JPS6116688Y2 - - Google Patents
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- JPS6116688Y2 JPS6116688Y2 JP10921480U JP10921480U JPS6116688Y2 JP S6116688 Y2 JPS6116688 Y2 JP S6116688Y2 JP 10921480 U JP10921480 U JP 10921480U JP 10921480 U JP10921480 U JP 10921480U JP S6116688 Y2 JPS6116688 Y2 JP S6116688Y2
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- Japan
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- electrode plate
- support plate
- thickness
- semiconductor device
- plate
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- Expired
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Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はシリコンペレツトと電極板との間に熱
膨張差吸収用の金属性の支持板を介在させ、一体
に固着させたフラツトベース型の半導体装置に関
する。
膨張差吸収用の金属性の支持板を介在させ、一体
に固着させたフラツトベース型の半導体装置に関
する。
上記支持板を電極板へ固着させる際に鑞付部材
として硬鑞を使用すると鑞付け時の歪による素子
の劣化が生じる為、従来はもつぱら軟鑞が使用さ
れていた。しかし、軟鑞を使用して鑞付けした場
合は、鑞付け時の歪による素子の劣化は皆無であ
るが、信頼性において主に熱疲労試験等では硬鑞
に比べて著しく劣る。従つて大容量の整流素子は
殆んどがスタツド型であり、硬鑞を使用して鑞付
けしている。しかしスタツド型は大きな収納面積
を要し且つリード線が長い為、高周波用としては
不適当である。
として硬鑞を使用すると鑞付け時の歪による素子
の劣化が生じる為、従来はもつぱら軟鑞が使用さ
れていた。しかし、軟鑞を使用して鑞付けした場
合は、鑞付け時の歪による素子の劣化は皆無であ
るが、信頼性において主に熱疲労試験等では硬鑞
に比べて著しく劣る。従つて大容量の整流素子は
殆んどがスタツド型であり、硬鑞を使用して鑞付
けしている。しかしスタツド型は大きな収納面積
を要し且つリード線が長い為、高周波用としては
不適当である。
本考案は以上の欠点を全て除去する半導体装置
を提供するものである。
を提供するものである。
第１図は本考案の一実施例を示す。該図におい
てシリコンペレツト１と電極板２との間に熱膨脹
率がシリコンペレツト１の熱膨脹率に近い材質の
支持板３を介在させて固定し、該支持板により上
記シリコンペレツト１と電極板２との熱膨脹差を
吸収させてシリコンペレツト１の歪みや割れを防
止している。上記支持板３は通常タングステン
（Ｗ）やモリブデン（Mo）の如き金属を用い、シ
リコンペレツト１とはアルミニウム−シリコン
（Al−Si）４で固定し、電極板２とは硬鑞５で固
定されている。この本考案の特徴とするところは
支持板３と電極板２とが従来のように軟鑞ではな
く硬鑞で固定したことである。硬鑞を使用して鑞
付けした場合、軟鑞とは異なり鑞付け時に異質な
金属の熱膨張係数の違いに起因する歪が発生し遂
にはシリコンペレツト１に亀裂が発生し特性が劣
化する。本考案ではこの特性の劣化を防止する為
に支持板３の厚さを略１mm程度とし、電極板２の
厚さを８mm以上としている。尚支持板３の厚さを
厚くすることにより特性の劣化を防止することも
できるが、支持板の厚さを厚くすることにより熱
抵抗が増大する傾向にあり、又支持板３に使用さ
れるタングステン（Ｗ）、モリブデン（Mo）等は
高価であり経済的でないので本考案ではあえてこ
れを採らない。
てシリコンペレツト１と電極板２との間に熱膨脹
率がシリコンペレツト１の熱膨脹率に近い材質の
支持板３を介在させて固定し、該支持板により上
記シリコンペレツト１と電極板２との熱膨脹差を
吸収させてシリコンペレツト１の歪みや割れを防
止している。上記支持板３は通常タングステン
（Ｗ）やモリブデン（Mo）の如き金属を用い、シ
リコンペレツト１とはアルミニウム−シリコン
（Al−Si）４で固定し、電極板２とは硬鑞５で固
定されている。この本考案の特徴とするところは
支持板３と電極板２とが従来のように軟鑞ではな
く硬鑞で固定したことである。硬鑞を使用して鑞
付けした場合、軟鑞とは異なり鑞付け時に異質な
金属の熱膨張係数の違いに起因する歪が発生し遂
にはシリコンペレツト１に亀裂が発生し特性が劣
化する。本考案ではこの特性の劣化を防止する為
に支持板３の厚さを略１mm程度とし、電極板２の
厚さを８mm以上としている。尚支持板３の厚さを
厚くすることにより特性の劣化を防止することも
できるが、支持板の厚さを厚くすることにより熱
抵抗が増大する傾向にあり、又支持板３に使用さ
れるタングステン（Ｗ）、モリブデン（Mo）等は
高価であり経済的でないので本考案ではあえてこ
れを採らない。
次に第２図に支持板の厚さを略１mmとし、３
mm，６mm，８mm，10mmの厚さの電極板２に硬鑞を
使用して鑞付けした後、逆方向特性を測定した結
果を示す。
mm，６mm，８mm，10mmの厚さの電極板２に硬鑞を
使用して鑞付けした後、逆方向特性を測定した結
果を示す。
繰返し測定した結果、電極板２の厚さが３mm，
６mmの場合には第２図ａ，ｂに示すようになり特
性の劣化が生じるが、８mm，10mmの場合には第２
図ｃに示すようになり特性の劣化が生じないこと
が確認できた。
６mmの場合には第２図ａ，ｂに示すようになり特
性の劣化が生じるが、８mm，10mmの場合には第２
図ｃに示すようになり特性の劣化が生じないこと
が確認できた。
電極板２の厚さを８mm以上とすることにより特
性の劣化が生じなり理由は、電極板の厚さが厚く
なることにより曲率半径が大きくなるのでシリコ
ンペレツト１に及ぼす歪が減少され、特性劣化に
至らないものと考えられる。
性の劣化が生じなり理由は、電極板の厚さが厚く
なることにより曲率半径が大きくなるのでシリコ
ンペレツト１に及ぼす歪が減少され、特性劣化に
至らないものと考えられる。
以上の理由の裏付けとしてストレインゲージ６
を用いて歪を測定した。測定サンプルは第３図に
示す様にカソード電極の上面に接着剤で貼り付け
その出力電圧を測定した結果、電極板５の厚さが
厚くなる程出力電圧は小さな値を示し、歪の小さ
なことが観測された。
を用いて歪を測定した。測定サンプルは第３図に
示す様にカソード電極の上面に接着剤で貼り付け
その出力電圧を測定した結果、電極板５の厚さが
厚くなる程出力電圧は小さな値を示し、歪の小さ
なことが観測された。
以上述べたように本考案はシリコンペレツト１
と平らな電極板２との間に熱膨脹差吸収用の金属
性の支持板３を介在させてなる半導体装置におい
て、上記電極板２の厚さを８mm以上にし、且つ上
記支持板３と電極板２とを硬鑞５を介して固着さ
せたことを特徴とするフラツトベース型の半導体
装置である。このように本考案では平らな電極板
２を支持板３に固着するのに硬鑞５を使用してい
るので大容量の半導体装置にも従来のスタツド型
に代えて平らな電極板を使用することが可能とな
り下記のような大きな効果が得られる。
と平らな電極板２との間に熱膨脹差吸収用の金属
性の支持板３を介在させてなる半導体装置におい
て、上記電極板２の厚さを８mm以上にし、且つ上
記支持板３と電極板２とを硬鑞５を介して固着さ
せたことを特徴とするフラツトベース型の半導体
装置である。このように本考案では平らな電極板
２を支持板３に固着するのに硬鑞５を使用してい
るので大容量の半導体装置にも従来のスタツド型
に代えて平らな電極板を使用することが可能とな
り下記のような大きな効果が得られる。
(1) スタツド型より平らな電極板を使用すると、
収納面積が縮少される。
収納面積が縮少される。
(2) 平らな電極板とスタツドを比較してもはるか
に平らな電極板の方が安価である。
に平らな電極板の方が安価である。
(3) 支持板（Ｗ，Mo等）を厚くすることがない
ので、価格が高くならず経済的である。
ので、価格が高くならず経済的である。
(4) リード線を短かくすることがきるので高周波
用としても使用可能となる。
用としても使用可能となる。
(5) 並列接続が容易にできる。
第１図は本考案の一実施例を示す図、第２図は
本考案の逆方向特性波形を示す図、第３図は不測
定のサンプルを示す図である。 １……シリコンペレツト、２……電極板、３…
…支持板、４……Al−Si、５……硬鑞、６……ス
トレインゲージ。
本考案の逆方向特性波形を示す図、第３図は不測
定のサンプルを示す図である。 １……シリコンペレツト、２……電極板、３…
…支持板、４……Al−Si、５……硬鑞、６……ス
トレインゲージ。
Claims (1)
- シリコンペレツトと外側の面が平坦な電極板と
の間に熱膨張差吸収用の金属性の支持板と鑞材と
を介在させてなる半導体装置において、上記電極
板が８mm以上の厚さを有し、かつ上記支持板と電
極板とが硬鑞により固着せられたことを特徴とす
るフラツトベース型の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10921480U JPS6116688Y2 (ja) | 1980-08-01 | 1980-08-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10921480U JPS6116688Y2 (ja) | 1980-08-01 | 1980-08-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5735038U JPS5735038U (ja) | 1982-02-24 |
| JPS6116688Y2 true JPS6116688Y2 (ja) | 1986-05-22 |
Family
ID=29470416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10921480U Expired JPS6116688Y2 (ja) | 1980-08-01 | 1980-08-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6116688Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5964792U (ja) * | 1982-10-21 | 1984-04-28 | 積水プラントシステム株式会社 | 蓋を備えた組立式タンク |
-
1980
- 1980-08-01 JP JP10921480U patent/JPS6116688Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5735038U (ja) | 1982-02-24 |
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