JPS6115179A - 液晶素子用基板の製造方法 - Google Patents
液晶素子用基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS6115179A JPS6115179A JP59135332A JP13533284A JPS6115179A JP S6115179 A JPS6115179 A JP S6115179A JP 59135332 A JP59135332 A JP 59135332A JP 13533284 A JP13533284 A JP 13533284A JP S6115179 A JPS6115179 A JP S6115179A
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- Japan
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- liquid crystal
- substrate
- spacer material
- alignment film
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業−１−の利用分野］
本発明は、液晶素子のうち、表示電極の０Ｎ１０ＦＦ制
御を薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）で行わせる方式に関し
、かつ、上下基板のスペーサ材の配置方法あるいはスペ
ーサ材を配置したＴＰＴ基板に関する。
御を薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）で行わせる方式に関し
、かつ、上下基板のスペーサ材の配置方法あるいはスペ
ーサ材を配置したＴＰＴ基板に関する。
［従来の技術］
従来の薄膜トランジスタを備えた液晶表示素子（ＬＣＤ
）について、一画素分の断面図側を第２図に示す。
）について、一画素分の断面図側を第２図に示す。
ガラス等の基板２上にゲート電極８を付け、絶縁膜７を
介して半導体層６を付けである。この−１−にソース線
（信号線）５とドレイン線４を配置し、かつ４は画素電
極３の一方と接触している。
介して半導体層６を付けである。この−１−にソース線
（信号線）５とドレイン線４を配置し、かつ４は画素電
極３の一方と接触している。
これらの上に液晶配向膜９を全面に塗布し、片側基板を
形成している。他方の基板ｌトには画素電極３と配向膜
９を配置し、これらを配向させてＬＣＤ周囲をエポキシ
樹脂等でシーリングし液晶を封入しである。
形成している。他方の基板ｌトには画素電極３と配向膜
９を配置し、これらを配向させてＬＣＤ周囲をエポキシ
樹脂等でシーリングし液晶を封入しである。
この時−Ｆ下基板１．２の間隔の制御は、通常グラスフ
ァイバーやプラスチックビーズ等をスペーサとして、片
側基板全体にばらまく方法がとられている。
ァイバーやプラスチックビーズ等をスペーサとして、片
側基板全体にばらまく方法がとられている。
しかしこの方法では第２図に示す画素電極３の上ばかり
ではなく、ＴＦＴ上にもスペーサ材が配置されてしまい
、上下基板圧着の工程で、ＴＰＴそのものが破壊される
可能性がある（第２図の５又は４の表面での高さは、３
のそれより６０００人〜１μｍ程度高いのが普通である
。）。
ではなく、ＴＦＴ上にもスペーサ材が配置されてしまい
、上下基板圧着の工程で、ＴＰＴそのものが破壊される
可能性がある（第２図の５又は４の表面での高さは、３
のそれより６０００人〜１μｍ程度高いのが普通である
。）。
よってこれを防止するためにホトレジ工程でスペーサ材
を形成させる方法すら用いられている。
を形成させる方法すら用いられている。
しかしこの方法では１０ｇ鵬程麻のスペーサを得る事が
困難であり、また何より工程が繁雑であるため量産性に
向かない。
困難であり、また何より工程が繁雑であるため量産性に
向かない。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明は、上記の点に鑑みなされたものであって、簡単
な工程で、スペーサをＴＦＴ ｌに載せないでばらまく
ことができ、かつ液晶配向膜をも同時に形成することが
できる方法を提供することを目的とする。
な工程で、スペーサをＴＦＴ ｌに載せないでばらまく
ことができ、かつ液晶配向膜をも同時に形成することが
できる方法を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明によれば、ＴＰＴを備えた液晶素子用基板の製造
方法において、ＴＰＴ−ｈにレジスト膜を形成する工程
と、スペーサ材を混有させた液晶配向膜を形成する工程
とその後レジスト膜を取除く工程とを有する事を特徴と
する液晶素子用基板の製造方法が提供される。
方法において、ＴＰＴ−ｈにレジスト膜を形成する工程
と、スペーサ材を混有させた液晶配向膜を形成する工程
とその後レジスト膜を取除く工程とを有する事を特徴と
する液晶素子用基板の製造方法が提供される。
［作用］
本発明においては、ＴＦＴ上にレジス）Ｉｌｌを形成し
、次いでスペーサ材を混合させた液晶配向膜形成用塗布
液を塗布することにより、液晶配向膜の形成とスペーサ
材のばらまきが同時に行なわれる。また、液晶配向膜を
形成した後、レジスト膜を取除くことにより、ＴＦＴ上
の液晶配向膜とスペーサ材が同時に除去される。
、次いでスペーサ材を混合させた液晶配向膜形成用塗布
液を塗布することにより、液晶配向膜の形成とスペーサ
材のばらまきが同時に行なわれる。また、液晶配向膜を
形成した後、レジスト膜を取除くことにより、ＴＦＴ上
の液晶配向膜とスペーサ材が同時に除去される。
し実施例］
次に図面に示す実施例を挙げて本発明を説明する。
第１図は本発明の一実施例の概略工程説明図で（１）〜
（４）は各工程を示す。通常ＴＦＴの半導体層上には、
汚染防止のため絶縁層が設けられているが、本図では省
略しである。
（４）は各工程を示す。通常ＴＦＴの半導体層上には、
汚染防止のため絶縁層が設けられているが、本図では省
略しである。
（１）片側基板上に画素電極とＴＰＴ素子を形成する。
（２）ＴＰＴ素子上にレジストマスク２１を付ける。
このレジストマスク２１には後の配向膜付は工程で配向
膜の溶媒に溶かされないものが必要である。
膜の溶媒に溶かされないものが必要である。
レジストマスク２１を形成するレジストとしては、種々
のものが使用可能であるが東京応化工業製ポジ型ホトレ
ジ“ス） ０ＤＯＲ−１０１３が適当である。
のものが使用可能であるが東京応化工業製ポジ型ホトレ
ジ“ス） ０ＤＯＲ−１０１３が適当である。
このレジストを全面に塗布し、第２図のゲート線８、ソ
ース線５、ドレイン線４をマスクとして背面から露光す
るセルフアライメント法を利用する９次にレジスト現像
液を通すと、ＴＦＴ上及びソース線、ゲート線、ドレイ
ン線上にレジストマスク２１が残ったパターンが得られ
る。
ース線５、ドレイン線４をマスクとして背面から露光す
るセルフアライメント法を利用する９次にレジスト現像
液を通すと、ＴＦＴ上及びソース線、ゲート線、ドレイ
ン線上にレジストマスク２１が残ったパターンが得られ
る。
（３）液晶配向膜形成用塗布液としてシランカップリン
グ剤（例えば信越化学工業 ＫＢＭ−４０３など）の１
％エタノール溶液を使用し、これに平均粒径１０ｇｍ＋
φ位のスペーサ材を一定量（０，２重量％位）分散させ
る。次にこの液をスピンナーで前記基板に塗布後、１０
０℃２０分焼成する。こうするとスペーサ材２３と液晶
配向膜２２はＴＦＴ画素電極」−に一様に固定される。
グ剤（例えば信越化学工業 ＫＢＭ−４０３など）の１
％エタノール溶液を使用し、これに平均粒径１０ｇｍ＋
φ位のスペーサ材を一定量（０，２重量％位）分散させ
る。次にこの液をスピンナーで前記基板に塗布後、１０
０℃２０分焼成する。こうするとスペーサ材２３と液晶
配向膜２２はＴＦＴ画素電極」−に一様に固定される。
（４）次に０υＤＲ−１０ｉ３川剥離液に入れてＴＰＴ
等の１一部にあるレジストを除去すると、同時にその部
分の液晶配向膜２２−１とスペーサ材２３−１が除去さ
れる。
等の１一部にあるレジストを除去すると、同時にその部
分の液晶配向膜２２−１とスペーサ材２３−１が除去さ
れる。
（５）その後１５０℃３０分シランカップリング剤を本
焼成後、ラビング処理を行う。
焼成後、ラビング処理を行う。
この工程によってスペーサ材は画素電極１−に限定され
、ＴＦＴ Ｊ−又はソース、ゲート、ドレイン各線」−
には乗らないために、液晶素子の作成時の１−Ｆガラス
の圧着工程でこれら各部がスペーサ材によって破壊され
る事はない。
、ＴＦＴ Ｊ−又はソース、ゲート、ドレイン各線」−
には乗らないために、液晶素子の作成時の１−Ｆガラス
の圧着工程でこれら各部がスペーサ材によって破壊され
る事はない。
なお、上記実施例においてレジストを露光するにあたり
セルフアライメント法を用いたが、別体のホトマスクを
用いて行ってもよい。
セルフアライメント法を用いたが、別体のホトマスクを
用いて行ってもよい。
また、液晶配向膜を形成する材料として、シランカンプ
リング剤の１％エタノール溶液を用いたが、チタン系カ
ップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤等のカッ
プリング剤の溶液やポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、
ポリビニルアルコール等の合成樹脂の溶液を用いてもよ
い。
リング剤の１％エタノール溶液を用いたが、チタン系カ
ップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤等のカッ
プリング剤の溶液やポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、
ポリビニルアルコール等の合成樹脂の溶液を用いてもよ
い。
スペーサ材としては、液晶配向膜を傷付けないという観
点から球状のものが好ましい、また、スペーサ材の部分
には液晶が存在しないことになリ、このため偏光軸を平
行にした一対の偏光板を使用したねじれネマチック液晶
モードの素子の場合ではその部分だけ光が通過する現象
が生じるので、スペーサ材としては青色、黒色等の着色
のあるビーズがｔｌｆましい、又、この際ビーズとして
はガラスピーズに限らずプラスチックビーズやセラミッ
クビーズなとも用いることができる。
点から球状のものが好ましい、また、スペーサ材の部分
には液晶が存在しないことになリ、このため偏光軸を平
行にした一対の偏光板を使用したねじれネマチック液晶
モードの素子の場合ではその部分だけ光が通過する現象
が生じるので、スペーサ材としては青色、黒色等の着色
のあるビーズがｔｌｆましい、又、この際ビーズとして
はガラスピーズに限らずプラスチックビーズやセラミッ
クビーズなとも用いることができる。
この様なスペーサ材２３を配置したＴＰＴ基板は、第２
図に示す液晶素子で用いていたＴＰＴ基板に代えて使用
することができる。この際に使用する液晶１０としては
特に限定されるものではないが、ディスプレー素子とし
て使用する場合にはねじれネマチンク液晶が適している
が、その他にゲスト−ホスト液晶やバイブ゛リッド液晶
などのモードを使用することができる。又、特開昭５８
−１０７２１６５）公報に開示された非らせん構造のカ
イラルスメクティックＣ相又はＨ相の液晶を用いること
も可能である。この場合スペーサ材の平均粒径は２１Ｌ
ｍ程度が適している。
図に示す液晶素子で用いていたＴＰＴ基板に代えて使用
することができる。この際に使用する液晶１０としては
特に限定されるものではないが、ディスプレー素子とし
て使用する場合にはねじれネマチンク液晶が適している
が、その他にゲスト−ホスト液晶やバイブ゛リッド液晶
などのモードを使用することができる。又、特開昭５８
−１０７２１６５）公報に開示された非らせん構造のカ
イラルスメクティックＣ相又はＨ相の液晶を用いること
も可能である。この場合スペーサ材の平均粒径は２１Ｌ
ｍ程度が適している。
［発明の効果］
本発明は上記のようにＴＦＴ上にレジストＩＱを形成し
てからスペーサ材をｇ肩させた液晶配向膜を形成し、そ
の後レジスト膜を取除くのでＴＦＴ ｌ−（すなわちレ
ジスト膜上）にスペーサ材が載った場合にもレジスト膜
の除去により確実にＴＦＴ ｌ−からスペーサ材を取除
くことができる。また、スペーサ材を混有させた液晶配
向膜を形成するので、液晶配向膜の形成とスペーサ材の
ばらまきが同時に行なえる。
てからスペーサ材をｇ肩させた液晶配向膜を形成し、そ
の後レジスト膜を取除くのでＴＦＴ ｌ−（すなわちレ
ジスト膜上）にスペーサ材が載った場合にもレジスト膜
の除去により確実にＴＦＴ ｌ−からスペーサ材を取除
くことができる。また、スペーサ材を混有させた液晶配
向膜を形成するので、液晶配向膜の形成とスペーサ材の
ばらまきが同時に行なえる。
第１図は本発明の一実施例の概略工程説明図で、（１）
はＴＰＴ基板を示し、（２）はＴＦＴＪ−にホトレジパ
ターンが形成された状態を示し、（３）はスペーサ材を
混合した液晶配向膜を形成させた状態を示し、（４）は
レジスト膜を除去した状態を示す。第２図はＴＰＴ基板
を用いた液晶素子を示す概略断面図である。 ■、２・・・・・・ガラス基板、 ３・・・・・・透明
電極。 ４・・・・・・ドレイン電極、 ５・・・・・・ソー
ス電極、６・・・・・・半導体層、 ７・・・・・・
絶縁層、８・・・・・・ゲート電極、 ９・・・・・
・液晶配向膜、ｌＯ・・・・・・液晶、 ２１・・・・
・・レジストマスク、２２・・・・・・液晶配向膜、
２３・・・・・・スペーサ材。
はＴＰＴ基板を示し、（２）はＴＦＴＪ−にホトレジパ
ターンが形成された状態を示し、（３）はスペーサ材を
混合した液晶配向膜を形成させた状態を示し、（４）は
レジスト膜を除去した状態を示す。第２図はＴＰＴ基板
を用いた液晶素子を示す概略断面図である。 ■、２・・・・・・ガラス基板、 ３・・・・・・透明
電極。 ４・・・・・・ドレイン電極、 ５・・・・・・ソー
ス電極、６・・・・・・半導体層、 ７・・・・・・
絶縁層、８・・・・・・ゲート電極、 ９・・・・・
・液晶配向膜、ｌＯ・・・・・・液晶、 ２１・・・・
・・レジストマスク、２２・・・・・・液晶配向膜、
２３・・・・・・スペーサ材。
Claims (1)
- 薄膜トランジスタを備えた液晶素子用基板の製造方法に
おいて、薄膜トランジスタ上にレジスト膜を形成する工
程と、スペーサ材を混有させた液晶配向膜を形成する工
程とその後レジスト膜を取除く工程とを有する事を特徴
とする液晶素子用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59135332A JPS6115179A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 液晶素子用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59135332A JPS6115179A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 液晶素子用基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6115179A true JPS6115179A (ja) | 1986-01-23 |
Family
ID=15149287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59135332A Pending JPS6115179A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 液晶素子用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6115179A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63106624A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-11 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネル |
| JPS6488520A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal display device |
| JPH01245223A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-09-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 液晶パネル |
| JPH02240637A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶画像表示装置の製造方法 |
| JPH08211392A (ja) * | 1995-11-02 | 1996-08-20 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネル |
-
1984
- 1984-07-02 JP JP59135332A patent/JPS6115179A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63106624A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-11 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネル |
| JPS6488520A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal display device |
| JPH01245223A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-09-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 液晶パネル |
| JPH02240637A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶画像表示装置の製造方法 |
| JPH08211392A (ja) * | 1995-11-02 | 1996-08-20 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネル |
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