JPS61156602A - 誘電体磁器 - Google Patents
誘電体磁器Info
- Publication number
- JPS61156602A JPS61156602A JP59281196A JP28119684A JPS61156602A JP S61156602 A JPS61156602 A JP S61156602A JP 59281196 A JP59281196 A JP 59281196A JP 28119684 A JP28119684 A JP 28119684A JP S61156602 A JPS61156602 A JP S61156602A
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- JP
- Japan
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- dielectric
- dielectric constant
- temperature
- oxide
- resonator
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- Pending
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、主にマイクロ波領域において誘電体共振器と
して利用される誘電体磁器に関するものであり、さらに
詳細にはその組成の改良に関するものである。
して利用される誘電体磁器に関するものであり、さらに
詳細にはその組成の改良に関するものである。
誘電体磁器は、マイクロ波領域においても、マイクロ波
回路の誘電体共振器、インピーダンス整合用素子、マイ
クロ波集積回路（マイクロ波ＩＣ）の基板等に用いられ
ており、特に発振器の周波数安定化やフィルター等に利
用される誘電体共振器はマイクロ波回路の小型化に貢献
している。この誘電体共振器は、誘電体中では波長が１
／口（ただし、εは誘電率）に短縮されることを利用し
たものであり、したがって誘電率が大きいほど小型化に
は有利である。
回路の誘電体共振器、インピーダンス整合用素子、マイ
クロ波集積回路（マイクロ波ＩＣ）の基板等に用いられ
ており、特に発振器の周波数安定化やフィルター等に利
用される誘電体共振器はマイクロ波回路の小型化に貢献
している。この誘電体共振器は、誘電体中では波長が１
／口（ただし、εは誘電率）に短縮されることを利用し
たものであり、したがって誘電率が大きいほど小型化に
は有利である。
ところで、誘電体共振器の使用周波数領域の拡大に伴な
って、特に比較的波長の長いマイクロ波領域において使
用される誘電体共振器の小型化が要求されている。例え
ば、衛星放送受信器内の局部発信器の周波数の安定化を
目的とした誘電体共振器の開発が進められており、（Ｚ
ｒ ＊ Ｓ ｎ）ＴｉＯ，やＢ ａ （Ｚ ｎ＋、（
Ｎ ｂ ＊ Ｔ ａ）ｙ、） ０１ｋＩ；、良好なマイ
クロ波特性を示す誘電体材料が開発されているが、これ
ら材料は誘電率が３０〜４０と小さく、１０ＧＨｚ付近
の周波数の共振器に使用する場合には直径５〜６ＩＩｌ
ｆｆｌ、高さ２〜３ｍｏ程度の大きさで済むが、これよ
り低い周波数１例えば３ＧＨ２の共振器では直径が２０
ｍｍ以上にもなってしまい、大きくなりすぎる。
って、特に比較的波長の長いマイクロ波領域において使
用される誘電体共振器の小型化が要求されている。例え
ば、衛星放送受信器内の局部発信器の周波数の安定化を
目的とした誘電体共振器の開発が進められており、（Ｚ
ｒ ＊ Ｓ ｎ）ＴｉＯ，やＢ ａ （Ｚ ｎ＋、（
Ｎ ｂ ＊ Ｔ ａ）ｙ、） ０１ｋＩ；、良好なマイ
クロ波特性を示す誘電体材料が開発されているが、これ
ら材料は誘電率が３０〜４０と小さく、１０ＧＨｚ付近
の周波数の共振器に使用する場合には直径５〜６ＩＩｌ
ｆｆｌ、高さ２〜３ｍｏ程度の大きさで済むが、これよ
り低い周波数１例えば３ＧＨ２の共振器では直径が２０
ｍｍ以上にもなってしまい、大きくなりすぎる。
そこで従来、より高話ＴＬ率の誘電体材料の開発が進め
られており、Ｂ ａ ＯＮ ｄ、ＯＩＴ ｔ ０ｚ−Ｐ
ｂＯ系誘電体材料等では誘電率８０〜９ｏのものが得ら
れるようになっている。しかしながら。
られており、Ｂ ａ ＯＮ ｄ、ＯＩＴ ｔ ０ｚ−Ｐ
ｂＯ系誘電体材料等では誘電率８０〜９ｏのものが得ら
れるようになっている。しかしながら。
この程度の誘電率では共振器の小型化を充分に達成する
ことはできず、３ＧＨｚの共振器の大きさは直径が１２
〜１３ＩＩ１１前後となってしまう、あるいは、誘電率
が１ｏｏ〜２３０と非常に高いＳｒＴ ｉ Ｏ，−Ｃａ
Ｔ ｉ Ｏ７−Ｃａ Ｓ ｉ Ｔ ｉ Ｏ，系のｕ電
体材料も開発されているが、この種の材料は誘電率の温
度特性が−４５０〜−１５００ｐｐｍ／’Ｃと？（ナス
側に大きく（シたがって、共振周波数の温度特性はプラ
ス側に大きい）、また誘電損失も大きいために１誘電体
共振器の材料としては不適当である。
ことはできず、３ＧＨｚの共振器の大きさは直径が１２
〜１３ＩＩ１１前後となってしまう、あるいは、誘電率
が１ｏｏ〜２３０と非常に高いＳｒＴ ｉ Ｏ，−Ｃａ
Ｔ ｉ Ｏ７−Ｃａ Ｓ ｉ Ｔ ｉ Ｏ，系のｕ電
体材料も開発されているが、この種の材料は誘電率の温
度特性が−４５０〜−１５００ｐｐｍ／’Ｃと？（ナス
側に大きく（シたがって、共振周波数の温度特性はプラ
ス側に大きい）、また誘電損失も大きいために１誘電体
共振器の材料としては不適当である。
以北の様な状況から、特に比較的低い周波数のマイクロ
波領域でも誘電率が高く、なおかつ誘電率の温度変化や
誘電損失の小さい誘電体材料の開発が要望されている。
波領域でも誘電率が高く、なおかつ誘電率の温度変化や
誘電損失の小さい誘電体材料の開発が要望されている。
上述のように高い誘電率を有する誘電体共振器用材料が
得られない大きな理由としては、誘電率が高くなおかつ
誘電損失の小さい材料は全て誘電率の温度特性がマイナ
ス（共振周波数の温度特性がプラス）であることが挙げ
られる。したがって、誘電率の温度特性がプラスの誘電
体材料が見出されれば、これと従来の誘電体材料とを組
み合わせれば誘電率の温度変化の非常に小さい誘電体共
振器を作製することができるものと考えられる。
得られない大きな理由としては、誘電率が高くなおかつ
誘電損失の小さい材料は全て誘電率の温度特性がマイナ
ス（共振周波数の温度特性がプラス）であることが挙げ
られる。したがって、誘電率の温度特性がプラスの誘電
体材料が見出されれば、これと従来の誘電体材料とを組
み合わせれば誘電率の温度変化の非常に小さい誘電体共
振器を作製することができるものと考えられる。
そこで本発明は、誘電率が高く誘電損失が小さい、かつ
誘電率の温度特性がプラス（共振周波数の温度特性がマ
イナス）の誘電体材料からなる誘電体磁器を提供するこ
とを目的とする。
誘電率の温度特性がプラス（共振周波数の温度特性がマ
イナス）の誘電体材料からなる誘電体磁器を提供するこ
とを目的とする。
本発明者等は、前述の誘電特性に対する要求を満たす誘
電体磁器を開発せんものと鋭意研究の結果、酸化鉛、酸
化テルビウム、酸化ジルコニウムを所定の割合で混合し
固相反応により作製した誘電体磁器がこの目的に適合す
ることを見出し本発明を完成するに至ったものである。
電体磁器を開発せんものと鋭意研究の結果、酸化鉛、酸
化テルビウム、酸化ジルコニウムを所定の割合で混合し
固相反応により作製した誘電体磁器がこの目的に適合す
ることを見出し本発明を完成するに至ったものである。
すなわち、本発明に係る誘電体磁器は、酸化鉛、酸化テ
ルビウム及び酸化ジルコニウムとを焼結してなる誘電体
磁器であって、その組成式をＸＰ ｂ Ｏ−ｙ Ｔ ｂ
Ｏ＞； ｚ Ｚ ｒ Ｏヨで表わしたときに組成範囲
がモル分率で ３５０≦ｘ≦６５．Ｏ ０，１≦ｙ≦１Ｏ９０ ３０，０≦ｚ≦６０．０ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ であることを特徴とするものであり、誘電率の温度特性
がマイナスの材料からなる誘電体磁器と組み合わせるこ
とにより、誘電率の温度特性が非常に小さくかつ高い誘
電率の誘電体共振器を提供し、２〜４ＧＨｚのマイクロ
波領域でも小型で安定性の良い発振器やフィルタを提供
しようとするものである。
ルビウム及び酸化ジルコニウムとを焼結してなる誘電体
磁器であって、その組成式をＸＰ ｂ Ｏ−ｙ Ｔ ｂ
Ｏ＞； ｚ Ｚ ｒ Ｏヨで表わしたときに組成範囲
がモル分率で ３５０≦ｘ≦６５．Ｏ ０，１≦ｙ≦１Ｏ９０ ３０，０≦ｚ≦６０．０ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ であることを特徴とするものであり、誘電率の温度特性
がマイナスの材料からなる誘電体磁器と組み合わせるこ
とにより、誘電率の温度特性が非常に小さくかつ高い誘
電率の誘電体共振器を提供し、２〜４ＧＨｚのマイクロ
波領域でも小型で安定性の良い発振器やフィルタを提供
しようとするものである。
本発明においては、各成分の組成範囲が重要である。
すなわち、本発明者等の実験によれば、先ず、酸化鉛の
モル分率Ｘが３５．０モル％未満であると、得られる焼
結体の無負荷Ｑが低下してしまい誘電損失が大きなもの
となってしまう。また。
モル分率Ｘが３５．０モル％未満であると、得られる焼
結体の無負荷Ｑが低下してしまい誘電損失が大きなもの
となってしまう。また。
上記モル分率Ｘが６５．０モル％を越えると、この酸化
鉛の蒸発量が多くなり良好な焼結体が得られなくなって
しまう。
鉛の蒸発量が多くなり良好な焼結体が得られなくなって
しまう。
同様に、上記酸化ジルコニウムのモル分率Ｚが３０．０
モル％未満であると、得られる焼結体にクラックが入り
、逆に上記モル分率２が６０．０モル％を越えると得ら
れる焼結体の無負荷Ｑが低下してしまい、誘電損失が大
きなものとなってしまう。
モル％未満であると、得られる焼結体にクラックが入り
、逆に上記モル分率２が６０．０モル％を越えると得ら
れる焼結体の無負荷Ｑが低下してしまい、誘電損失が大
きなものとなってしまう。
さらに、上記酸化テルビウムのモル分率ｙが０．１モル
％未満であると、焼結性が悪くなり、結果として無負荷
Ｑが小さくなって誘電損失が大きなものとなる。また上
記モル分率ｙが１０．０モル％を越えると、誘電率が小
さくなり過ぎる。
％未満であると、焼結性が悪くなり、結果として無負荷
Ｑが小さくなって誘電損失が大きなものとなる。また上
記モル分率ｙが１０．０モル％を越えると、誘電率が小
さくなり過ぎる。
本発明に係る誘電体磁器は、ＰｂＯ１Ｔ ｂ、Ｏ９及び
ＺｒＯ，の各原料粉末を、上述のモル分率となるように
所定量混合し、焼成することによって作製することがで
きるが、通常は、これら原料粉末をあらかじめやや低め
の温度で仮焼成した後、これを粉砕し、再び混合処理し
て加圧成型したものを本焼成することによって作製され
る。ここで特に、上記ＰｂＯが逃散する虞れがあるので
、上記本焼成は、例えば圧力１００〜２５０Ｋｇ／ｃｔ
ｎ’、温度１２００〜１３００℃、４〜ｌＯ時間の条件
でのホットプレス焼成、あるいは温度１２００〜１３Ｑ
Ｏ’０．４〜１０時間の条件でＰｂＯ雰囲気中での焼成
等によるのが好ましい、上記ＰｂＯが逃散してしまうと
、得られる誘電体磁器の組成が変ってしまい、所望の誘
電特性を確保することが難かしくなる。
ＺｒＯ，の各原料粉末を、上述のモル分率となるように
所定量混合し、焼成することによって作製することがで
きるが、通常は、これら原料粉末をあらかじめやや低め
の温度で仮焼成した後、これを粉砕し、再び混合処理し
て加圧成型したものを本焼成することによって作製され
る。ここで特に、上記ＰｂＯが逃散する虞れがあるので
、上記本焼成は、例えば圧力１００〜２５０Ｋｇ／ｃｔ
ｎ’、温度１２００〜１３００℃、４〜ｌＯ時間の条件
でのホットプレス焼成、あるいは温度１２００〜１３Ｑ
Ｏ’０．４〜１０時間の条件でＰｂＯ雰囲気中での焼成
等によるのが好ましい、上記ＰｂＯが逃散してしまうと
、得られる誘電体磁器の組成が変ってしまい、所望の誘
電特性を確保することが難かしくなる。
以上述べたように、誘電体磁器の原料として酸化鉛、酸
化テルビウム、酸化ジルコニウムを選捩し、これらの配
合比を所定の割合に設定することにより、誘ＴＬ率が高
く誘電率の温度係数がプラス（共振周波数の温度係数が
マイナス）の７ＡＴＬ体磁器が作製される。
化テルビウム、酸化ジルコニウムを選捩し、これらの配
合比を所定の割合に設定することにより、誘ＴＬ率が高
く誘電率の温度係数がプラス（共振周波数の温度係数が
マイナス）の７ＡＴＬ体磁器が作製される。
以下、具体的な実施例により本発明を説明するが、本発
明がこれら実施例に限定されるものでないことは言うま
でもないことである。
明がこれら実施例に限定されるものでないことは言うま
でもないことである。
実施例。
出発原料に市阪ノＰ ｂ Ｏ、Ｚ ｒ ％ Ｔ ｂ、ｏ
、を用い、これらを次表に示した組成となるようにそれ
ぞれ秤量し、純水と共にボールミルに入れ１６時時間式
混合した。なお、ここで上記ＴｂやＯｌは、Ｔｂ Ｏ４
としてそのモル分率を換算した。
、を用い、これらを次表に示した組成となるようにそれ
ぞれ秤量し、純水と共にボールミルに入れ１６時時間式
混合した。なお、ここで上記ＴｂやＯｌは、Ｔｂ Ｏ４
としてそのモル分率を換算した。
得られた混合物をろ過、乾燥後、円板状に成形し空気中
で８５０℃、１時間仮焼成した。
で８５０℃、１時間仮焼成した。
次に、この仮焼成物を乳鉢を用いて砕いた後、純水とと
もにボールミルに入れ、１６時時間式粉砕した。得られ
た粉砕物をろ過乾燥後、少量の純水を加えて整粒し、油
圧プレスによって１０００Ｋｇ／ｃｍ’の圧力で直径２
０ｍｍ、厚さ１ＯＩＩ１１の円板状に成形した。
もにボールミルに入れ、１６時時間式粉砕した。得られ
た粉砕物をろ過乾燥後、少量の純水を加えて整粒し、油
圧プレスによって１０００Ｋｇ／ｃｍ’の圧力で直径２
０ｍｍ、厚さ１ＯＩＩ１１の円板状に成形した。
この成形体を温度１２００−１２５０℃、圧力Ｚｏｏ〜
２５０Ｋｇ／ｃゴで４〜１０時間ホントプレス焼成し、
誘電体磁器サンプル（実施例１〜実施例１６及び比較例
１〜比較例５）を得た。
２５０Ｋｇ／ｃゴで４〜１０時間ホントプレス焼成し、
誘電体磁器サンプル（実施例１〜実施例１６及び比較例
１〜比較例５）を得た。
得られた各誘電体磁器サンプルを共振周波数がおよそ３
ＧＨｚになるような形状に加工した後、その共振特性を
導波管中で測定し、各サンプルの誘電率ε、無負荷Ｑ、
−２０〜＋６０℃の共振周波数の温度特性τｆを求めた
。結果を次表に示す。
ＧＨｚになるような形状に加工した後、その共振特性を
導波管中で測定し、各サンプルの誘電率ε、無負荷Ｑ、
−２０〜＋６０℃の共振周波数の温度特性τｆを求めた
。結果を次表に示す。
なお、この表において、比較例２についてはＱが悪すぎ
たために、誘電率及び共振周波数の温度特性はＩＭＨｚ
で測定した。
たために、誘電率及び共振周波数の温度特性はＩＭＨｚ
で測定した。
（木は焼結不良のため測定不能）
この表より、本発明に係る各実施例にあっては、誘電率
、無負荷Ｑとも高く、共振周波数の温度特性かマイナス
（誘電率の温度特性がプラス）という特性を示すことが
分る。
、無負荷Ｑとも高く、共振周波数の温度特性かマイナス
（誘電率の温度特性がプラス）という特性を示すことが
分る。
これに対して、本発明の範囲を外れた各比較例は、焼結
不良を起こしたり、無負荷Ｑが下がり誘電損失か大きな
ものとなるなど、好ましいものではない。
不良を起こしたり、無負荷Ｑが下がり誘電損失か大きな
ものとなるなど、好ましいものではない。
応用例
先の実施例で得られたサンプル実施例６を、直径８．１
ｍｍ、高さ２．９■に加工し、これと直径８．１ｍｍ、
高さ１．３ｍｍに加工したＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏｊ系の１
誘電体磁器（誘電率ε＝２４０ 、無負荷Ｑ＝２２１０
、τイ＝ １１７０ ｐｐｍ／”Ｃ）とを貼り合わせて
共振周波数３．１ＧＨｚ−ｃ誘電率６＝１６５゜無負荷
Ｑ＝ １０５０ 、 τｆ＝９０ｐＰｍ／”Ｃ（−２０
〜６０°Ｃ）の誘電体共振器を得た。
ｍｍ、高さ２．９■に加工し、これと直径８．１ｍｍ、
高さ１．３ｍｍに加工したＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏｊ系の１
誘電体磁器（誘電率ε＝２４０ 、無負荷Ｑ＝２２１０
、τイ＝ １１７０ ｐｐｍ／”Ｃ）とを貼り合わせて
共振周波数３．１ＧＨｚ−ｃ誘電率６＝１６５゜無負荷
Ｑ＝ １０５０ 、 τｆ＝９０ｐＰｍ／”Ｃ（−２０
〜６０°Ｃ）の誘電体共振器を得た。
これは従来最も誘電率が高いとされているＢａ０−Ｔ
１Ｏ−Ｎｄ、１０．−ＰｂＯ系ノ誘電体材料と比咬して
も約２倍のｒＡ１！率を有しており、誘電体共振器の体
積は約１／３に小型化される。
１Ｏ−Ｎｄ、１０．−ＰｂＯ系ノ誘電体材料と比咬して
も約２倍のｒＡ１！率を有しており、誘電体共振器の体
積は約１／３に小型化される。
また、この誘電体磁器は１０ＭＨｚ以下の低周波数領域
でも誘電損失が小さく、例えばサンプル実施例６はＩＭ
Ｈｚでｔａｎδが５×１０以下を示し、温度４補償用コ
ンデンサとしても有用である。
でも誘電損失が小さく、例えばサンプル実施例６はＩＭ
Ｈｚでｔａｎδが５×１０以下を示し、温度４補償用コ
ンデンサとしても有用である。
上述の説明からも明らかなように、本発明に係る誘電体
磁器は酸化鉛、酸化テルビウム、酸化ジルコニウムとか
らなり各成分を所定の割合で含有しているので、誘電率
及び無負荷Ｑともに向上することができ、同時に誘電率
の温度特性をプラス（共振周波数の温度特性をマイナス
）にすることができる、したがって、本発明に係る誘電
体磁器を従来の誘電率の温度特性がマイナスの誘電体磁
器と組み合わせて使用することで、温度特性を自由に調
節することができる。
磁器は酸化鉛、酸化テルビウム、酸化ジルコニウムとか
らなり各成分を所定の割合で含有しているので、誘電率
及び無負荷Ｑともに向上することができ、同時に誘電率
の温度特性をプラス（共振周波数の温度特性をマイナス
）にすることができる、したがって、本発明に係る誘電
体磁器を従来の誘電率の温度特性がマイナスの誘電体磁
器と組み合わせて使用することで、温度特性を自由に調
節することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 酸化鉛、酸化テルビウム及び酸化ジルコニウムとを焼結
してなる誘電体磁器であって、その組成式をｘＰｂＯ・
ｙＴｂＯ＿１＿／＿４・ｚＺｒＯ＿２で表わしたときに
組成範囲がモル分率で ３５．０≦ｘ≦６５．０ ０．１≦ｙ≦１０．０ ３０．０≦ｚ≦６０．０ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ であることを特徴とする誘電体磁器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59281196A JPS61156602A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 誘電体磁器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59281196A JPS61156602A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 誘電体磁器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61156602A true JPS61156602A (ja) | 1986-07-16 |
Family
ID=17635681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59281196A Pending JPS61156602A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 誘電体磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61156602A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0211371A2 (en) * | 1985-07-29 | 1987-02-25 | Sony Corporation | Dielectric porcelain |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP59281196A patent/JPS61156602A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0211371A2 (en) * | 1985-07-29 | 1987-02-25 | Sony Corporation | Dielectric porcelain |
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