JPS61161138A - プラズマ利用化学反応装置 - Google Patents
プラズマ利用化学反応装置Info
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- JPS61161138A JPS61161138A JP60001714A JP171485A JPS61161138A JP S61161138 A JPS61161138 A JP S61161138A JP 60001714 A JP60001714 A JP 60001714A JP 171485 A JP171485 A JP 171485A JP S61161138 A JPS61161138 A JP S61161138A
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J12/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
- B01J12/002—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor carried out in the plasma state
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はプラズマ利用化学反応装置に関する。
更に詳しくは、高周波を利用して発生させたプラズマに
より化学反応を起させ、金属、セラミックス、半導体、
耐火物などの粉末、単結晶、フィルム、コーティングを
作る装置に関する。
より化学反応を起させ、金属、セラミックス、半導体、
耐火物などの粉末、単結晶、フィルム、コーティングを
作る装置に関する。
従来技術
高周波（例えばラジオ波、マイクロ波）を利用して発生
させた熱プラズマによ）化学反応を起こさせることは、
１９６１年Ｍ、工、ＴのＲｅ６ｄにより開発された。こ
の反応装置は、第１図已に示すように、反応管２内にプ
ラズマ４を発生させ、一方から反応原料１を導入するよ
うに構成されていた。
させた熱プラズマによ）化学反応を起こさせることは、
１９６１年Ｍ、工、ＴのＲｅ６ｄにより開発された。こ
の反応装置は、第１図已に示すように、反応管２内にプ
ラズマ４を発生させ、一方から反応原料１を導入するよ
うに構成されていた。
３は高周波ワークコイルを示す。この装置では、１）、
反応原料１をプラズマ４の中央を通過させようとしても
反応原料はプラズマにはじかれてプラズマの外周に沿っ
て流れ５のように流れてプラズマ４内に導入され幡い。
反応原料１をプラズマ４の中央を通過させようとしても
反応原料はプラズマにはじかれてプラズマの外周に沿っ
て流れ５のように流れてプラズマ４内に導入され幡い。
２）、仮シにプラズマ４中に導入されたとしても、プラ
ズマが不安定になり消えてしまう。
ズマが不安定になり消えてしまう。
従って極少蓋の反応原料しか処理し得ない欠点があった
。この欠点を改善するために第１図すに示すような装置
が開発された。すなわち、反応原料１をプラズマの尾炎
部に導入するように構成した。この装置においては、プ
ラズマは安定して持続するが反応原料１がプラズマ４の
中央部を通過しないため、反応原料とプラズマとの相互
作用が不十分である。そのため、 １）、反応収率が悪い。２】、未反応物質が混在したも
のとなる。３）、プラズマのエネルギー効率が悪いなど
の欠点があった。
。この欠点を改善するために第１図すに示すような装置
が開発された。すなわち、反応原料１をプラズマの尾炎
部に導入するように構成した。この装置においては、プ
ラズマは安定して持続するが反応原料１がプラズマ４の
中央部を通過しないため、反応原料とプラズマとの相互
作用が不十分である。そのため、 １）、反応収率が悪い。２】、未反応物質が混在したも
のとなる。３）、プラズマのエネルギー効率が悪いなど
の欠点があった。
これを更に改良したのが、第１Ｃ図に示す装置である。
この装置はアーク６・によシ発生させたアークプラズマ
（直流または交流）４′のスフ部に反応原料ｌを導入し
、これを更に高周波プラズマ４中央部に導入するように
した装置である。
（直流または交流）４′のスフ部に反応原料ｌを導入し
、これを更に高周波プラズマ４中央部に導入するように
した装置である。
この装置によると、１）、アーク６によるプラスｗ４を
用いるため、電極からの不純物が混合する。
用いるため、電極からの不純物が混合する。
２）、電極の消耗により長時間運転が困難である。
−１″
３】、電極の管理など中煩雑であるなどの問題点があっ
た。
た。
また、第１図ｄに示すような回転磁場７を利用してプラ
ズマ４を回転させてプラズマの型をドーナツ状となし、
この中央部に反応原料を導入するようにした装置も知ら
れている。この装置は直流アークの場合は可能であるが
高周波プラズマにおいては回転磁場を付属させることは
非常に困難である。しかも、単にスフ部に反応原料を導
入するものに比べると良いが、プラズマの内部を通過し
ないため、反応収率が悪く、未反応物の混入は防止し得
々い欠点は依然として残ったままである。
ズマ４を回転させてプラズマの型をドーナツ状となし、
この中央部に反応原料を導入するようにした装置も知ら
れている。この装置は直流アークの場合は可能であるが
高周波プラズマにおいては回転磁場を付属させることは
非常に困難である。しかも、単にスフ部に反応原料を導
入するものに比べると良いが、プラズマの内部を通過し
ないため、反応収率が悪く、未反応物の混入は防止し得
々い欠点は依然として残ったままである。
発明の目的
本発明の目的は従来のプラズマ利用化学装置の欠点を解
消し、プラズマを持続させて化学反応を連続的に行なわ
すための装置で、反応収率がよく、未反応物質が生成物
中に混在することがなく、プラズマのエネルギー効率の
優れたプラズマ利用化学装置を提供するにある。
消し、プラズマを持続させて化学反応を連続的に行なわ
すための装置で、反応収率がよく、未反応物質が生成物
中に混在することがなく、プラズマのエネルギー効率の
優れたプラズマ利用化学装置を提供するにある。
発明の構成
本発明者は前記目的を達成せんと、高周波によ）発生す
るプラズマの性質について鋭意研究の結果、スフ部に反
応原料を導入する初段プラズマを長時間持続させるには
電極を用いないプラズマ発生ガンが望ましい事を究明し
た。さらに高周波プラズマを初段に用いてもプラズマの
中央部に導入することができ、このように二段階以上に
反応させると、反応が完全に行い得られ、効率よく、高
純度の反応生成物が得られることを究明し得た。
るプラズマの性質について鋭意研究の結果、スフ部に反
応原料を導入する初段プラズマを長時間持続させるには
電極を用いないプラズマ発生ガンが望ましい事を究明し
た。さらに高周波プラズマを初段に用いてもプラズマの
中央部に導入することができ、このように二段階以上に
反応させると、反応が完全に行い得られ、効率よく、高
純度の反応生成物が得られることを究明し得た。
この知見に基いて本発明を完成した。
本発明の要旨は、化学反応装置において、高周波による
プラズマガンを前後に二段以上設け、初段プラズマガン
によシ発生させたプラズマのスフ部に反応原料を導入し
、更にこれを二段以降のプラズマガ／に発生させたプラ
ズマの中心部に導入して反応させるようにしたことを特
徴とするプラズマ利用化学反応装置にある。
プラズマガンを前後に二段以上設け、初段プラズマガン
によシ発生させたプラズマのスフ部に反応原料を導入し
、更にこれを二段以降のプラズマガ／に発生させたプラ
ズマの中心部に導入して反応させるようにしたことを特
徴とするプラズマ利用化学反応装置にある。
本発明のプラズマ利用化学反応装置の実施態様を図面に
基いて説明すると、第２図の通シである。
基いて説明すると、第２図の通シである。
第２図は該装置の縦断面で、反応管２の頂部に高周波に
よシプラズマを発生するガス導入管９を設けて、該ガス
を導入し、高周波ワークコイル３によシ初段のプラズマ
４を発生させる。８はシースガス導入管である。この初
段プラスフ４０尾炎部に反応原料導入管１よシ反応原料
を導入する。複数の原料を別々に導入したい時は原料導
入管を複数個取付ければよい。原料により反応性が異な
る場合には、初段プラズマに相当するプラズマを複数個
設ければよい。８′はプラズマシースガス導入管である
。高周波ワークコイル３′によシニ段目のプラズマ４′
を発生させ、この中心部に前記反応原料を導入して反応
させる。
よシプラズマを発生するガス導入管９を設けて、該ガス
を導入し、高周波ワークコイル３によシ初段のプラズマ
４を発生させる。８はシースガス導入管である。この初
段プラスフ４０尾炎部に反応原料導入管１よシ反応原料
を導入する。複数の原料を別々に導入したい時は原料導
入管を複数個取付ければよい。原料により反応性が異な
る場合には、初段プラズマに相当するプラズマを複数個
設ければよい。８′はプラズマシースガス導入管である
。高周波ワークコイル３′によシニ段目のプラズマ４′
を発生させ、この中心部に前記反応原料を導入して反応
させる。
プラズマシースガス８，８′はサーマル・ビ／チ効果に
よりプラズマを閉じ込め、プラズマが反応管２の壁に接
触しないようにすると共に、反応生成物が反応管壁に析
出しないようにする。従って、場合によ）これを使用し
なくてもよい。１０は冷却管で、冷却水または冷却空気
を導入して反応管２を冷却する。
よりプラズマを閉じ込め、プラズマが反応管２の壁に接
触しないようにすると共に、反応生成物が反応管壁に析
出しないようにする。従って、場合によ）これを使用し
なくてもよい。１０は冷却管で、冷却水または冷却空気
を導入して反応管２を冷却する。
なお、反応原料にプラズマガスを混合して導入してもよ
い。また、初段の高周波によるプラズマガンと二段以降
のプラズマガンは同一の高周波発振機から分電してもよ
く、また個別の発振機を用いてもよく、更に出力を変え
ることは勿論、異なった周波数を各段のプラズマに印加
するようにしてもよい。
い。また、初段の高周波によるプラズマガンと二段以降
のプラズマガンは同一の高周波発振機から分電してもよ
く、また個別の発振機を用いてもよく、更に出力を変え
ることは勿論、異なった周波数を各段のプラズマに印加
するようにしてもよい。
初段プラズマの着火方法は次の２つの方法で行うことが
できる。
できる。
旬、初段プラズマガンのワークコイル３の中心部に金属
などの導電性物質を置き、電磁誘導により加熱すると、
それより発生する熱電子が引き金となシ、プラズマが着
火する。
などの導電性物質を置き、電磁誘導により加熱すると、
それより発生する熱電子が引き金となシ、プラズマが着
火する。
２）、反応管全体を真空にして電ａ＃、を印加するとグ
ロー放電が起こる。この放電中の電子が引き金となシ、
熱プラズマが着火する。
ロー放電が起こる。この放電中の電子が引き金となシ、
熱プラズマが着火する。
着火後はプラズマガう（−スガスを導入した後、反応原
料例えば、ガス原料のガス流量、ガス圧力を設定してプ
ラズマのスフ部に導入する。ガス圧力を負圧で使用する
場合には真空排気装置（図示していない）を反応管に接
続して排気する。
料例えば、ガス原料のガス流量、ガス圧力を設定してプ
ラズマのスフ部に導入する。ガス圧力を負圧で使用する
場合には真空排気装置（図示していない）を反応管に接
続して排気する。
二段プラズマはワークコイル３′に電力を供給して着火
する。これにより発生したプラズマの中央部に初段プラ
ズマのスフ部を通過した原料を導入する。導入された原
料は十分な相互作用を受は反応する。まだ未反応のもの
が存在するときは三段のプラズマを発生させてこの中央
部に導入して反応を完結させる。
する。これにより発生したプラズマの中央部に初段プラ
ズマのスフ部を通過した原料を導入する。導入された原
料は十分な相互作用を受は反応する。まだ未反応のもの
が存在するときは三段のプラズマを発生させてこの中央
部に導入して反応を完結させる。
発明の効果
本発明の装置によると、次のような優れた効果を奏し得
られる。
られる。
１）、初段プラズマのスフ部に反応原料を導入し、これ
を二段以下のプラズマの中央部に導入するため、多量の
原料を導入してもプラズマが消えることがない。従って
多量生産が可能である。
を二段以下のプラズマの中央部に導入するため、多量の
原料を導入してもプラズマが消えることがない。従って
多量生産が可能である。
２）、二段以下のプラズマの中心部に原料を通過させる
ので、プラズマと原料との相互作用が十分に行われる。
ので、プラズマと原料との相互作用が十分に行われる。
従って反応生成物の収率がよく、未反応物質の混在がな
くなるばかりでなく、エネルギー効率が優れたものとな
る。
くなるばかりでなく、エネルギー効率が優れたものとな
る。
３）、直流または交流のアークを用いないため、電極か
らの汚染がなく高純度の反応生成物が得られ、また電極
の消耗がないため、連続運転で可能である。
らの汚染がなく高純度の反応生成物が得られ、また電極
の消耗がないため、連続運転で可能である。
４）、反応管の壁に不純物及び反応生成物の付着を少な
くし得られ、長時間の連続運転をすることができる。
くし得られ、長時間の連続運転をすることができる。
実施例１゜
第２図の反応装置を使用し、高周波ワークコイル３に発
振周波数４ ＭＨｚの高周波電源を接続し、陽極電圧５
．５ ｋＶ、 ＠積電流１．２７ Ａ、格子電流２９ｍ
Ａを印加し、ガス導入管９からアルゴンガスを１、エチ
レンガス（Ｇ２）Ｌ４）を毎分４２＊ｔを原料導入管１
よりプラダマ４０尾炎部に導入した。これを更に前記と
同様にして発生させたプラズマ４′の中央部へ導入した
。これＫよシ炭化けい素が生成した。
振周波数４ ＭＨｚの高周波電源を接続し、陽極電圧５
．５ ｋＶ、 ＠積電流１．２７ Ａ、格子電流２９ｍ
Ａを印加し、ガス導入管９からアルゴンガスを１、エチ
レンガス（Ｇ２）Ｌ４）を毎分４２＊ｔを原料導入管１
よりプラダマ４０尾炎部に導入した。これを更に前記と
同様にして発生させたプラズマ４′の中央部へ導入した
。これＫよシ炭化けい素が生成した。
なお、シースガス導入管８．８′よりガスを毎分２〜３
１導入すると共に冷却管１０から水を供給して反応管２
を冷却した。
１導入すると共に冷却管１０から水を供給して反応管２
を冷却した。
炭化けい素の収率は８８．５％、生成物はβ−８ｉＣ（
ダイヤモンド構造）のみで、未反応カーボンは検出され
なかった。色は黒色で平均粒径は約１０ＯＡであった。
ダイヤモンド構造）のみで、未反応カーボンは検出され
なかった。色は黒色で平均粒径は約１０ＯＡであった。
なお、初段プラズマのスフ部のみを通過させた場合の反
応生成物の収率は３０〜３５％で、未反応カーボンが１
０％近く混在していた。
応生成物の収率は３０〜３５％で、未反応カーボンが１
０％近く混在していた。
実施例２、
実施例１と同様に、発振周波数４ Ｍｌ（ｚの高周波電
源を接続し、陽極電圧５．０ｋＶ１陽極電流１．１５Ａ
、格子電流２６ ｍＡを印加した。アルゴンガスを毎分
１．５１ 、シランガス毎分６．７ ｓｌ 、メタンガ
ス毎分２７−を通じ、ガス圧力１６０ Ｔｏｒｒの下で
実施例１と同様にして反応させた。
源を接続し、陽極電圧５．０ｋＶ１陽極電流１．１５Ａ
、格子電流２６ ｍＡを印加した。アルゴンガスを毎分
１．５１ 、シランガス毎分６．７ ｓｌ 、メタンガ
ス毎分２７−を通じ、ガス圧力１６０ Ｔｏｒｒの下で
実施例１と同様にして反応させた。
収率は９０．３４％で、生成物はβ−８ｉＣであシ、未
反応のＳｉ 、 Ｇは検出されなかつ九。
反応のＳｉ 、 Ｇは検出されなかつ九。
生成物は黒色の平均粒径１５０ Ａの超微粒子であった
。
。
第１図は従来のプラズマ利用化学反応装置で、第１図ａ
は反応管内にプラズマを発生させ、一方から反応原料を
導入する装置、第１図すはプラズマスフ部へ反応原料を
導入する装置、第１図Ｃはアークプラズマと高周波プラ
ズマを使用した装置、第１図ｄは回転プラズマ装置、第
２図は本発明のプラズマ利用化学反応装置の実施態様図
である。 ｌ：反応原料、 ２：反応管、３ 、３’ ：
高周波ワークコイル、 ４ 、４’ ：プラズマ、 ５：原料の流れ、６：
直流アーク、 ７二回転磁場、８．８’：シース
ガス導入管、 ９：プラズマ発生ガス導入管、 ｌＯ：冷却管。 特許出願人 科学技術庁無機材質研究所要後 藤
優 （ａ） ８７図
は反応管内にプラズマを発生させ、一方から反応原料を
導入する装置、第１図すはプラズマスフ部へ反応原料を
導入する装置、第１図Ｃはアークプラズマと高周波プラ
ズマを使用した装置、第１図ｄは回転プラズマ装置、第
２図は本発明のプラズマ利用化学反応装置の実施態様図
である。 ｌ：反応原料、 ２：反応管、３ 、３’ ：
高周波ワークコイル、 ４ 、４’ ：プラズマ、 ５：原料の流れ、６：
直流アーク、 ７二回転磁場、８．８’：シース
ガス導入管、 ９：プラズマ発生ガス導入管、 ｌＯ：冷却管。 特許出願人 科学技術庁無機材質研究所要後 藤
優 （ａ） ８７図
Claims (1)
- 化学反応装置において、高周波によるプラズマガンを前
後に二段以上設け、初段プラズマガンにより発生させた
プラズマの尾炎部に反応原料を導入し、更にこれを二段
以降のプラズマガンに発生させたプラズマの中心部に導
入して反応させるようにしたことを特徴とするプラズマ
利用化学反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60001714A JPS61161138A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | プラズマ利用化学反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60001714A JPS61161138A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | プラズマ利用化学反応装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61161138A true JPS61161138A (ja) | 1986-07-21 |
| JPH0122813B2 JPH0122813B2 (ja) | 1989-04-27 |
Family
ID=11509224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60001714A Granted JPS61161138A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | プラズマ利用化学反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61161138A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6358799A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-03-14 | 日本高周波株式会社 | 反応試料噴出部をプラズマ・フレ−ム中に挿入した高周波プラズマ反応装置 |
| JPS63158799A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-07-01 | 日本高周波株式会社 | 多段無電極高周波プラズマ反応装置 |
| JP2007508923A (ja) * | 2003-10-15 | 2007-04-12 | ダウ・コーニング・アイルランド・リミテッド | 樹脂の製造 |
| JP2008544454A (ja) * | 2005-06-17 | 2008-12-04 | パーキンエルマー・インコーポレイテッド | 増強装置及びその使用方法 |
| US8786394B2 (en) | 2010-05-05 | 2014-07-22 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Oxidation resistant induction devices |
| US8829386B2 (en) | 2010-05-05 | 2014-09-09 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Inductive devices and low flow plasmas using them |
| CN108557823A (zh) * | 2018-06-27 | 2018-09-21 | 江苏大学 | 一种超纯纳米碳化硅及其制备方法 |
-
1985
- 1985-01-09 JP JP60001714A patent/JPS61161138A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6358799A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-03-14 | 日本高周波株式会社 | 反応試料噴出部をプラズマ・フレ−ム中に挿入した高周波プラズマ反応装置 |
| JPS63158799A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-07-01 | 日本高周波株式会社 | 多段無電極高周波プラズマ反応装置 |
| JP2007508923A (ja) * | 2003-10-15 | 2007-04-12 | ダウ・コーニング・アイルランド・リミテッド | 樹脂の製造 |
| JP2008544454A (ja) * | 2005-06-17 | 2008-12-04 | パーキンエルマー・インコーポレイテッド | 増強装置及びその使用方法 |
| US8786394B2 (en) | 2010-05-05 | 2014-07-22 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Oxidation resistant induction devices |
| US8829386B2 (en) | 2010-05-05 | 2014-09-09 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Inductive devices and low flow plasmas using them |
| US10096457B2 (en) | 2010-05-05 | 2018-10-09 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Oxidation resistant induction devices |
| CN108557823A (zh) * | 2018-06-27 | 2018-09-21 | 江苏大学 | 一种超纯纳米碳化硅及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0122813B2 (ja) | 1989-04-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |