JP2002504675A - 電気絶縁された歪測定器 - Google Patents
電気絶縁された歪測定器Info
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Abstract
(57)【要約】
半導体材料層（３３）及び絶縁材料層（３２）を含む絶縁歪測定器（２３）であり、第１の絶縁材料層（３２）の側部が半導体材料層（３３）の側部と隣接して配置される。絶縁歪測定器の製造法では絶縁材料の絶縁材料層（３２）を形成する工程と、第１の絶縁材料層（３２）の頂部に半導体材料の半導体材料層を蒸着する工程とを含む。半導体材料層（３３）の底側部は絶縁材料層（３２）の頂側部と隣接される。絶縁歪測定器は物体の歪を測定する装置の一部を構成可能である。歪測定装置は力の付加により生じる物体の変形を電気信号に変換することにより物体の歪を測定する。歪測定装置はセンサ（２）と、絶縁歪測定器（２２、２３）と、回路（５０、５１）とを含む。絶縁歪測定器は絶縁材料層を含み接着層（２１）により機械的センサに接着される。回路（５０、５１）は絶縁歪測定器に接続され、絶縁歪測定器の電気値を示す信号を入力する。
Description
【０００１】 （クロスリファレンス） 本出願は１９９８年２月１８日付けで出願し「ＳＯＩ歪測定器」と題した同時
仮出願第６０／０７５、１３５号の権利を主張するものである。
仮出願第６０／０７５、１３５号の権利を主張するものである。
【０００２】 （技術分野） 本発明は歪測定器の分野、特に物体の歪を測別する半導体歪測定器に関する。
【０００３】 （背景技術） 物体に力が加えられると、その物体に応力が生じる。応力は物体に作用する単
位面積当たりの力で表される。物体が応力を生じるとき物体は変形力を受け、物
体の寸法・形状が変化する。歪はこの変形の強さの目安である。より詳細には、
歪は応力で生じる物体の寸法の単位長さ当たりの変形である。
位面積当たりの力で表される。物体が応力を生じるとき物体は変形力を受け、物
体の寸法・形状が変化する。歪はこの変形の強さの目安である。より詳細には、
歪は応力で生じる物体の寸法の単位長さ当たりの変形である。
【０００４】 物体の歪を測定するために、各種の技術により作成した装置を入手できる。こ
れらの装置は通常物体の機械的歪を電気信号に変換する。歪測定器は通常このよ
うな装置に使用される。
れらの装置は通常物体の機械的歪を電気信号に変換する。歪測定器は通常このよ
うな装置に使用される。
【０００５】 従来の歪測定器の一はモノリシック導体あるいは半導体材料を包有し、その抵
抗は測定器が変形するに応じ変化する。通常この種の周知の歪測定器は機械的セ
ンサに対し接着剤を介して機械的に結合されて歪測定器が構成される。特に図１
に示すように、接着剤が機械的センサ２に塗布されて接着層３が形成され、歪測
定器４が接着層３に対し押し付けられ、接着層３は時間の経過と共に硬化する。
図１は一定の割合で描かれていないことは理解されよう。接着剤はエポキシ、ペ
ーストあるいは他の好適な結合化合物あるいは結合剤である。
抗は測定器が変形するに応じ変化する。通常この種の周知の歪測定器は機械的セ
ンサに対し接着剤を介して機械的に結合されて歪測定器が構成される。特に図１
に示すように、接着剤が機械的センサ２に塗布されて接着層３が形成され、歪測
定器４が接着層３に対し押し付けられ、接着層３は時間の経過と共に硬化する。
図１は一定の割合で描かれていないことは理解されよう。接着剤はエポキシ、ペ
ーストあるいは他の好適な結合化合物あるいは結合剤である。
【０００６】 動作を説明するに、力が機械的センサ２に加えられると、機械的センサ２が変
形されて歪測定器４が同様に変形し、この結果電気抵抗が変化する。この抵抗の
変化が測定され、機械的センサ２の歪を測定するように使用される。この抵抗の
変化はまた機械的センサ２の歪あるいは圧力を決定するにも使用できる。この原
理を利用する代表的な装置は力セル、荷重セル、圧力変換器及び加速度計である
。
形されて歪測定器４が同様に変形し、この結果電気抵抗が変化する。この抵抗の
変化が測定され、機械的センサ２の歪を測定するように使用される。この抵抗の
変化はまた機械的センサ２の歪あるいは圧力を決定するにも使用できる。この原
理を利用する代表的な装置は力セル、荷重セル、圧力変換器及び加速度計である
。
【０００７】 歪測定器４の材料は導体金属あるいは半導体材料が使用され得る。半導体材料
は導体金属に比べある一定の歪変化に対し大きな抵抗変化を与えることができる
利点を有している。歪測定装置１においては半導体材料の歪測定器４を金属材料
の機械的センサ２に付設すると、動作中に電気的な短絡あるいは電気漏れが生じ
る。特に接着層３が過度に薄いあるいは不均等に塗布されると短絡若しくは漏洩
が生じる。従って接着層３が機械的センサ２に対し押し付けられ接着層が自然硬
化すると、歪測定器４が機械的センサ２に実際上点接触し、この結果機械的セン
サ２と歪測定器４との間が短絡される。
は導体金属に比べある一定の歪変化に対し大きな抵抗変化を与えることができる
利点を有している。歪測定装置１においては半導体材料の歪測定器４を金属材料
の機械的センサ２に付設すると、動作中に電気的な短絡あるいは電気漏れが生じ
る。特に接着層３が過度に薄いあるいは不均等に塗布されると短絡若しくは漏洩
が生じる。従って接着層３が機械的センサ２に対し押し付けられ接着層が自然硬
化すると、歪測定器４が機械的センサ２に実際上点接触し、この結果機械的セン
サ２と歪測定器４との間が短絡される。
【０００８】 接着層３が接触点の個所が過度に薄い場合、機械的センサ２と歪測定器４との
間に十分な電位差が存在するとき漏れ電流が接着層３を横切って流れる。漏れ電
流を引き起こす電圧は歪測定器４における絶縁破壊電圧である。
間に十分な電位差が存在するとき漏れ電流が接着層３を横切って流れる。漏れ電
流を引き起こす電圧は歪測定器４における絶縁破壊電圧である。
【０００９】 電気的な短絡若しくは漏れ電流を視認するためには、歪測定器４は機械的セン
サ２に対し良好に絶縁される必要がある。まず非絶縁接着剤に対抗して絶縁接着
剤が選択される。従来好適な絶縁を得るため、接着層を形成する充填材料を含ん
だ接着剤が選択される。接着剤の充填材料は通常細かな粉末のような粒状物質で
ある。充填材料を含む接着剤を使用することにより、接着層３の厚さを増大させ
ることにある。接着層３の厚さを増大すると、接着層３の絶縁破壊電圧が高くな
る。絶縁破壊電圧が高くなることにより、接着層３に漏れ電流が流れにくくなる
。
サ２に対し良好に絶縁される必要がある。まず非絶縁接着剤に対抗して絶縁接着
剤が選択される。従来好適な絶縁を得るため、接着層を形成する充填材料を含ん
だ接着剤が選択される。接着剤の充填材料は通常細かな粉末のような粒状物質で
ある。充填材料を含む接着剤を使用することにより、接着層３の厚さを増大させ
ることにある。接着層３の厚さを増大すると、接着層３の絶縁破壊電圧が高くな
る。絶縁破壊電圧が高くなることにより、接着層３に漏れ電流が流れにくくなる
。
【００１０】 充填材料を含む接着剤を用いると絶縁破壊電圧が高くなるが、短絡または漏れ
電流を避けるため充填材料を含む接着剤を一回塗布するだけでは接着層の絶縁破
壊電圧が十分に高くできない。
電流を避けるため充填材料を含む接着剤を一回塗布するだけでは接着層の絶縁破
壊電圧が十分に高くできない。
【００１１】 従来、絶縁を更に高めるためには、充填材料を含む接着剤を２回塗布して接着
層３を形成している。図２においては図１の歪測定装置の部分９の斜視図であり
、接着層３を更に詳示している。接着層３は下塗り層５及び測定被膜層６からな
る。製造中充填材料を含む接着剤の下塗り層５が機械的センサ２に塗布され自然
に硬化される。次に充填材料を含む接着剤の測定被膜層６が下塗り層５に塗布さ
れ、歪測定器４が測定被膜層６に対し押し付けられ、測定被膜層６が自然に硬化
される。このように被膜層を付加すると、接着層３が十分に厚くなり、電気短絡
または漏れ電流が確実に防止される。通常下塗り層５及び測定被膜層６は同一の
材料あるいは同様の材料で作られる。接着層３の厚さは図２ではｔａで示されて
いる。
層３を形成している。図２においては図１の歪測定装置の部分９の斜視図であり
、接着層３を更に詳示している。接着層３は下塗り層５及び測定被膜層６からな
る。製造中充填材料を含む接着剤の下塗り層５が機械的センサ２に塗布され自然
に硬化される。次に充填材料を含む接着剤の測定被膜層６が下塗り層５に塗布さ
れ、歪測定器４が測定被膜層６に対し押し付けられ、測定被膜層６が自然に硬化
される。このように被膜層を付加すると、接着層３が十分に厚くなり、電気短絡
または漏れ電流が確実に防止される。通常下塗り層５及び測定被膜層６は同一の
材料あるいは同様の材料で作られる。接着層３の厚さは図２ではｔａで示されて
いる。
【００１２】 半導体材料の接着層３を用いる図２の公知の歪測定装置１では、接着層３の厚
さｔａが約１．０ミル（２５．４μｍ）である。材料の耐電圧は材料の単位長さ
当たりに生じる絶縁破壊電圧である。図２の歪測定装置３に対し通常使用される
充填材料を含む接着剤の場合、充填材料を含む接着剤の絶縁破壊電圧がミル当た
り約２５０ボルト（２５０Ｖ／ミル；９．８４Ｖ／μｍ）である。従って接着層
３の代表的な絶縁破壊電圧は約２５０ボルト（２５０Ｖ／ミルｘ１．０ミル）で
ある。
さｔａが約１．０ミル（２５．４μｍ）である。材料の耐電圧は材料の単位長さ
当たりに生じる絶縁破壊電圧である。図２の歪測定装置３に対し通常使用される
充填材料を含む接着剤の場合、充填材料を含む接着剤の絶縁破壊電圧がミル当た
り約２５０ボルト（２５０Ｖ／ミル；９．８４Ｖ／μｍ）である。従って接着層
３の代表的な絶縁破壊電圧は約２５０ボルト（２５０Ｖ／ミルｘ１．０ミル）で
ある。
【００１３】 充填材料を含む接着剤を用い第２の接着剤を塗布すると、接着層３の厚さが増
加される。厚さが増大すると接着層３の絶縁破壊電圧が高くなるが、接着層３の
厚さが増大するに応じ機械的性能が減少する。更に充填材料を含む接着剤の充填
材料により接着剤の強さが減少する。接着剤内の充填材料は一環した顆粒サイズ
を有しており、このため接着層３による歪測定器４と機械的センサ２との結合が
一層困難になり、歪測定器４の応力が高くなって歪測定器４と接着層３との間に
空隙が生じる。
加される。厚さが増大すると接着層３の絶縁破壊電圧が高くなるが、接着層３の
厚さが増大するに応じ機械的性能が減少する。更に充填材料を含む接着剤の充填
材料により接着剤の強さが減少する。接着剤内の充填材料は一環した顆粒サイズ
を有しており、このため接着層３による歪測定器４と機械的センサ２との結合が
一層困難になり、歪測定器４の応力が高くなって歪測定器４と接着層３との間に
空隙が生じる。
【００１４】 接着剤を選択するとき、性能パラメータの最適の組み合わせで、例えば最高強
度、最大絶縁破壊電圧及び最大に広い温度範囲の組み合わせで接着剤を選択する
。一方充填材料を含む接着剤を使用する必要性に伴い、歪測定装置１の接着層３
の厚さに対する接着剤の選択の自由度が低減される。更に上述したように接着層
３が増大するに応じ、接着層３の機械的性能が低下する。従って接着剤を選択す
るとき、接着剤の強さ、温度範囲及び絶縁破壊電圧とを勘案し妥協点を見い出し
つつ実現する。
度、最大絶縁破壊電圧及び最大に広い温度範囲の組み合わせで接着剤を選択する
。一方充填材料を含む接着剤を使用する必要性に伴い、歪測定装置１の接着層３
の厚さに対する接着剤の選択の自由度が低減される。更に上述したように接着層
３が増大するに応じ、接着層３の機械的性能が低下する。従って接着剤を選択す
るとき、接着剤の強さ、温度範囲及び絶縁破壊電圧とを勘案し妥協点を見い出し
つつ実現する。
【００１５】 従って接着層３の厚さを増大することによる利点はこの増大に伴う問題点を十
分考慮して調整する必要がある。この結果接着層３により与える電気絶縁性と接
着層３の機械的性能との間の折り合い点を見い出す。充填材料を含む接着剤、重
量％での量、顆粒サイズ、及び接着層３の厚さはこれら好適な折り合い点を考慮
して選択される。通常、図２の歪測定装置１に使用される接着層３の剪断強さは
約３，０００ｐｓｉであり動作温度範囲は約−６０°Ｆ〜２５０°Ｆである。
分考慮して調整する必要がある。この結果接着層３により与える電気絶縁性と接
着層３の機械的性能との間の折り合い点を見い出す。充填材料を含む接着剤、重
量％での量、顆粒サイズ、及び接着層３の厚さはこれら好適な折り合い点を考慮
して選択される。通常、図２の歪測定装置１に使用される接着層３の剪断強さは
約３，０００ｐｓｉであり動作温度範囲は約−６０°Ｆ〜２５０°Ｆである。
【００１６】 従って歪測定器４が半導体材料で作られる歪測定装置１の場合、接着層３の機
械的性能を改良するには充填材料を含む接着剤及び下塗り層５を除去し、同時に
歪測定器４と機械的センサ２との間に十分な電気絶縁を与えることが求められる
。更に下塗り層５を不要にし下塗り層５を塗布する付加工程に関連する時間及び
人件費を削減することが望まれる。
械的性能を改良するには充填材料を含む接着剤及び下塗り層５を除去し、同時に
歪測定器４と機械的センサ２との間に十分な電気絶縁を与えることが求められる
。更に下塗り層５を不要にし下塗り層５を塗布する付加工程に関連する時間及び
人件費を削減することが望まれる。
【００１７】 半導体材料の歪測定器４を製造する周知の技術には、小さなバー状の半導体材
料を好適な形状に機械的あるいは科学的に切断する工程が含まれる。第１の切断
にはダイアモンド鋸が多用され、この結果切断面が粗くなるため、更に機械的あ
るいは科学的手段により再加工する必要がある。科学的切断あるいは形状作りを
行う工程には、切断部材を科学的プールに浸漬する、あるいは同様の方法を行う
工程が含まれる。半導体材料の第１の粗い切断のものを電気条件を満足するよう
に最終のサイズに再加工するには、通常複数の工程が必要となる。この手動切断
及び再加工工程は現在の技術で使用される自動化工程に比べ不十分で不正確であ
る。
料を好適な形状に機械的あるいは科学的に切断する工程が含まれる。第１の切断
にはダイアモンド鋸が多用され、この結果切断面が粗くなるため、更に機械的あ
るいは科学的手段により再加工する必要がある。科学的切断あるいは形状作りを
行う工程には、切断部材を科学的プールに浸漬する、あるいは同様の方法を行う
工程が含まれる。半導体材料の第１の粗い切断のものを電気条件を満足するよう
に最終のサイズに再加工するには、通常複数の工程が必要となる。この手動切断
及び再加工工程は現在の技術で使用される自動化工程に比べ不十分で不正確であ
る。
【００１８】 最終の歪測定装置を半導体バーから取り出すことは費用及び時間がかかる工程
になる。この取出工程は通常手動で行われ、ツイーザ及び拡大装置を用いて最終
の測定器が手で取り出される。人件費及びこの手動取出作業に伴う人為ミスによ
り、コストが更にかさみ、周知の歪測定装置の製造が不十分となる。
になる。この取出工程は通常手動で行われ、ツイーザ及び拡大装置を用いて最終
の測定器が手で取り出される。人件費及びこの手動取出作業に伴う人為ミスによ
り、コストが更にかさみ、周知の歪測定装置の製造が不十分となる。
【００１９】 歪測定器４の抵抗を測定するため、電気配線用のワイヤが半導体材料に直接付
設可能である。またコンタクトパッドが製造され、測定器製造工程の一部として
歪測定装置に付設され、前記の電気配線用のワイヤは次にコンタクトパッドに接
続される。ワイヤの直接接続によりコンタクトパッドの用いる場合より製造工程
数が少なくなるが、コンタクトパッドに接続する場合に比べシリコンに対し直接
接続するよりも困難であり費用がより大になり、またコンタクトパッドにより半
導体材料に対しより信頼性のある電気接続が与えられる。
設可能である。またコンタクトパッドが製造され、測定器製造工程の一部として
歪測定装置に付設され、前記の電気配線用のワイヤは次にコンタクトパッドに接
続される。ワイヤの直接接続によりコンタクトパッドの用いる場合より製造工程
数が少なくなるが、コンタクトパッドに接続する場合に比べシリコンに対し直接
接続するよりも困難であり費用がより大になり、またコンタクトパッドにより半
導体材料に対しより信頼性のある電気接続が与えられる。
【００２０】 歪測定器４の製造および取出しに関し上述した周知の手作業に伴う不正確さの
低減及び費用を低減することが望ましい。
低減及び費用を低減することが望ましい。
【００２１】 機械的センサ２が約０．０１０インチ（２．５４μｍ）の厚さを有する場合、
上述の技術を用いて製造された従来の歪測定装置１に使用される歪測定器４は約
０．０００５インチ（１２．７μｍ）の厚さを有している。上述したように、代
表的な接着層３の厚さは約０．００１０インチ（２５．４μｍ）である。従って
周知の歪測定装置１の場合歪測定器４と接着層３との総合厚さは約０．００１５
インチ（３８．１μｍ）にはる。
上述の技術を用いて製造された従来の歪測定装置１に使用される歪測定器４は約
０．０００５インチ（１２．７μｍ）の厚さを有している。上述したように、代
表的な接着層３の厚さは約０．００１０インチ（２５．４μｍ）である。従って
周知の歪測定装置１の場合歪測定器４と接着層３との総合厚さは約０．００１５
インチ（３８．１μｍ）にはる。
【００２２】 歪測定器４及び接着層３の厚さを減少して歪測定装置１の機械的性能を向上さ
せることも望ましい。
せることも望ましい。
【００２３】 （発明の開示） 本発明は周知の半導体製造技術を利用し製造された絶縁層を含む絶縁歪測定器
である。
である。
【００２４】 本発明の一の実施形態によれば、半導体材料層と絶縁材料層とを備え、第１の
絶縁層の側部が半導体材料層の側部と隣接する絶縁歪測定器が提供される。
絶縁層の側部が半導体材料層の側部と隣接する絶縁歪測定器が提供される。
【００２５】 本発明の別の実施形態によれば機械的センサと、少なくとも１の絶縁歪測定器
と、回路とを備え、力の付加により生じる物体変形を電気信号に変換して物体の
歪を測定する装置が提供される。絶縁歪測定器は絶縁層を含み、機械的センサに
接着される。回路は絶縁歪測定器に接続され、絶縁歪測定器の電気値を示す信号
を入力する。
と、回路とを備え、力の付加により生じる物体変形を電気信号に変換して物体の
歪を測定する装置が提供される。絶縁歪測定器は絶縁層を含み、機械的センサに
接着される。回路は絶縁歪測定器に接続され、絶縁歪測定器の電気値を示す信号
を入力する。
【００２６】 （発明を実施するための最良の形態） 図面は図示のためにのみに供されたものであり、本発明を制限するものではな
いことは理解されよう。本発明の上述の目的及び他の利点は添付図面に沿っての
以下の詳細な説明から明らかとなろう。
いことは理解されよう。本発明の上述の目的及び他の利点は添付図面に沿っての
以下の詳細な説明から明らかとなろう。
【００２７】 図３は本発明による絶縁歪測定器２２の一の実施形態を示す。絶縁歪測定器２
２には半導体材料層３３に対し隣接し接触する絶縁材料層３２が含まれる。この
明細書で用いる「絶縁歪測定器」とは絶縁基板上に半導体材料層をモノリシック
状に一体に配置したものを指す。
２には半導体材料層３３に対し隣接し接触する絶縁材料層３２が含まれる。この
明細書で用いる「絶縁歪測定器」とは絶縁基板上に半導体材料層をモノリシック
状に一体に配置したものを指す。
【００２８】 図３の実施形態では、絶縁材料はＳｉＯ２からなるが、絶縁歪測定器に使用さ
れるものと同一あるいは同様の物理的及び絶縁特性を有する当業者に周知の他の
絶縁材料も使用可能である。また図３の実施形態では、絶縁材料層３２が厚さｔ
ｉ１が約２．０μｍ及び耐電圧が約５００Ｖ／μｍである。これらのパラメータ
を持つ場合絶縁破壊電圧が約１０００Ｖとなる。絶縁材料層３２は絶縁歪測定器
２２が歪測定装置の一部をなすとき（以下詳述する）絶縁歪測定器２２に対する
一体の絶縁体として機能する。
れるものと同一あるいは同様の物理的及び絶縁特性を有する当業者に周知の他の
絶縁材料も使用可能である。また図３の実施形態では、絶縁材料層３２が厚さｔ
ｉ１が約２．０μｍ及び耐電圧が約５００Ｖ／μｍである。これらのパラメータ
を持つ場合絶縁破壊電圧が約１０００Ｖとなる。絶縁材料層３２は絶縁歪測定器
２２が歪測定装置の一部をなすとき（以下詳述する）絶縁歪測定器２２に対する
一体の絶縁体として機能する。
【００２９】 図３の実施形態の場合シリコンの電気特性は当業者には周知であり従来の製造
技術はシリコンの使用を企図して提供されているので、半導体材料はシリコンで
ある。また当業者に周知なゲルマニウムあるいは他の好適な半導体材料も半導体
材料として使用可能である。且つ図３の実施形態では半導体材料層３３の厚さｔ
ｓが約２．０μｍにされる。従って図３の実施形態の場合絶縁歪測定器２２の厚
さが絶縁材料層３２と半導体材料層３３の総合厚さにされ約４．０μｍである。
あるいは半導体材料層３３の厚さは２．０μｍより小さくできよう。例えば半導
体材料層３３の厚さｔｓは約１．０μｍにできよう。一方この厚さの場合、より
精度の高い加工公差を得るにはより高い修正が行われ得る半導体製造装置が必要
となる。例えば代表的な半導体製造装置の公差は１．０μｍの５０％に当たる±
０．５μｍであり、より修正度の高い製造装置が望まれる。
技術はシリコンの使用を企図して提供されているので、半導体材料はシリコンで
ある。また当業者に周知なゲルマニウムあるいは他の好適な半導体材料も半導体
材料として使用可能である。且つ図３の実施形態では半導体材料層３３の厚さｔ
ｓが約２．０μｍにされる。従って図３の実施形態の場合絶縁歪測定器２２の厚
さが絶縁材料層３２と半導体材料層３３の総合厚さにされ約４．０μｍである。
あるいは半導体材料層３３の厚さは２．０μｍより小さくできよう。例えば半導
体材料層３３の厚さｔｓは約１．０μｍにできよう。一方この厚さの場合、より
精度の高い加工公差を得るにはより高い修正が行われ得る半導体製造装置が必要
となる。例えば代表的な半導体製造装置の公差は１．０μｍの５０％に当たる±
０．５μｍであり、より修正度の高い製造装置が望まれる。
【００３０】 図３の実施形態の場合半導体材料層３３にはボロンイオンがドーピングされる
。あるいはｐタイプの導電性の他の不純物がドーパントとして使用可能である。
また半導体材料層３３の所望の極性、抵抗性及び熱特性によりｎタイプのドーパ
ントも使用可能であることは半導体製造の当業者には容易に理解されよう。使用
する不純物の量により、半導体材料層の抵抗性、あるいは逆に導電性が決まる。
図３の実施形態の場合ドーピング量は絶縁歪測定器２２の所望電気特性にしたが
って変動されるが、半導体材料には約０．１２Ω−ｃｍの抵抗性を与える量の不
純物がドーピングされる。
。あるいはｐタイプの導電性の他の不純物がドーパントとして使用可能である。
また半導体材料層３３の所望の極性、抵抗性及び熱特性によりｎタイプのドーパ
ントも使用可能であることは半導体製造の当業者には容易に理解されよう。使用
する不純物の量により、半導体材料層の抵抗性、あるいは逆に導電性が決まる。
図３の実施形態の場合ドーピング量は絶縁歪測定器２２の所望電気特性にしたが
って変動されるが、半導体材料には約０．１２Ω−ｃｍの抵抗性を与える量の不
純物がドーピングされる。
【００３１】 図４ａ及び図４ｂは本発明による絶縁歪測定器２３の一の実施形態を示す。図
４ｂは図４ａの線ａ−ａに沿って切断した側面断面図である。絶縁歪測定器２３
は絶縁歪測定器２２を含み、別の絶縁材料層３０及び導電性のコンタクトパッド
３１が付加される。絶縁材料層３０が半導体材料層３３の側部及び頂部と隣接す
ることは図４ａ及び図４ｂから理解されよう。更にコンタクトパッド３１は絶縁
材料層３０の頂側部から絶縁材料層３０の底側部へ延び、そこでコンタクトパッ
ド３１は半導体材料層３３と接触している。
４ｂは図４ａの線ａ−ａに沿って切断した側面断面図である。絶縁歪測定器２３
は絶縁歪測定器２２を含み、別の絶縁材料層３０及び導電性のコンタクトパッド
３１が付加される。絶縁材料層３０が半導体材料層３３の側部及び頂部と隣接す
ることは図４ａ及び図４ｂから理解されよう。更にコンタクトパッド３１は絶縁
材料層３０の頂側部から絶縁材料層３０の底側部へ延び、そこでコンタクトパッ
ド３１は半導体材料層３３と接触している。
【００３２】 図４の実施形態の場合、絶縁材料層３０は絶縁材料層３２と同じＳｉＯ２から
なるが、絶縁歪測定器２３に使用するものと同じあるいは同様な物理的及び絶縁
特性を有する当業者に周知な他の絶縁材料も使用できる。また図４の実施形態で
は、絶縁材料層３２は頂側部の厚さｔｉ２及び横側部の厚さｔｉ３は共に約２．
０μｍである。従って図４の実施形態の場合、絶縁歪測定器２３の厚さが絶縁材
料層３２、半導体材料層３３及び絶縁材料層３０の統合厚さにされ、約６．０μ
ｍである。
なるが、絶縁歪測定器２３に使用するものと同じあるいは同様な物理的及び絶縁
特性を有する当業者に周知な他の絶縁材料も使用できる。また図４の実施形態で
は、絶縁材料層３２は頂側部の厚さｔｉ２及び横側部の厚さｔｉ３は共に約２．
０μｍである。従って図４の実施形態の場合、絶縁歪測定器２３の厚さが絶縁材
料層３２、半導体材料層３３及び絶縁材料層３０の統合厚さにされ、約６．０μ
ｍである。
【００３３】 図４の実施形態ではコンタクトパッド３１の導電材料はアルミニウムである。
あるいは半導体製造の当業者には周知である他の導電材料、特に高い電気導電率
及び熱抵抗を有する金属も好適に使用できる。これらのコンタクトパッド３１は
絶縁歪測定器２３を例えばワイヤ結合部を有する電気回路との接続に使用可能で
ある。
あるいは半導体製造の当業者には周知である他の導電材料、特に高い電気導電率
及び熱抵抗を有する金属も好適に使用できる。これらのコンタクトパッド３１は
絶縁歪測定器２３を例えばワイヤ結合部を有する電気回路との接続に使用可能で
ある。
【００３４】 絶縁歪測定器２３の当て以降はｒ＝（αｘｌａ）／（ｗｘｔ）２であり、ここ
にαは半導体材料層３３の抵抗率、ｌａは半導体材料層３３の活性長、ｗは半導
体材料層３３の幅であり、ｔｓは厚さである。活性長はコンタクトパッド３１間
の半導体材料層３３の長さである。図４の実施形態では半導体材料層３３は抵抗
が５，０００Ωであり、厚さｔｉが２．０μｍ及び抵抗率σが０．１２Ω−ｃｍ
であり、この場合半導体材料層３３の幅ｗ及び活性長ｌｓは５０００Ωの抵抗を
与えるよう構成され得る。無論これらのパラメータの一部を変更して所望のサイ
ズ及び形状並びに所望の電気的及び機械的特性を有する絶縁歪測定器を製造する
ように、製造法は変更可能である。
にαは半導体材料層３３の抵抗率、ｌａは半導体材料層３３の活性長、ｗは半導
体材料層３３の幅であり、ｔｓは厚さである。活性長はコンタクトパッド３１間
の半導体材料層３３の長さである。図４の実施形態では半導体材料層３３は抵抗
が５，０００Ωであり、厚さｔｉが２．０μｍ及び抵抗率σが０．１２Ω−ｃｍ
であり、この場合半導体材料層３３の幅ｗ及び活性長ｌｓは５０００Ωの抵抗を
与えるよう構成され得る。無論これらのパラメータの一部を変更して所望のサイ
ズ及び形状並びに所望の電気的及び機械的特性を有する絶縁歪測定器を製造する
ように、製造法は変更可能である。
【００３５】 本発明の一の実施形態によれば、絶縁歪測定器２２あるいは２３を製造するた
めに周知の半導体製造技術を援用できる。特に絶縁材料層３０、３２及び半導体
材料層３３の形成、半導体材料層３３のドーピング処理、絶縁材料層３０におけ
る開口部形成のためのエッチング処理、及び開口部を導電材料による充填によっ
てコンタクトパッド３１の形成に半導体製造の当業者に周知な方法を援用できる
。
めに周知の半導体製造技術を援用できる。特に絶縁材料層３０、３２及び半導体
材料層３３の形成、半導体材料層３３のドーピング処理、絶縁材料層３０におけ
る開口部形成のためのエッチング処理、及び開口部を導電材料による充填によっ
てコンタクトパッド３１の形成に半導体製造の当業者に周知な方法を援用できる
。
【００３６】 自動半導体製造法の精度が高いので、周知の歪測定器４及び接着層３を形成す
るために使用される周知の手動歪測定装置の手動製造法に比べ、絶縁材料層３２
、３０及び半導体材料層３３を極めて均一且つ正確に形成できる。更に自動半導
体製造法を用いることにより、シリコンブロックの手動再加工またはブロックか
ら個別の歪測定器の取出に伴う従来の製造人件費を割愛でき、歪測定器の製造費
が低減され得る。
るために使用される周知の手動歪測定装置の手動製造法に比べ、絶縁材料層３２
、３０及び半導体材料層３３を極めて均一且つ正確に形成できる。更に自動半導
体製造法を用いることにより、シリコンブロックの手動再加工またはブロックか
ら個別の歪測定器の取出に伴う従来の製造人件費を割愛でき、歪測定器の製造費
が低減され得る。
【００３７】 図５は本発明による絶縁歪測定器２３あるいは絶縁歪測定器２２を含む歪測定
装置２０の一部の一の実施形態を示す。歪測定装置２０は図１に示される周知の
歪測定装置１の機械的センサ２と同一あるいは同様の機械的センサ２を含んでい
る。歪測定装置２０はまた接着層２１及び絶縁歪測定器２３を包有する。絶縁歪
測定器２３の一体の絶縁材料層３２により、図１の周知の歪測定装置１より優れ
た利点を有する歪測定装置２０が製造される。
装置２０の一部の一の実施形態を示す。歪測定装置２０は図１に示される周知の
歪測定装置１の機械的センサ２と同一あるいは同様の機械的センサ２を含んでい
る。歪測定装置２０はまた接着層２１及び絶縁歪測定器２３を包有する。絶縁歪
測定器２３の一体の絶縁材料層３２により、図１の周知の歪測定装置１より優れ
た利点を有する歪測定装置２０が製造される。
【００３８】 歪測定装置２０では絶縁材料層３２により絶縁歪測定器２３が機械的センサ２
から絶縁される。上述したように絶縁材料層３２は約１０００Ｖの絶縁破壊電圧
を有する。これは周知の歪測定装置１に対し絶縁を与える接着層３の絶縁破壊電
圧５００Ｖより優れている。
から絶縁される。上述したように絶縁材料層３２は約１０００Ｖの絶縁破壊電圧
を有する。これは周知の歪測定装置１に対し絶縁を与える接着層３の絶縁破壊電
圧５００Ｖより優れている。
【００３９】 周知の歪測定装置１の場合、接着層３により歪測定器４が機械的センサ２から
絶縁される。本発明によれば絶縁材料層３２により、絶縁歪測定器２３の半導体
材料層３３が機械的センサ２から絶縁される。従って絶縁構成を与えるために接
着層２１は不要になる。従って接着層２１はその絶縁特性に関係なくその機械的
性能に対してのみ選択できる。更に絶縁材料層３２の絶縁破壊電圧が高いので、
充填材料を含む接着剤を用いて接着層２１の絶縁破壊電圧を増加し、上述したよ
うに接着層３に高い接着特性及び一貫性を与える必要がなくなる。従って接着層
２１に対し選択される接着剤は充填剤を含まない接着剤にし得、これにより接着
層２１の接着特性が向上される。
絶縁される。本発明によれば絶縁材料層３２により、絶縁歪測定器２３の半導体
材料層３３が機械的センサ２から絶縁される。従って絶縁構成を与えるために接
着層２１は不要になる。従って接着層２１はその絶縁特性に関係なくその機械的
性能に対してのみ選択できる。更に絶縁材料層３２の絶縁破壊電圧が高いので、
充填材料を含む接着剤を用いて接着層２１の絶縁破壊電圧を増加し、上述したよ
うに接着層３に高い接着特性及び一貫性を与える必要がなくなる。従って接着層
２１に対し選択される接着剤は充填剤を含まない接着剤にし得、これにより接着
層２１の接着特性が向上される。
【００４０】 絶縁材料層３２は絶縁破壊電圧が高く且つ均等になるよう塗布され、電気的短
絡あるいは電気漏洩を防止するために下塗り層は不要になる。上述したように下
塗り層５により接着層３の機械的センサが劣化するので、下塗り層５が不要にな
ることにより接着層２１の機械的性能がより改善される。
絡あるいは電気漏洩を防止するために下塗り層は不要になる。上述したように下
塗り層５により接着層３の機械的センサが劣化するので、下塗り層５が不要にな
ることにより接着層２１の機械的性能がより改善される。
【００４１】 従って充填材料を含まない非絶縁性の接着剤を選択可能であり、下塗り層が不
要になって、接着層２１の強さは周知の歪測定装置１の接着層３より優れている
。図５の実施形態の場合接着層２１は剪断強さが３，０００〜５，０００ｐｓｉ
の間にあり、動作温度範囲が約−６０°Ｆ〜２５７°Ｆの間である。
要になって、接着層２１の強さは周知の歪測定装置１の接着層３より優れている
。図５の実施形態の場合接着層２１は剪断強さが３，０００〜５，０００ｐｓｉ
の間にあり、動作温度範囲が約−６０°Ｆ〜２５７°Ｆの間である。
【００４２】 充填材料を含まない非絶縁性の接着剤を使用できるので、接着層２１の厚さが
大幅に減少される。周知の歪測定装置１の接着層３の厚さが約２５．４μｍであ
るのに比べ、接着層２１は厚さが約６．０μｍである。また図５の好適な実施形
態では、絶縁歪測定器２２あるいは２３の厚さが各々約４．０μｍあるいは６．
０μｍである。従って絶縁歪測定器２２あるいは２３と接着層２１との総合厚さ
はそれぞれ１０．０μｍあるいは１２．０μｍであり、周知の歪測定器４および
接着層３の総合厚さ３８．１μｍの６６％になる。このように厚さが減少される
ことにより、歪測定装置２０の機械的性能が向上され得る。
大幅に減少される。周知の歪測定装置１の接着層３の厚さが約２５．４μｍであ
るのに比べ、接着層２１は厚さが約６．０μｍである。また図５の好適な実施形
態では、絶縁歪測定器２２あるいは２３の厚さが各々約４．０μｍあるいは６．
０μｍである。従って絶縁歪測定器２２あるいは２３と接着層２１との総合厚さ
はそれぞれ１０．０μｍあるいは１２．０μｍであり、周知の歪測定器４および
接着層３の総合厚さ３８．１μｍの６６％になる。このように厚さが減少される
ことにより、歪測定装置２０の機械的性能が向上され得る。
【００４３】 絶縁歪測定器２２あるいは２３は力セル、荷重セル、圧力変換器及び加速度計
のような当業者に周知の各種の装置の一部として使用可能である。絶縁歪測定器
２２および２３の組み合わせは機械的装置に作用する力を測定する電気回路と組
み合わせて使用可能である。
のような当業者に周知の各種の装置の一部として使用可能である。絶縁歪測定器
２２および２３の組み合わせは機械的装置に作用する力を測定する電気回路と組
み合わせて使用可能である。
【００４４】 図６ａ及び図６ｂは機械的センサであるビーム部材４０と組み合わせて使用さ
れる一対の絶縁歪測定器４１、４２の一の実施形態を示す。各絶縁歪測定器４１
、４２は絶縁歪測定器２２あるいは２３のいずれかにできる。図６ａは休止状態
の実施形態を、図６ｂはビーム部材４０に力Ｆを加えた状態を示す。力Ｆにより
ビーム部材４０が曲がり、ビーム部材４０に歪が生じる。この曲げのため歪測定
器４２が引張りを受けたりあるいは絶縁歪測定器４１が圧縮される。このため絶
縁歪測定器４１は圧縮測定器と、また絶縁歪測定器４２は引張測定器とも呼ばれ
る。
れる一対の絶縁歪測定器４１、４２の一の実施形態を示す。各絶縁歪測定器４１
、４２は絶縁歪測定器２２あるいは２３のいずれかにできる。図６ａは休止状態
の実施形態を、図６ｂはビーム部材４０に力Ｆを加えた状態を示す。力Ｆにより
ビーム部材４０が曲がり、ビーム部材４０に歪が生じる。この曲げのため歪測定
器４２が引張りを受けたりあるいは絶縁歪測定器４１が圧縮される。このため絶
縁歪測定器４１は圧縮測定器と、また絶縁歪測定器４２は引張測定器とも呼ばれ
る。
【００４５】 図６の実施形態の場合、２個のワイヤ接続部４１Ａ、４１Ｂがそれぞれ圧縮測
定器４１の一端部に接続され、一方２個のワイヤ接続部４２Ａ、４２Ｂがそれぞ
れ引張り測定器４２の一端部に接続される。絶縁歪測定器４１あるいは４２が絶
縁歪測定器２３の実施形態である場合、ワイヤ接続部がコンタクトパッド４３に
接続されている。ワイヤ接続部上の信号は各歪測定装置の抵抗変化を示す。図６
では絶縁歪測定器４１の抵抗が減少し、絶縁歪測定器４２の抵抗が増大する。こ
れらのワイヤ接続部は抵抗変化の関数としてビーム部材４０の歪を計算する回路
の一部として形成可能である。
定器４１の一端部に接続され、一方２個のワイヤ接続部４２Ａ、４２Ｂがそれぞ
れ引張り測定器４２の一端部に接続される。絶縁歪測定器４１あるいは４２が絶
縁歪測定器２３の実施形態である場合、ワイヤ接続部がコンタクトパッド４３に
接続されている。ワイヤ接続部上の信号は各歪測定装置の抵抗変化を示す。図６
では絶縁歪測定器４１の抵抗が減少し、絶縁歪測定器４２の抵抗が増大する。こ
れらのワイヤ接続部は抵抗変化の関数としてビーム部材４０の歪を計算する回路
の一部として形成可能である。
【００４６】 図７はホイートストーンブリッジ回路５０を含む回路の一例を示す。ホイート
ストーンブリッジ回路は抵抗の小さな変化を正確に測定するに理想的である。第
１の実施形態では、絶縁歪測定器４１、４２が入力電圧Ｖｉに対し直列にまた出
力電圧Ｖｏに対し並列に接続される。励起信号により数ボルト台の入力電圧Ｖｉ
が発生される。この回路は圧力変換器あるいは機械・電気変換装置の一部をなす
よう構成可能になろう。
ストーンブリッジ回路は抵抗の小さな変化を正確に測定するに理想的である。第
１の実施形態では、絶縁歪測定器４１、４２が入力電圧Ｖｉに対し直列にまた出
力電圧Ｖｏに対し並列に接続される。励起信号により数ボルト台の入力電圧Ｖｉ
が発生される。この回路は圧力変換器あるいは機械・電気変換装置の一部をなす
よう構成可能になろう。
【００４７】 図４の実施形態において説明したように、絶縁歪測定器２３あるいは絶縁歪測
定器２２の抵抗は約５，０００Ωである。従って絶縁歪測定器４１、４２のそれ
ぞれの抵抗は約５，０００Ωである。このような高いインピーダンス及び数ボル
ト台の入力電圧の場合、出力電圧Ｖｏはミリボルト台になる。図７の実施形態の
場合、増幅回路５１は出力電圧Ｖｏと接続されて所望の範囲の出力電圧Ｖａが発
生される。
定器２２の抵抗は約５，０００Ωである。従って絶縁歪測定器４１、４２のそれ
ぞれの抵抗は約５，０００Ωである。このような高いインピーダンス及び数ボル
ト台の入力電圧の場合、出力電圧Ｖｏはミリボルト台になる。図７の実施形態の
場合、増幅回路５１は出力電圧Ｖｏと接続されて所望の範囲の出力電圧Ｖａが発
生される。
【００４８】 周知の半導体ウエハー技術を用いると、絶縁歪測定器２３が特に集積回路内、
例えば用途が特定集積回路（ＡＳＩＣ）で有用にされる。従って図７の回路はＡ
ＳＩＣとして製造され得る。
例えば用途が特定集積回路（ＡＳＩＣ）で有用にされる。従って図７の回路はＡ
ＳＩＣとして製造され得る。
【００４９】 本発明の少なくとも一の図示実施形態を図に沿って説明したが、各種の変更、
設計変更、改良も当業者に容易に理解されよう。このような変更、設計変更、改
良は本発明の精神及び範囲内にある。従って上述では例示して説明したが、本発
明は例示により制限されるものではない。本発明は添付の請求項及びその等価物
によって定義されるものにのみ制限される。
設計変更、改良も当業者に容易に理解されよう。このような変更、設計変更、改
良は本発明の精神及び範囲内にある。従って上述では例示して説明したが、本発
明は例示により制限されるものではない。本発明は添付の請求項及びその等価物
によって定義されるものにのみ制限される。
【図１】 図１は従来の歪測定装置の側面図である。
【図２】 図２は図１の従来の歪測定装置の一部を断面で示す斜視図である。
【図３】 図３は本発明による絶縁歪測定器の一の実施形態の斜視図である。
【図４ａ】 図４ａは本発明による絶縁歪測定器の別の実施形態の斜視図である。
【図４ｂ】 図４ｂは図４ａの絶縁歪測定器の断面図である。
【図５】 図５は図４ａ及び図４ｂの絶縁歪測定器及び接着層を含む歪測定装置の側面図
である。
である。
【図６ａ】 図６ａは休止中の本発明による歪測定装置の側面図である。
【図６ｂ】 図６ｂは歪を受けている本発明の歪測定装置の側面図である。
【図７】 図７は本発明による増幅回路に接続された２個の絶縁歪測定器を有するホイー
トストーンブリッジ回路の簡略図である。
トストーンブリッジ回路の簡略図である。
Claims (37)
- 【請求項１】 半導体材料からなる半導体材料層と、第１の絶縁材料を有す
る第１の絶縁材料層とを備え、第１の絶縁材料層の第１の側部が半導体材料層の
第１の側部に隣接して配置されてなる絶縁歪測定器。 - 【請求項２】 半導体材料層の第２の側部と隣接する第２の絶縁材料を有す
る第２の絶縁材料層を備え、第２の絶縁層の第１の側部が半導体層の第２の側部
に隣接して配置されてなる請求項１記載の絶縁歪測定器。 - 【請求項３】 第２の絶縁材料層は第１及び第２の開口部を含み、第１及び
第２の開口部が第２の絶縁材料層の第１の側部から第２の絶縁材料層の第２の側
部へ延びるように形成される請求項２記載の絶縁歪測定器。 - 【請求項４】 更に第１のコンタクトパッド及び第２のコンタクトパッドと
を備え、第１及び第２のコンタクトパッドはそれぞれ半導体材料層の第２の側部
と隣接する第１及び第２の開口部が充填されてなる請求項３記載の絶縁歪測定器
。 - 【請求項５】 第１及び第２のコンタクトパッドがアルミニウムで作成され
てなる請求項４記載の絶縁歪測定器。 - 【請求項６】 絶縁材料を有する第２の層が半導体材料層の第３及び第４の
側部と隣接されてなる請求項２記載の絶縁歪測定器。 - 【請求項７】 第１の絶縁材料がＳｉＯ２である請求項１記載の絶縁歪測定
器。 - 【請求項８】 半導体材料がシリコンでなる請求項１記載の絶縁歪測定器。
- 【請求項９】 シリコンが第１の導電型である請求項８記載の絶縁歪測定器
。 - 【請求項１０】 シリコンがｐ型ドーピングされてなる請求項８記載の絶縁
歪測定器。 - 【請求項１１】 シリコンがボロンでドーピングされてなる請求項８記載の
絶縁歪測定器。 - 【請求項１２】 シリコンがｎ型ドーピングされてなる請求項８記載の絶縁
歪測定器。 - 【請求項１３】 半導体材料がゲルマニウムでなる請求項１記載の絶縁歪測
定器。 - 【請求項１４】 絶縁歪測定器が機械的センサに接着されてなる請求項１記
載の絶縁歪測定器。 - 【請求項１５】 絶縁歪測定器が充填材料を含まない接着剤により機械的セ
ンサに接着されてなる請求項１４記載の絶縁歪測定器。 - 【請求項１６】 接着剤の厚さが約６．０μｍである請求項１５記載の絶縁
歪測定器。 - 【請求項１７】 第１の絶縁材料層の厚さが１．５μｍ〜２．５μｍの範囲
内にされてなる請求項１記載の絶縁歪測定器。 - 【請求項１８】 絶縁歪測定器の厚さが約６．０μｍでなる請求項２記載の
絶縁歪測定器。 - 【請求項１９】 第１の絶縁材料層の厚さが０．５μｍ〜１．５μｍの範囲
内にされてなる請求項１記載の絶縁歪測定器。 - 【請求項２０】 絶縁歪測定器の厚さが約４．０μｍである請求項１記載の
絶縁歪測定器。 - 【請求項２１】 第１の絶縁材料及び第２の絶縁材料が同じ材料でなる請求
項２記載の絶縁歪測定器。 - 【請求項２２】 印加力を受けるセンサと、センサに接着された少なくとも
一の絶縁歪測定器と、少なくとも一の絶縁歪測定器と接続され少なくとも一の絶
縁歪測定器の電気値を示す信号を入力する回路とを備え、少なくとも一の絶縁歪
測定器が絶縁材料層を含み、力の付与により生じる物体の変形を電気信号に変換
することにより物体の歪を測定する装置。 - 【請求項２３】 少なくとも１の絶縁歪測定器が絶縁材料層の第１の側部と
隣接する半導体材料層を含んでなる請求項２２記載の装置。 - 【請求項２４】 絶縁材料層の第２の側部がセンサと隣接されてなる請求項
２３記載の装置。 - 【請求項２５】 少なくとも一の絶縁歪測定器の厚さが約６．０μｍである
請求項２４記載の装置。 - 【請求項２６】 回路が少なくとも一の絶縁歪測定器の第１の端部と接続さ
れ、少なくとも一の絶縁歪測定器の第２の端部と接続され、少なくとも一の絶縁
歪測定器の第１の端部から少なくとも一の絶縁歪測定器の第２の端部への抵抗変
化を測定する請求項２２記載の装置。 - 【請求項２７】 センサに接着される複数の絶縁歪測定器を備え、複数の絶
縁歪測定器の各々が１個の絶縁部材を含んでなる請求項２２記載の装置。 - 【請求項２８】 複数の絶縁歪測定器が電気的に直列に接続されてなる請求
項２７記載の装置。 - 【請求項２９】 回路がホイートストーンブリッジ回路を含み、第１及び第
２の歪測定器がホイートストーンブリッジ回路の隣接する脚部の抵抗器でなり、
第１及び第２の歪測定器が入力励起に対し直列に、出力端子に対し並列に接続さ
れてなる請求項２７記載の装置。 - 【請求項３０】 装置が圧力変換器である請求項２９記載の装置。
- 【請求項３１】 回路が出力端子と接続される増幅素子を含む請求項３０記
載の装置。 - 【請求項３２】 回路は用途が特定の集積回路である請求項２８記載の装置
。 - 【請求項３３】 絶縁歪測定器が充填材料を含まない接着剤によりセンサに
対し接着されてなる請求項２８記載の装置。 - 【請求項３４】 接着剤の厚さが約６．０μｍである請求項３３記載の装置
。 - 【請求項３５】 絶縁歪測定器の厚さが約４．０μｍでなる請求項２４記載
の装置。 - 【請求項３６】 電気値が少なくとも一の絶縁歪測定器の抵抗値である請求
項２２記載の装置。 - 【請求項３７】 半導体材料を有する層を絶縁基板上に配置しモノリシック
的に形成したものである絶縁歪測定器。
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