JPS61152028A - レジンバリ除去装置 - Google Patents

レジンバリ除去装置

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JPS61152028A
JPS61152028A JP59273077A JP27307784A JPS61152028A JP S61152028 A JPS61152028 A JP S61152028A JP 59273077 A JP59273077 A JP 59273077A JP 27307784 A JP27307784 A JP 27307784A JP S61152028 A JPS61152028 A JP S61152028A
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JP
Japan
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resin
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pressure fluid
resin burr
removal device
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Toshiro Iba
射場 俊郎
Michio Tanimoto
道夫 谷本
Masuzo Ikumi
生見 益三
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Hitachi Ltd
Hitachi High Tech Corp
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Hitachi Ltd
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、樹脂封止型半導体装置の製造工程におけるレ
ジンバリの除去に通用して有効な技術に関する。
〔背景技術〕
樹脂封止型半導体装置は、通常多連リードフレームを用
い、その各ペレット取付部にペレット取り付けを行い、
該ペレットとリード内端部とのワイヤボンディングを行
った後、金型を用いてパフケージのモールド形成を行い
、最後にリード成形を行って完成されるものである。
前記パンケージのモールド形成は、金型のキャビティ中
心にペレットが位置するようにリードフレームを上金型
と下金型の間に挟持した状態で、エポキシ樹脂等の樹脂
を金型キャビティ内に高圧注入して行われる。リードフ
レームの上下金型間挟持は、金型のキャビティ周端部が
タイバーの内側に位置するようにして行われるため、リ
ードとリードの間には奥行がタイバーまでの隙間が形成
されることになる。そのため樹脂を注入してパッケージ
のモールド形成が行われると、必然的にパッケージ側端
からダムとして機能するタイバーまでリードとほぼ同じ
厚さの樹脂が突出することになり、ダム内レジンバリが
形成される。
また、極めて高圧で樹脂の注入が行われるため、リード
面と金型との微少の隙間に該樹脂が入り込み、リード表
面に薄く樹脂が被着されたレジンバリであるレジンフラ
ッシュバリが形成される。
前記のレジンバリは、タイバー切断金型に損傷を与える
原因になったり、リードの半田コートの障害になったり
する他、半導体装置の外観不良にもなるため、通常リー
ド成形工程前に除去される。
レジンバリの除去は、たとえば高圧水をノズルから所定
部へ噴射して行うことができ、この技術については、特
開昭58−135646号公報に詳細に説明されている
いわゆるフラントパソケージ型の半導体装置のように四
方周囲にリードが形成されている半導体装置に、高圧水
を用いて、それもモールド完了のIJ −1’フレーム
を長さ方向に移動させてレジンバリ除去を行うためには
、パッケージの両側を噴射できる位置に一対のノズルを
設ける場合であっても、少なくともパフケージ中の半分
以上の大きさでノズルを偏心させる必要がある。
なぜならば、前記の一対のノズルを用いれば、ノズルを
固定したままでも、リードフレームの長さ方向のパッケ
ージ側端のレジンバリは十分に除去できるのであるが、
リードフレームの長さ方向に直交するパッケージ側端の
レジンバリは、少なくともパッケージ中(リードフレー
ムの長さ方向)の2分の1を越える位1まで高圧水が達
するようにしなければ除去できないからである。
前記の如くパッケージ中の半分以上の大きさの偏心回転
をノズルに与えることにより、四方周囲のリードフレー
ム全体についてレジンバリの除去が可能となるのである
が、その場合必然的にパッケージ上面全体に高圧水が噴
射されることになる。
したがって、その高圧水の衝撃によりパッケージまたは
その内部に欠陥が発生し易いという8Mがある。また、
必要以上の範囲にわたって高圧水を噴射するので極めて
効率が悪いという問題があることが、本発明者により見
い出された。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
けるレジンバリ除去に関し、作業性向上、作業精度向上
および半導体装置のイε頼性向上に適用して有効な技術
を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、;!i!;庄浩&噴射工の本譜姿?−r −
、;・ノ・、・す除去装置に、モールド完了リードフレ
ームに適用するXY方向駆動手段を設けることにより、
該リードフレームを任意の方向に移動させることができ
ることより、高圧流体噴射用ノズルに大きな偏心回転を
与えることなく、効率良く目的部のみに高圧流体を噴射
させることが可能となり、前記目的が達成されるもので
ある。
〔実施例〕 第1図は、本発明による一実施例であるレジンバリ除去
装置を示す概念図である。
すなわち、バリ取り槽1内には高圧ポンプ2に直結した
高圧水噴射装置3が備えられ、該噴射装置3の下部には
、モータ4により第2図に概略を示す如く偏心回転が可
能であるようにノズル5が取り付けられている。
そして、前記噴射装置3の下方には、リードフレーム支
持台を兼ねたXYテーブル6が、XY駆動部7に直結し
て備えられている。一部破断して示すように、このXY
テーブル6には、モールド完了したリードフレーム8が
適合する凹部が形成されている。
前記XYテーブル6はXY駆動部に接続された制御装置
9により、その動作が自由にコントロールされるもので
ある。
第3図は、レジンバリの発生状態をモールド完了リード
フレームの部分平面図で示すものである。
すなわち、パフケージ10の四方周囲には、その一部が
パフケージIO内に埋設されたり一ド11が途中をタイ
バー12で連結されて配列されているが、前記レジンバ
リは、パッケージ1oの周囲であってダムとして機能す
るタイバー12の内側に、ダム内レジンバリ13として
隙間を塞ぐ如く全体に形成されているものである。
また、他のレジンバリとしてはリード11の表面に薄く
被着されるレジンフラッシュバリ14がある。
第4図は、モールド完了リードフレーム8の概略平面図
に、ノズル5の合理的走査軌跡15の一例を示したもの
である。
第3図に示したように、レジンバリはパフケーフレーム
の状態においても可能なかぎり該パッケージlOの周囲
に沿ってノズル5を移動させることが望ましいといえる
また、同じく第3図に示す如く、ダム内レジンバリ13
およびレジンフラッシュバリ14はある程度の巾を有し
ているため、ノズルに小さい偏心回転を与えて、噴射重
心をこまかく変化させた方が効果的である。
本実施例のレジンバリ除去装置は上記の要求を満足させ
る機能を備えているので、第4図に示す軌跡15の矢印
方向にノズル5を所定の偏心重で回転させながら移動さ
せることができる。したがって、ノズル5の無駄な動き
を排除し、選択的に目的部位にのみ高圧水を噴射するこ
とができるので、作業能率が向上し、かつ確実にレジン
バリ除去が達成されるので作業精度の向上も図れる。
さらに、不要部に噴射しないようにすることができるこ
とより、半導体装置の破壊やリード曲がりの発生を防止
することができる。
〔効果〕
(1)、高圧流体噴射手段を備えたレジンバリ除去装置
に、モールド完了リードフレームの移動に用いるXY方
向駆動手段を設けることにより、該リードフレームを任
意の方向に移動させることができるので、高圧流体噴射
用ノズルに大きな偏心回転を与えることなく、効率良く
目的部に高圧流体を噴射させることができる。
(2)、前記(1)により、ノズルの無駄な動きを排除
できるので、作業性向上が達成される。
(3)、前記(11により、バリ取りの作業精度を向上
させる°ことができる。
(4)、前記(1)により、不要部への高圧流体の噴射
を防止できるので、パンケージ内部の破壊やリード曲が
り等の発生を防止でき、信頼性向上を達成できる。
(5)、ノズルに所定巾の偏心回転を与えることにより
、バリ取り効率の向上を達成できる。
(6)、高圧流体噴射手段を2つ以上備えることにより
、?jtBのモールド完了リードフレームに閤陪r適用
できる。
(7)、高圧流体噴射手段として、モールド完了リード
フレームに対し、上方および下方の両方向から噴射可能
な2種類用いることにより、リードフレームを反転させ
ることなくレジンバリの除去も達成される。
(8)、高圧流体として水を用いることにより、きれい
なバリ取りが達成できる。
(9)、水または他の液体に粉体を混合せしめることに
より、レジンバリ除去力を向上させることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、高圧流体としては、水を用いたもののみを説
明したが、これに限るものでなく他の液体であっても、
また水や該液体に粉体を混合せしめたものであってもよ
く、さらには空気等のガスに粉体を混合せしめた高圧ガ
ス流体であってもよいものである。
また、ノズルは偏心回転するものを示したが、固定した
ものであってもよいことはいうまでもない。
〔利用分野〕
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である、いわゆるフラット
パッケージ型半導体装置に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、たとえば、パッ
ケージが樹脂モールドで形成されるものであれば、如何
なる半導体装置についても適用して有効な技術である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明による一実施例のレジンバリ除去装置
を示す概念図、 第2図は、本実施例の装置に用いられているノズルを示
す部分正面図、 第3図は、レジンバリの発生状態を示すモールド完了リ
ードフレームの部分平面図、 第4図は、本実施例の装置をモールド完了リードフレー
ムに適用した場合のノズルの軌跡を示す説明図である。 ■・・・バリ取り槽、2・・・高圧ポンプ、3・・・高
圧水噴射装置、4・・・モータ、5・・・ノズル、6・
・・XYテーブル、7・・・XY駆動部、8・・・モー
ルド完了リードフレーム、9・・・制御装置、10・・
・パッケージ、11・・・リード、12・・・タイバー
、13・・・ダム内レジンバリ、14・・・レジンフラ
ッシュバリ、15・・・軌跡。 第  1  図 第  2 1       第  3  図第  4 
 図 /S !

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、樹脂封止型半導体装置に発生するレジンバリを除去
    する装置であって、高圧流体噴射手段とモールド完了リ
    ードフレームのXY方向駆動手段とを備えてなるレジン
    バリ除去装置。 2、高圧流体噴射手段が、偏心回転可能なノズルを備え
    ていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のレ
    ジンバリ除去装置。 3、高圧流体噴射手段が複数個備えられていることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載のレジンバリ除去装
    置。 4、高圧流体噴射手段が、下方噴射および上方噴射の2
    種が備えられていることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載のレジンバリ除去装置。 5、高圧流体が、水または粉体混合水からなることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載のレジンバリ除去装
    置。 6、高圧流体が、粉体混合空気からなることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載のレジンバリ除去装置。 7、XY方向駆動手段が、XYテーブルであることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載のレジンバリ除去装
    置。
JP59273077A 1984-12-26 1984-12-26 レジンバリ除去装置 Granted JPS61152028A (ja)

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JPH0376780B2 JPH0376780B2 (ja) 1991-12-06

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6386529A (ja) * 1986-09-30 1988-04-16 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体のバリ取り装置
EP0794559A2 (en) * 1996-03-05 1997-09-10 Nec Corporation Lead frame flash removing method and apparatus
EP1465241A2 (en) * 2003-04-04 2004-10-06 ASM Technology Singapore Pte Ltd. Apparatus and method for cleaning an electronic device
CN104217864A (zh) * 2014-07-24 2014-12-17 天津三星电机有限公司 Mlcc载板的异物清理装置及清理方法
JP2018092964A (ja) * 2016-11-30 2018-06-14 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法、パッケージ、及び発光装置
KR101882649B1 (ko) * 2018-03-16 2018-07-26 서장호 버 제거부를 구비한 금형장치
KR101882648B1 (ko) * 2018-03-16 2018-07-26 서장호 버 제거부를 구비한 금형장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5582443A (en) * 1978-12-14 1980-06-21 Toa Seimitsu Kogyo Kk Method and device for processing after sealing up semiconductor device
JPS5588340A (en) * 1978-12-27 1980-07-04 Hitachi Ltd Trimming method for resin-sealed electronic parts

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5582443A (en) * 1978-12-14 1980-06-21 Toa Seimitsu Kogyo Kk Method and device for processing after sealing up semiconductor device
JPS5588340A (en) * 1978-12-27 1980-07-04 Hitachi Ltd Trimming method for resin-sealed electronic parts

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6386529A (ja) * 1986-09-30 1988-04-16 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体のバリ取り装置
EP0794559A2 (en) * 1996-03-05 1997-09-10 Nec Corporation Lead frame flash removing method and apparatus
EP0794559A3 (en) * 1996-03-05 1998-03-18 Nec Corporation Lead frame flash removing method and apparatus
EP1465241A2 (en) * 2003-04-04 2004-10-06 ASM Technology Singapore Pte Ltd. Apparatus and method for cleaning an electronic device
EP1465241A3 (en) * 2003-04-04 2006-11-15 ASM Technology Singapore Pte Ltd. Apparatus and method for cleaning an electronic device
CN104217864A (zh) * 2014-07-24 2014-12-17 天津三星电机有限公司 Mlcc载板的异物清理装置及清理方法
JP2018092964A (ja) * 2016-11-30 2018-06-14 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法、パッケージ、及び発光装置
KR101882649B1 (ko) * 2018-03-16 2018-07-26 서장호 버 제거부를 구비한 금형장치
KR101882648B1 (ko) * 2018-03-16 2018-07-26 서장호 버 제거부를 구비한 금형장치

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