JPS6116605A - 可変利得増幅回路 - Google Patents
可変利得増幅回路Info
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- JPS6116605A JPS6116605A JP59136683A JP13668384A JPS6116605A JP S6116605 A JPS6116605 A JP S6116605A JP 59136683 A JP59136683 A JP 59136683A JP 13668384 A JP13668384 A JP 13668384A JP S6116605 A JPS6116605 A JP S6116605A
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- AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N chromium dioxide Chemical compound O=[Cr]=O AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3005—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in amplifiers suitable for low-frequencies, e.g. audio amplifiers
- H03G3/301—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in amplifiers suitable for low-frequencies, e.g. audio amplifiers the gain being continuously variable
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- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は可変利得増幅回路に係り、特にビデオ信号等の
如き高周波信号を広帯域にかつ高精度に可変増幅するに
好適な可変利得増幅回路に関するものである。
如き高周波信号を広帯域にかつ高精度に可変増幅するに
好適な可変利得増幅回路に関するものである。
この種の可変利得増幅回路としては、「アナログ集積回
路、Ｐ２３１〜Ｐ２５２．ＡｌａｎＢ。
路、Ｐ２３１〜Ｐ２５２．ＡｌａｎＢ。
Ｇｒｅｂｅｎｅ 著、中沢修治、他訳」に詳述されて
いるような掛算器が挙げられる。かかる掛算器は、要す
るに、それの出力が２つの入力信号の積になる機能を有
しているものでおる。つまり、掛算器は、その出力をＺ
とし、２つの入力を特徴とする特許 Ｚ＝ＫＸＹ ・・・・・・・・・・・・（
１）が成立する回路である。ただし、ここで、Ｋは定数
である。しかし、上記α）式が成立する掛算器を可変利
得増幅回路として用いるときは、例えばＸをビデオ入力
信号としたときに、信号Ｙをもって利得を可変するもの
である。
いるような掛算器が挙げられる。かかる掛算器は、要す
るに、それの出力が２つの入力信号の積になる機能を有
しているものでおる。つまり、掛算器は、その出力をＺ
とし、２つの入力を特徴とする特許 Ｚ＝ＫＸＹ ・・・・・・・・・・・・（
１）が成立する回路である。ただし、ここで、Ｋは定数
である。しかし、上記α）式が成立する掛算器を可変利
得増幅回路として用いるときは、例えばＸをビデオ入力
信号としたときに、信号Ｙをもって利得を可変するもの
である。
第８図は上記掛算器の一具体例を示す回路図である。第
８図に示す掛算器は、トランジスタＱ１〜Ｑ３を用い、
トランジスタＱ１．Ｑ！の両エミッタをトランジスタＱ
８のコレクタに接続し、トランジスタＱ３のエミッタを
抵抗Ｒｍを介して接地、ｐ、）ランジスタＱｌ 、（ｈ
の各コレクタをそれぞれ抵抗Ｒｒｘ、ｌ＊ Ｒｔ、ｚ
（ＲＬＩ ＝Ｒす＝Ｒ，ｔ、）を介して電源Ｖｃｃに接
続し、トランジスタＱｔ 、 Ｑｚの各ベースに入力信
号ＶＩを加えると共に、トランジスタＱ３のベース・接
地間に入力信号ｖ２を印加し、トランジスタＱ１．Ｑｘ
の両コレクタから出力信号Ｖｏを取シ出すようにしたも
のである。
８図に示す掛算器は、トランジスタＱ１〜Ｑ３を用い、
トランジスタＱ１．Ｑ！の両エミッタをトランジスタＱ
８のコレクタに接続し、トランジスタＱ３のエミッタを
抵抗Ｒｍを介して接地、ｐ、）ランジスタＱｌ 、（ｈ
の各コレクタをそれぞれ抵抗Ｒｒｘ、ｌ＊ Ｒｔ、ｚ
（ＲＬＩ ＝Ｒす＝Ｒ，ｔ、）を介して電源Ｖｃｃに接
続し、トランジスタＱｔ 、 Ｑｚの各ベースに入力信
号ＶＩを加えると共に、トランジスタＱ３のベース・接
地間に入力信号ｖ２を印加し、トランジスタＱ１．Ｑｘ
の両コレクタから出力信号Ｖｏを取シ出すようにしたも
のである。
このような構成になる掛算器は集積回路化するのに適し
ているため、よく用いられている。しかして、上記掛算
器は、熱電圧ＶＴに対してＶ？＞ｖＩの関係が成立して
おり、かつトランジスタＱ３のエミッタに流れる電流を
工にとしたときに、入力電圧ｖ２との間ＶｃＶ ２中Ｌ
ｓＲｍが成立していると、 Ｒｈ’ Ｖｏ ＝ （） ＶＩＶ＊ ・・・・・・・・
・・・・（２）Ｖ Ｔ Ｒｍ ｈ が成立することになる。この（２）式は、温か定数とな
るので、（１）式と同様になることが理解できる。ここ
で、第８図に示す掛算器に、ビデオ信号を入力信号ｖ１
として入力し、入力信号Ｖ！を利得可変用の制御信号と
して入力すれば、可変利得増幅器が得られることになる
。
ているため、よく用いられている。しかして、上記掛算
器は、熱電圧ＶＴに対してＶ？＞ｖＩの関係が成立して
おり、かつトランジスタＱ３のエミッタに流れる電流を
工にとしたときに、入力電圧ｖ２との間ＶｃＶ ２中Ｌ
ｓＲｍが成立していると、 Ｒｈ’ Ｖｏ ＝ （） ＶＩＶ＊ ・・・・・・・・
・・・・（２）Ｖ Ｔ Ｒｍ ｈ が成立することになる。この（２）式は、温か定数とな
るので、（１）式と同様になることが理解できる。ここ
で、第８図に示す掛算器に、ビデオ信号を入力信号ｖ１
として入力し、入力信号Ｖ！を利得可変用の制御信号と
して入力すれば、可変利得増幅器が得られることになる
。
しかしながら、上記可変利得増幅器は、可変利得を得る
ために、トランジスタＱｒ 、Ｑｚのベース・エミッタ
間指数特性を利用しており、これがために温度の影響が
極めて大きく、かつ可変範囲が小さいという問題点があ
った。
ために、トランジスタＱｒ 、Ｑｚのベース・エミッタ
間指数特性を利用しており、これがために温度の影響が
極めて大きく、かつ可変範囲が小さいという問題点があ
った。
第９図は上述したような問題点を解決するために提案さ
れた可変利得増幅器の具体例を示す回路図である。
れた可変利得増幅器の具体例を示す回路図である。
第９図に示す可変利得増幅器は次のように構成されてい
る。図たおいて、Ｑｔｔ−Ｑｔｓはトランジスタであり
、Ｉｆ及びＩｓは電流源であって、トランジスタＱｔｓ
＃ Ｑｔｔ及びＱｌｌ ＋ Ｑ１４のエミッタと電源
Ｖｘｚとの間に設けられている。トランジスタＱ１ｔ
＊ Ｑｕは両エミッタ間が抵抗Ｒ８で接続され、両ペー
ス間には入力信号Ｖ、が印加され、両コレクタがそれぞ
れダイオードＤｓ 、Ｄｓを介して電源Ｖｃｃに直列接
続された抵抗ＲｗＫ接続され、両コレクタから出力が取
シ出される。トランジスタＱｌｓ ＋ Ｑ１４は、両エ
ミッタ間が抵抗Ｂアで接続され、両ペース間には入力信
号Ｖアが印加され、トランジスタＱ１３のコレクタがト
ランジスタＱｕ＊Ｑ１８のエミッタに、トランジスタＱ
１４のコレクタがトランジスタＱ１ｓ ｅ Ｑｔｔのエ
ミッタにそれぞれ接続されている。トランジスタＱｓｓ
ｈ ＱｔａのベースはトランジスタＱ１１のコレクタ
に、トランジスタＱｔｙ Ｉ Ｑｔｓのベースはトラン
ジスタＱｔｔのコレクタにそれぞれ接続されている。ト
ランパン・ス膚Ｑ１ｓ ＃ Ｑｔｔのコレクタは抵抗Ｒ
ＬＩを介して電源ｖｃｃに、トランジスタＱ１５ ｅ
Ｑｌｍのコレクタは抵抗孔り寓を介して電源ｖｃｃにそ
れぞれ接続されておシ、トランジスタＱ１ｓ ｔ Ｑｔ
ｔのコレクタとトランジスタＱ１ｓ ＊ Ｑｔｓのコレ
クタとの間から出力信号Ｖｏを得るようになっている。
る。図たおいて、Ｑｔｔ−Ｑｔｓはトランジスタであり
、Ｉｆ及びＩｓは電流源であって、トランジスタＱｔｓ
＃ Ｑｔｔ及びＱｌｌ ＋ Ｑ１４のエミッタと電源
Ｖｘｚとの間に設けられている。トランジスタＱ１ｔ
＊ Ｑｕは両エミッタ間が抵抗Ｒ８で接続され、両ペー
ス間には入力信号Ｖ、が印加され、両コレクタがそれぞ
れダイオードＤｓ 、Ｄｓを介して電源Ｖｃｃに直列接
続された抵抗ＲｗＫ接続され、両コレクタから出力が取
シ出される。トランジスタＱｌｓ ＋ Ｑ１４は、両エ
ミッタ間が抵抗Ｂアで接続され、両ペース間には入力信
号Ｖアが印加され、トランジスタＱ１３のコレクタがト
ランジスタＱｕ＊Ｑ１８のエミッタに、トランジスタＱ
１４のコレクタがトランジスタＱ１ｓ ｅ Ｑｔｔのエ
ミッタにそれぞれ接続されている。トランジスタＱｓｓ
ｈ ＱｔａのベースはトランジスタＱ１１のコレクタ
に、トランジスタＱｔｙ Ｉ Ｑｔｓのベースはトラン
ジスタＱｔｔのコレクタにそれぞれ接続されている。ト
ランパン・ス膚Ｑ１ｓ ＃ Ｑｔｔのコレクタは抵抗Ｒ
ＬＩを介して電源ｖｃｃに、トランジスタＱ１５ ｅ
Ｑｌｍのコレクタは抵抗孔り寓を介して電源ｖｃｃにそ
れぞれ接続されておシ、トランジスタＱ１ｓ ｔ Ｑｔ
ｔのコレクタとトランジスタＱ１ｓ ＊ Ｑｔｓのコレ
クタとの間から出力信号Ｖｏを得るようになっている。
このように構成された可変利得増幅回路によれば、
Ｖｏ ”ＫＶ−Ｖア ・・・・・・・・・・
・・（３）（ただし、Ｋはフルスケール、ファクタとな
シ、られている。
・・（３）（ただし、Ｋはフルスケール、ファクタとな
シ、られている。
しかしながら、かかる可変利得増幅回路は、図からも理
解できるように１素子数が多く、シかも増幅帯域幅が３
ＣＭｌｌｚ ：）程度でアシ、これよシ高い周波数の
高周波には利用できなかった。
解できるように１素子数が多く、シかも増幅帯域幅が３
ＣＭｌｌｚ ：）程度でアシ、これよシ高い周波数の
高周波には利用できなかった。
本発明は上述した問題点に鑑みてなされたものであ〕・
、その目的は回路素子数を減少すると共忙、広帯域にか
つ高精度に可変利得できる可変利得増幅回路を提供する
ことにある。
、その目的は回路素子数を減少すると共忙、広帯域にか
つ高精度に可変利得できる可変利得増幅回路を提供する
ことにある。
本発明は、上記目的を達成するため、感温抵抗器と発熱
体とが熱結合されてなる感熱可変抵抗素子と、該感熱可
変抵抗素子の感熱抵抗器が組み込まれた増幅回路と、上
記感熱可変抵抗素子の発熱体の発熱量を制御できる制御
手段とを備え、前記制御手段が感熱可変抵抗素子の発熱
体の発熱量を制御することによシ前記感熱抵抗器の抵抗
値を可変して前記増幅回路め利得を可変するように構成
したことを特徴とする。
体とが熱結合されてなる感熱可変抵抗素子と、該感熱可
変抵抗素子の感熱抵抗器が組み込まれた増幅回路と、上
記感熱可変抵抗素子の発熱体の発熱量を制御できる制御
手段とを備え、前記制御手段が感熱可変抵抗素子の発熱
体の発熱量を制御することによシ前記感熱抵抗器の抵抗
値を可変して前記増幅回路め利得を可変するように構成
したことを特徴とする。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
可変抵抗素子を示す斜視図である。
第１図に示す可変利得増幅回路は、与えられた温度に応
じた抵抗値となる感温抵抗材料、及び与えられた電力に
応じた発熱量を出力する発熱抵抗体Ｒｈが熱結合ＨＣさ
れてなる感熱可変抵抗素子Ｖ ＲＩＩと、トランジスタ
リムのコレクタを電源Ｖｃｃに接続し、そのエミッタを
抵抗器孔１と感温可変抵抗素子Ｖ Ｒｇの感温抵抗器Ｒ
１との直列回路を介して接地し、そのベースとアースと
の間に入力信号ｖＩを印加すると共に１抵抗Ｒ＋＋、几
。
じた抵抗値となる感温抵抗材料、及び与えられた電力に
応じた発熱量を出力する発熱抵抗体Ｒｈが熱結合ＨＣさ
れてなる感熱可変抵抗素子Ｖ ＲＩＩと、トランジスタ
リムのコレクタを電源Ｖｃｃに接続し、そのエミッタを
抵抗器孔１と感温可変抵抗素子Ｖ Ｒｇの感温抵抗器Ｒ
１との直列回路を介して接地し、そのベースとアースと
の間に入力信号ｖＩを印加すると共に１抵抗Ｒ＋＋、几
。
の接続点とアースとの間から出力信号ＶＯを取シ出す増
幅回路Ｇと、発熱抵抗体Ｒｈに流す電流Ｉｃを可変制御
して発熱抵抗体孔りからの発熱量を可変することにより
感温抵抗材料、の抵抗値を可変させる制御手段Ｃ’ｆＬ
とを゛含んで構成されている。
幅回路Ｇと、発熱抵抗体Ｒｈに流す電流Ｉｃを可変制御
して発熱抵抗体孔りからの発熱量を可変することにより
感温抵抗材料、の抵抗値を可変させる制御手段Ｃ’ｆＬ
とを゛含んで構成されている。
この感温可変抵抗素子Ｖ Ｒｉｒは、第２図に示すよう
に、例えばアルミナの如き熱伝導率の大きな材質で形成
した基板ｌＯ上に、例えばｖＯ□とＣｒ Ｏｚとからな
る反応結晶体の感温抵抗材料で作った温感抵抗器Ｒ６を
設けると共に、電流を流すと発熱する抵抗発熱体Ｒｈを
設けて構成されている。
に、例えばアルミナの如き熱伝導率の大きな材質で形成
した基板ｌＯ上に、例えばｖＯ□とＣｒ Ｏｚとからな
る反応結晶体の感温抵抗材料で作った温感抵抗器Ｒ６を
設けると共に、電流を流すと発熱する抵抗発熱体Ｒｈを
設けて構成されている。
上述のように構成した可変利得増幅回路の動作を以下に
説明する。
説明する。
入力信号Ｖ１をトランジ♂りＱムのベースとアースとの
間に与えると、電流変化となって抵抗器Ｒ１，Ｒ１＠に
流れる。この電流をｉｌとすると、出力信号ＶｏはＶｏ
＝Ｒ＊ｉｊｌとなる。ここで、Ｖ 、 ＞ Ｖｌｌとす
ると となる。この（３）式に上記式を代入すると、が成立す
る。この（４）式を変形すると、れば利得Ｖ ｏ ／
Ｖ Ｉ も可変することが理解できよう。そこで、上述
した如く、几。を感温抵抗器とし、これの抵抗値を発熱
量を制御手段ＣＴＵで可変制御することによシ可変させ
て用いるものである。
間に与えると、電流変化となって抵抗器Ｒ１，Ｒ１＠に
流れる。この電流をｉｌとすると、出力信号ＶｏはＶｏ
＝Ｒ＊ｉｊｌとなる。ここで、Ｖ 、 ＞ Ｖｌｌとす
ると となる。この（３）式に上記式を代入すると、が成立す
る。この（４）式を変形すると、れば利得Ｖ ｏ ／
Ｖ Ｉ も可変することが理解できよう。そこで、上述
した如く、几。を感温抵抗器とし、これの抵抗値を発熱
量を制御手段ＣＴＵで可変制御することによシ可変させ
て用いるものである。
このように感温可変抵抗素子Ｖ Ｒ１１は、抵抗器Ｒ０
と発熱抵抗体Ｒｈとが電気的には絶縁されてお勺、かつ
その結合静電容量が非常に小さくできるので、広帯域に
用いることができ、しかも抵抗可変範囲が１０〔Ω〕〜
数〔ＫΩ〕となっているので、利得の変化を大きくとれ
る。
と発熱抵抗体Ｒｈとが電気的には絶縁されてお勺、かつ
その結合静電容量が非常に小さくできるので、広帯域に
用いることができ、しかも抵抗可変範囲が１０〔Ω〕〜
数〔ＫΩ〕となっているので、利得の変化を大きくとれ
る。
第３図は本発明の他の実施例を示す回路図であり、第４
図は同実施例で用いる感熱可変抵抗素子Ｖ Ｒｍの具体
例を示す斜視図である。
図は同実施例で用いる感熱可変抵抗素子Ｖ Ｒｍの具体
例を示す斜視図である。
第３図において、前記実施例と同一要素には同一の符号
を付して説明をする６ 第３図に示す実施例が第１図に示す実施例と異なるとこ
ろは、感温可変抵抗素子Ｖ ＲＩＩが感温抵抗器Ｂ、と
同じ特性の第２の感温抵抗器Ｒ１を発熱抵抗体Ｒｈに熱
結合ＨＣさせて構成された点、制御手段ＣＴＬ が前
記第２の感温抵抗器Ｒｓ ａＯ値を取〕込み、これの抵
抗値が所定の値となるように発熱抵抗体Ｒｈに流す電流
を制御できるようにした点くある。すなわち、制御手段
ＣＴＬは、第２の感熱抵抗器Ｒｍａと抵抗器Ｒ９とを直
列接続してなる直列回路を電源ｖｃｃ・アース間に接続
し、抵抗器Ｒ３と可変抵尊器几、、とを直列接続してな
る直列回路を電源Ｖｃｃ・アース間に接続し、前記直列
会列回路の抵抗器の両接続点を差動増幅器Ａヨ。
を付して説明をする６ 第３図に示す実施例が第１図に示す実施例と異なるとこ
ろは、感温可変抵抗素子Ｖ ＲＩＩが感温抵抗器Ｂ、と
同じ特性の第２の感温抵抗器Ｒ１を発熱抵抗体Ｒｈに熱
結合ＨＣさせて構成された点、制御手段ＣＴＬ が前
記第２の感温抵抗器Ｒｓ ａＯ値を取〕込み、これの抵
抗値が所定の値となるように発熱抵抗体Ｒｈに流す電流
を制御できるようにした点くある。すなわち、制御手段
ＣＴＬは、第２の感熱抵抗器Ｒｍａと抵抗器Ｒ９とを直
列接続してなる直列回路を電源ｖｃｃ・アース間に接続
し、抵抗器Ｒ３と可変抵尊器几、、とを直列接続してな
る直列回路を電源Ｖｃｃ・アース間に接続し、前記直列
会列回路の抵抗器の両接続点を差動増幅器Ａヨ。
の正負入力端子に接続すると共に、その差動増幅器Ａ１
．の出力端子を発熱抵抗器Ｒｈを介して接地して構成さ
れてなシ、発熱抵抗器Ｒｈに与える電力を第２感熱抵抗
器Ｒ１，の値が所定のものになるよう制御できるように
したものである。したがって、増幅回路Ｇの回路構成に
は変更がない。
．の出力端子を発熱抵抗器Ｒｈを介して接地して構成さ
れてなシ、発熱抵抗器Ｒｈに与える電力を第２感熱抵抗
器Ｒ１，の値が所定のものになるよう制御できるように
したものである。したがって、増幅回路Ｇの回路構成に
は変更がない。
ここで、感熱可変抵抗素子Ｖ Ｒｗは、第４図に示すよ
うに、高熱伝導率基板１０の上に、感熱抵抗器Ｂ、と、
発熱抵抗体Ｒｈと、上記感熱抵抗器几、と同じ特性の第
２の感熱抵抗器几。、とを並べて配設して構成されてい
る。
うに、高熱伝導率基板１０の上に、感熱抵抗器Ｂ、と、
発熱抵抗体Ｒｈと、上記感熱抵抗器几、と同じ特性の第
２の感熱抵抗器几。、とを並べて配設して構成されてい
る。
上記のような構成された実施例の動作を以下に説明する
。
。
この実施例では、トランジスタリム、抵抗器Ｒ１％感熱
抵抗器孔、からなる増幅回路の動作は第１図の実施例と
同じなので、以下では発熱抵抗体Ｒｈの電力制御につい
て説明する。
抵抗器孔、からなる増幅回路の動作は第１図の実施例と
同じなので、以下では発熱抵抗体Ｒｈの電力制御につい
て説明する。
感温抵抗体Ｒ０を所望の抵抗値にするため、可変抵抗器
ｎｏを可変する。その抵抗器Ｒ１ｔの抵抗値と抵抗器Ｒ
３との電位差が差動増幅器ｈｗａｐの負入力端子に、供
給される。すると、差動増幅器Ａつ。
ｎｏを可変する。その抵抗器Ｒ１ｔの抵抗値と抵抗器Ｒ
３との電位差が差動増幅器ｈｗａｐの負入力端子に、供
給される。すると、差動増幅器Ａつ。
の両入力端子の差−が増幅されて、その偏差に応じて発
熱抵抗体Ｒｈに電流を供給する。仁の発熱抵抗体Ｒｈか
らの発熱量によシ感温抵抗器Ｒ１がその発熱量に応じた
抵抗値となる。また、同時に第２の感温抵抗器Ｒｅ ａ
も感温抵抗器Ｒ６と同じ抵抗値となる。
熱抵抗体Ｒｈに電流を供給する。仁の発熱抵抗体Ｒｈか
らの発熱量によシ感温抵抗器Ｒ１がその発熱量に応じた
抵抗値となる。また、同時に第２の感温抵抗器Ｒｅ ａ
も感温抵抗器Ｒ６と同じ抵抗値となる。
ここで、Ｒｔ ＝８２＝８３とすれば、可変抵抗器凡、
１で定まる抵抗値に感熱抵抗器Ｒ＠ 、 Ｒ＠＠は設定
されることになる。
１で定まる抵抗値に感熱抵抗器Ｒ＠ 、 Ｒ＠＠は設定
されることになる。
このことを定量的に説明すると、既に述べたように、Ｒ
１＝Ｂａｚ ＝Ｒ３であシ、几、とＲ６，との特性、温
度が、実験１的に十分一致することから、が成立する。
１＝Ｂａｚ ＝Ｒ３であシ、几、とＲ６，との特性、温
度が、実験１的に十分一致することから、が成立する。
ここで、Ｒｖ＝Ｒ鵞＝Ｒ１＠ Ｒ＄＃＝Ｒ１であるから
、上記（６）式は、 とな）、これを変形すると、 となる。前記（５）式に（η式を代入すれば、となシ、
加減抵抗器几、ｔをもって増幅回路の利得を制御できる
ことが理解できる。
、上記（６）式は、 とな）、これを変形すると、 となる。前記（５）式に（η式を代入すれば、となシ、
加減抵抗器几、ｔをもって増幅回路の利得を制御できる
ことが理解できる。
また、この実施例によれば、第１図に示す実施例に比べ
て周囲温度や、感温抵抗器几、の自己発熱の影響な受け
ない精度の高い利得設定ができる。
て周囲温度や、感温抵抗器几、の自己発熱の影響な受け
ない精度の高い利得設定ができる。
第５図は本発明のさらに他の実施例を示す回路図であシ
、第６図は同実施例に用いられる感熱可変抵抗素子Ｖ
Ｒｍの構造を示す斜視図である。
、第６図は同実施例に用いられる感熱可変抵抗素子Ｖ
Ｒｍの構造を示す斜視図である。
これらの図において、几、、は正の温度係数を有する第
１の感温抵抗器、Ｂ、は負の温度係数を有する第２の感
温抵抗器、Ｒ０２，は正の温度係数を有すると共に前記
の第１の感温抵抗体Ｒｅ、と等しい特性を有する第３の
感温抵抗器、Ｒｏ、は負の温度係数を有すると共に、前
記第２の感温抵抗体几、と等しい特性を有する第４の感
温抵抗器、几は可変抵抗器Ｒｖの全抵抗値、Ｒｓｔは加
減抵抗器Ｒｖの回転角に比例する抵抗値である。前記抵
抗器几、、。
１の感温抵抗器、Ｂ、は負の温度係数を有する第２の感
温抵抗器、Ｒ０２，は正の温度係数を有すると共に前記
の第１の感温抵抗体Ｒｅ、と等しい特性を有する第３の
感温抵抗器、Ｒｏ、は負の温度係数を有すると共に、前
記第２の感温抵抗体几、と等しい特性を有する第４の感
温抵抗器、几は可変抵抗器Ｒｖの全抵抗値、Ｒｓｔは加
減抵抗器Ｒｖの回転角に比例する抵抗値である。前記抵
抗器几、、。
Ｒ＠ ｌ Ｒ＠ｐｐ ＠ Ｒ＠ａと、発熱抵抗体Ｒ，ｈ
は、第６図に示すように高熱伝導率基板１０に温度差が
無視できるように実装され、感熱可変抵抗素子ｖＲ１１
が構成されている。
は、第６図に示すように高熱伝導率基板１０に温度差が
無視できるように実装され、感熱可変抵抗素子ｖＲ１１
が構成されている。
第５図に示す実施例が第３図に示す受施例と異なるとこ
ろは、感熱可変抵抗素子Ｖ Ｒ！ＩＯ構成と、この素子
Ｖ Ｒｍを増幅回路Ｇ及び制御手段ＣＡＬに適用した点
にある。
ろは、感熱可変抵抗素子Ｖ Ｒ！ＩＯ構成と、この素子
Ｖ Ｒｍを増幅回路Ｇ及び制御手段ＣＡＬに適用した点
にある。
すなわち、第１の感温抵抗器Ｒｅ、と第２の感温抵抗器
几、とを直列接続した直列回路を増幅回路Ｇにおけるト
ランジスタリムのエミッタ・アース間に接続し、トラン
ジスタリムのコレクタを電源Ｖｃｃに接続し、各抵抗器
Ｒ，・Ｒｏとの接続点よシ出力信号Ｖｏを取シ出すと共
に、トランジスタＱムのベースとアースとの間に入力信
号Ｖ＋を加えるものである。また、制御手段Ｃｔｂ Ｍ
次のように構成されている。
几、とを直列接続した直列回路を増幅回路Ｇにおけるト
ランジスタリムのエミッタ・アース間に接続し、トラン
ジスタリムのコレクタを電源Ｖｃｃに接続し、各抵抗器
Ｒ，・Ｒｏとの接続点よシ出力信号Ｖｏを取シ出すと共
に、トランジスタＱムのベースとアースとの間に入力信
号Ｖ＋を加えるものである。また、制御手段Ｃｔｂ Ｍ
次のように構成されている。
可変抵抗Ｒｖは固定端子を電源Ｖｃｃ・アース間に接続
し、第３の感温抵抗器Ｒ０１，と第４の感温抵抗器几６
．との直列接続してなる直列回路を電源Ｖｃｃ・アース
間に接続し、可変抵抗器Ｒｖの可変端子を差動増幅器Ａ
Ｍ、の負入力端子に、同正入力端子に両抵抗器Ｒ＋、２
．．几０．の接続点を接続し、同出力端子を発熱抵抗体
８麹を介して接地する構成となっている。尚、抵抗器Ｒ
＠Ｐ ＃ Ｒ＋ａ、、 ＃ Ｒ＠ ＩＲａｍと、発熱抵
抗体ＴＬｈは熱結合ＨＣされている。
し、第３の感温抵抗器Ｒ０１，と第４の感温抵抗器几６
．との直列接続してなる直列回路を電源Ｖｃｃ・アース
間に接続し、可変抵抗器Ｒｖの可変端子を差動増幅器Ａ
Ｍ、の負入力端子に、同正入力端子に両抵抗器Ｒ＋、２
．．几０．の接続点を接続し、同出力端子を発熱抵抗体
８麹を介して接地する構成となっている。尚、抵抗器Ｒ
＠Ｐ ＃ Ｒ＋ａ、、 ＃ Ｒ＠ ＩＲａｍと、発熱抵
抗体ＴＬｈは熱結合ＨＣされている。
このように構成され九実施例の動作は概ね第８図の実施
例と同じである。それでは、これの動作を数式を用いて
説明する。
例と同じである。それでは、これの動作を数式を用いて
説明する。
第Ｓ図に示す構成にしたときは、下式が成立つ。
これを変形すると、
この００式を前記（８）弐に代入すると、となる。すな
わち、可変抵抗器Ｒｖの抵抗値Ｒｏ。
わち、可変抵抗器Ｒｖの抵抗値Ｒｏ。
すなわち加減抵抗器几Ｖの回転角によシ利得を設定でき
ることＫなる。
ることＫなる。
第５図に示す実施例は第３図に示した実施例に比べ利得
の可変範囲を広くできる。
の可変範囲を広くできる。
第７図は本発明の他の実施例を示す回路図である。第７
図において、増幅回路Ｇは次のように構成されている。
図において、増幅回路Ｇは次のように構成されている。
すなわち、ＱムｓＱｍはトランジスタ、ル、は感温抵抗
器％ Ｉｍｔ ｓ Ｉｍ禽はバイアス電流、ＲｌｈＫ、
ＲｌＬｓ は抵抗器である。
器％ Ｉｍｔ ｓ Ｉｍ禽はバイアス電流、ＲｌｈＫ、
ＲｌＬｓ は抵抗器である。
トランジスタリムのコレクタは抵抗器Ｒ＋Ｌｔを介して
電源ＶｃｃＫ接続され、そのトランジスタリムのエミッ
タはバイアス電流Ｉｌｌを介して接地され、トランジス
タＱ、のコレクタは抵抗器ＲＬ２を介して電源Ｖｃａに
接続され、トランジスタＱ１のエミッタはバイアス電流
Ｉｍｘを介して接地され、トランジスタリムｓＱｍの両
エミッタを感温抵抗器几、を介して接続し、そのペース
間に入力信号ｖ１を印加し、・そのコレクタ間よシ出力
信号Ｖ。
電源ＶｃｃＫ接続され、そのトランジスタリムのエミッ
タはバイアス電流Ｉｌｌを介して接地され、トランジス
タＱ、のコレクタは抵抗器ＲＬ２を介して電源Ｖｃａに
接続され、トランジスタＱ１のエミッタはバイアス電流
Ｉｍｘを介して接地され、トランジスタリムｓＱｍの両
エミッタを感温抵抗器几、を介して接続し、そのペース
間に入力信号ｖ１を印加し、・そのコレクタ間よシ出力
信号Ｖ。
を取シ出すようにしたものである。感温抵抗器Ｒ，に加
える温度は、発熱抵抗体Ｒｋを、例えば第３図、第４図
に示した実施例で示す構成を備えた制御手段Ｃ？１１に
よシ制御すればよｉものである。
える温度は、発熱抵抗体Ｒｋを、例えば第３図、第４図
に示した実施例で示す構成を備えた制御手段Ｃ？１１に
よシ制御すればよｉものである。
このように構成された実施例動作を説明する。
上記のように構成し、ＲＬＩ ＝Ｒｈ＊ ＝ＲＸ、、
Ｉ翼ｌ：Ｉｍ意が成立するようにすると、次の式が成立
する。
Ｉ翼ｌ：Ｉｍ意が成立するようにすると、次の式が成立
する。
この式を変形すると、
となり、几、の値を制御することによ）ゲインを制御す
ることができる。
ることができる。
第７図に示す実施例は、第１図に示した実施例と比較し
、入力信号な差動で受けられるから、トランジスタリム
、Ｑｌのバイアス電流をＩ＋Ｂ。
、入力信号な差動で受けられるから、トランジスタリム
、Ｑｌのバイアス電流をＩ＋Ｂ。
Ｉｍｉによシ、入力信号によらず最適値に設定できる。
以上述べたように本発明によれば、回路構成が簡易とな
り、しか本底帯域の可変利得増幅回路が提供できる効果
がある。
り、しか本底帯域の可変利得増幅回路が提供できる効果
がある。
第１図は本発明に係る可変利得増幅回路の実施例を示す
回路図、第２図は同実施例に用いる感温可変抵抗素子の
具体例を示す斜視図、第３図は同地の実施例を示す回路
図、第４図は他の実施例に用いる感温可変抵抗素子の具
体例を示す斜視図、第５図は同さらに他の実施例を示す
回路図、第６図は第５図の実施例に用いる感温可変抵抗
素子の具体例を示す斜視図、第７図は本発明の他の実施
例を示す回路図、第８図及び第９図は従来の可変利得増
幅回路を示す回路図である。 Ｑ、、Ｑｌ・・・トランジスタ、ＲＩＭ几Ｌｌ、Ｒム２
・・・抵抗器、几ｅ ＠ Ｒ＠＠ ＃ ｋ ＊ Ｒ＠Ｄ
Ｐ ・・・感温抵抗器、Ｒｈ・・・発熱抵抗体、１０・
・・基板、ＶＲａ・・・感温可変抵抗素子、Ｒｖ・・・
可変抵抗器％ Ａａｐ・・・差動増幅器、Ｇ・・・増幅
回路。
回路図、第２図は同実施例に用いる感温可変抵抗素子の
具体例を示す斜視図、第３図は同地の実施例を示す回路
図、第４図は他の実施例に用いる感温可変抵抗素子の具
体例を示す斜視図、第５図は同さらに他の実施例を示す
回路図、第６図は第５図の実施例に用いる感温可変抵抗
素子の具体例を示す斜視図、第７図は本発明の他の実施
例を示す回路図、第８図及び第９図は従来の可変利得増
幅回路を示す回路図である。 Ｑ、、Ｑｌ・・・トランジスタ、ＲＩＭ几Ｌｌ、Ｒム２
・・・抵抗器、几ｅ ＠ Ｒ＠＠ ＃ ｋ ＊ Ｒ＠Ｄ
Ｐ ・・・感温抵抗器、Ｒｈ・・・発熱抵抗体、１０・
・・基板、ＶＲａ・・・感温可変抵抗素子、Ｒｖ・・・
可変抵抗器％ Ａａｐ・・・差動増幅器、Ｇ・・・増幅
回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、感温抵抗器と発熱体とが熱結合されてなる感熱可変
抵抗素子と、該感熱可変抵抗素子の感熱抵抗器が組み込
まれた増幅回路と、上記感熱可変抵抗素子の発熱体の発
熱量を制御できる制御手段とを備え、前記制御手段が感
熱可変抵抗素子の発熱体の発熱量を制御することにより
前記感熱抵抗器の抵抗値を可変して前記増幅回路の利得
を可変するように構成したことを特徴とする可変利得増
幅回路。 ２、特許請求の範囲第１項において、感熱可変抵抗素子
は、熱により抵抗値が変化する感温抵抗器と、与えられ
た電力に応じた発熱量を出力する発熱抵抗体とを熱伝導
率の大なる物質で形成した基板上に配設してなることを
特徴とする可変利得増幅器。 ３、特許請求の範囲第１項において、感熱可変抵抗素子
は感熱抵抗器と発熱体とが熱結合されると共に第２の感
熱抵抗器が上記発熱体に熱結合されてなり、制御手段は
第２の感温抵抗器の抵抗値を取り込み、この抵抗値が所
定の値になるように前記発熱抵抗体に加える電力を制御
するように構成したことを特徴とする可変利得増幅回路
。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59136683A JPS6116605A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 可変利得増幅回路 |
| US06/751,136 US4646029A (en) | 1984-07-02 | 1985-07-02 | Variable-gain amplifying circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59136683A JPS6116605A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 可変利得増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6116605A true JPS6116605A (ja) | 1986-01-24 |
Family
ID=15181030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59136683A Pending JPS6116605A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 可変利得増幅回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4646029A (ja) |
| JP (1) | JPS6116605A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05247701A (ja) * | 1991-12-18 | 1993-09-24 | Kimberly Clark Corp | 使い捨て可能な３次元の吸収性衣類およびその製造方法 |
| US5596231A (en) * | 1991-08-05 | 1997-01-21 | Asat, Limited | High power dissipation plastic encapsulated package for integrated circuit die |
| US5886400A (en) * | 1995-08-31 | 1999-03-23 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having an insulating layer and method for making |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2187581B (en) * | 1985-04-10 | 1989-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Control circuit |
| DE602004012255T2 (de) * | 2004-08-26 | 2009-03-19 | Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza | Rauscharmer Verstärker |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3828292A (en) * | 1973-08-03 | 1974-08-06 | Multi State Devices Ltd | Temperature compensating thermal relay |
| SE384775B (sv) * | 1974-12-04 | 1976-05-17 | Ericsson Telefon Ab L M | Integrerad forsterkare |
| FR2371827A1 (fr) * | 1976-11-23 | 1978-06-16 | Cit Alcatel | Regulateur a action continue |
| US4468631A (en) * | 1982-05-24 | 1984-08-28 | Rca Corporation | Amplitude control apparatus |
| JPS5952874A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-27 | Toshiba Corp | 利得制御回路装置 |
-
1984
- 1984-07-02 JP JP59136683A patent/JPS6116605A/ja active Pending
-
1985
- 1985-07-02 US US06/751,136 patent/US4646029A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5596231A (en) * | 1991-08-05 | 1997-01-21 | Asat, Limited | High power dissipation plastic encapsulated package for integrated circuit die |
| JPH05247701A (ja) * | 1991-12-18 | 1993-09-24 | Kimberly Clark Corp | 使い捨て可能な３次元の吸収性衣類およびその製造方法 |
| US5886400A (en) * | 1995-08-31 | 1999-03-23 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having an insulating layer and method for making |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4646029A (en) | 1987-02-24 |
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