JPS6116579A - 集積型太陽電池 - Google Patents
集積型太陽電池Info
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- JPS6116579A JPS6116579A JP59138290A JP13829084A JPS6116579A JP S6116579 A JPS6116579 A JP S6116579A JP 59138290 A JP59138290 A JP 59138290A JP 13829084 A JP13829084 A JP 13829084A JP S6116579 A JPS6116579 A JP S6116579A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一枚の基板上に複数個のセルをパターン形成し
てなる集積型太陽電池に関するものであ〔従来技術〕 一般に太陽電池ば透光性絶縁基板上に透明導電膜、非晶
質半導体膜、裏面電極膜からなるセルを多数パターン形
成して構成される。ところでこのような多数のセルをバ
リーン形成する場合のパターン加工技術として従来化学
エツチング法、レーザ加工法等が採用されるが、化学エ
ツチングば面加工が容易である反面ウェットプロセスを
有し７、フォトレジスト塗布、露光、エツチング、フォ
トレジスト剥離等工程数が多くなる難点があるためレー
ザ光の走査のみでパターン形成が可能で工程数が少なく
て済むレーザ加工法が望ましい。ただこのレーザ加工の
場合面状のパターン形成を行うときはレーザ光の走査回
数が多くなって加工に要する時間が長くなるため実用上
は線状加工に限られるという問題があった。
てなる集積型太陽電池に関するものであ〔従来技術〕 一般に太陽電池ば透光性絶縁基板上に透明導電膜、非晶
質半導体膜、裏面電極膜からなるセルを多数パターン形
成して構成される。ところでこのような多数のセルをバ
リーン形成する場合のパターン加工技術として従来化学
エツチング法、レーザ加工法等が採用されるが、化学エ
ツチングば面加工が容易である反面ウェットプロセスを
有し７、フォトレジスト塗布、露光、エツチング、フォ
トレジスト剥離等工程数が多くなる難点があるためレー
ザ光の走査のみでパターン形成が可能で工程数が少なく
て済むレーザ加工法が望ましい。ただこのレーザ加工の
場合面状のパターン形成を行うときはレーザ光の走査回
数が多くなって加工に要する時間が長くなるため実用上
は線状加工に限られるという問題があった。
第７図はレーザによってパターン加工された従来の集積
型太陽電池の模式的平面図、第８図は第７図の■−■線
による断面構造図、第９図は第７図のＩＸ−ＩＸ線によ
る断面構造図であり、図中１は透光性絶縁基板、２ａ、
２ｂ、 ２ｃは透明導電膜、３はレーザ加工で形成さ
れた溝、４は非晶質半導体膜、５は裏面電極、６は接合
電極を示している。透明導電膜２ａ、 ２ｂ、 ２ｃは
透光性絶縁基板１上に例えば真空蒸着法等にて形成した
透明導電膜をレーザバターニングによって溝３を形成し
、各セルＳ１゜Ｓ２・・・に対応させて２ａ、 ２ｂ・
・・の如く区分され、この上に非晶質半導体膜４、裏面
電極膜５、接合電極６をマスク等を用いて積層形成され
る。
型太陽電池の模式的平面図、第８図は第７図の■−■線
による断面構造図、第９図は第７図のＩＸ−ＩＸ線によ
る断面構造図であり、図中１は透光性絶縁基板、２ａ、
２ｂ、 ２ｃは透明導電膜、３はレーザ加工で形成さ
れた溝、４は非晶質半導体膜、５は裏面電極、６は接合
電極を示している。透明導電膜２ａ、 ２ｂ、 ２ｃは
透光性絶縁基板１上に例えば真空蒸着法等にて形成した
透明導電膜をレーザバターニングによって溝３を形成し
、各セルＳ１゜Ｓ２・・・に対応させて２ａ、 ２ｂ・
・・の如く区分され、この上に非晶質半導体膜４、裏面
電極膜５、接合電極６をマスク等を用いて積層形成され
る。
ところで上述の如く透光性絶縁基板１上に透明導電膜を
真空蒸着法にて形成した場合、本来は不要な透光性絶縁
基板１の側端面にも透明導電膜が形成されることとなり
、透光性絶縁基板１の上面端縁部寄りの位置には透光性
絶縁基板１の側面にて相互に繋がった透明導電膜２ｃ、
２ｄが形成される。
真空蒸着法にて形成した場合、本来は不要な透光性絶縁
基板１の側端面にも透明導電膜が形成されることとなり
、透光性絶縁基板１の上面端縁部寄りの位置には透光性
絶縁基板１の側面にて相互に繋がった透明導電膜２ｃ、
２ｄが形成される。
そして各透明導電膜２ａ、 ２ｂ上に夫々非晶質半導体
膜４．裏 効面積の増大を図るためセルＳ１を形成する非晶質半導
体膜４、裏面電極膜５は透明導電膜２ａ上面は勿論、溝
３を越えて透明導電膜２ｂ， ２ｃ， ２ｄの端縁部上
にわたるように、またセルＳ２を構成する非晶質半導体
膜４、裏面電極膜５は透明導電膜２ｂ上面は勿論、透明
導電膜２ｄの端縁部上にわたるよう圧延形成される。そ
して接合電極６は透明導電膜２ｂ上に延在させたセルＳ
，．Ｓ２を形成する裏面電極膜５，５の対向端縁の全長
にわたってセルＳ１の裏面電極膜５とセルＳ２の透明導
電膜２ｂとを接続するよう形成され、その端部は当然溝
３を越えて透明導電膜２ｄ上にまで延在せしめられる。
膜４．裏 効面積の増大を図るためセルＳ１を形成する非晶質半導
体膜４、裏面電極膜５は透明導電膜２ａ上面は勿論、溝
３を越えて透明導電膜２ｂ， ２ｃ， ２ｄの端縁部上
にわたるように、またセルＳ２を構成する非晶質半導体
膜４、裏面電極膜５は透明導電膜２ｂ上面は勿論、透明
導電膜２ｄの端縁部上にわたるよう圧延形成される。そ
して接合電極６は透明導電膜２ｂ上に延在させたセルＳ
，．Ｓ２を形成する裏面電極膜５，５の対向端縁の全長
にわたってセルＳ１の裏面電極膜５とセルＳ２の透明導
電膜２ｂとを接続するよう形成され、その端部は当然溝
３を越えて透明導電膜２ｄ上にまで延在せしめられる。
これによってセルＳ，，Ｓ２はセルＳ１の裏面電極５と
セルＳ２の透明導電膜２ｂとが接合電極６にて接続され
、集積型に構成されることとなるが、同時に接合電極６
は透明導電膜２ｄ，透光性絶縁基板１の側面の透明導電
膜を通じて透明導電膜２ｃとも接続状態となる結果、セ
ルＳｌ＋３２間が短絡状態（実測抵抗値数十〜数百Ω）
となり、太陽電池としての出力が低下し、特に低照度下
で、電流の少ない場合における影響が大きく、電圧値が
きわめて低くなるという問題があった。これは既述した
如く化学エツチング法の場合には面状バターニングが容
易なため透光性絶縁基板Ｉの側面に形成された不要の透
明導電膜を除去し得るがレーザ加工の場合、面加工には
時間を要するため、加工工数の節減の観点から透光性絶
縁基板１側面の透明導電膜の存在を許容してしまう結果
によるものである。
セルＳ２の透明導電膜２ｂとが接合電極６にて接続され
、集積型に構成されることとなるが、同時に接合電極６
は透明導電膜２ｄ，透光性絶縁基板１の側面の透明導電
膜を通じて透明導電膜２ｃとも接続状態となる結果、セ
ルＳｌ＋３２間が短絡状態（実測抵抗値数十〜数百Ω）
となり、太陽電池としての出力が低下し、特に低照度下
で、電流の少ない場合における影響が大きく、電圧値が
きわめて低くなるという問題があった。これは既述した
如く化学エツチング法の場合には面状バターニングが容
易なため透光性絶縁基板Ｉの側面に形成された不要の透
明導電膜を除去し得るがレーザ加工の場合、面加工には
時間を要するため、加工工数の節減の観点から透光性絶
縁基板１側面の透明導電膜の存在を許容してしまう結果
によるものである。
ちなみに上述の如きレーザ加工によって得たセルの場合
２００ルクスの蛍光灯下での単位セルの開放電圧は０．
１〜０．２Ｖ程度であって、化学エツチング法を用いた
場合のセルの開放電圧か０．５〜０．６Ｖであるのと比
較して著しく低下してのが分かる。
２００ルクスの蛍光灯下での単位セルの開放電圧は０．
１〜０．２Ｖ程度であって、化学エツチング法を用いた
場合のセルの開放電圧か０．５〜０．６Ｖであるのと比
較して著しく低下してのが分かる。
本発明は斯かる事情に鑑みなられたものであって、その
目的とするところは接合電極、非晶質半導体、裏面電極
の形成態様を変えることによって、セル相互の短絡状態
を解消し、レーザ加工の特徴を生かしうるようにした集
積型太陽電池を提供するにある。
目的とするところは接合電極、非晶質半導体、裏面電極
の形成態様を変えることによって、セル相互の短絡状態
を解消し、レーザ加工の特徴を生かしうるようにした集
積型太陽電池を提供するにある。
本発明に係る集積型太陽電池は透明導電膜と裏面電極膜
との間に膜状光活性層を介在させたセル複数個を絶縁基
板上に並べてパターン形成し、相隣するセルの一方の透
明導電膜と他方の裏面電極層とをその相対向する側縁に
わたるよう積層形成した接合電極にて電気的に結合して
なる集積型太陽電池において、前記接合電極の長さを、
相隣するセルの配列方向と直交する方向の透明導電膜の
長さよりも短（形成したことを特徴とする。
との間に膜状光活性層を介在させたセル複数個を絶縁基
板上に並べてパターン形成し、相隣するセルの一方の透
明導電膜と他方の裏面電極層とをその相対向する側縁に
わたるよう積層形成した接合電極にて電気的に結合して
なる集積型太陽電池において、前記接合電極の長さを、
相隣するセルの配列方向と直交する方向の透明導電膜の
長さよりも短（形成したことを特徴とする。
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき説明する。
第１図は本発明に係る集積型太陽電池（以下本発明品と
いう）の模式的平面図、第２図は第１図の■−■線によ
る断面構造図、第３図は第１図の■−■線による断面構
造図であり、図中１は透光性絶縁基板、２ａ，２ｂ，２
ｃ，２ｄは透明導電膜、３はレーザ加工された溝、４は
非晶質半導体膜、５は裏面電極膜、１６は接合電極を示
している。透明導電膜２ａ，２ｂは既述したのと同様に
透光性絶縁基板１上に真空蒸着法等にて形成され、レー
ザ加工により１ａ３を形成することによって各セルＳｌ
、Ｓ２に対応するよう区分されており、この上に非晶質
半導体膜４、裏面電極膜５、接合電極１６をマスクを用
いて積層形成せしめてあり、接合電極１６の形成域を除
いて透明導電膜２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ 、非晶質半導
体１１１！４、裏面電極膜５の形成態様は第７〜９図に
示した形成態様と同じである。
いう）の模式的平面図、第２図は第１図の■−■線によ
る断面構造図、第３図は第１図の■−■線による断面構
造図であり、図中１は透光性絶縁基板、２ａ，２ｂ，２
ｃ，２ｄは透明導電膜、３はレーザ加工された溝、４は
非晶質半導体膜、５は裏面電極膜、１６は接合電極を示
している。透明導電膜２ａ，２ｂは既述したのと同様に
透光性絶縁基板１上に真空蒸着法等にて形成され、レー
ザ加工により１ａ３を形成することによって各セルＳｌ
、Ｓ２に対応するよう区分されており、この上に非晶質
半導体膜４、裏面電極膜５、接合電極１６をマスクを用
いて積層形成せしめてあり、接合電極１６の形成域を除
いて透明導電膜２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ 、非晶質半導
体１１１！４、裏面電極膜５の形成態様は第７〜９図に
示した形成態様と同じである。
そして本発明品にあっては接合電極１６を相隣するセル
Ｓ ｌ ＋ ３２のうちのセルＳ２を構成する透明導
電膜２ｂのセル配列方向と直交する方向の幅寸法と略同
じ、又はこれよりも短かく形成してセルＳ、の裏面電極
５とセルＳ２の透明導電膜２ｄとのみ接触させる構成、
即ち、接合電極１６は透明導電膜２ｄとは接触しないよ
うにしである。
Ｓ ｌ ＋ ３２のうちのセルＳ２を構成する透明導
電膜２ｂのセル配列方向と直交する方向の幅寸法と略同
じ、又はこれよりも短かく形成してセルＳ、の裏面電極
５とセルＳ２の透明導電膜２ｄとのみ接触させる構成、
即ち、接合電極１６は透明導電膜２ｄとは接触しないよ
うにしである。
これによって接合電極１６が透明導電膜２ｄと接触する
ことによる透明導電膜２ｄ、２ｃを通じての相隣するセ
ルＳ Ｉ ＋ ３２間の短絡が防止されることとなる
。
ことによる透明導電膜２ｄ、２ｃを通じての相隣するセ
ルＳ Ｉ ＋ ３２間の短絡が防止されることとなる
。
第４図は本発明の他の実施例を示す模式的平面図、第５
図は第４図のＶ−Ｖ線による断面構造図、第６図は第４
図のＶｌ−Ｖｌ線による断面構造図であり、透光性絶縁
基板１にＩａ３で区分された透明導電膜２ａ、２ｂ、２
ｃ、２ｄ 、非晶質半導体膜２４、裏面電極膜２５を積
層形成すると共に、さらに接合電極２６を積層形成して
構成されている。そして本実施例にあっては相隣するセ
ルＳ ｌ ＋ Ｓ ２間において、透明導電膜２ａ上
の非晶質半導体膜２４、裏面電極膜２５は透明導電膜２
ａ、２ｂを区分する溝３を越えて、透明導電膜２ｂのみ
の端縁部上に延在せしめ、従来品においては透明導電膜
２ｃ、２ｄと接触していた接合電極を非接触状態に構成
し、また透明導電膜２ｂ上の非晶質半導体膜２４、裏面
電極膜２５は透明導電膜２ｂ上に延在させた非晶質半導
体膜２４．裏面電極膜２５とは所要の間隔を隔て、且つ
従来品の如く透明導電膜２ｄ上には延在せず、これとは
接触しない態様に形成されている。
図は第４図のＶ−Ｖ線による断面構造図、第６図は第４
図のＶｌ−Ｖｌ線による断面構造図であり、透光性絶縁
基板１にＩａ３で区分された透明導電膜２ａ、２ｂ、２
ｃ、２ｄ 、非晶質半導体膜２４、裏面電極膜２５を積
層形成すると共に、さらに接合電極２６を積層形成して
構成されている。そして本実施例にあっては相隣するセ
ルＳ ｌ ＋ Ｓ ２間において、透明導電膜２ａ上
の非晶質半導体膜２４、裏面電極膜２５は透明導電膜２
ａ、２ｂを区分する溝３を越えて、透明導電膜２ｂのみ
の端縁部上に延在せしめ、従来品においては透明導電膜
２ｃ、２ｄと接触していた接合電極を非接触状態に構成
し、また透明導電膜２ｂ上の非晶質半導体膜２４、裏面
電極膜２５は透明導電膜２ｂ上に延在させた非晶質半導
体膜２４．裏面電極膜２５とは所要の間隔を隔て、且つ
従来品の如く透明導電膜２ｄ上には延在せず、これとは
接触しない態様に形成されている。
そして接合電極２６は裏面電極膜２５と対向する裏面電
極膜２５の端縁に沿って、その−側縁近傍がら他側縁近
傍にわたって裏面電極膜２５の端部近傍上面及びその側
面並びに非晶質半導体膜４の側面を経て透明導電膜２ｂ
の上面に接触せしめである。
極膜２５の端縁に沿って、その−側縁近傍がら他側縁近
傍にわたって裏面電極膜２５の端部近傍上面及びその側
面並びに非晶質半導体膜４の側面を経て透明導電膜２ｂ
の上面に接触せしめである。
この接合電極６形成態様自体は前記第４． ５． ６図
に示した本発明品と略同じである。
に示した本発明品と略同じである。
」二連の如く構成された本発明品にあっては、相隣する
セルＳ、、Ｓ２においてセルＳ、の非晶質半導体膜２４
、裏面電極膜２５はセルＳ２の透明導電膜２ｂ上に延在
せしめられている以外は従来品における如く透明導電膜
２ｃ、２ｄのいずれとも接触せず、また接合電極２６も
セルＳ１の裏面電極膜とセルＳ２の透明導電膜２ｂと接
触する以外は従来品における如く他の透明導電１＠２ｄ
とは接触しない構成としであるから透明導電１１？ｉ２
ｃ、２ｄとの遮断により相隣するセルＳ、、３２間の透
明導電膜２ｃ、２ｄによる短絡をより確実に防止し得る
こととなる。
セルＳ、、Ｓ２においてセルＳ、の非晶質半導体膜２４
、裏面電極膜２５はセルＳ２の透明導電膜２ｂ上に延在
せしめられている以外は従来品における如く透明導電膜
２ｃ、２ｄのいずれとも接触せず、また接合電極２６も
セルＳ１の裏面電極膜とセルＳ２の透明導電膜２ｂと接
触する以外は従来品における如く他の透明導電１＠２ｄ
とは接触しない構成としであるから透明導電１１？ｉ２
ｃ、２ｄとの遮断により相隣するセルＳ、、３２間の透
明導電膜２ｃ、２ｄによる短絡をより確実に防止し得る
こととなる。
上述した如き本発明品について２００ルクスの蛍光灯下
で単一セル当たりの開放電圧を検出したところ０．５〜
０．６■あった。この値は化学エツチングにより得た場
合の開放電圧と略等しく、本発明品はセル相互の短絡に
よる影響が解消されていることが確認された。
で単一セル当たりの開放電圧を検出したところ０．５〜
０．６■あった。この値は化学エツチングにより得た場
合の開放電圧と略等しく、本発明品はセル相互の短絡に
よる影響が解消されていることが確認された。
なお」二記した実施例では膜状光活性層としていずれも
非晶質半導体膜の場合につき説明したが、これについて
はその材質を特に限定するものではなく例えばｐｉｎ
、ｐｎ−ｎ等でｐＮとして非晶質シリコンカーバイド（
ａ −５＋ｘＣＩ−ｘ ＋ ０≦Ｘ≦１） ｎ層、
ｎ一層として非晶質シリコン（ａＳ＋）、ｎ層としては
微結晶シリコン（μｃ−５＋） ＋ 或いａ −５ｉ等
である。
非晶質半導体膜の場合につき説明したが、これについて
はその材質を特に限定するものではなく例えばｐｉｎ
、ｐｎ−ｎ等でｐＮとして非晶質シリコンカーバイド（
ａ −５＋ｘＣＩ−ｘ ＋ ０≦Ｘ≦１） ｎ層、
ｎ一層として非晶質シリコン（ａＳ＋）、ｎ層としては
微結晶シリコン（μｃ−５＋） ＋ 或いａ −５ｉ等
である。
なお上述の実施例は太陽電池がストライブ状に構成され
る場合にであるが基板上に平面的に並列して形成する場
合にも基板の端縁部については同様のバクーンで形成し
てもよいことは勿論である。
る場合にであるが基板上に平面的に並列して形成する場
合にも基板の端縁部については同様のバクーンで形成し
てもよいことは勿論である。
以上の如（本発明品にあっては相隣するセル相互の接続
を行・うための接合電極を透光性絶縁基板の側面に延在
した透明導電膜とは非接触の状態に形成することとした
から相隣するセル間の短絡が防止され、有効面積を減ら
すことなく光起電力特性の向上が図れ、また透光性絶縁
基板の側面に迄延在する透明導電膜自体は除去する必要
がないからレーザ加工が線状のパターニングで済み、レ
ーザ加工の特性が有効に利用出来るなど本発明は優れた
効果を奏するものである。
を行・うための接合電極を透光性絶縁基板の側面に延在
した透明導電膜とは非接触の状態に形成することとした
から相隣するセル間の短絡が防止され、有効面積を減ら
すことなく光起電力特性の向上が図れ、また透光性絶縁
基板の側面に迄延在する透明導電膜自体は除去する必要
がないからレーザ加工が線状のパターニングで済み、レ
ーザ加工の特性が有効に利用出来るなど本発明は優れた
効果を奏するものである。
第１図は本発明の実施例を示す模式的平面図、第２図は
第１図のｕ−ｍ線による断面構造図、第３図は第１図の
ｍ−ｍ線による断面構造図、第４図は本発明の他の実施
例を示す模式的平面図、第５図は第４図のＶ−Ｖ線によ
る断面構造図、第６図は第４図の■−Ｖｔ線による断面
構造図、第７図は従来品の模式的平面図、第８図は第７
図の■−■線による断面構造図、第９図は第７図のＩＸ
−ＩＸ線による断面構造図である。 １・・・透光性絶縁基板 ２ａ、 ２ｂ、 ２ｃ、 ２
ｄ・・・透明導電膜３・・・溝 １４・・・非晶質半導
体膜 １５・・・裏面電極膜１６・・・接合電極 ２４
・・・非晶質半導体膜 ２５・・・裏面電極膜 ２６・
・・接合電極 特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 第１図 第２図 り り
〜／タヘ ３ （￥１ ■ ■ ■ すれ ４Ｉ￥］ 茅 ５ 図 り ７ ７ へｔ童
６ 図 凍 リ 図 手 ９ 図 手続補正書（自発） 昭和６０年９月２７日 昭和５９年特許願第１３８２９０号 ２、発明の名称 集積型太陽電池 ３、補正をする者 事件との関係−特許出願人 所在地 守口市京阪本ｉｉ！１２丁目１８番地名 称
（１８Ｂ ’）三洋電機株式会社代表者 井 植
薫 ４、代理人 住 所 ■５４３大阪市天王寺区四天王寺１丁目１４
番２２号 日進ビル２０７号図面 ６、補正の内容
第１図のｕ−ｍ線による断面構造図、第３図は第１図の
ｍ−ｍ線による断面構造図、第４図は本発明の他の実施
例を示す模式的平面図、第５図は第４図のＶ−Ｖ線によ
る断面構造図、第６図は第４図の■−Ｖｔ線による断面
構造図、第７図は従来品の模式的平面図、第８図は第７
図の■−■線による断面構造図、第９図は第７図のＩＸ
−ＩＸ線による断面構造図である。 １・・・透光性絶縁基板 ２ａ、 ２ｂ、 ２ｃ、 ２
ｄ・・・透明導電膜３・・・溝 １４・・・非晶質半導
体膜 １５・・・裏面電極膜１６・・・接合電極 ２４
・・・非晶質半導体膜 ２５・・・裏面電極膜 ２６・
・・接合電極 特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 第１図 第２図 り り
〜／タヘ ３ （￥１ ■ ■ ■ すれ ４Ｉ￥］ 茅 ５ 図 り ７ ７ へｔ童
６ 図 凍 リ 図 手 ９ 図 手続補正書（自発） 昭和６０年９月２７日 昭和５９年特許願第１３８２９０号 ２、発明の名称 集積型太陽電池 ３、補正をする者 事件との関係−特許出願人 所在地 守口市京阪本ｉｉ！１２丁目１８番地名 称
（１８Ｂ ’）三洋電機株式会社代表者 井 植
薫 ４、代理人 住 所 ■５４３大阪市天王寺区四天王寺１丁目１４
番２２号 日進ビル２０７号図面 ６、補正の内容
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透明導電膜と裏面電極膜との間に膜状光活性層を介
在させたセル複数個を絶縁基板上に並べてパターン形成
し、相隣するセルの一方の透明導電膜と他方の裏面電極
層とをその相対向する側縁にわたるよう積層形成した接
合電極にて電気的に結合してなる集積型太陽電池におい
て、前記接合電極の長さを、相隣するセルの配列方向と
直交する方向の透明導電膜の長さよりも短く形成したこ
とを特徴とする集積型太陽電池。 ２、前記膜状光活性層は半導体接合を備えた非晶質半導
体膜である特許請求の範囲第１項記載の集積型太陽電池
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59138290A JPS6116579A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 集積型太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59138290A JPS6116579A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 集積型太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6116579A true JPS6116579A (ja) | 1986-01-24 |
Family
ID=15218431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59138290A Pending JPS6116579A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 集積型太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6116579A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5378863A (en) * | 1992-02-06 | 1995-01-03 | Toyodenso Kabushiki Kaisha | Electric switch |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5996779A (ja) * | 1982-11-24 | 1984-06-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| JPS59103383A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-07-03 JP JP59138290A patent/JPS6116579A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5996779A (ja) * | 1982-11-24 | 1984-06-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| JPS59103383A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5378863A (en) * | 1992-02-06 | 1995-01-03 | Toyodenso Kabushiki Kaisha | Electric switch |
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