JPS61162555A - 新規なピロロピロール及び該化合物からなる電子写真記録材料用光伝導性物質 - Google Patents
新規なピロロピロール及び該化合物からなる電子写真記録材料用光伝導性物質Info
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- JPS61162555A JPS61162555A JP60299827A JP29982785A JPS61162555A JP S61162555 A JPS61162555 A JP S61162555A JP 60299827 A JP60299827 A JP 60299827A JP 29982785 A JP29982785 A JP 29982785A JP S61162555 A JPS61162555 A JP S61162555A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、次式！：
ＳＢ
（式中、Ａ及びＢは同一または異なったアルキル基、ア
ルアルキル基、シクロアルキル基、または炭素環もしく
は複素環式の芳香族基を表わし、Ｒ１及びＲｎは水素原
子または水溶性を付与しない基を表わす）で表わされる
新規なピロロビロール化合物に関する。
ルアルキル基、シクロアルキル基、または炭素環もしく
は複素環式の芳香族基を表わし、Ｒ１及びＲｎは水素原
子または水溶性を付与しない基を表わす）で表わされる
新規なピロロビロール化合物に関する。
上記式Ｉ中、アルキル基としてのＡ及びＢは、直鎖もし
くけ枝分れ鎖、飽和もしくは不飽和であることができ、
好ましくはフないし１８個、最も好ましくは１ないし１
２個の炭素原子を含有し、例えばメチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、インドリル基、ｎ−ブチル基、第ニブ
チル基、第三ブチル基、第三アミル基、ｎ−ペンチル基
、ｎ−ヘキシル基、１．１．３．３−テトラメチルブチ
ル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ノニル基、デ
シル基、ウンデシル基、ドデシル基またはステアリル基
であり得る。
くけ枝分れ鎖、飽和もしくは不飽和であることができ、
好ましくはフないし１８個、最も好ましくは１ないし１
２個の炭素原子を含有し、例えばメチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、インドリル基、ｎ−ブチル基、第ニブ
チル基、第三ブチル基、第三アミル基、ｎ−ペンチル基
、ｎ−ヘキシル基、１．１．３．３−テトラメチルブチ
ル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ノニル基、デ
シル基、ウンデシル基、ドデシル基またはステアリル基
であり得る。
アルアルキル基としてのＡ及びＢｆｆ好ましくは、直鎖
もしくは枝分れ鎖の炭素原子数１ないし１２、好ましく
は炭素原子数１ないし６、さらに好ましくは炭素原子数
１ないし４のアルキル基もしくはアルケニル基を有する
単環式ないし三環式、最も好ましくは単環式もしくは二
環式の７リール基を含むものである。その様なアルアル
キル基の例としてはベンジル基及びフェニルエチル基が
挙げられる。
もしくは枝分れ鎖の炭素原子数１ないし１２、好ましく
は炭素原子数１ないし６、さらに好ましくは炭素原子数
１ないし４のアルキル基もしくはアルケニル基を有する
単環式ないし三環式、最も好ましくは単環式もしくは二
環式の７リール基を含むものである。その様なアルアル
キル基の例としてはベンジル基及びフェニルエチル基が
挙げられる。
同素環式芳香族基としてのＡ及びＢは、好ましくは単環
式な込し四環式の基、最も好ましくは単環式またけ二環
式の基であり、例えばフェニル基、ジフェニル基または
ナフチル基である。
式な込し四環式の基、最も好ましくは単環式またけ二環
式の基であり、例えばフェニル基、ジフェニル基または
ナフチル基である。
複素環式芳香族基としてのＡ及びＢけ好ましくは単環式
ないし三環式の基である。鉄基は、純粋な複素環式基ま
たは複素環式基と１個もしくはそれ以上の縮合したベン
ゼン環を含有するものであることができ、例えばピリジ
ル基、ピリミジル基、ピラジニル基、トリアジニル基、
フラニル基、ピロリル基、チオフェニル基、キノリル基
、クロモニル基、ベンゾフラニル基、ベンズイミダゾリ
ル基、ベンズオキサシリル基、ジペンゾフラニル基、ベ
ンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、インド
リル基、カルバゾリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル
基、オキサシリル基、インオキサシリル基、チアゾリル
基、イミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ピリダジニ
ル基、シンノリル基、キナゾリル基、キノキサリル基、
フタラジニル基、フタラジンジオニル基、フタルイミジ
ル基、クロモニル基、ナフトラクタミル基、ベンゾピリ
ドニル基、マレイミジル基、ナフタリジニル基、ペンズ
イミタソロニル基、ベンゾオキサソロニル基、ベンゾチ
アゾロニル基、ベンゾチアゾリニル基、キナゾロニル基
、ピリミジル基、キノキサロニル基、フタラジニル基、
ジオキサピリミジニル基、ピリドニル基、インキノロニ
ル基、インキノリニル基、インチアゾリル基、ペンズイ
ソキサソリル基、ベンズイソチアゾリル基、インキノリ
ニル基、アクリジニル基、アクリドニル基、キナゾリン
ジオニル基、キノキサリンジオニル基、ベンゾキサチン
ジオニル基及びナフタルイミジル基である。同素環式芳
香族基及び複素環式芳香族基の両方とも、例えばヨーロ
ッパ特許公告第９４９１１号に記載されているような通
常の置換基を含有していてもよい。
ないし三環式の基である。鉄基は、純粋な複素環式基ま
たは複素環式基と１個もしくはそれ以上の縮合したベン
ゼン環を含有するものであることができ、例えばピリジ
ル基、ピリミジル基、ピラジニル基、トリアジニル基、
フラニル基、ピロリル基、チオフェニル基、キノリル基
、クロモニル基、ベンゾフラニル基、ベンズイミダゾリ
ル基、ベンズオキサシリル基、ジペンゾフラニル基、ベ
ンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、インド
リル基、カルバゾリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル
基、オキサシリル基、インオキサシリル基、チアゾリル
基、イミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ピリダジニ
ル基、シンノリル基、キナゾリル基、キノキサリル基、
フタラジニル基、フタラジンジオニル基、フタルイミジ
ル基、クロモニル基、ナフトラクタミル基、ベンゾピリ
ドニル基、マレイミジル基、ナフタリジニル基、ペンズ
イミタソロニル基、ベンゾオキサソロニル基、ベンゾチ
アゾロニル基、ベンゾチアゾリニル基、キナゾロニル基
、ピリミジル基、キノキサロニル基、フタラジニル基、
ジオキサピリミジニル基、ピリドニル基、インキノロニ
ル基、インキノリニル基、インチアゾリル基、ペンズイ
ソキサソリル基、ベンズイソチアゾリル基、インキノリ
ニル基、アクリジニル基、アクリドニル基、キナゾリン
ジオニル基、キノキサリンジオニル基、ベンゾキサチン
ジオニル基及びナフタルイミジル基である。同素環式芳
香族基及び複素環式芳香族基の両方とも、例えばヨーロ
ッパ特許公告第９４９１１号に記載されているような通
常の置換基を含有していてもよい。
上記式■中の、水溶性を付与しない置換基としてのＲ１
及びＲ２は、例えば直鎖もしくは枝分れ鎖、飽和もしく
は不飽和の炭素原子数１ないし１８、最も好ましくは炭
素原子数１ないし１２のアルキル基である。これらの基
は未置換でも、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、アルコキ
シ基、アシルオキシ基、アルキルメルカプト基、アルコ
キシカルボニル基もしくけシアノ基で置換されていても
よい。その様な基の例としては、メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、インプロピル基、ｎ−ブチル基、第ニ
ブチル基、第三ブチル基、メチルブチル基、ｎ−ヘプチ
ル基、ｎ−オクチル基、ノニル基、デシル基、ランデシ
”基、）”ｙシル基、ステアリル基、ヒドロキシメチル
基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、シ
アノエチル基、メトキシカルボニルメチル基またはアセ
トキシメチル基が挙げられる。
及びＲ２は、例えば直鎖もしくは枝分れ鎖、飽和もしく
は不飽和の炭素原子数１ないし１８、最も好ましくは炭
素原子数１ないし１２のアルキル基である。これらの基
は未置換でも、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、アルコキ
シ基、アシルオキシ基、アルキルメルカプト基、アルコ
キシカルボニル基もしくけシアノ基で置換されていても
よい。その様な基の例としては、メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、インプロピル基、ｎ−ブチル基、第ニ
ブチル基、第三ブチル基、メチルブチル基、ｎ−ヘプチ
ル基、ｎ−オクチル基、ノニル基、デシル基、ランデシ
”基、）”ｙシル基、ステアリル基、ヒドロキシメチル
基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、シ
アノエチル基、メトキシカルボニルメチル基またはアセ
トキシメチル基が挙げられる。
Ｒ１及びＲ１はアリール基であってもよく、好ましくは
未置換もしくはハロゲン原子、炭素原子数１なｈし１２
のアルキル基、炭素原子数１ないし１２のアルコキシ基
、炭素原子数１ないし１２のアルキルメルカプト基、ト
リフルオロメチル基もしくはニトロ基により置換された
フェニル基である。Ｒ１及びＲ，が水素原子である式Ｉ
の化合物が特に好ましい。同様に、Ａ及びＢが同一また
は異なって次式１１： （式中、ｘ、Ｙ及び２は各々独立に水素原子、ハロゲン
ｉ子、トリフルオロメチル基、シアノ基、炭素原子数１
ないし１２のアルキル基、炭素原子数１ないし１２のア
ルコキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルキルメルカ
プト基、炭素原子数２ないし６のアルコキシカルボニル
基、炭素原子数２ないしるのジアルキルアミノ基、また
は各々未置換もしくはハロゲン原子、炭素原子数１ない
し６のアルキル基もしくは炭素原子数１ないし６のアル
コキシ基により置換されたフェノキシ基、フェニルメル
カプト基モしくはフェノキシカルボニル基を表わし、Ｘ
、 Ｙ及びＺのうち少なくとも１個は水素原子を表わす
）で表わされる基を表わす化合物が好ましい。Ｘ。
未置換もしくはハロゲン原子、炭素原子数１なｈし１２
のアルキル基、炭素原子数１ないし１２のアルコキシ基
、炭素原子数１ないし１２のアルキルメルカプト基、ト
リフルオロメチル基もしくはニトロ基により置換された
フェニル基である。Ｒ１及びＲ，が水素原子である式Ｉ
の化合物が特に好ましい。同様に、Ａ及びＢが同一また
は異なって次式１１： （式中、ｘ、Ｙ及び２は各々独立に水素原子、ハロゲン
ｉ子、トリフルオロメチル基、シアノ基、炭素原子数１
ないし１２のアルキル基、炭素原子数１ないし１２のア
ルコキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルキルメルカ
プト基、炭素原子数２ないし６のアルコキシカルボニル
基、炭素原子数２ないしるのジアルキルアミノ基、また
は各々未置換もしくはハロゲン原子、炭素原子数１ない
し６のアルキル基もしくは炭素原子数１ないし６のアル
コキシ基により置換されたフェノキシ基、フェニルメル
カプト基モしくはフェノキシカルボニル基を表わし、Ｘ
、 Ｙ及びＺのうち少なくとも１個は水素原子を表わす
）で表わされる基を表わす化合物が好ましい。Ｘ。
Ｙ及び２は例えばジチオケトピロロビロール基に対して
オルト位、メタ位またはバラ位、好ましくはメタ位また
はバラ位に位置する。
オルト位、メタ位またはバラ位、好ましくはメタ位また
はバラ位に位置する。
特に好ましい式Ｉの化合物は、Ａ及びＢが同一または異
なって次式ＩＩＩ： （式中、Ｘ１及びＹｌのうちの１方は水素原子、塩素原
子、臭素原子、メチル基、シアノ基、Ｎ、Ｎ−ジメチル
アミノ基、Ｎ、 Ｎ−ジエチルアミノ基、炭素原子数１
ないし１２のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１２の
アルキルメルカプト基または炭素原子数２ないし４のア
ルコキシカルボニル基を表わし、もう一方の置換基は水
素原子を表わす）で表わされる基を表わす化合物である
。Ｘ１及びＹｌは例えばジチオケトピロロビロール基に
対してオルト−、メタ−またはバラ位、好ましくはメタ
−またはバラ位に位置する。
なって次式ＩＩＩ： （式中、Ｘ１及びＹｌのうちの１方は水素原子、塩素原
子、臭素原子、メチル基、シアノ基、Ｎ、Ｎ−ジメチル
アミノ基、Ｎ、 Ｎ−ジエチルアミノ基、炭素原子数１
ないし１２のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１２の
アルキルメルカプト基または炭素原子数２ないし４のア
ルコキシカルボニル基を表わし、もう一方の置換基は水
素原子を表わす）で表わされる基を表わす化合物である
。Ｘ１及びＹｌは例えばジチオケトピロロビロール基に
対してオルト−、メタ−またはバラ位、好ましくはメタ
−またはバラ位に位置する。
式Ｉの化合物は次式■：
Ｂ
（式中、Ａ及びＢは前記式■で定義した意味を表わす）
で表わされるジケトピロロピロールを硫化剤と共に加熱
することにより製造される。
で表わされるジケトピロロピロールを硫化剤と共に加熱
することにより製造される。
適する硫化剤は三硫化四燐（Ｐ４Ｓｓ）、七硫化四燐（
Ｐ４Ｓｔ ） ｓ十硫化四燐（Ｐａ Ｓｔｏ ）及びそ
のビ１ノジン錯体（Ｐ４ Ｓｘｏ ・４ Ｃ５Ｈ５Ｎ
）、並びにジチオホスフェタン、特に２．４−ビス−（
４−メトキシフェニル）−１，３−ジチア−２，４−ジ
ホスフェタン２．４−ジスルフィド〔ラウェフラン試薬
（Ｌａｗｅｓｓｏｎ’ｓ ｒｅａｇｅｎｔ ） ）であ
り、最後に記した化合物と十硫化四燐が好ましい。反応
は５０ないし２５０℃の範囲の温度で、過剰の硫化剤を
用いて行なうのが便利であり、好ましくは不活性溶媒中
、８０な？ｌ、１５０℃の範囲で行なわれる。
Ｐ４Ｓｔ ） ｓ十硫化四燐（Ｐａ Ｓｔｏ ）及びそ
のビ１ノジン錯体（Ｐ４ Ｓｘｏ ・４ Ｃ５Ｈ５Ｎ
）、並びにジチオホスフェタン、特に２．４−ビス−（
４−メトキシフェニル）−１，３−ジチア−２，４−ジ
ホスフェタン２．４−ジスルフィド〔ラウェフラン試薬
（Ｌａｗｅｓｓｏｎ’ｓ ｒｅａｇｅｎｔ ） ）であ
り、最後に記した化合物と十硫化四燐が好ましい。反応
は５０ないし２５０℃の範囲の温度で、過剰の硫化剤を
用いて行なうのが便利であり、好ましくは不活性溶媒中
、８０な？ｌ、１５０℃の範囲で行なわれる。
適する溶媒は、例えばベンゼン、トルエン、キシレンも
しくはテトラヒドロす７タレンのような芳香族炭化水素
；クロロベンゼン及び０−ジクロロベンゼンのような塩
素化芳香族炭化水素；ジメトキシエーテル、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル、アニソール、ジオキサン
もしくはジフェニルエーテルのようなエーテル類；まだ
はアセトニトリルもしくはベンゾニトリルのようなニト
リル；またはジメチルチオホルムアミド、ジメチルチオ
アセトアミド、テトラエチルスルファミド及びヘキサメ
チルリン酸トリアミドのようなアミドもしくはチオアミ
ド；または上記溶媒の混合物である。
しくはテトラヒドロす７タレンのような芳香族炭化水素
；クロロベンゼン及び０−ジクロロベンゼンのような塩
素化芳香族炭化水素；ジメトキシエーテル、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル、アニソール、ジオキサン
もしくはジフェニルエーテルのようなエーテル類；まだ
はアセトニトリルもしくはベンゾニトリルのようなニト
リル；またはジメチルチオホルムアミド、ジメチルチオ
アセトアミド、テトラエチルスルファミド及びヘキサメ
チルリン酸トリアミドのようなアミドもしくはチオアミ
ド；または上記溶媒の混合物である。
得られたジチオケトピロロビロールは通常、濾過によす
単離できる。使用目的によっては、化学的純度を高める
ための後処理（例えば、再結晶、昇華等）及び／または
結晶形を変えるだめの後処理（例えば、有機溶媒中での
改質）が必要である。下記の溶媒がこの目的のために特
に好ましい：ハロゲン原子、アルキル基もしくはニトロ
基で置換されたベンゼン、例えばキシレン、クロロベン
ゼン、ｏ−ジクロロベンゼンまたはニトロベンゼン；並
ヒ罠ピリジン、ピコリンもしくはキノリンのようなピリ
ジン塩基；及びさらにアセトン、メチルエチルケトンモ
ジくはシクロヘキサノンのよりなケトン；エチレングリ
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテルもしくハチトラヒドロフランのようなエー
テル；ジメチルホルムアミドもしくはＮ−メチルピロリ
ドンのようなアミド；メタノールもしくはエタノールの
ようなアルコール；並びにジメチルスルホキシド、スル
ホラン、アセトニトリル、ベンゾニトリル、酢酸メチル
エステルまたは酢酸エチルエステルである。好ましい溶
媒はアセトン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムア
ミド、メタノール、ジメチルスルホキシド、酢酸エチル
エステル及びアセトニトリルである。
単離できる。使用目的によっては、化学的純度を高める
ための後処理（例えば、再結晶、昇華等）及び／または
結晶形を変えるだめの後処理（例えば、有機溶媒中での
改質）が必要である。下記の溶媒がこの目的のために特
に好ましい：ハロゲン原子、アルキル基もしくはニトロ
基で置換されたベンゼン、例えばキシレン、クロロベン
ゼン、ｏ−ジクロロベンゼンまたはニトロベンゼン；並
ヒ罠ピリジン、ピコリンもしくはキノリンのようなピリ
ジン塩基；及びさらにアセトン、メチルエチルケトンモ
ジくはシクロヘキサノンのよりなケトン；エチレングリ
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテルもしくハチトラヒドロフランのようなエー
テル；ジメチルホルムアミドもしくはＮ−メチルピロリ
ドンのようなアミド；メタノールもしくはエタノールの
ようなアルコール；並びにジメチルスルホキシド、スル
ホラン、アセトニトリル、ベンゾニトリル、酢酸メチル
エステルまたは酢酸エチルエステルである。好ましい溶
媒はアセトン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムア
ミド、メタノール、ジメチルスルホキシド、酢酸エチル
エステル及びアセトニトリルである。
Ａ、 Ｂ、 Ｒ，及びＲ：の基の性質及び着色すべきポ
リマーの性質に依存して、式Ｉの化合物はポリマー溶解
性染料もしくは顔料として使用してもよい。
リマーの性質に依存して、式Ｉの化合物はポリマー溶解
性染料もしくは顔料として使用してもよい。
式Ｉの化合物は、例えば電子写真記録材料中の光伝導性
物質として特に興味深い。該材料は、伝導性支持体と暗
い所では絶縁性であるが露光すると伝導性となる層状構
造とからなる。この層状構造は１層もしくは２層からな
る。単層からなる場合は、少なくとも１種の光伝導性物
質を少なくとも１種の結合剤中に分散するか、伝導性の
支持体上忙直接気化する。多層構造は、１種もしくはそ
れ以上の光伝導性物質を含有する少なくとも一層の電荷
キャリヤー発生層と、少なくとも一層の電荷運搬層とか
らなる。
物質として特に興味深い。該材料は、伝導性支持体と暗
い所では絶縁性であるが露光すると伝導性となる層状構
造とからなる。この層状構造は１層もしくは２層からな
る。単層からなる場合は、少なくとも１種の光伝導性物
質を少なくとも１種の結合剤中に分散するか、伝導性の
支持体上忙直接気化する。多層構造は、１種もしくはそ
れ以上の光伝導性物質を含有する少なくとも一層の電荷
キャリヤー発生層と、少なくとも一層の電荷運搬層とか
らなる。
従って、本発明の他の実施態様として、少なくとも、一
つの伝導性支持体、露光した時電荷を発生する一層及び
一層の電荷運搬層とからなり、該層のうちの少なくとも
一層が少なくとも一種の式Ｉの化合物を含有する電子写
真記録材料が挙げられる。
つの伝導性支持体、露光した時電荷を発生する一層及び
一層の電荷運搬層とからなり、該層のうちの少なくとも
一層が少なくとも一種の式Ｉの化合物を含有する電子写
真記録材料が挙げられる。
伝導性支持体は金属板またはシートからなり、これらは
粗面でも、例えばパフ磨きすることにより前処理されて
いてもよく、例えばアルミニウム、亜鉛、マグネシウム
、銅またはこれらの金属の合金からなる。アルミニウム
の場合には、前処理は陽極酸化することにより行なわれ
る。
粗面でも、例えばパフ磨きすることにより前処理されて
いてもよく、例えばアルミニウム、亜鉛、マグネシウム
、銅またはこれらの金属の合金からなる。アルミニウム
の場合には、前処理は陽極酸化することにより行なわれ
る。
アルミニウムと共に蒸気噴射されたプラスチックシート
、並びに表面金属化ボリマーフィルムもまた適する支持
体である。
、並びに表面金属化ボリマーフィルムもまた適する支持
体である。
層状構造は、露光したときに電荷を発生する物質として
ジチオケトピロロビロールを含有シ、該物質は、層状構
造中に存在する電荷運搬物質と共に作用する。その様な
層状構造とすることにより、前もって静電電荷及び画像
を形成する暴露を行なった後、公知の電子記録方法によ
り目に見える画像に転化しうる、荷電及び放電部分の対
応するパターン（潜像）の形成が可能になる。
ジチオケトピロロビロールを含有シ、該物質は、層状構
造中に存在する電荷運搬物質と共に作用する。その様な
層状構造とすることにより、前もって静電電荷及び画像
を形成する暴露を行なった後、公知の電子記録方法によ
り目に見える画像に転化しうる、荷電及び放電部分の対
応するパターン（潜像）の形成が可能になる。
暴露は可視範囲の光により行なうことができる。しかし
ながら、ジチオケトピロロビロールの特別な利点は、該
化合物が赤外域に近い化学線を吸収することもできるこ
と、及びこの波長域において光電導性でもあることであ
る。高エネルギー亜砒酸ガリウムレーザーが作用する７
００ないし９００ ｎｍの範囲が特に興味深い。
ながら、ジチオケトピロロビロールの特別な利点は、該
化合物が赤外域に近い化学線を吸収することもできるこ
と、及びこの波長域において光電導性でもあることであ
る。高エネルギー亜砒酸ガリウムレーザーが作用する７
００ないし９００ ｎｍの範囲が特に興味深い。
これらが高い暗抵抗を示すという事実のために、ジチオ
ケトピロロビロールは未畢露部分の静電位の維持を助け
る。
ケトピロロビロールは未畢露部分の静電位の維持を助け
る。
単層からなる層状構造の場合は、これらは有機結合剤中
に、所望により荷電運搬物質と共に微細に分散した形態
の１種もしくはそれ以上のジチオピロロピロールを含有
する。
に、所望により荷電運搬物質と共に微細に分散した形態
の１種もしくはそれ以上のジチオピロロピロールを含有
する。
結合剤はフィルム形成性、絶縁性及び接着性である。施
用目的に依存して、結合剤は有機溶媒または水を含んで
いてもよい有機溶媒の塩基性混合物に可溶性である。特
に適する結合剤は、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエ
ステル、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリケトン、
ボリカーホゝネート、ポリビニルケトン、ポリスチレン
、ポリビニルカルバゾール、ポリアクリルアミド、ポリ
メチルメタクリレート、ポリビニルブチレート、ポリビ
ニルクロライドの様な重縮合及び重付加生成物、並びに
スチレン／無水マレイン酸コポリマーもしくはスチレン
／メタクリル酸／メタクリレートコポリマーの様ナコボ
リマーをベースとしたものである。
用目的に依存して、結合剤は有機溶媒または水を含んで
いてもよい有機溶媒の塩基性混合物に可溶性である。特
に適する結合剤は、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエ
ステル、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリケトン、
ボリカーホゝネート、ポリビニルケトン、ポリスチレン
、ポリビニルカルバゾール、ポリアクリルアミド、ポリ
メチルメタクリレート、ポリビニルブチレート、ポリビ
ニルクロライドの様な重縮合及び重付加生成物、並びに
スチレン／無水マレイン酸コポリマーもしくはスチレン
／メタクリル酸／メタクリレートコポリマーの様ナコボ
リマーをベースとしたものである。
１層以上からなる層状構造の場合、二層のものが特に興
味深い。その様な場合には、最初に電荷発生層を伝導性
支持体に塗布し、その後電荷運搬層を第一の層に塗布す
る。層は逆の順序で塗布してもよい。層の一方、好まし
くは電荷発生層は少なくとも一種のジチオケトピロロビ
ロール全含有する。これは有機結合剤中に溶解するか、
もしくは微細に分散してもよい。伝導性の層への塗布は
、例えば該化合物を、有機溶媒中の結合剤／顔料混合物
の溶液もしくは分散液と共に被覆し、続いて溶媒を留去
することにより行なわれる。しかしながら、ジチオケト
ピロロビロールは伝導性支持体上に蒸着してもよい。
味深い。その様な場合には、最初に電荷発生層を伝導性
支持体に塗布し、その後電荷運搬層を第一の層に塗布す
る。層は逆の順序で塗布してもよい。層の一方、好まし
くは電荷発生層は少なくとも一種のジチオケトピロロビ
ロール全含有する。これは有機結合剤中に溶解するか、
もしくは微細に分散してもよい。伝導性の層への塗布は
、例えば該化合物を、有機溶媒中の結合剤／顔料混合物
の溶液もしくは分散液と共に被覆し、続いて溶媒を留去
することにより行なわれる。しかしながら、ジチオケト
ピロロビロールは伝導性支持体上に蒸着してもよい。
第二の層は、好ましくは有機溶媒中に溶解もり、 ＜は
分散された、１種もしくはそれ以上の電荷運搬物質を含
有する。適する電荷運搬物質は穐々の有機化合物、好ま
しくはヒドラゾンまたはアルキリデン橋もしくは基を含
有していてもよい芳香族アミンの様な芳香族窒素含有化
合物である。その様な物質の例は、ドイツ特許公開公報
５４４７６８５号の第５７〜６５頁に記載されている。
分散された、１種もしくはそれ以上の電荷運搬物質を含
有する。適する電荷運搬物質は穐々の有機化合物、好ま
しくはヒドラゾンまたはアルキリデン橋もしくは基を含
有していてもよい芳香族アミンの様な芳香族窒素含有化
合物である。その様な物質の例は、ドイツ特許公開公報
５４４７６８５号の第５７〜６５頁に記載されている。
本発明による顔料は最大７８０ ｎｍの波長までの最終
的な吸収を示すが、ンーザーレコーディングのための光
伝導性は不充分である。しかしながら、本発明において
この吸収をかなり長波長側へシフトできる方法が見出さ
れた。これは上記で得られた写真記録材料を溶媒の蒸気
、例えばアセトン、テトラヒドロフラン、ジメチルホル
ムアミド、メタノール、アセトニトリル、ジメチルスル
ホキシドまたは酢酸エチルエステルの蒸気に１ないし２
時間露呈することにより達成される。
的な吸収を示すが、ンーザーレコーディングのための光
伝導性は不充分である。しかしながら、本発明において
この吸収をかなり長波長側へシフトできる方法が見出さ
れた。これは上記で得られた写真記録材料を溶媒の蒸気
、例えばアセトン、テトラヒドロフラン、ジメチルホル
ムアミド、メタノール、アセトニトリル、ジメチルスル
ホキシドまたは酢酸エチルエステルの蒸気に１ないし２
時間露呈することにより達成される。
波長のシフト方法は、特殊なフタロシアニンについては
ケイ６アリシエマ（Ｋ、 ＡｒＡｒ１５ｈ ）等による
出版物であるＡｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔｅｒｓ
４０（５）、第２７９頁（１９８２年）により公知で
ある。
ケイ６アリシエマ（Ｋ、 ＡｒＡｒ１５ｈ ）等による
出版物であるＡｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔｅｒｓ
４０（５）、第２７９頁（１９８２年）により公知で
ある。
この場合、約９０ ｎｍ長波長側へシフトできる。
このため、１．４−ジケトピロロ（３，４−ｃ）−ビロ
ールへのこの方法の適用が試みられたが、結果は、短波
長側へのシフトに終った。驚くべきことに、この方法を
本発明のジチオケトピロロビロールを含有する材料に適
用したところ、全く予期しなかった約１３０ ｎｍ以上
長波長側へのシフトが得られた。この溶媒処理により、
暗抵抗及び光伝導性も約１００単位増加した。
ールへのこの方法の適用が試みられたが、結果は、短波
長側へのシフトに終った。驚くべきことに、この方法を
本発明のジチオケトピロロビロールを含有する材料に適
用したところ、全く予期しなかった約１３０ ｎｍ以上
長波長側へのシフトが得られた。この溶媒処理により、
暗抵抗及び光伝導性も約１００単位増加した。
同様のスペクトルのシフト、並びに同様の暗抵抗値及び
光電流値が粉末化された顔料についても得られる。これ
らの顔料はまず磨砕し、その後溶媒、例えば酢酸エチル
エステルで処理し、続いて支持体上に結合剤と共に塗布
される。
光電流値が粉末化された顔料についても得られる。これ
らの顔料はまず磨砕し、その後溶媒、例えば酢酸エチル
エステルで処理し、続いて支持体上に結合剤と共に塗布
される。
従って本発明のもう１つの実施態様として、弐Ｉの化合
物を結合剤と共に伝導性支持体上に塗布するか、または
該支持体上に該化合物を減圧下で蒸着し、そのように製
造された層を液体状態または気体状態の有機溶媒で処理
し、続いて、芳香族窒素含有化合物を含有する第二の層
を施用することを特徴とする電子写真記録材料の製造方
法が挙げられる。
物を結合剤と共に伝導性支持体上に塗布するか、または
該支持体上に該化合物を減圧下で蒸着し、そのように製
造された層を液体状態または気体状態の有機溶媒で処理
し、続いて、芳香族窒素含有化合物を含有する第二の層
を施用することを特徴とする電子写真記録材料の製造方
法が挙げられる。
これらの物性を改良するために、電荷発生層及び電荷運
搬層は均染剤、表面活性剤または可塑剤のような添加剤
を含有していてもよい。
搬層は均染剤、表面活性剤または可塑剤のような添加剤
を含有していてもよい。
（実 施 例）
本発明を下記の実施例によりさらに詳細に説明する。
実施例１：プロペラミキサー、温度計及び還流冷却器を
付けた２００ｄのスルホン化用フラスコに、窒素雰囲気
下で１．４−ジケ）−３，６−ジフエ二ルビロロ（３，
４−ｃ）ビロール”ｚ、８ｑｐ及び２゜４−ビス（４−
メトキシフェニル）−１，５−ジチア−２，４−ジホス
フエタン２．４−ジスルフィド（Ｌａｗｅｓｓｏｎ試薬
）４．９５ｊｊを入れ、その後該化合物を、キシレン混
合物６０１１１及びヘキサメチルリン酸トリアミド２．
５−で覆う。混合物を激しく攪拌した後、還流下１５３
℃に加熱する。７時間煮沸した後、混合物を約９０℃に
冷却する。
付けた２００ｄのスルホン化用フラスコに、窒素雰囲気
下で１．４−ジケ）−３，６−ジフエ二ルビロロ（３，
４−ｃ）ビロール”ｚ、８ｑｐ及び２゜４−ビス（４−
メトキシフェニル）−１，５−ジチア−２，４−ジホス
フエタン２．４−ジスルフィド（Ｌａｗｅｓｓｏｎ試薬
）４．９５ｊｊを入れ、その後該化合物を、キシレン混
合物６０１１１及びヘキサメチルリン酸トリアミド２．
５−で覆う。混合物を激しく攪拌した後、還流下１５３
℃に加熱する。７時間煮沸した後、混合物を約９０℃に
冷却する。
得られた生成物を濾過（より単離し、温めたキシレンで
洗浄し、その後少量のアセトンで、最後にメタノールで
洗浄した後、減圧下９０℃で乾燥すると次式： で表わされる化合物五〇４）が黒色を帯びた青色の結晶
性粉末として得られる。
洗浄し、その後少量のアセトンで、最後にメタノールで
洗浄した後、減圧下９０℃で乾燥すると次式： で表わされる化合物五〇４）が黒色を帯びた青色の結晶
性粉末として得られる。
元素分析値：Ｃ＝６Ｓ７５％ Ｎ＝７．８８％Ｈ＝４．
００％ ５＝１７．２％ 融点：３５０℃以上で分解する。
００％ ５＝１７．２％ 融点：３５０℃以上で分解する。
ＭＳ、ＮＭＲ及び元素分析により、該化合物が下記の実
験式を有することがわかる。
験式を有することがわかる。
らＨ１！ Ｎｘ Ｓ ２・乙−（，０（分子量＝ ３２
（１４＋ １／２Ｈ鵞Ｏ）特に純粋な生成物を得るた
めに、粗生成物を好ましくはジメチルスルホキシドで再
結晶し、濾過した後、最後に常法によりメタノール中で
コンディジ目ニングすることもできる。
（１４＋ １／２Ｈ鵞Ｏ）特に純粋な生成物を得るた
めに、粗生成物を好ましくはジメチルスルホキシドで再
結晶し、濾過した後、最後に常法によりメタノール中で
コンディジ目ニングすることもできる。
実施例２：プロペラミキサー、温度計及び還流冷却器を
付けた２００ａＪのスルホン化用フラスコに、窒素雰囲
気下で１．４−ジケ）−３，６−ジ（ｐ−トリル）ピロ
ロ（３，４−ｃ）ビロール２．２１り及びＬａｗｅｓｓ
ｏｎ試薬１４７ｇを入れ、その後該化合物を、キシレン
混合物７〇−及びヘキサメチルリン酸トリアミド２．０
ｄで橙う。混合物を激しく攪拌した後、還流下１３２℃
に加熱する。
付けた２００ａＪのスルホン化用フラスコに、窒素雰囲
気下で１．４−ジケ）−３，６−ジ（ｐ−トリル）ピロ
ロ（３，４−ｃ）ビロール２．２１り及びＬａｗｅｓｓ
ｏｎ試薬１４７ｇを入れ、その後該化合物を、キシレン
混合物７〇−及びヘキサメチルリン酸トリアミド２．０
ｄで橙う。混合物を激しく攪拌した後、還流下１３２℃
に加熱する。
混合物はかなり粘稠性になるのでキシレン混合物１０ｇ
ｊで希釈しなければならない。１２時間煮沸した後、混
合物を約８０℃に冷却する。得られた生成物を濾過によ
り単離し、キシレン混合物続いてメタノールで洗浄した
後、減圧下１００℃で乾燥すると次式： ＣＨｌ ＣＨ８ で表わされる化合物１．４７５ｊが暗青色の粉末として
得られる。
ｊで希釈しなければならない。１２時間煮沸した後、混
合物を約８０℃に冷却する。得られた生成物を濾過によ
り単離し、キシレン混合物続いてメタノールで洗浄した
後、減圧下１００℃で乾燥すると次式： ＣＨｌ ＣＨ８ で表わされる化合物１．４７５ｊが暗青色の粉末として
得られる。
元素分析値： Ｃ＝６＆０６％ Ｎ＝７．７１％Ｈ＝
４．７６％ Ｓ＝１＆８６チ 融点：３５０℃以上で分解する。
４．７６％ Ｓ＝１＆８６チ 融点：３５０℃以上で分解する。
ＭＳ％ＮＭＲ及び元素分析により、上記の新規な粗生成
物が下記の実験式を有することがわかる。
物が下記の実験式を有することがわかる。
ＣｏＨｔｓＮｔＳｔ少量の水を伴う、（分子量＝５４＆
５＋少量の水）実施例３：プロペラミキサー、温度計及
び還流冷却器を付けた１００−のスルホン化用フラスコ
に、窒素雰囲気下、湿気を排除した状態で１，４−ジケ
ト−５−フヱニル−６−（５，４，５−トリメトキシフ
ェニル）ピロロ［３，４−ｃ）ビロール１．１４り、Ｌ
ａｗｅｓｓｏｎ試薬ｔ４ＢｊＦ試薬上４ＢｊＦ合物５０
ａｍを入れる。懸濁液を還流下で激しく攪拌しながら加
熱し、還流下１５１℃で１時間保持する。その後反応混
合物を８０℃に冷却し、吸引しながら一過する。得られ
た不溶性の顔料をまずキシレンで、その後メタノールで
洗浄する。これを減圧炉中７０〜８０℃で乾燥する。次
式： で表わされる化合物１．２９．１が黒色を帯びた青色の
粉末として得られる。
５＋少量の水）実施例３：プロペラミキサー、温度計及
び還流冷却器を付けた１００−のスルホン化用フラスコ
に、窒素雰囲気下、湿気を排除した状態で１，４−ジケ
ト−５−フヱニル−６−（５，４，５−トリメトキシフ
ェニル）ピロロ［３，４−ｃ）ビロール１．１４り、Ｌ
ａｗｅｓｓｏｎ試薬ｔ４ＢｊＦ試薬上４ＢｊＦ合物５０
ａｍを入れる。懸濁液を還流下で激しく攪拌しながら加
熱し、還流下１５１℃で１時間保持する。その後反応混
合物を８０℃に冷却し、吸引しながら一過する。得られ
た不溶性の顔料をまずキシレンで、その後メタノールで
洗浄する。これを減圧炉中７０〜８０℃で乾燥する。次
式： で表わされる化合物１．２９．１が黒色を帯びた青色の
粉末として得られる。
融点：２８０〜２８５℃（分解）
構造はＮＭＲ分析により確認される。
実施例４：プロペラミキサー、温度計及び還流冷却器を
付けた１００ｄのスルホン化用フラスコに、窒素雰囲気
下、湿気を排除した状態でＮ、 Ｎ’−ジメチル１，４
−ジケｌ−−５．６−ジフエニルピｏｏ（５，４−Ｃ）
ビロールα９５り及びＬａｗｅｓｓｏｎ試薬（Ｆｌｕｋ
ａ製）１．２２り及びトルエン５０ｍを入れる。混合物
を激しく攪拌し、緩やかな還流状態（約１０２℃）で加
熱し、該温度で１１／２時間保持する。続いて混合物を
５０℃に冷却し、メタノール５０ｍで希釈し、約５０℃
で３０分間攪拌し、その後室温に冷却する。沈殿した青
い結晶を濾過により単離し、メタノールで洗浄し、その
後７０〜８０℃で乾燥する。収量は粗生成物としてα７
６ｊｌである。キシレン中で再結晶すると次式： で表わされる純生成物α６４ｐが得られる。
付けた１００ｄのスルホン化用フラスコに、窒素雰囲気
下、湿気を排除した状態でＮ、 Ｎ’−ジメチル１，４
−ジケｌ−−５．６−ジフエニルピｏｏ（５，４−Ｃ）
ビロールα９５り及びＬａｗｅｓｓｏｎ試薬（Ｆｌｕｋ
ａ製）１．２２り及びトルエン５０ｍを入れる。混合物
を激しく攪拌し、緩やかな還流状態（約１０２℃）で加
熱し、該温度で１１／２時間保持する。続いて混合物を
５０℃に冷却し、メタノール５０ｍで希釈し、約５０℃
で３０分間攪拌し、その後室温に冷却する。沈殿した青
い結晶を濾過により単離し、メタノールで洗浄し、その
後７０〜８０℃で乾燥する。収量は粗生成物としてα７
６ｊｌである。キシレン中で再結晶すると次式： で表わされる純生成物α６４ｐが得られる。
元素分析値： Ｃ＝６ａ７６％ Ｎ＝ａ０３％Ｈ＝４
６９慢 Ｓ＝１＆２２％ 融点＝２５６〜２６０℃ 実施例５：実施例２の方法に従って１．４−ジケト−５
，６−シ（４−メ）キシフェニル）ピロロ〜［３，４−
ｃ）ビロール１．７４ Ｆ及びＬｓｃｗｅｓｓｏｎ試薬
１４８ＪＦを反応させる。希釈液を添加する必要はない
。乾燥した後、次式： ０ＣＨｓ で表わされる化合物１．８３．Ｐが暗青色の粉末として
得られる。
６９慢 Ｓ＝１＆２２％ 融点＝２５６〜２６０℃ 実施例５：実施例２の方法に従って１．４−ジケト−５
，６−シ（４−メ）キシフェニル）ピロロ〜［３，４−
ｃ）ビロール１．７４ Ｆ及びＬｓｃｗｅｓｓｏｎ試薬
１４８ＪＦを反応させる。希釈液を添加する必要はない
。乾燥した後、次式： ０ＣＨｓ で表わされる化合物１．８３．Ｐが暗青色の粉末として
得られる。
元素分析値： Ｃ＝６７−９％ Ｎ＝７．２５％Ｈ＝
ａ、ｓ５％ ５＝１６．２チ 融点：５５０℃以上で分解する。
ａ、ｓ５％ ５＝１６．２チ 融点：５５０℃以上で分解する。
該顔料の構造はスペクトルデータ（ＩＲ％ＮＭＲ及びＭ
Ｓ）Ｋより確認される。
Ｓ）Ｋより確認される。
実施例６：プロペラミキサー、温度計及び還流冷却器を
付けた１００！ＩＬｌのスルホン化フラスコに、窒素雰
囲気下で１．４−ジケト−５，６−ビス（４−ドテシル
メルカプトフェニル）ピロロ（３，４−ｃ）−ビロール
１．５８り、Ｌａｖｅ ｓ ｓ ｏｎ試薬（Ｌ９９Ｆ及
びキシレン混合物５ｒＪｄを入れる。この混合物を１３
０℃に加熱し、この温度に２時間保持する。続いて反応
混合物を８０℃まで冷却する。
付けた１００！ＩＬｌのスルホン化フラスコに、窒素雰
囲気下で１．４−ジケト−５，６−ビス（４−ドテシル
メルカプトフェニル）ピロロ（３，４−ｃ）−ビロール
１．５８り、Ｌａｖｅ ｓ ｓ ｏｎ試薬（Ｌ９９Ｆ及
びキシレン混合物５ｒＪｄを入れる。この混合物を１３
０℃に加熱し、この温度に２時間保持する。続いて反応
混合物を８０℃まで冷却する。
生成物を濾過により単離した後、熱いキシレン混合物続
いてメタノールで洗浄する。減圧炉中１００℃で乾燥す
ることにょ抄成式： で表わされる化合物αａａａｐが暗青色の粉末として得
られる。融点：２８７〜２８９℃（分解）。
いてメタノールで洗浄する。減圧炉中１００℃で乾燥す
ることにょ抄成式： で表わされる化合物αａａａｐが暗青色の粉末として得
られる。融点：２８７〜２８９℃（分解）。
元素分析：Ｃ＝６９．５％ Ｎ＝五８２チＨ＝ａ３３％
５＝１７．８％ 実施例７：プロペラミキサー、温度計及び還流冷却器を
付けた１００ｄのスルホン化フラスコに、窒素雰囲気下
で１．４−ジケト−３，６−ジ（４−ピリジル）ピロロ
［３，４−ｃ’）−ピロール１．４５り、Ｌａｗｅｓｓ
ｏｎ 試薬２．４８夕及びジメチルチオホルムアミド３
０−を入れる。この混合物を１１０℃に加熱し、この温
度に３時間保持する。続いて反応混合物を４０℃まで冷
却する。未反応の出発顔料を濾過により除去した後、得
られた生成物をアセトンを用いて母液中に沈殿させる。
５＝１７．８％ 実施例７：プロペラミキサー、温度計及び還流冷却器を
付けた１００ｄのスルホン化フラスコに、窒素雰囲気下
で１．４−ジケト−３，６−ジ（４−ピリジル）ピロロ
［３，４−ｃ’）−ピロール１．４５り、Ｌａｗｅｓｓ
ｏｎ 試薬２．４８夕及びジメチルチオホルムアミド３
０−を入れる。この混合物を１１０℃に加熱し、この温
度に３時間保持する。続いて反応混合物を４０℃まで冷
却する。未反応の出発顔料を濾過により除去した後、得
られた生成物をアセトンを用いて母液中に沈殿させる。
続いて、生成物を室温で濾過することにより単離し、ア
セトン及びメタノールで洗浄し、減圧炉中、１００℃で
乾燥する。次式： で表わされる暗青色生成物４４０Ｍ９が得られる。
セトン及びメタノールで洗浄し、減圧炉中、１００℃で
乾燥する。次式： で表わされる暗青色生成物４４０Ｍ９が得られる。
融点：５ａＯ℃以上（分解）
実施例８：実施例１により得られた顔料α５４７１．５
０ｍのフラスコ中、バイブレータ−ボールミル（ミエー
ルハイム／ルールのシープテヒニークヵンパニーア、ヶ
、７よ７：５□□。、−ツー１ｏ。。１、。■）４１を
溶解した溶液に分散させる。ガラスピーズを除去した後
、顔料の分散液をアルミニウム支持体上に圧延用ロッド
を用いて広げ、見掛は上１５０μｍの厚さの未乾燥塗膜
を形成する。乾燥後、約１５詞の厚さで光電性ＣＥ １
／２：約１０μＪ／ｍ）を有する層が得られる。
０ｍのフラスコ中、バイブレータ−ボールミル（ミエー
ルハイム／ルールのシープテヒニークヵンパニーア、ヶ
、７よ７：５□□。、−ツー１ｏ。。１、。■）４１を
溶解した溶液に分散させる。ガラスピーズを除去した後
、顔料の分散液をアルミニウム支持体上に圧延用ロッド
を用いて広げ、見掛は上１５０μｍの厚さの未乾燥塗膜
を形成する。乾燥後、約１５詞の厚さで光電性ＣＥ １
／２：約１０μＪ／ｍ）を有する層が得られる。
実施例９：実施例１の顔料の代わりに実施例乙の顔料を
用いて実施例８の方法を繰り返す。良好な光電性を有す
る層が得られる。
用いて実施例８の方法を繰り返す。良好な光電性を有す
る層が得られる。
実施例１０：実施例１の顔料ＣＬ３Ｆをエチルセルロー
ス（１２ｇを含有するエタノールとメチルエチルケトン
の混合物（体積比２：１）１０ｙ中で処理する。この懸
濁液をガラスピーズで５時間磨砕し、続いて圧延用ロン
ドを用いてアルミニウム板に塗布する（電荷発生層）。
ス（１２ｇを含有するエタノールとメチルエチルケトン
の混合物（体積比２：１）１０ｙ中で処理する。この懸
濁液をガラスピーズで５時間磨砕し、続いて圧延用ロン
ドを用いてアルミニウム板に塗布する（電荷発生層）。
該層を５０℃で３時間乾燥する。層は６岡の厚さである
。続いて、メチルエチルケトン１１り中の次式■： Ｃ，Ｈ。
。続いて、メチルエチルケトン１１り中の次式■： Ｃ，Ｈ。
で表わされるヒドラゾン（Ｌ６．ＦとＬｕｃｉｔｅ’
［１９）の混合物からなる第二の層を塗布し、５０℃で
１５時間乾燥する。この光受容体は５μシーの感度（Ｅ
／２）と４３０ボルトの蓄電力を有する。
［１９）の混合物からなる第二の層を塗布し、５０℃で
１５時間乾燥する。この光受容体は５μシーの感度（Ｅ
／２）と４３０ボルトの蓄電力を有する。
実施例１１：実施例１の顔料を１０−’ｍｂａｒの圧力
下、アルミニウム支持体上に５Ａ／ｓｅｃの割合で蒸着
する。得られた層の厚さは２０００ないし３０００Ａで
ある。このフィルムを室温で１時間メタノール蒸気に暴
露する。続いて、実施例１ａに記載したのと同じ組成の
第二の層を塗布する。得られたフィルムは８５０ ｎｍ
で吸収を示す。
下、アルミニウム支持体上に５Ａ／ｓｅｃの割合で蒸着
する。得られた層の厚さは２０００ないし３０００Ａで
ある。このフィルムを室温で１時間メタノール蒸気に暴
露する。続いて、実施例１ａに記載したのと同じ組成の
第二の層を塗布する。得られたフィルムは８５０ ｎｍ
で吸収を示す。
実施例１２：実施例１１の方法に従って、実施例６の顔
料を支持体上に蒸着し、得られたフィルムをアセトン蒸
気に１時間暴露する。第二の層を実施例１０に記載した
ものと同じ組成物で塗布する。フィルムは８３０ ｎｍ
で吸収を示す。
料を支持体上に蒸着し、得られたフィルムをアセトン蒸
気に１時間暴露する。第二の層を実施例１０に記載した
ものと同じ組成物で塗布する。フィルムは８３０ ｎｍ
で吸収を示す。
実施例１３：実施例１の顔料［Ｌ４ｊｌを蒸留水１０ｇ
Ｊ中、直径１１ＩＩＩＩＩのガラスピーズ４０ｊｌを用
いて２日間磨砕する。得られた生成物を濾過（より単離
し、５０℃で２４時間乾燥し、続いて酢酸エチル中に１
時間浸し、その後再び濾過し、乾燥する。これより、実
施例８に記載したように単層構造の層を製造する。フィ
ルムは８３０ｎｍで吸収を示す。
Ｊ中、直径１１ＩＩＩＩＩのガラスピーズ４０ｊｌを用
いて２日間磨砕する。得られた生成物を濾過（より単離
し、５０℃で２４時間乾燥し、続いて酢酸エチル中に１
時間浸し、その後再び濾過し、乾燥する。これより、実
施例８に記載したように単層構造の層を製造する。フィ
ルムは８３０ｎｍで吸収を示す。
実施例１４：実施例１０に記載した方法に従い、実施例
１３に記載した方法により前処理した実施例１の顔料を
使用して二層構造の層を製造することができる。
１３に記載した方法により前処理した実施例１の顔料を
使用して二層構造の層を製造することができる。
実施例１５：実施例１０に記載した方法に従い、実施例
１５に記載した方法により前処理した実施例６の顔料を
使用して二層構造の層を製造することができる。
１５に記載した方法により前処理した実施例６の顔料を
使用して二層構造の層を製造することができる。
（＃１か１名）
Claims (11)
- （１）次式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ａ及びＢは同一または異なったアルキル基、ア
ルアルキル基、シクロアルキル基、または炭素環もしく
は複素環式の芳香族基を表わし、Ｒ＿１及びＲ＿２は水
素原子または水溶性を付与しない置換基を表わす）で表
わされる化合物。 - （２）上記式 I 中、Ａ及びＢが同一または異なった次
式II： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｘ、Ｙ及びＺは各々独立に水素原子、ハロゲン
原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、炭素原子数、
ないし１２のアルキル基、炭素原子数１ないし１２のア
ルコキシ基、炭素原子数、ないし１２のアルキルメルカ
プト基、炭素原子数２ないし６のアルコキシカルボニル
基、炭素原子数２ないし６のジアルキルアミノ基、また
は各々未置換またはハロゲン原子、炭素原子数、ないし
６のアルキル基もしくは炭素原子数１ないし６のアルコ
キシ基により置換されたフェノキシ基、フェニルメルカ
プト基もしくはフェノキシカルボニル基を表わし、置換
基Ｘ、Ｙ及びＺのうち少なくとも１個は水素原子を表わ
す）で表わされる基を表わす特許請求の範囲第１項記載
の化合物。 - （３）上記式 I 中、Ａ及びＢが同一または異なった次
式III： ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （式中、置換基Ｘ＿１及びＹ＿１のうちの１方は水素原
子、塩素原子、臭素原子、メチル基、シアノ基、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、炭素
原子数、ないし１２のアルコキシ基、炭素原子数、ない
し１２のアルキルメルカプト基または炭素原子数２ない
し４のアルコキシカルボニル基を表わし、もう一方の置
換基は水素原子を表わす）で表わされる基を表わす特許
請求の範囲第１項記載の化合物。 - （４）上記式 I 中、置換基Ｘ、Ｙ及びＺまたはＸ＿１
及びＹ＿１がジチオケトピロロピロール基に対してメタ
位またはバラ位に位置することを特徴とする特許請求の
範囲第２項または３項のいずれか１項に記載の化合物。 - （５）次式IV： ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） （式中、Ａ及びＢは後記式 I で定義する意味を表わす
）で表わされるジケトピロロピロールを硫化剤と共に加
熱することからなる次式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ａ及びＢは同一または異なったアルキル基、ア
ルアルキル基、シクロアルキル基、または炭素環もしく
は複素環式の芳香族基を表わし、Ｒ＿１及びＲ＿２は水
素原子または溶解性を付与しない置換基を表わす）で表
わされる化合物の製造方法。 - （６）硫化剤が２，４−ビス（４−メトキシフェニル）
−１，３−ジチア−２，４−ジホスフェタン２，４−ジ
スルフィドまたは十硫化四燐であることを特徴とする特
許請求の範囲第５項記載の製造方法。 - （７）硫化を不活性溶媒中で行なうことを特徴とする特
許請求の範囲第５項記載の製造方法。 - （８）少なくとも、１つの伝導性支持体、一層の露光し
たときに電荷を発生する層及び一層の電荷を運搬する層
からなり、上記の層の少なくとも一層が次式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ａ及びＢは同一または異なったアルキル基、ア
ルアルキル基、シクロアルキル基、または炭素環もしく
は複素環式の芳香族基を表わし、Ｒ＿１及びＲ＿２は水
素原子または水溶性を付与しない置換基を表わす）で表
わされる化合物の少なくとも１種を含有することを特徴
とする電子写真記録材料。 - （９）電荷発生層が、上記式 I 中、Ａ及びＢが同一ま
たは異なった次式II： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、置換基Ｘ、Ｙ及びＺは各々独立に水素原子、ハ
ロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、炭素原
子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数１ないし１
２のアルコキシ基、炭素原子数、ないし１２のアルキル
メルカプト基、炭素原子数２ないし６のアルコキシカル
ボニル基、炭素原子数２ないし６のジアルキルアミノ基
、または各々未置換もしくはハロゲン原子、炭素原子数
１ないし６のアルキル基もしくは炭素原子数１ないし６
のアルコキシ基により置換されたフェノキシ基、フェニ
ルメルカプト基もしくはフェノキシカルボニル基を表わ
し、置換基Ｘ、Ｙ及びＺのうち少なくとも１個は水素原
子を表わす）で表わされる基を表わす化合物を含有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第８項記載の電子写真
記録材料。 - （１０）次式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ａ及びＢは同一または異なったアルキル基、ア
ルアルキル基、シクロアルキル基、または炭素環もしく
は複素環式の芳香族基を表わし、Ｒ＿１及びＲ＿２は水
素原子または水溶性を付与しない置換基を表わす）で表
わされる化合物を結合剤と共に伝導性支持体上に塗布す
るか、または該支持体上に該化合物を蒸着し、そのよう
に製造された層を液体状態または気体状態の有機溶媒で
処理し、続いて芳香族窒素含有化合物を含有する第二の
層を塗布することを特徴とする電子写真記録材料の製造
方法。 - （１１）有機溶媒がアセトン、テトラヒドロフラン、ジ
メチルホルムアミド、メタノール、ジメチルスルホキシ
ド、酢酸エチル及びアセトニトリルから選ばれる特許請
求の範囲第１０項記載の電子写真記録材料の製造方法。
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1986
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