JPS61167511A - 磁場射出成形における消磁方法 - Google Patents
磁場射出成形における消磁方法Info
- Publication number
- JPS61167511A JPS61167511A JP670685A JP670685A JPS61167511A JP S61167511 A JPS61167511 A JP S61167511A JP 670685 A JP670685 A JP 670685A JP 670685 A JP670685 A JP 670685A JP S61167511 A JPS61167511 A JP S61167511A
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- JP
- Japan
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- magnetic field
- molded product
- magnetic flux
- density
- residual magnetic
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- Granted
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/0013—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor using fillers dispersed in the moulding material, e.g. metal particles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は、磁場射出成形における消磁方法に関するもの
である。
である。
(ロ)従来の技術
磁場射出成形機を用いて異方性プラスチックマグネット
を成形する際には、磁場発生コイルに所定向きの直流電
流を流して金型キャビティ内に磁場を発生させた状態で
磁性材料を混入した溶融樹脂を金型キャビティ内に注入
し、磁性材料を磁場方向に配向させ、そのまま冷却固化
させることにより磁性材料を成形品中に配向させたまま
固定する0次いで、消磁を行い、成形品を金型から取り
出す、消磁を行うのは、成形品が磁性を帯びたままでは
、金型に付着して取り出しが困難であり、また成形品取
り出し後の取扱いについても不便であるからである。成
形品の消磁を行うために、従来は磁場発生コイルに前述
の着磁の場合に流した直流電流の向きとは逆向きの直流
電流を流して着磁の場合とは逆向きの磁場を金型キャビ
ティに発生させ、成形品の磁性を減じるようにしていた
。
を成形する際には、磁場発生コイルに所定向きの直流電
流を流して金型キャビティ内に磁場を発生させた状態で
磁性材料を混入した溶融樹脂を金型キャビティ内に注入
し、磁性材料を磁場方向に配向させ、そのまま冷却固化
させることにより磁性材料を成形品中に配向させたまま
固定する0次いで、消磁を行い、成形品を金型から取り
出す、消磁を行うのは、成形品が磁性を帯びたままでは
、金型に付着して取り出しが困難であり、また成形品取
り出し後の取扱いについても不便であるからである。成
形品の消磁を行うために、従来は磁場発生コイルに前述
の着磁の場合に流した直流電流の向きとは逆向きの直流
電流を流して着磁の場合とは逆向きの磁場を金型キャビ
ティに発生させ、成形品の磁性を減じるようにしていた
。
(ハ)発明が解決しようとする問題点
しかし、上記のような従来の消磁方法には次のような問
題点があった。すなわち、金型の変更、成形品の変更、
磁性材料の変更などを行った場合には残留磁束密度が変
化し、安定した消磁を行う。
題点があった。すなわち、金型の変更、成形品の変更、
磁性材料の変更などを行った場合には残留磁束密度が変
化し、安定した消磁を行う。
ことが困難であり、また金型や材料を変更しない場合で
あっても成形条件や環境条件の微妙な変化により成形品
の着磁状態は各ショット毎に必ずしも一定ではないので
、消磁のために常に一定の逆向きの磁場を作用させたの
では安定した消磁を行うことができない、成形品が十分
に消磁されない場合には次のような不都合を生ずる。す
なわち。
あっても成形条件や環境条件の微妙な変化により成形品
の着磁状態は各ショット毎に必ずしも一定ではないので
、消磁のために常に一定の逆向きの磁場を作用させたの
では安定した消磁を行うことができない、成形品が十分
に消磁されない場合には次のような不都合を生ずる。す
なわち。
成形品取り出し時に成形品が金型に付着して取り出し作
業が困難となる。また、金型にも磁性が残るため磁性材
料が成形品の品質を低下させる異物として金型に付着す
る。更に、取り出し後に成形品を多極着磁する場合には
、磁気が残っていると多極M磁後の磁極間の磁気特性に
差を生じ、多極着磁が不完全なものとなる。成形品及び
スプルー・ ランナーを粉砕して再度成形に使用する場
合には、粉砕した破片が粉砕機、成形機等に付着して余
分な清掃作業が必要となり、また破片同志がくっついて
大きな固まりとなり、スクリューの食い込みを阻害する
こともある。このため、成形品及びスプルーランナーを
金型から取り出したあと、別の消磁機によって再度消磁
を行う必要があった0本発明は、上記のような問題点を
解決し、成形品取り出し前に確実に消磁を行うことがで
きる消磁方法を得ることを目的としている。
業が困難となる。また、金型にも磁性が残るため磁性材
料が成形品の品質を低下させる異物として金型に付着す
る。更に、取り出し後に成形品を多極着磁する場合には
、磁気が残っていると多極M磁後の磁極間の磁気特性に
差を生じ、多極着磁が不完全なものとなる。成形品及び
スプルー・ ランナーを粉砕して再度成形に使用する場
合には、粉砕した破片が粉砕機、成形機等に付着して余
分な清掃作業が必要となり、また破片同志がくっついて
大きな固まりとなり、スクリューの食い込みを阻害する
こともある。このため、成形品及びスプルーランナーを
金型から取り出したあと、別の消磁機によって再度消磁
を行う必要があった0本発明は、上記のような問題点を
解決し、成形品取り出し前に確実に消磁を行うことがで
きる消磁方法を得ることを目的としている。
(ニ)問題点を解決するための手段
本発明は、成形品残留磁束密度が所定の許容値範囲内に
なるまで繰り返し消磁力向の磁場を発生させることによ
り上記問題点を解決する。すなわち1本発明によると、
まず磁場発生コイルの通電を停止したときの成形品残留
磁束の密度及び方向を磁気回路に設けた磁気センサーに
よって検出する。成形品残留磁束の密度が所定の許容値
範囲外の場合(すなわち、検出された成形品残留密度の
絶対値が許容値よりも大きい場合)には成形品残留磁束
の密度及び方向に応じて制御装置によって演算された指
令信号により電源装置を作動させ磁場発生コイルに所定
の電流を供給して成形品残留磁束の密度を小さ、くする
方向の所定の大きさの磁場を発生させる0次いで再び磁
場発生コイルを非通電状態として成形品残留磁束の密度
及び方向を磁気センサーによって検出し、検出される成
形品残留磁束の密度が所定の許容値範囲内になるまで上
記動作を自動的に綴り返す。
なるまで繰り返し消磁力向の磁場を発生させることによ
り上記問題点を解決する。すなわち1本発明によると、
まず磁場発生コイルの通電を停止したときの成形品残留
磁束の密度及び方向を磁気回路に設けた磁気センサーに
よって検出する。成形品残留磁束の密度が所定の許容値
範囲外の場合(すなわち、検出された成形品残留密度の
絶対値が許容値よりも大きい場合)には成形品残留磁束
の密度及び方向に応じて制御装置によって演算された指
令信号により電源装置を作動させ磁場発生コイルに所定
の電流を供給して成形品残留磁束の密度を小さ、くする
方向の所定の大きさの磁場を発生させる0次いで再び磁
場発生コイルを非通電状態として成形品残留磁束の密度
及び方向を磁気センサーによって検出し、検出される成
形品残留磁束の密度が所定の許容値範囲内になるまで上
記動作を自動的に綴り返す。
(ホ)作用
金型キャビティに磁場を発生させた状態で射出装置から
磁性材料を混入した溶融樹脂が注入され、着磁が行われ
る0着磁終了後、磁気センサーによって成形品残留磁束
の密度及び方向が検出され、磁束密度の検出値が制御装
置にあらかじめ設定した所定の許容値範囲内であるかど
うかの判断が行われ、検出値が許容値範囲外の場合には
制御装置は電源装置に信号を与えて磁場発生コイルに電
流を供給させる。磁場発生コイルに供給させる電流は、
成形品残留磁束密度を小さくする方向の磁場を発生させ
る向きに供給される。また1発生する磁場の大きさ及び
その作用時間は磁気センサーの検出値の大きさに応じて
制御装置によって決定される。こうして、成形品残留磁
束密度を小さくする方向の磁場を発生させた後、再び磁
場発生コイルへの電流の供給を停止し、成形品残留磁束
の密度及び方向を磁気センサーによって検出する。この
検出値が前述の許容値範囲内の場合には消磁を完了する
が、検出値が許容値範囲外の場合には再び同様の動作に
より、磁場発生コイルに電源装置から電流が供給され、
成形品残留磁束密度を小さくする方向の磁場が発生させ
られる。以下、同様の動作を繰り返すことにより、成形
品残留磁束密度は次第に減少し、最終的には許容値範囲
内まで小さくなる。上記動作は自動的かつ連続的に行わ
れ、しかも成形品残留磁束密度を小さくする方向の磁場
の大きさは制御装置によって適切となるように設定され
るので、消磁のために必要とする時間は比較的短くて済
む、冷却工程の終了後(なお、消磁工程が冷却工程より
も長い時間を必要とする場合には、消磁工程の終了後)
、型開きが行われ成形品の取り出しが行われる。成形品
は十分に消磁されているので、取り出し作業は容易であ
り、また取り出し後消磁を行う必要はない。
磁性材料を混入した溶融樹脂が注入され、着磁が行われ
る0着磁終了後、磁気センサーによって成形品残留磁束
の密度及び方向が検出され、磁束密度の検出値が制御装
置にあらかじめ設定した所定の許容値範囲内であるかど
うかの判断が行われ、検出値が許容値範囲外の場合には
制御装置は電源装置に信号を与えて磁場発生コイルに電
流を供給させる。磁場発生コイルに供給させる電流は、
成形品残留磁束密度を小さくする方向の磁場を発生させ
る向きに供給される。また1発生する磁場の大きさ及び
その作用時間は磁気センサーの検出値の大きさに応じて
制御装置によって決定される。こうして、成形品残留磁
束密度を小さくする方向の磁場を発生させた後、再び磁
場発生コイルへの電流の供給を停止し、成形品残留磁束
の密度及び方向を磁気センサーによって検出する。この
検出値が前述の許容値範囲内の場合には消磁を完了する
が、検出値が許容値範囲外の場合には再び同様の動作に
より、磁場発生コイルに電源装置から電流が供給され、
成形品残留磁束密度を小さくする方向の磁場が発生させ
られる。以下、同様の動作を繰り返すことにより、成形
品残留磁束密度は次第に減少し、最終的には許容値範囲
内まで小さくなる。上記動作は自動的かつ連続的に行わ
れ、しかも成形品残留磁束密度を小さくする方向の磁場
の大きさは制御装置によって適切となるように設定され
るので、消磁のために必要とする時間は比較的短くて済
む、冷却工程の終了後(なお、消磁工程が冷却工程より
も長い時間を必要とする場合には、消磁工程の終了後)
、型開きが行われ成形品の取り出しが行われる。成形品
は十分に消磁されているので、取り出し作業は容易であ
り、また取り出し後消磁を行う必要はない。
(へ)実施例
第3図に磁場射出成形機を示す、固定盤lOに磁場発生
コイル12及び固定型14が取り付けられており、可動
盤16に磁場発生コイル18及び可動型20が取り付け
られている。固定型14及び可動型20(以下、両者を
合せて呼称する場合には金型14及び20とする)の合
せ面にキャビティ22が形成される。可動盤16はシリ
ンダ24によって水平方向に移動可能である。また、固
定盤10側にはキャビティ22内に溶融樹脂を注入可能
な射出装置26が配置されている。磁場発生コイル12
及び18には電源装置28から後述のように所定の電流
が供給可能である。可動型20内に磁気センサー30が
設けられており、磁気センサー30からの信号は、マイ
クロコンピュータにより構成される制御装置32に入力
される。
コイル12及び固定型14が取り付けられており、可動
盤16に磁場発生コイル18及び可動型20が取り付け
られている。固定型14及び可動型20(以下、両者を
合せて呼称する場合には金型14及び20とする)の合
せ面にキャビティ22が形成される。可動盤16はシリ
ンダ24によって水平方向に移動可能である。また、固
定盤10側にはキャビティ22内に溶融樹脂を注入可能
な射出装置26が配置されている。磁場発生コイル12
及び18には電源装置28から後述のように所定の電流
が供給可能である。可動型20内に磁気センサー30が
設けられており、磁気センサー30からの信号は、マイ
クロコンピュータにより構成される制御装置32に入力
される。
制御装置32は、後述のように、電源装置28の作動を
制御する。
制御する。
この磁場射出成形機による成形、着磁、消磁等の動作を
第1及び2図に基づいて説明する。まず、シリング24
によって固定型14と可動型20とを締め付け、次いで
電源装置28から磁場発生コイル12及び18に直流電
流を流し、金型14及び20のキャビティ22に強力な
磁場を発生させる。磁場が安定した後(すなわち、型閉
じ工程完了時から計時を開始するタイマーT1が計時完
了した後)、キャビティ22内に射出装置26から磁性
材料を混入した溶融樹脂を注入する。
第1及び2図に基づいて説明する。まず、シリング24
によって固定型14と可動型20とを締め付け、次いで
電源装置28から磁場発生コイル12及び18に直流電
流を流し、金型14及び20のキャビティ22に強力な
磁場を発生させる。磁場が安定した後(すなわち、型閉
じ工程完了時から計時を開始するタイマーT1が計時完
了した後)、キャビティ22内に射出装置26から磁性
材料を混入した溶融樹脂を注入する。
キャビティ22内に注入された磁性材料は磁場方向、す
なわち磁束線に平行な方向に配向させられる。この際の
磁化曲線は第2図のO→a曲線によって示される。a点
で飽和磁束密度B、どなる。磁性材料が十分に配向した
後(すなわち、磁場発生コイル12及び18への通電開
始時から計時を開始するタイマーT2が計時完了した後
)。
なわち磁束線に平行な方向に配向させられる。この際の
磁化曲線は第2図のO→a曲線によって示される。a点
で飽和磁束密度B、どなる。磁性材料が十分に配向した
後(すなわち、磁場発生コイル12及び18への通電開
始時から計時を開始するタイマーT2が計時完了した後
)。
磁場発生コイル12及び18への通電を停止し、キャビ
ティ22内の溶融樹脂を冷却・固化させる。この際、磁
化曲線はa−+b曲線で示されるものとなり、成形品は
B2の大きさの残留磁束密度を有することになる。磁場
発生コイル12及び18への通電を停止してから所定の
休止時間後(すなわち、通電停止時から計時を開始する
タイマーT3の計時完了後)に磁場発生コイル12及び
18に成形品残留磁束密度を小さくする向きの磁場を発
生させるよう電流が供給される。すなわち。
ティ22内の溶融樹脂を冷却・固化させる。この際、磁
化曲線はa−+b曲線で示されるものとなり、成形品は
B2の大きさの残留磁束密度を有することになる。磁場
発生コイル12及び18への通電を停止してから所定の
休止時間後(すなわち、通電停止時から計時を開始する
タイマーT3の計時完了後)に磁場発生コイル12及び
18に成形品残留磁束密度を小さくする向きの磁場を発
生させるよう電流が供給される。すなわち。
発生磁場は着磁の際の発生磁場H!とは向きが逆であり
、磁場の大きさはB2である。この発生磁場の大きさB
2は制御装!!32からの信号によって決定される。制
御装置32は、B磁後の磁気センサー30の検出値、す
なわち残留磁束の密度B2及びその方向に基づいて発生
磁場H,の大きさ及び方向を演算して指令する。すなわ
ち、発生磁場H2の方向は残留磁束密度B2を小さくす
る方向であり、また発生磁場H2は残留磁束密度B2の
値が大きいほど大きくなるように設定する。また制御装
置32は発生磁場H2の作用時間長さも指令する。これ
により磁化曲線はb点から0点へ変化し、次いで磁場発
生コイル12及び18への通電を停止することにより、
例えば0点からd点へ変化する。d点における残留磁束
密度は再び磁気センサー30によって検出され、その値
は例えばB、である、このB3の値が目標とする許容値
範囲内に入れば(すなわち、B3の絶対値が許容値Bx
よりも小さければ)、これで消磁が完了するが、この例
のようにB3が許容値Bxよりも大きい場合には制御装
置32は再び電源装置28へ信号を与えて、磁場発生コ
イル12及び18に電流を供給させる。この際の、電流
の方向及び大きさもd点における残留磁束密度B3の方
向及び大きさに応じて決定される。すなわち、前述の場
合と同様に、残留磁束密度B3を小さくする方向の磁場
であり、また残留磁束密度B3の大きさに応じた発生磁
場H3である。これにより、磁化曲線は6点からe点へ
変化し、次いでf点に達する。
、磁場の大きさはB2である。この発生磁場の大きさB
2は制御装!!32からの信号によって決定される。制
御装置32は、B磁後の磁気センサー30の検出値、す
なわち残留磁束の密度B2及びその方向に基づいて発生
磁場H,の大きさ及び方向を演算して指令する。すなわ
ち、発生磁場H2の方向は残留磁束密度B2を小さくす
る方向であり、また発生磁場H2は残留磁束密度B2の
値が大きいほど大きくなるように設定する。また制御装
置32は発生磁場H2の作用時間長さも指令する。これ
により磁化曲線はb点から0点へ変化し、次いで磁場発
生コイル12及び18への通電を停止することにより、
例えば0点からd点へ変化する。d点における残留磁束
密度は再び磁気センサー30によって検出され、その値
は例えばB、である、このB3の値が目標とする許容値
範囲内に入れば(すなわち、B3の絶対値が許容値Bx
よりも小さければ)、これで消磁が完了するが、この例
のようにB3が許容値Bxよりも大きい場合には制御装
置32は再び電源装置28へ信号を与えて、磁場発生コ
イル12及び18に電流を供給させる。この際の、電流
の方向及び大きさもd点における残留磁束密度B3の方
向及び大きさに応じて決定される。すなわち、前述の場
合と同様に、残留磁束密度B3を小さくする方向の磁場
であり、また残留磁束密度B3の大きさに応じた発生磁
場H3である。これにより、磁化曲線は6点からe点へ
変化し、次いでf点に達する。
f点における残留磁束密度B4が再度磁気センサー30
によって検出され、以下同様に磁化曲線はf + g→
hと変化し、h点における残留磁束密度B5の大きさに
応じて再び磁場発生コイル12及び18へ通電され、磁
化曲線はh41→jと変化する。j点における残留磁束
密度は目標とする許容値範囲内(−Bx−Bx)にある
ので、これにより消磁工程が完了する。消磁工程は冷却
工程開始持に計時を開始するタイマーT4が計時完了す
るまでに完了する。タイマーT4が計時完了後型開きし
成形品の取り出しを行うが、消磁工程の時間がタイマー
T4の計時時間よりも長い場合には消磁工程の終了後型
開きし成形品の取り出しが行われる。なお、第1及び2
図に示した例では、消磁のために4回の通電が行われ、
消磁のための発生磁場の方向は4回とも同じあるが、場
合によっては第4及び5図に示すように、消磁のための
発生磁場が大きすぎた場合にはこれと逆向きの磁場を発
生させることになる(この例ではH3及びH4が着磁の
ための磁場H1と同方向になっており、消磁のために5
回の通電を繰り返している)、なお、磁気センサー30
は可動型20に設けたが、磁気回路内であればこれ以外
の場所であっても差し支えない。
によって検出され、以下同様に磁化曲線はf + g→
hと変化し、h点における残留磁束密度B5の大きさに
応じて再び磁場発生コイル12及び18へ通電され、磁
化曲線はh41→jと変化する。j点における残留磁束
密度は目標とする許容値範囲内(−Bx−Bx)にある
ので、これにより消磁工程が完了する。消磁工程は冷却
工程開始持に計時を開始するタイマーT4が計時完了す
るまでに完了する。タイマーT4が計時完了後型開きし
成形品の取り出しを行うが、消磁工程の時間がタイマー
T4の計時時間よりも長い場合には消磁工程の終了後型
開きし成形品の取り出しが行われる。なお、第1及び2
図に示した例では、消磁のために4回の通電が行われ、
消磁のための発生磁場の方向は4回とも同じあるが、場
合によっては第4及び5図に示すように、消磁のための
発生磁場が大きすぎた場合にはこれと逆向きの磁場を発
生させることになる(この例ではH3及びH4が着磁の
ための磁場H1と同方向になっており、消磁のために5
回の通電を繰り返している)、なお、磁気センサー30
は可動型20に設けたが、磁気回路内であればこれ以外
の場所であっても差し支えない。
(ト)発明の詳細
な説明してきたように、本発明によると、成形品残留磁
束密度が所定の許容値範囲内になるまで繰り返し消磁方
向の磁場を自動的に発生させるようにしたので、成形品
を十分に消磁することができ、成形品の取り出しが容易
となり、また成形品取り出し後に別の消磁機によって消
磁する作業が不要となり、従来の問題点を解決すること
ができる。
束密度が所定の許容値範囲内になるまで繰り返し消磁方
向の磁場を自動的に発生させるようにしたので、成形品
を十分に消磁することができ、成形品の取り出しが容易
となり、また成形品取り出し後に別の消磁機によって消
磁する作業が不要となり、従来の問題点を解決すること
ができる。
第1図は磁場射出成形の各工程及び発生磁場を示す図、
第2図は第1図に示す発生磁場によって成形品が磁化す
る磁化曲線を示す図、第3図は磁場射出成形機を示す図
、第4図は別の発生磁場を示す図、第5図は第4図に示
す発生磁場によって成形品が磁化する磁化曲線を示す図
である。 10・・・固定盤、12.18・・・磁場発生コイル、
14・・・固定型、16−−・可動盤、20−・・可動
型、22・・・キュビティ、24・・・シリンダ、26
拳・・ 射出装置、28・・番電源装置、30・・・磁
気センサー、32φ・・制御装置。
第2図は第1図に示す発生磁場によって成形品が磁化す
る磁化曲線を示す図、第3図は磁場射出成形機を示す図
、第4図は別の発生磁場を示す図、第5図は第4図に示
す発生磁場によって成形品が磁化する磁化曲線を示す図
である。 10・・・固定盤、12.18・・・磁場発生コイル、
14・・・固定型、16−−・可動盤、20−・・可動
型、22・・・キュビティ、24・・・シリンダ、26
拳・・ 射出装置、28・・番電源装置、30・・・磁
気センサー、32φ・・制御装置。
Claims (1)
- 磁場射出成形機によって成形されたプラスチックマグネ
ット成形品を金型から取り出す前に消磁する磁場射出成
形における消磁方法において、磁場発生コイルの通電を
停止したあと成形品残留磁束の密度及び方向を磁気回路
に設けた磁気センサーによって検出し、成形品残留磁束
の密度が所定の許容値範囲外の場合には成形品残留磁束
の密度及び方向に応じて制御装置によって指令される信
号により電源装置を作動させ磁場発生コイルに所定の電
流を供給して成形品残留磁束の密度を小さくする方向の
所定の大きさの磁場を発生させ、次いで再び磁場発生コ
イルを非通電状態として成形品残留磁束の密度及び方向
を磁気センサーによって検出し、検出される成形品残留
磁束の密度が所定の許容値範囲内になるまで上記動作を
自動的に繰り返すことを特徴とする磁場射出成形におけ
る消磁方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP670685A JPS61167511A (ja) | 1985-01-19 | 1985-01-19 | 磁場射出成形における消磁方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP670685A JPS61167511A (ja) | 1985-01-19 | 1985-01-19 | 磁場射出成形における消磁方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61167511A true JPS61167511A (ja) | 1986-07-29 |
JPH0261888B2 JPH0261888B2 (ja) | 1990-12-21 |
Family
ID=11645745
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP670685A Granted JPS61167511A (ja) | 1985-01-19 | 1985-01-19 | 磁場射出成形における消磁方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61167511A (ja) |
-
1985
- 1985-01-19 JP JP670685A patent/JPS61167511A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0261888B2 (ja) | 1990-12-21 |
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