JPS61147440A - 液体金属イオン源 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、液体金属イオン源に関する。

［従来技術］ 従来の、イオン化物質１を入れるるっぽ２、るつぼ２内
に挿入されたエミッタチップ３、イオン化物質１を加熱
するヒータ４及び引き出し電極５から成る液体金属イオ
ン源においては、第２図に示すように、ヒータ４をるつ
ぼ２の周囲に巻き付け、イオン化物質ｌを加熱、蒸発さ
せてイオン化し、引き出し電極５でイオンビームとして
引き出す構造であった。しかし、るつぼの外からヒータ
で加熱したのではエミッタチップの周囲のイオン化物質
まで効率的に加熱することができず、イオンビームの発
生が安定しないという欠点があった。

［発明の目的］ 本発明の目的は、イオンビームを安定に発生しうる液体
金属イオン源を提供することにある。

［発明の構成コ 本発明の液体金属イオン源は、第１図に示すように、イ
オン化物質ｌを入れるるっぽ２、るつぼ内に挿入された
エミッタチップ３、イオン化物質を加熱するヒータ線４
°及び引き出し電極５から成っており、ヒータ線４゛は
エミッタチップの周囲に直接巻き付けられている。

本発明ではイオン化物質の加熱は、エミッタチップやヒ
ータ線での直接抵抗加熱方式またはヒータ線による高周
波誘導加熱方式により行うことができ、ヒータ線に流れ
る電流を調節することにより、ビーム電流を自由に調節
することができる。

本発明においては、ヒータ線及びエミッタチップは、イ
オン化物質に直接接触するので、イオン化物質と化学反
応せず、高融点を有し、しかも低電導率の物質から製造
される。このような物質としては、タングステンを例示
することができる。

［発明の効果］ 本発明の液体金属イオン源では、エミッタチップが直接
加熱されると共に、エミッタチップの周囲にあるこれか
ら融解すべきイオン化物質を直接加熱できるから、イオ
ンビームの発生が安定する。

また、ヒータ線を流れる電流を調節することによりイオ
ンビーム電流を調節することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の液体金属イオン源の断面図、及び第
２図は、従来の液体金属イオン源の断面図値　コ である。 ｌ・・・イオン化物質、２・・・るつぼ、３・・・エミ
ッタチップ、４・・・ヒータ、４°・・・ヒータ線、５
・・・引き出し電極。 特許出願人　住友電気工業株式会社 代　理　人　弁理士　青白　葆　ほか２名縞胃 囚

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、イオン化物質を入れるるつぼ、るつぼ内に挿入され
   たエミッタチップ、イオン化物質を加熱するヒータ線及
   び引き出し電極から成る液体金属イオン源において、ヒ
   ータ線をエミッタチップに巻き付けたことを特徴とする
   液体金属イオン源。 ２、エミッタチップ及びヒータ線がタングステン製であ
   る特許請求の範囲第１項記載の液体金属イオン源。 ３、加熱を抵抗加熱または高周波誘導加熱により行う特
   許請求の範囲第１項記載の液体金属イオン源。