
必要である。
なぜなら、試料のハードディスクは、ＣＯの皮膜が１ｌ
Ｌ０２〜［Ｌ１μｍと非常に薄く、かつＮ１−Ｐの皮膜
が５〜３０μｍと厚く、ＣＯの膜厚を測定する場合Ｎ１
の螢光Ｘ線が妨害Ｘ線となるためである。第２図すのＸ
線領域２２ｉ少なくするためには、ニッケル金属フィル
ター６を使用するとともに、ｘＩｓ管球３に印加する管
電圧′ｆＩ：１０〜３０ＸＶと低く設定する必要がめる
。１次Ｘ線１１ｂはハードディスクスの試料１８ａ。
Ｌ０２〜［Ｌ１μｍと非常に薄く、かつＮ１−Ｐの皮膜
が５〜３０μｍと厚く、ＣＯの膜厚を測定する場合Ｎ１
の螢光Ｘ線が妨害Ｘ線となるためである。第２図すのＸ
線領域２２ｉ少なくするためには、ニッケル金属フィル
ター６を使用するとともに、ｘＩｓ管球３に印加する管
電圧′ｆＩ：１０〜３０ＸＶと低く設定する必要がめる
。１次Ｘ線１１ｂはハードディスクスの試料１８ａ。
１８ｂ、１８ｃに照射される。すると、試料中の元素が
励起されて第２図Ｃに示すようなスペクトルをもつ、Ｃ
ＯとＮ１の混った螢光Ｘ＃１７ａが発生する。螢光Ｘ線
１７ａＩ／ｉ、鉄フィルター１５を透過すると、第２図
ｄに示すようにＮ１の螢光Ｘ線が吸収された螢光Ｘ線１
７ｂとなる。この螢光Ｘ線１７ｂは、Ｘ線検出器１２°
で検出されると、第２図θに示すようにＣＯの螢光Ｘ線
２４とＮ１の螢光Ｘ線２５が重なったスペクトル２５と
なる。ここで、Ｘ線検出器１２のエネルギー分解能が悪
くて、ＣＯとＮ１の螢光ｘ１Ｍ’を各々弁別できなくて
も、妨害Ｘ線であるＮｉの螢光Ｘ線は非常に少なく問題
とならない。Ｘ線検出器１２で検出された信号は、波高
弁別器１４會経て、制御演算器１０でＣＯメッキ厚に変
換される。検出強度とｃｏメッキ厚との関係は、第２図
ｆにおいて実線で示すような検量線となる。破線は、Ｘ
線管球５の管電圧が３０〜５０ＫＶと高く、ニッケル金
属フィルター６および鉄金属フィルターが無い場合の検
量線である。
励起されて第２図Ｃに示すようなスペクトルをもつ、Ｃ
ＯとＮ１の混った螢光Ｘ＃１７ａが発生する。螢光Ｘ線
１７ａＩ／ｉ、鉄フィルター１５を透過すると、第２図
ｄに示すようにＮ１の螢光Ｘ線が吸収された螢光Ｘ線１
７ｂとなる。この螢光Ｘ線１７ｂは、Ｘ線検出器１２°
で検出されると、第２図θに示すようにＣＯの螢光Ｘ線
２４とＮ１の螢光Ｘ線２５が重なったスペクトル２５と
なる。ここで、Ｘ線検出器１２のエネルギー分解能が悪
くて、ＣＯとＮ１の螢光ｘ１Ｍ’を各々弁別できなくて
も、妨害Ｘ線であるＮｉの螢光Ｘ線は非常に少なく問題
とならない。Ｘ線検出器１２で検出された信号は、波高
弁別器１４會経て、制御演算器１０でＣＯメッキ厚に変
換される。検出強度とｃｏメッキ厚との関係は、第２図
ｆにおいて実線で示すような検量線となる。破線は、Ｘ
線管球５の管電圧が３０〜５０ＫＶと高く、ニッケル金
属フィルター６および鉄金属フィルターが無い場合の検
量線である。
本実施例では、エネルギー分解能の悪いＸ線検出器１２
（例えば、比例計数管又はシンチレーションカウンター
）ヲ用いても、第２図ｆの実線が示す検量線が得られ、
信号（Ｓ）に対するバックグラウンド（Ｂ）の比率Ｓｌ
砒が非常に高く、高精度でＣＯメッキの膜厚を測定する
ことができる。
（例えば、比例計数管又はシンチレーションカウンター
）ヲ用いても、第２図ｆの実線が示す検量線が得られ、
信号（Ｓ）に対するバックグラウンド（Ｂ）の比率Ｓｌ
砒が非常に高く、高精度でＣＯメッキの膜厚を測定する
ことができる。
次に、試料がＡｕ／Ｑｕの場合の実施例を第３図および
第５図ａ〜第３図ｅにて説明する。銅ターゲットのベリ
リウム窓のＸ線管球５からの１次Ｘ線１１ｃは、第３図
ａに示すように、鋼の特性ｘＷＪと連続Ｘ線の重なった
スペクトルとなる。この１次Ｘ）［１１ｃが、アルミ金
属フィルター７を透過すると、低エネルギ一部分が吸収
され鋼の特性Ｘ線がなくなった第５図′ｂのスペクトル
をもつ１次Ｘ線１１ｄになる。
第５図ａ〜第３図ｅにて説明する。銅ターゲットのベリ
リウム窓のＸ線管球５からの１次Ｘ線１１ｃは、第３図
ａに示すように、鋼の特性ｘＷＪと連続Ｘ線の重なった
スペクトルとなる。この１次Ｘ）［１１ｃが、アルミ金
属フィルター７を透過すると、低エネルギ一部分が吸収
され鋼の特性Ｘ線がなくなった第５図′ｂのスペクトル
をもつ１次Ｘ線１１ｄになる。
第５図すにおいて、Ａｕを励起するＸ線領域２６がハツ
チングで示されている。このＸ＠領域２６を多くするた
めには、Ｘ線管球５に印加する管電圧ｔｌ−３０〜５０
に７と高く設定する必要がある。１次Ｘ線１１ｄが試料
の金メツキ部分１８ａおよび素材の銅１８ｅに照射され
ると、各元素が励起されて第３図Ｃ１に示すような、ス
ペクトルをもつ螢光Ｘ線１７が発生する。この螢光Ｘ線
１７は、Ｘ線検出器１２で検出されると、第３図ｄに示
すようＫｃｕの螢光Ｘ線２８とＡｕの螢光Ｘ線２９が重
なったおベクトルトなる。ここで、Ｘ線検出器１２のエ
ネルギー分解能が悪くても、第５図ｄの）・ツチングさ
れた部分５０を信号として波高弁別すれば、妨害Ｘ線で
らるＣｕの螢光Ｘ線２８の影響はほとんどない。Ｘ線検
出器１２で検出された信号は、波高弁別器１４７経て、
制御演算機１０でＡｕメッキ厚に変換される。波高弁別
された検出強度とＡｕメッキ厚との関係は、第５図ｅに
おいて実線で示すような検量線となる。破線は、Ｘ線管
球３の管電圧が１０〜３０ＫＶと低く、アルミ金属フィ
ルター７が無い場合の検量線である。本実施例では、エ
ネルギー分解能の悪いＸ線検出器１２（例えば、比例計
数管）を用いても、第５図ｅの実線が示す検量線が得ら
れ、厚い範囲まで高精度でＡｕメッキの膜厚を測定する
ことができる。
チングで示されている。このＸ＠領域２６を多くするた
めには、Ｘ線管球５に印加する管電圧ｔｌ−３０〜５０
に７と高く設定する必要がある。１次Ｘ線１１ｄが試料
の金メツキ部分１８ａおよび素材の銅１８ｅに照射され
ると、各元素が励起されて第３図Ｃ１に示すような、ス
ペクトルをもつ螢光Ｘ線１７が発生する。この螢光Ｘ線
１７は、Ｘ線検出器１２で検出されると、第３図ｄに示
すようＫｃｕの螢光Ｘ線２８とＡｕの螢光Ｘ線２９が重
なったおベクトルトなる。ここで、Ｘ線検出器１２のエ
ネルギー分解能が悪くても、第５図ｄの）・ツチングさ
れた部分５０を信号として波高弁別すれば、妨害Ｘ線で
らるＣｕの螢光Ｘ線２８の影響はほとんどない。Ｘ線検
出器１２で検出された信号は、波高弁別器１４７経て、
制御演算機１０でＡｕメッキ厚に変換される。波高弁別
された検出強度とＡｕメッキ厚との関係は、第５図ｅに
おいて実線で示すような検量線となる。破線は、Ｘ線管
球３の管電圧が１０〜３０ＫＶと低く、アルミ金属フィ
ルター７が無い場合の検量線である。本実施例では、エ
ネルギー分解能の悪いＸ線検出器１２（例えば、比例計
数管）を用いても、第５図ｅの実線が示す検量線が得ら
れ、厚い範囲まで高精度でＡｕメッキの膜厚を測定する
ことができる。
なお、これ迄述べたハードディスクの実施例以外に、Ｃ
ｏ−Ｎｉ／Ｎ１−Ｐ／Ａｔ、 Ｃｏ−１ＮｉＩＮ、 Ｊ
？よびｃｏ−ａｒｌＭ、の場合でも、表面メッキのＣＯ
に着目して、各会金比皐は一定という条件で、第１笑施
例と同様な方法で、表面メッキのＣＯ合金皮膜の測定が
高精度で行える。また、Ａｕ１Ｃｕ以外の工業用又は電
子用部品のメッキ（例えば、Ａｇ／ｃｕ、 Ｎ１／ｃｕ
、Ｓｎ Ｐｂ／ｃｕ 等）についても、第２実施例と
同様な方法で、メッキ皮膜の測定が高精度で行える。
ｏ−Ｎｉ／Ｎ１−Ｐ／Ａｔ、 Ｃｏ−１ＮｉＩＮ、 Ｊ
？よびｃｏ−ａｒｌＭ、の場合でも、表面メッキのＣＯ
に着目して、各会金比皐は一定という条件で、第１笑施
例と同様な方法で、表面メッキのＣＯ合金皮膜の測定が
高精度で行える。また、Ａｕ１Ｃｕ以外の工業用又は電
子用部品のメッキ（例えば、Ａｇ／ｃｕ、 Ｎ１／ｃｕ
、Ｓｎ Ｐｂ／ｃｕ 等）についても、第２実施例と
同様な方法で、メッキ皮膜の測定が高精度で行える。
Ｇ〔発明の効果〕
本発明によれば、従来性われていた断面法およびβ請後
方散乱法では測定できなかったハードディスクのｃｏ／
’Ｎ１−Ｐ／Ａ１．のＣＯメッキの高精度な膜厚測定が
実現できる。
方散乱法では測定できなかったハードディスクのｃｏ／
’Ｎ１−Ｐ／Ａ１．のＣＯメッキの高精度な膜厚測定が
実現できる。
また、Ｘ線管球に銅ターゲットのベリリウム窓のＸ線管
球を使用し、ニッケルおよび鉄の金属フィルターを用い
ることにより、エネルギー分解能の惑いＸ線検出器でも
、上記ｃｏメッキの高精度膜厚測定ができるようになっ
た。さらに、金属フィルターの組合わせを変え、Ｘ線管
球に印加する管電圧を変えることにより、Ａｕ ／ （
２ｕ等の工業用および電子部品用のメッキの筒稍度膜厚
測定ができる。
球を使用し、ニッケルおよび鉄の金属フィルターを用い
ることにより、エネルギー分解能の惑いＸ線検出器でも
、上記ｃｏメッキの高精度膜厚測定ができるようになっ
た。さらに、金属フィルターの組合わせを変え、Ｘ線管
球に印加する管電圧を変えることにより、Ａｕ ／ （
２ｕ等の工業用および電子部品用のメッキの筒稍度膜厚
測定ができる。
上述したように、本発明はハードディスクのような特殊
なメッキの皮膜のみならず、他の工業用および電子部品
用のメッキの皮膜も高精度で膜厚測定が可能な、汎用螢
光Ｘ線膜厚計を提供できる効果葡Ｍする。
なメッキの皮膜のみならず、他の工業用および電子部品
用のメッキの皮膜も高精度で膜厚測定が可能な、汎用螢
光Ｘ線膜厚計を提供できる効果葡Ｍする。
第１図は、本発明による螢光Ｘ線膜厚計を示す全体構成
図。 第２図は、本発明の第１実施例を示す部分構成図。第２
図ａ−第２図ｆは、第２図の各線スペクトルおよび検量
線を示す図づある。 第３図は、本発明の第２実施例を示す部分構成図。第３
図ａ〜第３図ｅは、第３図の各Ｘ線スペクトルおよび検
量線を示す図である。 １・・・Ｘ線発生器、 ２・・・高圧発生器３・・・銅
ターゲットのベリリウム窓Ｘ線管球４・・・ＸＳ電源
５・・・１次フィルター駆動部６・・・ニッケル金
属フィルター ７．１５・・・金属フィルター ８・・・入力装置９・
・・出力装置 １０・・・制御演算器、１１・・
・１次Ｘ線 １３・・・Ｘ線検出器の窓１６・・
・２次フィルター駆動部 １７・・・螢光ｘ＃ １８・・・試料１９・・・
Ｘ線検出器の検出信号 ２０・・・波高弁別器の出力信号 ２１・・・ｃｏヲ励起するＸ線領域 ２２・・・ＱＯおよびＮ１を励起するＸｉ領域２３・・
・全螢光Ｘ線の検出強度 ２４・・・ｃｏの螢光Ｘ線の検出強度 ２５・・・Ｎ１の螢光Ｘ線の検出強度 ２６・・・Ａｕｉ励起するＸ線領域 ２７・・・全螢光Ｘ線の検出強度 ２８・・・Ｑｕの螢光Ｘ線の検出強度 ２９・・・Ａｕの螢光Ｘ＠の検出強度 ３０・・・信号として波高弁別する強度風 上 本ｉ明（「第１実泥ｆ列五ホオ 部＊ｍ−成因 本弛明の第２大旋伊」８ホＴ 部分Ｍ坂図 雪つＭ ボ〈 ぼ翅 較 眠く 痕鑓 彰別鍍〈第３図（ａ） 第３図（１）） ￥ｙ３図（Ｃ） 第３図（υ 第３０（ｅ、１
図。 第２図は、本発明の第１実施例を示す部分構成図。第２
図ａ−第２図ｆは、第２図の各線スペクトルおよび検量
線を示す図づある。 第３図は、本発明の第２実施例を示す部分構成図。第３
図ａ〜第３図ｅは、第３図の各Ｘ線スペクトルおよび検
量線を示す図である。 １・・・Ｘ線発生器、 ２・・・高圧発生器３・・・銅
ターゲットのベリリウム窓Ｘ線管球４・・・ＸＳ電源
５・・・１次フィルター駆動部６・・・ニッケル金
属フィルター ７．１５・・・金属フィルター ８・・・入力装置９・
・・出力装置 １０・・・制御演算器、１１・・
・１次Ｘ線 １３・・・Ｘ線検出器の窓１６・・
・２次フィルター駆動部 １７・・・螢光ｘ＃ １８・・・試料１９・・・
Ｘ線検出器の検出信号 ２０・・・波高弁別器の出力信号 ２１・・・ｃｏヲ励起するＸ線領域 ２２・・・ＱＯおよびＮ１を励起するＸｉ領域２３・・
・全螢光Ｘ線の検出強度 ２４・・・ｃｏの螢光Ｘ線の検出強度 ２５・・・Ｎ１の螢光Ｘ線の検出強度 ２６・・・Ａｕｉ励起するＸ線領域 ２７・・・全螢光Ｘ線の検出強度 ２８・・・Ｑｕの螢光Ｘ線の検出強度 ２９・・・Ａｕの螢光Ｘ＠の検出強度 ３０・・・信号として波高弁別する強度風 上 本ｉ明（「第１実泥ｆ列五ホオ 部＊ｍ−成因 本弛明の第２大旋伊」８ホＴ 部分Ｍ坂図 雪つＭ ボ〈 ぼ翅 較 眠く 痕鑓 彰別鍍〈第３図（ａ） 第３図（１）） ￥ｙ３図（Ｃ） 第３図（υ 第３０（ｅ、１
Claims (2)
- （１）ａ）銅ターゲットのベリリウム窓のＸ線管球と、 ｂ）前記Ｘ線管球に高電圧を供給する高圧発生器と、 ｃ）前記高圧発生器を制御しているＸ線電源と、 ｄ）前記Ｘ線管球から放射された一次Ｘ線の線質を変え
るためのニツクル金属フィルタ ーを有し前記一次Ｘ線の経路に前記金属フ ィルターを挿入又は撤去する機構を有する 一次フィルター駆動部と、 ｅ）前記一次Ｘ線が試料に照射されて発生した螢光Ｘ線
を検出するＸ線検出器と、 ｆ）前記Ｘ線検出器からの信号を試料に含まれる各元素
に特有な螢光Ｘ線毎に弁別する 波高弁別器と、 ｇ）前記螢光Ｘ線が前記Ｘ線検出器に入射 するＸ線検出器の窓の直前に金属フィルタ ーを挿入又は撤去する機構を有する２次フ ィルター駆動部と、 ｈ）測定試料の情報を入力する入力装置と、ｉ）膜厚の
結果を出力する出力装置と、 ｊ）前記入力装置からの情報により前記一次フィルター
駆動部、前記２次フィルター 駆動部および前記Ｘ線電源を制御し、前記 波高弁別器からの信号から試料の膜厚を演 算しその結果を出力装置に出力する 制御演算器とからなる螢光Ｘ線膜厚計。 - （２）前記一次フィルター駆動部にニッケル以外の金属
フィルターが設けられている特許請求の範囲第１項に記
載の螢光Ｘ線膜厚計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1134485A JPS61170606A (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 螢光ｘ線膜厚計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1134485A JPS61170606A (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 螢光ｘ線膜厚計 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61170606A true JPS61170606A (ja) | 1986-08-01 |
Family
ID=11775415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1134485A Pending JPS61170606A (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 螢光ｘ線膜厚計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61170606A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01105855U (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-17 | ||
| JPH03191851A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-21 | Shimadzu Corp | 蛍光ｘ線分析装置 |
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| JP2003050115A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Seiko Instruments Inc | Ｘ線膜厚計 |
Citations (2)
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| JPS50937A (ja) * | 1973-05-03 | 1975-01-08 | ||
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-
1985
- 1985-01-24 JP JP1134485A patent/JPS61170606A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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