JPS61153897A - 固体磁気メモリ−素子及びその記録再生方法 - Google Patents
固体磁気メモリ−素子及びその記録再生方法Info
- Publication number
- JPS61153897A JPS61153897A JP59277300A JP27730084A JPS61153897A JP S61153897 A JPS61153897 A JP S61153897A JP 59277300 A JP59277300 A JP 59277300A JP 27730084 A JP27730084 A JP 27730084A JP S61153897 A JPS61153897 A JP S61153897A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- striped
- stripe
- superconductor
- magnetic
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/49—Fixed mounting or arrangements, e.g. one head per track
- G11B5/4969—Details for track selection or addressing
- G11B5/4976—Disposition of heads, e.g. matrix arrangement
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/49—Fixed mounting or arrangements, e.g. one head per track
- G11B5/4907—Details for scanning
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
- G11B5/3958—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/49—Fixed mounting or arrangements, e.g. one head per track
- G11B5/4969—Details for track selection or addressing
- G11B5/4984—Structure of specially adapted switching heads
Landscapes
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はコンピュータの外部記憶装置としてのメモリー
素子に関する。
素子に関する。
（従来技術とその問題点）
従来、コンビ、−夕月外部記憶装置は磁気ディスク装置
がその主流をしめている。磁気ディスク装置は回転機構
を有し、そのためにアクセスタイムが大きい欠点があ夕
、又ディスク及びヘッドに対して機械的耐久性の点で問
題があった。
がその主流をしめている。磁気ディスク装置は回転機構
を有し、そのためにアクセスタイムが大きい欠点があ夕
、又ディスク及びヘッドに対して機械的耐久性の点で問
題があった。
（本発明の目的）
本発明の目的は上述の欠点を除去した固体磁気メモリー
素子及びその記録・再生方法を提供するととくある。
素子及びその記録・再生方法を提供するととくある。
（発明の構成）
本発明は磁気記憶媒体層の一方の主面上に絶縁層を介し
て複数の第２のストライプ状超伝導体が所定の間隔をお
いて形成されており、該第２のストライプ状超伝導体上
及び前記磁気記憶媒体層の主面上に絶縁層を介して、当
該第２のストライプ状超伝導体と所定の角度で交差する
ように複数の第１のストライプ状超伝導体が所定の間隔
をおいて形成されてお夕、ｔた前記磁気記憶媒体層の他
方の主面上には絶縁層を介して複数のストライプ状磁気
抵抗効果素子が所定の間隔で形成されておタ、当該磁気
記憶媒体層の主面上及び該ストライプ状磁気抵抗効果素
子上に絶縁層を介して複数の第３のストライプ状超伝導
体が所定の間隔で形成された構造を備え、＠１と第２の
ストライプ状超伝導体の交差部分と第３のストライプ状
超伝導体とストライプ状磁気抵抗効果素子の交差部分が
前記磁気記憶媒体層を介して対向する位置にあることｆ
：特徴とする固体磁気メモリー素子と、絶縁層を介して
所定の角度で交差するように形成される第１と第２のス
トライプ状超伝導体に記録電流を流し、該２つの超伝導
体の交点近傍に形成した磁気記録媒体を磁化して情報を
記録し、該磁気記録媒体を介して前記交点く対向する位
置を交点とし絶縁層を介して所定の角度で交差するよう
に形成される第３のストライプ状超伝導体とストライプ
状磁気抵抗効果素子のうち該第３のストライプ状超伝導
体にセンス電流を流し、ストライプ状磁気抵抗効果素子
に磁場を与え、前記情報を該スト２イブ状磁気抵抗効果
素子の抵抗変化として再生することを特徴とする固体磁
気メモリー素子の記録再生方法である。
て複数の第２のストライプ状超伝導体が所定の間隔をお
いて形成されており、該第２のストライプ状超伝導体上
及び前記磁気記憶媒体層の主面上に絶縁層を介して、当
該第２のストライプ状超伝導体と所定の角度で交差する
ように複数の第１のストライプ状超伝導体が所定の間隔
をおいて形成されてお夕、ｔた前記磁気記憶媒体層の他
方の主面上には絶縁層を介して複数のストライプ状磁気
抵抗効果素子が所定の間隔で形成されておタ、当該磁気
記憶媒体層の主面上及び該ストライプ状磁気抵抗効果素
子上に絶縁層を介して複数の第３のストライプ状超伝導
体が所定の間隔で形成された構造を備え、＠１と第２の
ストライプ状超伝導体の交差部分と第３のストライプ状
超伝導体とストライプ状磁気抵抗効果素子の交差部分が
前記磁気記憶媒体層を介して対向する位置にあることｆ
：特徴とする固体磁気メモリー素子と、絶縁層を介して
所定の角度で交差するように形成される第１と第２のス
トライプ状超伝導体に記録電流を流し、該２つの超伝導
体の交点近傍に形成した磁気記録媒体を磁化して情報を
記録し、該磁気記録媒体を介して前記交点く対向する位
置を交点とし絶縁層を介して所定の角度で交差するよう
に形成される第３のストライプ状超伝導体とストライプ
状磁気抵抗効果素子のうち該第３のストライプ状超伝導
体にセンス電流を流し、ストライプ状磁気抵抗効果素子
に磁場を与え、前記情報を該スト２イブ状磁気抵抗効果
素子の抵抗変化として再生することを特徴とする固体磁
気メモリー素子の記録再生方法である。
（構成の詳細な説明）
本発明の素子の基本的構成例を第１図に示した。
この基本構成を用いて固体磁気メそリ一を構成した場合
の記録及び再生系の回路の一例を８２図。
の記録及び再生系の回路の一例を８２図。
第・３図に示し、これを用いてメモリーの構成を説明す
る。
る。
本発明の固体磁気メモリー素子は第１図のようＫｍ気記
記録体層５の一方の主面に絶縁層３を介して交差する第
１のストライプ状超伝導体２と第２のストライプ状超伝
導体ｌが形成されている。
記録体層５の一方の主面に絶縁層３を介して交差する第
１のストライプ状超伝導体２と第２のストライプ状超伝
導体ｌが形成されている。
記録時にはこの２つのストラ、イブ状超隼導体に電流を
流し、これらの交点近傍の磁気記録媒体を磁化する。一
方磁気記録媒体層５の他方の主面には絶縁層１２ヲ介し
て交差するストライプ状磁気抵抗効果素子７と第３のス
トライプ状超伝導体８とが形成されている。再生時には
第３のストライプ状超伝導体くセンス電流を流し、前記
磁化情報をストライプ状磁気抵抗効果素子７の抵抗変化
として取り出す。
流し、これらの交点近傍の磁気記録媒体を磁化する。一
方磁気記録媒体層５の他方の主面には絶縁層１２ヲ介し
て交差するストライプ状磁気抵抗効果素子７と第３のス
トライプ状超伝導体８とが形成されている。再生時には
第３のストライプ状超伝導体くセンス電流を流し、前記
磁化情報をストライプ状磁気抵抗効果素子７の抵抗変化
として取り出す。
次に記録時のメモリー回路構成の例を第２図を用いて説
明する。
明する。
第１のストライプ状超伝導体２と第２のストライプ状超
伝導体はそれぞれ第１のスイッチ群２０．２１゜２２、
２３．２４．２５及び２６．２７．２８．２９と接続し
ている。スイッチ２６．２７．２８．２９はそれぞれ電
流源（９）。
伝導体はそれぞれ第１のスイッチ群２０．２１゜２２、
２３．２４．２５及び２６．２７．２８．２９と接続し
ている。スイッチ２６．２７．２８．２９はそれぞれ電
流源（９）。
３１と接続し、かつ第１のＹ軸アドレスデコーダ１９と
接続している。スイッチ２０．２１．２２．２３．２４
゜５は一方で電流源に接続し、他方でデータ「１」。
接続している。スイッチ２０．２１．２２．２３．２４
゜５は一方で電流源に接続し、他方でデータ「１」。
「０」 を選択するアンドグー）４７．４８．４９．５
０゜５１．５２ｔ−介して第１のＸ軸アドレスデコーダ
と接続している。またアンドゲート４７．４８．４９．
５０゜５１．５２はデータ用フリクプ７０ツブ４５を介
してＣＰＵ及びインターフェース１４に接続している。
０゜５１．５２ｔ−介して第１のＸ軸アドレスデコーダ
と接続している。またアンドゲート４７．４８．４９．
５０゜５１．５２はデータ用フリクプ７０ツブ４５を介
してＣＰＵ及びインターフェース１４に接続している。
また第１のＸ軸アドレスデコーダ材は第１のＸ軸アドレ
スレジスタ４６ヲ介して、又第ＩのＹ軸アドレスデコー
ダ１９は第１のＹ軸アドレスレジスタを介してＣＰＵ及
びインターフェースに接続している。
スレジスタ４６ヲ介して、又第ＩのＹ軸アドレスデコー
ダ１９は第１のＹ軸アドレスレジスタを介してＣＰＵ及
びインターフェースに接続している。
次に再生時のメモリー回路構成の例を第３図を用いて説
明する。再生時には前記磁気記憶媒体層５上に形成され
たストライプ状磁気抵抗効果素子７と第３のストライプ
状超伝導体８を用いる。
明する。再生時には前記磁気記憶媒体層５上に形成され
たストライプ状磁気抵抗効果素子７と第３のストライプ
状超伝導体８を用いる。
第３図に示すとおシＭ３のストライプ状超伝導体８はス
イッチ３２．３４を介して電流源おに接続している。ス
イッチ３２．３４は第２のＹ軸アドレスデコーダ３５、
第２のＹ軸アドレスレジスタ３６ｔ−介してＣＰＵ及び
インターフェース１４に接続している。
イッチ３２．３４を介して電流源おに接続している。ス
イッチ３２．３４は第２のＹ軸アドレスデコーダ３５、
第２のＹ軸アドレスレジスタ３６ｔ−介してＣＰＵ及び
インターフェース１４に接続している。
−ガスドライブ状磁気抵抗効果素子７はスイッチあ、
３９．４０に接続され、該スイッチ３８，３９．４０は
再生回路系４３ヲ介してＣＰＵ及びインターフェース１
４に接続し、同時に第２のＸ軸アドレスデコーダ４１と
第２のＸ軸ア、ドレスレジスタ４２ヲ介してＣＰＵ及び
インターフェース１４に縁続している。
３９．４０に接続され、該スイッチ３８，３９．４０は
再生回路系４３ヲ介してＣＰＵ及びインターフェース１
４に接続し、同時に第２のＸ軸アドレスデコーダ４１と
第２のＸ軸ア、ドレスレジスタ４２ヲ介してＣＰＵ及び
インターフェース１４に縁続している。
前記構成図を用いて、＠４図及び第５図によりデータ記
録時の動作を説明する。令弟４−（ａ）図に示す様な磁
気記憶媒体の上の直交する超伝導体の１つを例にその動
作を示す。磁気記憶媒体の磁気特性（Ｂ−Ｈカーブ）を
第４−（ｂ）図に示す。第４− （ａ）図において、第
１図のＣＰＵ及びインターフェース１４からの命令によ
り第１のＸ軸アドレスレジスタ４６、第１のＸ軸アドレ
スデコーダＩ、データ用りリップ７ｇッグ４５を設定し
、第１のスイッチ群２０．２１．２２．２３．２４．２
５と第１のＸ軸電流源１６＃１７とアンドゲート４７．
４８．４９．５０．５１．５２から１つを選択しＯＮ状
態にして、第１ （Ｘ軸）のストライプ状超伝導体２に
電流 工ｘ（ノクルス又は直流）を流し、第４〜−）図
のＢ−Ｈカーブ上で電流工、Ｋよる磁場（磁気記憶媒体
のＨＣより小さい磁場Ｈｚ）が磁気記憶媒体上へ印加さ
れる。しかしこの状態では磁気記憶媒体へデータは記録
されない。
録時の動作を説明する。令弟４−（ａ）図に示す様な磁
気記憶媒体の上の直交する超伝導体の１つを例にその動
作を示す。磁気記憶媒体の磁気特性（Ｂ−Ｈカーブ）を
第４−（ｂ）図に示す。第４− （ａ）図において、第
１図のＣＰＵ及びインターフェース１４からの命令によ
り第１のＸ軸アドレスレジスタ４６、第１のＸ軸アドレ
スデコーダＩ、データ用りリップ７ｇッグ４５を設定し
、第１のスイッチ群２０．２１．２２．２３．２４．２
５と第１のＸ軸電流源１６＃１７とアンドゲート４７．
４８．４９．５０．５１．５２から１つを選択しＯＮ状
態にして、第１ （Ｘ軸）のストライプ状超伝導体２に
電流 工ｘ（ノクルス又は直流）を流し、第４〜−）図
のＢ−Ｈカーブ上で電流工、Ｋよる磁場（磁気記憶媒体
のＨＣより小さい磁場Ｈｚ）が磁気記憶媒体上へ印加さ
れる。しかしこの状態では磁気記憶媒体へデータは記録
されない。
次に直交する第２のストライプ状超伝導体ＩＫ電流Ｉｙ
ｔ−流すと、第４−（切−（ｉ）Ｋ示す−に電流工ｙが
印加され、結果としてＨｘとＨ，の合成磁場ＨｔがＨｃ
より大きい磁場となり、それぞれの印加磁場ＨＸ及びＨ
ｙに対して４５ の角度を有して偽る。
ｔ−流すと、第４−（切−（ｉ）Ｋ示す−に電流工ｙが
印加され、結果としてＨｘとＨ，の合成磁場ＨｔがＨｃ
より大きい磁場となり、それぞれの印加磁場ＨＸ及びＨ
ｙに対して４５ の角度を有して偽る。
ここで第１のストライプ状超伝導体の電流による磁場Ｈ
７は第２のストライプ状超伝導体の部分でマイナー効果
によ９曲がるので、第２のストライプ状超伝導体の下側
の部分で元の位置へもどり記録媒体上での磁場は第２の
ストライプ状超伝導体がない場合と同じ様に働らく。前
記合成磁場ＨｔＫより磁気記憶媒体５がＨｔのベクトル
の方向に磁化される。試みに第１やストライイ状超伝≠
η工ロ日の式より、ストライプ状超伝導体の断面形状を
０．５μｍの正方形とし、絶縁層３の厚さを０．１μｍ
、ストライプ状超体導体（流す電流ｔ″２００ｍ人及び
３００９ＦＩＡとして磁気記憶媒体上での磁場を計算す
ると、ｉ＝２０Ｃｊｍ人のときＨｘ：８０００ｅ％ ｉ
＝３００ｍ人のとｊｋＨ１＝１２０００ｅが得ら些る。
７は第２のストライプ状超伝導体の部分でマイナー効果
によ９曲がるので、第２のストライプ状超伝導体の下側
の部分で元の位置へもどり記録媒体上での磁場は第２の
ストライプ状超伝導体がない場合と同じ様に働らく。前
記合成磁場ＨｔＫより磁気記憶媒体５がＨｔのベクトル
の方向に磁化される。試みに第１やストライイ状超伝≠
η工ロ日の式より、ストライプ状超伝導体の断面形状を
０．５μｍの正方形とし、絶縁層３の厚さを０．１μｍ
、ストライプ状超体導体（流す電流ｔ″２００ｍ人及び
３００９ＦＩＡとして磁気記憶媒体上での磁場を計算す
ると、ｉ＝２０Ｃｊｍ人のときＨｘ：８０００ｅ％ ｉ
＝３００ｍ人のとｊｋＨ１＝１２０００ｅが得ら些る。
この時の電蝉密度はＪ＝、８×１０〜Ｖ賞（ｉ ＝ ２
ｏｏｍＡ）及びＪ ＝ １．２Ｘ １０”Ａ／ｃｄ（ｉ
−３００ｆｆｉ人）となり、合成磁場Ｈｔは１１２０
０ｅ 及び１６８００ｅとなる。控えば文献によればＮ
ｂＣＮ超伝導体を用いれば、臨界電流密度Ｊｃ＝１０Ａ
／ｄが得られるので、高Ｈｃ媒体（Ｈｃ ＝ ６ｏ ｏ
〜８００ ）Ｋ対して、十分記録が可能である。次に
電流Ｉｘ及びＩ、の電流方向を逆転することによシ第４
図−（ｃ） −（１）に示す様に前記の合成磁場Ｈｉの
逆方向の磁場を得ることが出来る。
ｏｏｍＡ）及びＪ ＝ １．２Ｘ １０”Ａ／ｃｄ（ｉ
−３００ｆｆｉ人）となり、合成磁場Ｈｔは１１２０
０ｅ 及び１６８００ｅとなる。控えば文献によればＮ
ｂＣＮ超伝導体を用いれば、臨界電流密度Ｊｃ＝１０Ａ
／ｄが得られるので、高Ｈｃ媒体（Ｈｃ ＝ ６ｏ ｏ
〜８００ ）Ｋ対して、十分記録が可能である。次に
電流Ｉｘ及びＩ、の電流方向を逆転することによシ第４
図−（ｃ） −（１）に示す様に前記の合成磁場Ｈｉの
逆方向の磁場を得ることが出来る。
この合成磁場Ｈｔにより直交する第１及び第２のストラ
イプ状超伝導体の直交点下の磁気記憶媒体５ｔ−逆方向
に磁化する。磁化状態の１方向（１ｓ ｓ’）をデータ
・１鐙に対応させ、逆方向（−４５°）を６０６ Ｋ対
応させれば、直交する第１と第２のスト２イブ状超伝導
体（’１．２）の直交点の下の磁気記憶媒体５に情報１
１１８及び’ｏ″を記録するこ、とが出来る。この様に
して記録された磁化の状態を第５図に示す。
イプ状超伝導体の直交点下の磁気記憶媒体５ｔ−逆方向
に磁化する。磁化状態の１方向（１ｓ ｓ’）をデータ
・１鐙に対応させ、逆方向（−４５°）を６０６ Ｋ対
応させれば、直交する第１と第２のスト２イブ状超伝導
体（’１．２）の直交点の下の磁気記憶媒体５に情報１
１１８及び’ｏ″を記録するこ、とが出来る。この様に
して記録された磁化の状態を第５図に示す。
次に磁気記憶媒体５に記録された磁化Ｍを再生する方法
を説明する。、磁気記憶媒体５の下側の絶縁層６′ｆ：
介して、ストライプ状磁気抵抗効果素子７が、存在し、
さらに該ストライプ状磁気抵抗効果素子７の下側に絶縁
層１２を介して、該ストライプ状母気抵抗効果素子７に
直交するＮ３のストライプ状超伝導体８が存在している
。そこで今該磁気記憶媒体５の磁化Ｍが第６−（ａ）図
に示される様にストライプ状磁気抵抗効果素子７に流れ
る電流ベクトルＩＭＩに対して＋１３５°Ｉ／ｃなって
いる。この状態において直交点の磁化Ｍから発生する磁
場がストライプ状磁気抵抗効果素子７に与える磁場ＨＭ
は第６図−の）に示す様に電流ベクトル■ＭＲに対して
一４５°角度を有している。ここで、第３のストライプ
状超伝導体８にセンス電流”ｓｅ （パルス）を流すと
、磁気抵抗効果素子７の直交点に電流ベクトルＩＭＲと
同じ方向ＫＩｓｅによシセンス磁場Ｈ３ｅを生じさせる
と、ＭＲストライプ状の巾方向の反磁場に打ち勝つ程度
のＨＭとＨ５Ｃの合成磁場はＨＭ方向（−４５°）よｐ
電流ベクトルＩＭＩの方向へ近づく。
を説明する。、磁気記憶媒体５の下側の絶縁層６′ｆ：
介して、ストライプ状磁気抵抗効果素子７が、存在し、
さらに該ストライプ状磁気抵抗効果素子７の下側に絶縁
層１２を介して、該ストライプ状母気抵抗効果素子７に
直交するＮ３のストライプ状超伝導体８が存在している
。そこで今該磁気記憶媒体５の磁化Ｍが第６−（ａ）図
に示される様にストライプ状磁気抵抗効果素子７に流れ
る電流ベクトルＩＭＩに対して＋１３５°Ｉ／ｃなって
いる。この状態において直交点の磁化Ｍから発生する磁
場がストライプ状磁気抵抗効果素子７に与える磁場ＨＭ
は第６図−の）に示す様に電流ベクトル■ＭＲに対して
一４５°角度を有している。ここで、第３のストライプ
状超伝導体８にセンス電流”ｓｅ （パルス）を流すと
、磁気抵抗効果素子７の直交点に電流ベクトルＩＭＲと
同じ方向ＫＩｓｅによシセンス磁場Ｈ３ｅを生じさせる
と、ＭＲストライプ状の巾方向の反磁場に打ち勝つ程度
のＨＭとＨ５Ｃの合成磁場はＨＭ方向（−４５°）よｐ
電流ベクトルＩＭＩの方向へ近づく。
次に磁気記憶媒体５上の直交点の磁化が第４図−Ｃ−（
１）の様に前記磁気記憶媒体の磁化状態と逆に（データ
“０“Ｋ対応）Ｋなりている場合も〆／同様に第３のス
トライプ状超伝導体８にセンス電流１ｓｅ（パルス）を
流すと直交点において、Ｈ２Ｃの磁場を発生し、■（ν
と）Ｉｓｅの合成磁場Ｈｔの角度は電流ベクトルＩＭＲ
Ｋ対してＨｗの＋１３５°よりも小さくなシ（第６図−
（Ｑ）＋９０°近くＫなる様ＫＨｓｅを制御しておく。
１）の様に前記磁気記憶媒体の磁化状態と逆に（データ
“０“Ｋ対応）Ｋなりている場合も〆／同様に第３のス
トライプ状超伝導体８にセンス電流１ｓｅ（パルス）を
流すと直交点において、Ｈ２Ｃの磁場を発生し、■（ν
と）Ｉｓｅの合成磁場Ｈｔの角度は電流ベクトルＩＭＲ
Ｋ対してＨｗの＋１３５°よりも小さくなシ（第６図−
（Ｑ）＋９０°近くＫなる様ＫＨｓｅを制御しておく。
ここでストライプ状磁気抵抗効果素子７の印加磁場Ｈに
よる抵抗Ｂの変化を第７図−（Ａ）Ｋ示す。
よる抵抗Ｂの変化を第７図−（Ａ）Ｋ示す。
第７図−囚において、磁気抵抗効果素子７の電流ＩＭの
方向に対して磁気記憶媒体５の磁化方向は−４５又は＋
１３５ のどちらかであるが、第７図−囚のＲ−Ｈカ
ーブ上で、θ＝−４５の（ａ）点がデータ１１＠に対応
し、θ＝＋ １３５ の（ｂ）点がデータ“０°に対
応する。抵抗の値自身はθ＝＋１３５゜と−４５で変化
がない状態となっている。
方向に対して磁気記憶媒体５の磁化方向は−４５又は＋
１３５ のどちらかであるが、第７図−囚のＲ−Ｈカ
ーブ上で、θ＝−４５の（ａ）点がデータ１１＠に対応
し、θ＝＋ １３５ の（ｂ）点がデータ“０°に対
応する。抵抗の値自身はθ＝＋１３５゜と−４５で変化
がない状態となっている。
この様な状態において、第３のストライプ状超伝導体８
にセンス電流ｌ５ｅ（パルス）を流すと、このセン、ス
ミ流Ｉ ｓｅ Ｋよる誘導磁場Ｈ３ｃが印加されると第
７図−（２）の（ａ）点は矢印の方向へ変化し、抵抗値
はｘｓｅの電流パルスが加わったときだけ増大する。さ
らに第７図−因の（ｂ）点（・０°に対応）Ｋ対しては
抵抗値ＲはＩＳｅの電流パルスが加わったときだけ減少
する。従ってこのそれぞれの抵抗変化を電圧に変換する
ためにＮ７図−勿の様な回路構成により％第７図−（Ｑ
に示す様に、データ”１” Ｋ対応したパルス及びデー
ターＱ＠ Ｋ対応したパルスが逆極性で得られる。
にセンス電流ｌ５ｅ（パルス）を流すと、このセン、ス
ミ流Ｉ ｓｅ Ｋよる誘導磁場Ｈ３ｃが印加されると第
７図−（２）の（ａ）点は矢印の方向へ変化し、抵抗値
はｘｓｅの電流パルスが加わったときだけ増大する。さ
らに第７図−因の（ｂ）点（・０°に対応）Ｋ対しては
抵抗値ＲはＩＳｅの電流パルスが加わったときだけ減少
する。従ってこのそれぞれの抵抗変化を電圧に変換する
ためにＮ７図−勿の様な回路構成により％第７図−（Ｑ
に示す様に、データ”１” Ｋ対応したパルス及びデー
ターＱ＠ Ｋ対応したパルスが逆極性で得られる。
この様にしてデータの再生が可能である。
例えばＮ１ｅｃｅｓ−の場合、Ｔ＝４．２Ｋにおいてへ
Ｐ７．、 ＝ １６４ ｆｏのＭＲ素子（固有抵抗／。
Ｐ７．、 ＝ １６４ ｆｏのＭＲ素子（固有抵抗／。
＝４．７５０）が得られている。そこでストライプ巾を
０．５なり、この値Ｒ，に対して抵抗変化量ΔＲ１＝
０．９５Ｘ０．１６４＝ ０．１５５８０となる。
０．５なり、この値Ｒ，に対して抵抗変化量ΔＲ１＝
０．９５Ｘ０．１６４＝ ０．１５５８０となる。
従って該ストライプ状磁気抵抗効果素子７に流す電流ｉ
をｉ ＝ ｌ ｍＡとしたとき、外生出力ｅは０．１５
５８ｍＶとなり、ｉ＝２ｍＡとすると再生出力ｅは０．
３１１６ｍＶとなるので、十分実用的な値を得ることが
出来る。ここでストライプ状磁気抵抗効果素子７０両端
の抵抗及び電圧は４８．３ ＫΩ及び４ｓ、ａＶ（ｉ＝
ｘｍＡ）、９６Ｖ（ｉ＝２ｍＡ）となフ実用的値となっ
ている。
をｉ ＝ ｌ ｍＡとしたとき、外生出力ｅは０．１５
５８ｍＶとなり、ｉ＝２ｍＡとすると再生出力ｅは０．
３１１６ｍＶとなるので、十分実用的な値を得ることが
出来る。ここでストライプ状磁気抵抗効果素子７０両端
の抵抗及び電圧は４８．３ ＫΩ及び４ｓ、ａＶ（ｉ＝
ｘｍＡ）、９６Ｖ（ｉ＝２ｍＡ）となフ実用的値となっ
ている。
この再生出力を再生増幅１０Ｉ／Ｃより増幅すれば、θ
；−４５°及びθ＝＝＋ １３５°に対して第７図−（
Ｃ）ｋ示す様なパルスが得られる。。
；−４５°及びθ＝＝＋ １３５°に対して第７図−（
Ｃ）ｋ示す様なパルスが得られる。。
ここでストライプ状超伝導体はＮｂＣＮｔ−、ストライ
プ状磁気抵抗効果素子はＮｉ−Ｆｅ、 ＮｉＣｏ 等を
、絶縁層はＡノ＊Ｏｓｅ Ｓ ｌＯｔ＊チッ化シリコン
等を、基板は研摩された８ｉが適する。又前記固体磁気
メモリーデバイス部はスパッタ法、イオンミリング、Ｘ
１ｌｔ！（又は光学露光）、研摩等の薄膜形成技術を用
いることができる。
プ状磁気抵抗効果素子はＮｉ−Ｆｅ、 ＮｉＣｏ 等を
、絶縁層はＡノ＊Ｏｓｅ Ｓ ｌＯｔ＊チッ化シリコン
等を、基板は研摩された８ｉが適する。又前記固体磁気
メモリーデバイス部はスパッタ法、イオンミリング、Ｘ
１ｌｔ！（又は光学露光）、研摩等の薄膜形成技術を用
いることができる。
なお％磁気記憶媒体層の馬主面に形成されるストライプ
状パターンは直交するものでなくともよい。またパター
ンの幅はすべて同じでなくともよい。
状パターンは直交するものでなくともよい。またパター
ンの幅はすべて同じでなくともよい。
また当然、超伝導体及び磁気抵抗効果素子が形成された
高気記憶媒体部分と必要な周辺回路部分は超低温の環境
に設置される。
高気記憶媒体部分と必要な周辺回路部分は超低温の環境
に設置される。
（実施例）
本発明の実施例の固体磁気メモリーデバイス部を第３図
のａＫ形放した。基板１３の上にストライプ巾０．５μ
ｍの第３のストライプ状超伝導体（ＮｂＣＮ）８をスパ
ッタ法による成膜とイオンミリング法によるパターンエ
ツチングにより形成し、該第３のストライプ状超伝導体
８の上にＰ３縁層に（ＳｉＯ宜）をスパッタ法により形
成し、該絶縁層（ＳｉＯ謔の表面の段差解消をイオンミ
リング法全用込たエッチバック法によ９行ない１表面を
平坦にした後、該絶縁層１２（Ｓｉｎｇ）の上に１前記
ストライプ状超伝導体８に直交するストライプ巾０．５
μｍのストライプ状磁気抵抗効果素子７ （Ｎｉｃｅ）
をスパッタ法による成膜とイオンミリング法によるエツ
チングにより形成し、該ストライプ状磁気抵抗効果素子
の上を含む全面に絶縁層５ （ＳｉＯりをスパッタ法に
よ夕形成し、さらに段差解消を行なった後。
のａＫ形放した。基板１３の上にストライプ巾０．５μ
ｍの第３のストライプ状超伝導体（ＮｂＣＮ）８をスパ
ッタ法による成膜とイオンミリング法によるパターンエ
ツチングにより形成し、該第３のストライプ状超伝導体
８の上にＰ３縁層に（ＳｉＯ宜）をスパッタ法により形
成し、該絶縁層（ＳｉＯ謔の表面の段差解消をイオンミ
リング法全用込たエッチバック法によ９行ない１表面を
平坦にした後、該絶縁層１２（Ｓｉｎｇ）の上に１前記
ストライプ状超伝導体８に直交するストライプ巾０．５
μｍのストライプ状磁気抵抗効果素子７ （Ｎｉｃｅ）
をスパッタ法による成膜とイオンミリング法によるエツ
チングにより形成し、該ストライプ状磁気抵抗効果素子
の上を含む全面に絶縁層５ （ＳｉＯりをスパッタ法に
よ夕形成し、さらに段差解消を行なった後。
該絶縁層６の上に全面に一様に磁気記録媒体５（Ｃｏ
Ｐｔ）をスパッタ法により形成し、該磁気記憶媒体５の
上に絶縁層（ＳｉＯ雪）をスパッタ法により形成し該絶
縁層４の上にストライプ巾０．５μｍの第２のストライ
プ状超伝導体１ （ＮｂＣＮ）をスパッタ法による成膜
とイオンミリング法によるエツチングによ〕形成し、該
第２のストライプ状超伝導体１を含む全面に絶縁層３ｆ
ニスバツタ法により形成し、咳絶縁層３の上に、第２の
ストライプ状超伝導体と直交する様にストライプ巾０．
５μｍの第１のストライプ状超伝導体２ （ＮｂＣＮ）
ｔ−ｘパ。
Ｐｔ）をスパッタ法により形成し、該磁気記憶媒体５の
上に絶縁層（ＳｉＯ雪）をスパッタ法により形成し該絶
縁層４の上にストライプ巾０．５μｍの第２のストライ
プ状超伝導体１ （ＮｂＣＮ）をスパッタ法による成膜
とイオンミリング法によるエツチングによ〕形成し、該
第２のストライプ状超伝導体１を含む全面に絶縁層３ｆ
ニスバツタ法により形成し、咳絶縁層３の上に、第２の
ストライプ状超伝導体と直交する様にストライプ巾０．
５μｍの第１のストライプ状超伝導体２ （ＮｂＣＮ）
ｔ−ｘパ。
り法による底膜とイオンミリング法による工、テングに
よ夕形成した。この様に形成した超伝導体部分を４．２
に程度（液体ヘリウム）の極低温状態において動作させ
た。
よ夕形成した。この様に形成した超伝導体部分を４．２
に程度（液体ヘリウム）の極低温状態において動作させ
た。
なお、それぞれのストライプ状超伝導体及びストライプ
状磁気抵抗効果素子７のストライプ間距離は０．５μｍ
とし、厚さくすｔ−０，５μｍ（ストライプ状超伝導体
）及び０．０５μｍ（ストライプ状磁気抵抗効果素子）
とし、ストライプの長さく／）ｆ：１インチとして形成
した。
状磁気抵抗効果素子７のストライプ間距離は０．５μｍ
とし、厚さくすｔ−０，５μｍ（ストライプ状超伝導体
）及び０．０５μｍ（ストライプ状磁気抵抗効果素子）
とし、ストライプの長さく／）ｆ：１インチとして形成
した。
本実施例において１ビツトはｌμｆｎＸｌｆｉｍの大き
さとな夕１重密度としては６．４５ Ｘ １０−ピット
平方インチが実現された。さらにストライプ＠を小さく
すれば、平方インチ当りの容量は増大する。
さとな夕１重密度としては６．４５ Ｘ １０−ピット
平方インチが実現された。さらにストライプ＠を小さく
すれば、平方インチ当りの容量は増大する。
又前記のビットの大きさ１μｍｘＩｐｍの場合、２．５
インチ角の基板を用いれば、１枚の基板で約１ギカバイ
） （ＧＢ）の容量のメモリーの可能である。
インチ角の基板を用いれば、１枚の基板で約１ギカバイ
） （ＧＢ）の容量のメモリーの可能である。
（発明の効果）
以上によシ従来の磁気ディスク装置の回転機構及びディ
スク噛ヘッド系に要求される機械的耐久性等は除去され
、ヵ為っ大容量（５Ｘ１０”ビット／平方インチ、以上
）の不揮発性固体磁気ファイルメモリーが得られた。
スク噛ヘッド系に要求される機械的耐久性等は除去され
、ヵ為っ大容量（５Ｘ１０”ビット／平方インチ、以上
）の不揮発性固体磁気ファイルメモリーが得られた。
仕磁気記憶媒体が記録された磁化状態を示す図。
第６図（萄、 （鴫、 （ＱＦｉ再生時の原理を示す図
、第７図ψ）、 （１）、 （ｅ）は本発明の詳細な説
明する図。 １は第２のストライプ状超伝導体、２は第１のストライ
プ状超伝導体、８＃ｉ第３のストライプ状超伝導体％３
．４，６，１２．１３は絶縁層、５は磁気記憶媒体、７
はストライプ状磁気抵抗効果素子。 ９は抵抗Ｒ％招は再生増幅器、１１は基板、１４はＣＰ
Ｕ及びインターフェース、４６は第１のＸ軸アドレスレ
ジスタ、１８はｇｌのｙ軸アドレスレジスタ、４４はｊ
１！１のＸ軸アドレスデコーダ、１９は第１のｙ軸アド
レスデコーダ、−４５はデータ用７リツプフロツク、
４７．４８．４９．５０．５１．５２はアンドゲート。 １６、１？、 ３０．３１は電流源％頷、 ２１．２２
．２３．２４゜２５、２６．２７．２８．２９は第１の
スイッチ群％あけ第２のｙ軸アドレスレジスタ（再生用
）、４２は第２のＩ軸アドレスレジスタ％３５はＭｚの
ｙ＠アドレスデコーダ、４１は第２のＸ軸アドレスデコ
ーダ、招は再生回路系、９は抵抗Ｒ，３Ｂ、 ３９．４
０．３２゜３４は第２さグチ群３３は電流源をそれぞれ
示す。 又第２図及び第３図において破線の内側部分は固体磁気
メモリー素子部を示す。
、第７図ψ）、 （１）、 （ｅ）は本発明の詳細な説
明する図。 １は第２のストライプ状超伝導体、２は第１のストライ
プ状超伝導体、８＃ｉ第３のストライプ状超伝導体％３
．４，６，１２．１３は絶縁層、５は磁気記憶媒体、７
はストライプ状磁気抵抗効果素子。 ９は抵抗Ｒ％招は再生増幅器、１１は基板、１４はＣＰ
Ｕ及びインターフェース、４６は第１のＸ軸アドレスレ
ジスタ、１８はｇｌのｙ軸アドレスレジスタ、４４はｊ
１！１のＸ軸アドレスデコーダ、１９は第１のｙ軸アド
レスデコーダ、−４５はデータ用７リツプフロツク、
４７．４８．４９．５０．５１．５２はアンドゲート。 １６、１？、 ３０．３１は電流源％頷、 ２１．２２
．２３．２４゜２５、２６．２７．２８．２９は第１の
スイッチ群％あけ第２のｙ軸アドレスレジスタ（再生用
）、４２は第２のＩ軸アドレスレジスタ％３５はＭｚの
ｙ＠アドレスデコーダ、４１は第２のＸ軸アドレスデコ
ーダ、招は再生回路系、９は抵抗Ｒ，３Ｂ、 ３９．４
０．３２゜３４は第２さグチ群３３は電流源をそれぞれ
示す。 又第２図及び第３図において破線の内側部分は固体磁気
メモリー素子部を示す。
Claims (2)
- （１）磁気記憶媒体層の一方の主面上に絶縁層を介して
複数の第２のストライプ状超伝導体が所定の間隔をおい
て形成されており、該第２のストライプ状超伝導体上及
び前記磁気記憶媒体層の主面上に絶縁層を介して、当該
第２のストライプ状超伝導体と所定の角度で交差するよ
うに複数の第１のストライプ状超伝導体が所定の間隔を
おいて形成されており、また前記磁気記憶媒体層の他方
の主面上には絶縁層を介して複数のストライプ状磁気抵
抗効果素子が所定の間隔で形成されており、当該磁気記
憶媒体層の主面上及び該ストライプ状磁気抵抗効果素子
上に絶縁層を介して複数の第３のストライプ状超伝導体
が所定の間隔で形成された構造を備え、第１と第２のス
トライプ状超伝導体の交差部分と第３のストライプ状超
伝導体とストライプ状磁気抵抗効果素子の交差部分が前
記磁気記憶媒体層を介して対向する位置に配置されてい
ることを特徴とする固体磁気メモリー素子。 - （２）絶縁層を介して所定の角度で交差するように形成
された第１と第２のストライプ状超伝導体に記録電流を
流し、該２つの超伝導体の交点近傍に形成された磁気記
録媒体を磁化して情報を記録し該磁気記録媒体を介して
前記交点に対向する位置を交点とし、絶縁層を介して所
定の角度で交差するように形成された第３のストライプ
状超伝導体とストライプ状磁気抵抗効果素子のうち該第
３のストライプ状超伝導体にセンス電流を流し、ストラ
イプ状磁気抵抗効果素子に磁場を与え、前記情報を該ス
トライプ状磁気抵抗効果素子の抵抗変化として再生する
ことを特徴とする固体磁気メモリー素子の記録再生方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59277300A JPH0664905B2 (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 固体磁気メモリ−素子及びその記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59277300A JPH0664905B2 (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 固体磁気メモリ−素子及びその記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61153897A true JPS61153897A (ja) | 1986-07-12 |
| JPH0664905B2 JPH0664905B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=17581613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59277300A Expired - Lifetime JPH0664905B2 (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 固体磁気メモリ−素子及びその記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664905B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01178190A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-14 | Nec Corp | 多層固体磁気メモリー素子 |
| JPH01178191A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-14 | Nec Corp | 固体磁気メモリー素子 |
| EP0326154A2 (en) * | 1988-01-27 | 1989-08-02 | Nec Home Electronics, Ltd. | Memory device |
| FR2656454A1 (fr) * | 1989-12-22 | 1991-06-28 | Thomson Csf | Tete de lecture multipiste. |
| US5039655A (en) * | 1989-07-28 | 1991-08-13 | Ampex Corporation | Thin film memory device having superconductor keeper for eliminating magnetic domain creep |
| EP0467737A1 (fr) * | 1990-07-20 | 1992-01-22 | Thomson-Csf | Dispositif magnétique de lecture à réseau matriciel de têtes de lecture |
| EP0467736A1 (fr) * | 1990-07-20 | 1992-01-22 | Thomson-Csf | Tête magnétique de lecture à effet magnéto-résistif |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP59277300A patent/JPH0664905B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01178191A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-14 | Nec Corp | 固体磁気メモリー素子 |
| JPH01178190A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-14 | Nec Corp | 多層固体磁気メモリー素子 |
| EP0326154A2 (en) * | 1988-01-27 | 1989-08-02 | Nec Home Electronics, Ltd. | Memory device |
| EP0326154A3 (en) * | 1988-01-27 | 1990-09-26 | Nec Home Electronics, Ltd. | Memory device |
| US5039655A (en) * | 1989-07-28 | 1991-08-13 | Ampex Corporation | Thin film memory device having superconductor keeper for eliminating magnetic domain creep |
| US5420734A (en) * | 1989-12-22 | 1995-05-30 | Thomson-Csf | Multitrack read head having a matrix network of elementary magneto-resistive heads |
| FR2656454A1 (fr) * | 1989-12-22 | 1991-06-28 | Thomson Csf | Tete de lecture multipiste. |
| EP0467737A1 (fr) * | 1990-07-20 | 1992-01-22 | Thomson-Csf | Dispositif magnétique de lecture à réseau matriciel de têtes de lecture |
| FR2665011A1 (fr) * | 1990-07-20 | 1992-01-24 | Thomson Csf | Tete magnetique de lecture a effet magneto-resistif. |
| FR2665010A1 (fr) * | 1990-07-20 | 1992-01-24 | Thomson Csf | Dispositif magnetique de lecture a reseau matriciel de tetes de lecture. |
| US5251088A (en) * | 1990-07-20 | 1993-10-05 | Thomson-Csf | Magnetic read head with magneto-resistance effect |
| US5282104A (en) * | 1990-07-20 | 1994-01-25 | Thomson-Csf | Magnetic reading device with read head matrix network |
| EP0467736A1 (fr) * | 1990-07-20 | 1992-01-22 | Thomson-Csf | Tête magnétique de lecture à effet magnéto-résistif |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0664905B2 (ja) | 1994-08-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3330527B2 (ja) | スピン・バルブ・センサ及び磁気記憶システム | |
| US5729410A (en) | Magnetic tunnel junction device with longitudinal biasing | |
| US5218497A (en) | Magnetic recording-reproducing apparatus and magnetoresistive head having two or more magnetoresistive films for use therewith | |
| CN1322491C (zh) | 具有反铁磁层的磁电阻传感器 | |
| US4751598A (en) | Thin-film, cross-field, closed-flux, anisotropic electromagnetic field device | |
| US5406433A (en) | Dual magnetoresistive head for reproducing very narrow track width short wavelength data | |
| JPH1196608A (ja) | 熱磁気記録再生ヘッド、および熱磁気記録再生装置、ならびに熱磁気記録媒体 | |
| US6903906B2 (en) | Magnetic head with a lamination stack to control the magnetic domain | |
| JP2009158789A (ja) | 電流磁気効果素子及び磁気センサ | |
| JP2004296000A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド、及びその製造方法 | |
| JPS61153897A (ja) | 固体磁気メモリ−素子及びその記録再生方法 | |
| US6700758B2 (en) | Magnetoresistive effect type of head, manufacturing method of magnetoresistive effect type of head, and information reproducing system | |
| JP2000113421A (ja) | 磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッド | |
| EP0372420B1 (en) | Magnetic recording-reproducing apparatus and magnetoresistive head for use therewith | |
| JP2001312803A (ja) | 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH1125425A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP2800497B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH10302203A (ja) | 垂直磁気記録装置 | |
| JP2838942B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| US6851179B2 (en) | Magnetic head producing method | |
| JP2731558B2 (ja) | ブロッホラインメモリデバイス | |
| JP3040891B2 (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
| JPH0714710A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JPH1139859A (ja) | 巨大磁気抵抗効果によるメモリセルおよび並列型ランダムアクセスメモリ | |
| JPH0540918A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘツド |