JPS61152008A - ウエハ - Google Patents
ウエハInfo
- Publication number
- JPS61152008A JPS61152008A JP27281284A JP27281284A JPS61152008A JP S61152008 A JPS61152008 A JP S61152008A JP 27281284 A JP27281284 A JP 27281284A JP 27281284 A JP27281284 A JP 27281284A JP S61152008 A JPS61152008 A JP S61152008A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- orientation flat
- orientation
- exposure
- circuit pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は基板、特に半導体装置のベレット製造に用いら
れるウェハの位置決めに関するものである。
れるウェハの位置決めに関するものである。
［背景技術］
半導体集積回路形成用の半導体結晶基板（以下ウェハと
いう）は、シリコン（Ｓｉ）の単結晶引き上げにより形
成された棒状のインゴットを所定の厚さの薄板状にスラ
イスして製造される。
いう）は、シリコン（Ｓｉ）の単結晶引き上げにより形
成された棒状のインゴットを所定の厚さの薄板状にスラ
イスして製造される。
ここで、単結晶引き上げ工程では、シリコンのシード（
種結晶）を溶融シリコンのるつぼ内で回転させながら該
シードを引き上げるため、出来上がったシリコン単結晶
のインゴットは丸棒状となり、該インゴットをスライス
して形成されるウェハも必然的に円形薄板形状となる。
種結晶）を溶融シリコンのるつぼ内で回転させながら該
シードを引き上げるため、出来上がったシリコン単結晶
のインゴットは丸棒状となり、該インゴットをスライス
して形成されるウェハも必然的に円形薄板形状となる。
ところで、ウェハ上に集積回路を微細形成するためには
回路パターンが形成されたマスクないしレチクルとウェ
ハとの重ね合わせの位置決めを極めて精密に行う必要が
あるが、上記工程により製造された円形ウェハではその
位置決めの基準が見いだせない、そのため、シリコン単
結晶のインゴットを製造した際に、該インゴットを一箇
所で長さ方向に一部切除して直線部を形成し、この直線
部をスライス後のウェハの位置合わせ基準、すなわちオ
リエンテーションフラットとして用いることが知られて
いる。
回路パターンが形成されたマスクないしレチクルとウェ
ハとの重ね合わせの位置決めを極めて精密に行う必要が
あるが、上記工程により製造された円形ウェハではその
位置決めの基準が見いだせない、そのため、シリコン単
結晶のインゴットを製造した際に、該インゴットを一箇
所で長さ方向に一部切除して直線部を形成し、この直線
部をスライス後のウェハの位置合わせ基準、すなわちオ
リエンテーションフラットとして用いることが知られて
いる。
縮小露光工程では、縮小露光装置を用いて、このオリエ
ンテーションフラットを基準として、ウェハ上の最初の
回路パターンを作成する位置を決定し、その後は、厳密
な位置合わせは行わず、ウェハを所定量ずつずらして同
一の回路パターンを次々に形成してゆく作業が行われる
。
ンテーションフラットを基準として、ウェハ上の最初の
回路パターンを作成する位置を決定し、その後は、厳密
な位置合わせは行わず、ウェハを所定量ずつずらして同
一の回路パターンを次々に形成してゆく作業が行われる
。
しかし、このような単一のオリエンテーションフラット
を基準とする位置合わせでは、複数回の露光工程を繰り
返すうちに、位置ずれを生じ、最初に定めた露光位置が
精度良く再現できなくなることが本発明者によって明ら
かにされた。
を基準とする位置合わせでは、複数回の露光工程を繰り
返すうちに、位置ずれを生じ、最初に定めた露光位置が
精度良く再現できなくなることが本発明者によって明ら
かにされた。
これを防止するために、回路パターンの回路形成部以外
の部分にアライメントマークを設けて、ウェハ上に形成
されるペレット単位毎に位置調整を行うことも考えられ
るが、位置調整の作業が複雑である。そのため、簡易な
方法で正確な露光位置を得ることのできる技術が露光工
程の自動化にとって必要不可欠であることがさらに本発
明者によって明らかにされたのである。
の部分にアライメントマークを設けて、ウェハ上に形成
されるペレット単位毎に位置調整を行うことも考えられ
るが、位置調整の作業が複雑である。そのため、簡易な
方法で正確な露光位置を得ることのできる技術が露光工
程の自動化にとって必要不可欠であることがさらに本発
明者によって明らかにされたのである。
なお、ウェハのオリエンテーションフラットおよびそれ
を用いた位置合わせの技術について詳しく説明しである
例としては、株式会社工業調査会、昭和５８年１１月１
５日発行「電子材料１９８３年１１月号別冊、超ＬＳＩ
製造・試験装置ガイドブックＪ、Ｐ１７〜Ｐ１Ｂがある
。
を用いた位置合わせの技術について詳しく説明しである
例としては、株式会社工業調査会、昭和５８年１１月１
５日発行「電子材料１９８３年１１月号別冊、超ＬＳＩ
製造・試験装置ガイドブックＪ、Ｐ１７〜Ｐ１Ｂがある
。
［発明の目的］
本発明の目的は、ウェハ上の回路パターン形成位置の検
出を簡単かつ容易に行うことのできる技術を提供するこ
とにある。
出を簡単かつ容易に行うことのできる技術を提供するこ
とにある。
本発明の他の目的は、ウェハの歩留り向上によって低コ
ストで信顛性の高い半導体装置を提供することにある。
ストで信顛性の高い半導体装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
【発明の概要］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、ウェハに二以上の直線端部を形成することに
よって、各端部からの距離を自動認識し、適切な回路パ
ターン形成位置の検出を極めて簡単かつ容易に行うこと
ができるものである。 １［実施例
１］ 第１図は本発明の一実施例であるウェハを投影露光装置
のＸＹテーブル上に固定した状態を示す平面図である。
よって、各端部からの距離を自動認識し、適切な回路パ
ターン形成位置の検出を極めて簡単かつ容易に行うこと
ができるものである。 １［実施例
１］ 第１図は本発明の一実施例であるウェハを投影露光装置
のＸＹテーブル上に固定した状態を示す平面図である。
本実施例のウェハ１は、円板状の形状を有しており、こ
のウェハ１は、シリコンのシード（種結晶）を溶融シリ
コンのるつぼ内で回転させながら引き上げて、該シード
の周囲に単結晶部を形成することにより得られたシリコ
ン単結晶の円形断面の棒状のインゴットを幅方向にスラ
イスすることにより得られるものである。
のウェハ１は、シリコンのシード（種結晶）を溶融シリ
コンのるつぼ内で回転させながら引き上げて、該シード
の周囲に単結晶部を形成することにより得られたシリコ
ン単結晶の円形断面の棒状のインゴットを幅方向にスラ
イスすることにより得られるものである。
そして、該ウェハ１の円周の一部には結晶軸の方向を示
す第一オリエンテーションフラット２が直線状に円周部
の一部を切断除去して形成されていると共に、該第−オ
リエンテーションフラット２と直角方向に第二オリエン
テーションフラット３が形成されている。たとえば図示
のように該第−オリエンテーションフラット２が下部と
なるようにウェハ１を置いた場合に、円の横方向（本実
施例では左方向）には、該第−オリエンテーションフラ
ット２と垂直になるように第二オリエンテーションフラ
ット３が直線状に形成されている。
す第一オリエンテーションフラット２が直線状に円周部
の一部を切断除去して形成されていると共に、該第−オ
リエンテーションフラット２と直角方向に第二オリエン
テーションフラット３が形成されている。たとえば図示
のように該第−オリエンテーションフラット２が下部と
なるようにウェハ１を置いた場合に、円の横方向（本実
施例では左方向）には、該第−オリエンテーションフラ
ット２と垂直になるように第二オリエンテーションフラ
ット３が直線状に形成されている。
この第二オリエンテーク９ン、フラツト３は、シリコン
単結晶の棒状のインゴットの段階でインゴットの長さ方
向にインゴットを直線的に除去して形成される第一オリ
エンテーションフラット２と同時に形成してもよいし、
あるいは、スライスした後に、ウェハ毎に個別にグイシ
ングツ−等を用いて円形周囲部を直線状に切断除去して
形成してもよい。
単結晶の棒状のインゴットの段階でインゴットの長さ方
向にインゴットを直線的に除去して形成される第一オリ
エンテーションフラット２と同時に形成してもよいし、
あるいは、スライスした後に、ウェハ毎に個別にグイシ
ングツ−等を用いて円形周囲部を直線状に切断除去して
形成してもよい。
次に本実施例１のウェハ１を用いた露光方法について説
明する。
明する。
上記のようにして得られたウェハｌの表面にホトレジス
ト膜を塗布し縮小露光装置のＸＹテーブル上に載置する
。
ト膜を塗布し縮小露光装置のＸＹテーブル上に載置する
。
このとき、ＸＹテーブル上の水平方向および垂直方向に
は各々２箇所に突起部４ａ、４ｂ、５ａ。
は各々２箇所に突起部４ａ、４ｂ、５ａ。
５ｂが設けられており、ウェハの第一オリエンテーショ
ンフラットが突起部４ａ、４ｂに、第二オリエンテーシ
ョンフラットが突起部５ａ、５ｂに各々押し付けられる
ことにより、ウェハはＸＹ方向に対し常に所定の位置で
固定される。
ンフラットが突起部４ａ、４ｂに、第二オリエンテーシ
ョンフラットが突起部５ａ、５ｂに各々押し付けられる
ことにより、ウェハはＸＹ方向に対し常に所定の位置で
固定される。
次に、第一オリエンテーションフラットおよび第二オリ
エンテーションフラットを基準としてウェハ上の回路パ
ターン作成領域６を決定し、このテークをマイクロコン
ピュータ−（図示せず）に記憶させる。
エンテーションフラットを基準としてウェハ上の回路パ
ターン作成領域６を決定し、このテークをマイクロコン
ピュータ−（図示せず）に記憶させる。
次に、図示しないレーザ干渉計によりｘＹステージの位
置検出を自動的に行いながら矢印で示すように次々に第
一層の回路パターンをステップアンドリピート露光する
。
置検出を自動的に行いながら矢印で示すように次々に第
一層の回路パターンをステップアンドリピート露光する
。
このように本実施例によればウェハはＸＹテーブル上に
おいて常にＸＹ方向に対し、所定の位置で固定されるた
め、複数回の露光を繰り返す場合であっても回路パター
ン形成位置の位置ずれを生じることなく正確な露光位置
を精度良く再現することができる。
おいて常にＸＹ方向に対し、所定の位置で固定されるた
め、複数回の露光を繰り返す場合であっても回路パター
ン形成位置の位置ずれを生じることなく正確な露光位置
を精度良く再現することができる。
また、オリエンテーションフラットを三箇所に形成する
ことによって、ウェハ上のベレット形成領域は多少狭く
なるが、上記のように正確な露光位置を確保することが
できるため、結果的にウェハの歩留りを向上させること
ができる。
ことによって、ウェハ上のベレット形成領域は多少狭く
なるが、上記のように正確な露光位置を確保することが
できるため、結果的にウェハの歩留りを向上させること
ができる。
［実施例２］
第２図は本発明の他の実施例であるウェハを示す平面図
である。
である。
本実施例のウェハ２１は結晶方向に形成されている第一
オリエンテーションフラット２２の対向端部に、該第−
オリエンテーションフラット２１と平行に第二オリエン
テーションフラット２３が形成されている。
オリエンテーションフラット２２の対向端部に、該第−
オリエンテーションフラット２１と平行に第二オリエン
テーションフラット２３が形成されている。
この両オリエンテーシッンフラット２２．２３は実施例
１で述べたのと同様の方法で形成される。
１で述べたのと同様の方法で形成される。
本実施例によれば、横方向（Ｘ方向）は左右いずれかの
円周端部で固定し、縦方向（Ｙ方向）は上下二つのオリ
エンテーションフラット２２．２３で固定するため、露
光工程において複数回の露光処理をくり返しても、この
二つのオリエンテーションフラットを基準として最初に
形成した回路パターンの位置を精度良く再現することが
極めて容易となる。
円周端部で固定し、縦方向（Ｙ方向）は上下二つのオリ
エンテーションフラット２２．２３で固定するため、露
光工程において複数回の露光処理をくり返しても、この
二つのオリエンテーションフラットを基準として最初に
形成した回路パターンの位置を精度良く再現することが
極めて容易となる。
［実施例３］
第３図は本発明のさらに他の実施例であるウェハを示す
平面図である。
平面図である。
本実施例のウェハ３１は上下左右の四方向の端部に互い
に直角となる関係でオリエンテーションフラット３２．
３３．３４．３５が形成されている。
に直角となる関係でオリエンテーションフラット３２．
３３．３４．３５が形成されている。
本実施例によれば、上下左右の四方向からの位置認識が
可能となるため、さらに精度の高い位置合わせが可能と
なる。
可能となるため、さらに精度の高い位置合わせが可能と
なる。
［効果］
（ｌ）、ウェハにおいて二以上の直線端部を形成するこ
とによって、ウェハの露光処理の際に、該直線端部を基
準として露光位置を精度良く再現することが可能になる
。
とによって、ウェハの露光処理の際に、該直線端部を基
準として露光位置を精度良く再現することが可能になる
。
（２）、各直線端部を互いに隣り合う直線端部と垂直に
なるように形成することにより、露光装置のＸＹステー
ジ上での位置決めを極めて容易に行うことができる。
なるように形成することにより、露光装置のＸＹステー
ジ上での位置決めを極めて容易に行うことができる。
（３）、前記＋１．）および（２）より、ウェハの歩留
り向上を図り、低コストで信頼性の高いペレット、およ
びそのペレットを用いた電子装置を提供することができ
る。
り向上を図り、低コストで信頼性の高いペレット、およ
びそのペレットを用いた電子装置を提供することができ
る。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、オリエンテーションフラットは実施例では三
箇所または四箇所の場合について説明したが、これに限
らず三箇所または三箇所以上であってもよい。また、オ
リエンテーションフラットは互いに直角関係または平行
関係となる場合についてのみ説明したが、これに限られ
ず、如何なる角度関係であってもよい。
箇所または四箇所の場合について説明したが、これに限
らず三箇所または三箇所以上であってもよい。また、オ
リエンテーションフラットは互いに直角関係または平行
関係となる場合についてのみ説明したが、これに限られ
ず、如何なる角度関係であってもよい。
また、ＸＹテーブルにおけるウェハの固定方法も前記実
施例に述べたものに限られず、たとえば直交する二本の
枠体に各々第一オリエンテーショ。
施例に述べたものに限られず、たとえば直交する二本の
枠体に各々第一オリエンテーショ。
ンフラットおよび第二オリエンテーションフラットを当
接させて固定してもよい。
接させて固定してもよい。
第１図は本発明の実施例１であるウェハを投影露光装置
のＸＹテーブル上に固定した状態を示す平面図、 第２図は本発明の実施例２であるウェハを示す平面図、 第３図は本発明の実施例３であるウェハを示す平面図で
ある。 １・・・ウェハ、２・・・第一オリエンテーションフラ
ット、３・・・第二オリエンテーションフラット、４ａ
、４ｂ、５ａ、５ｂ−、、突起部、６・・・回路パター
ン作成領域、２１・・・ウェハ、２２・・・第一オリエ
ンテーションフラット、２３・・・第二オリエンテーシ
ョンフラット、３１・・・ウェハ、３２．３３，３４．
３５・・・オリエンテーションフラット。 第 １ 図
のＸＹテーブル上に固定した状態を示す平面図、 第２図は本発明の実施例２であるウェハを示す平面図、 第３図は本発明の実施例３であるウェハを示す平面図で
ある。 １・・・ウェハ、２・・・第一オリエンテーションフラ
ット、３・・・第二オリエンテーションフラット、４ａ
、４ｂ、５ａ、５ｂ−、、突起部、６・・・回路パター
ン作成領域、２１・・・ウェハ、２２・・・第一オリエ
ンテーションフラット、２３・・・第二オリエンテーシ
ョンフラット、３１・・・ウェハ、３２．３３，３４．
３５・・・オリエンテーションフラット。 第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、二以上の直線端部を有することを特徴とするウェハ
。 ２、各直線端部が互いに隣り合う端部と垂直になるよう
に形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27281284A JPS61152008A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | ウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27281284A JPS61152008A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | ウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61152008A true JPS61152008A (ja) | 1986-07-10 |
Family
ID=17519094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27281284A Pending JPS61152008A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | ウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61152008A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013004701A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Kyocera Crystal Device Corp | ウエハの接合方法 |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP27281284A patent/JPS61152008A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013004701A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Kyocera Crystal Device Corp | ウエハの接合方法 |
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