JPS61146816A - 気相法炭素繊維の製造法 - Google Patents
気相法炭素繊維の製造法Info
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- JPS61146816A JPS61146816A JP26250284A JP26250284A JPS61146816A JP S61146816 A JPS61146816 A JP S61146816A JP 26250284 A JP26250284 A JP 26250284A JP 26250284 A JP26250284 A JP 26250284A JP S61146816 A JPS61146816 A JP S61146816A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、気相法による炭素繊維製造法の改良に関する
。
。
従来、気相法炭素繊維（以下ＶＧＣＦという）を製造す
るには、第２図に示すようにＶＧＣＦを析出成長させる
黒鉛、石英、ムライト等よりなる耐熱性基材ｌの表面に
、Ｖ−ＳおよびＶａ族から選ばれた元素又は化合物の微
粒子２を存在（８ｅｅｄｉｎｇ ）させ、これを９００
〜１３００℃において、ベンゼン、シクロヘキサン、メ
タン、エチレン等飽和或いは不飽和の芳香族、ｌ１ＷＫ
Ｒ族等の炭化水素を水素又は水素と不活性ガスで希釈し
た混合原料ガスと接触させる方法が採られている。上記
混合原料ガスは熱分解し、第３図に示すように微粒子２
を核としてＶＧＣＦ３が生成し、この生成したＶ Ｕ
ＣＩ” ３を掻取り回収して襄品とする。
るには、第２図に示すようにＶＧＣＦを析出成長させる
黒鉛、石英、ムライト等よりなる耐熱性基材ｌの表面に
、Ｖ−ＳおよびＶａ族から選ばれた元素又は化合物の微
粒子２を存在（８ｅｅｄｉｎｇ ）させ、これを９００
〜１３００℃において、ベンゼン、シクロヘキサン、メ
タン、エチレン等飽和或いは不飽和の芳香族、ｌ１ＷＫ
Ｒ族等の炭化水素を水素又は水素と不活性ガスで希釈し
た混合原料ガスと接触させる方法が採られている。上記
混合原料ガスは熱分解し、第３図に示すように微粒子２
を核としてＶＧＣＦ３が生成し、この生成したＶ Ｕ
ＣＩ” ３を掻取り回収して襄品とする。
この１楊を順に示せば。
■基材上に例えばｐ ｅ粒をＳｅｅｄｉｎｇする。８ｅ
ｅｄｉｎｇは、炉外において １００粒を分散したアル
コール液をスプレーする。
ｅｄｉｎｇは、炉外において １００粒を分散したアル
コール液をスプレーする。
■昇温、昇温は人ｒ次いでＨ８雰囲気で行なう。
■Ｃ，）１．を添加し、ＶＧＣＦを生成せしめる。
■冷却、冷却はＡｒ ４＃囲気で行なう。
■基材を取り出し、ＶＧＣＩ’を回収する。
■基材を空焼き再生する。これは付着している熱分解炭
素（以下ＰＣという）を除却するためで。
素（以下ＰＣという）を除却するためで。
付着しているＰＣ上にＳｅｅｄｉｎｇ Ｌ／てもＶＧ
ＣＦは殆んど生成しない。次いで■の工程に戻る。
ＣＦは殆んど生成しない。次いで■の工程に戻る。
上記工程において、 ８ｅｅｄｉｎＨに際しては、熱シ
ョックで基材が割れるのを防止するため、その都度炉を
冷却せざるを得ない。また、高温の炉内から基材のみを
取出すことは事実上１峻であるので炉全体を冷却した後
、基材を取出している。さらに、高温の炉内からＶＧＣ
Ｆを掻取る事は可能であるが、続（３ｅｅｄｉｎｇ を
高温下で行なえないので、細極は冷却せざるを得ない。
ョックで基材が割れるのを防止するため、その都度炉を
冷却せざるを得ない。また、高温の炉内から基材のみを
取出すことは事実上１峻であるので炉全体を冷却した後
、基材を取出している。さらに、高温の炉内からＶＧＣ
Ｆを掻取る事は可能であるが、続（３ｅｅｄｉｎｇ を
高温下で行なえないので、細極は冷却せざるを得ない。
このように基材の破損を避けるにはある種度時間をかけ
て昇降温しなければならず、エネルギー的損失が大きい
ばかりでなく、時間がかかる欠点がある。
て昇降温しなければならず、エネルギー的損失が大きい
ばかりでなく、時間がかかる欠点がある。
微粒子２は、ｍ論上は１本のＶＧＣＦ当り１ケの割合で
よいが実際には微粒子の分散性が悪かったりするため、
かなり多くの微粒子が使われている。通常の方法で８ｅ
ｅｄｉｎｇ シた場合の１例を示すと微粒子の数に対
するＶ Ｇ ＣＦの数は、１０°Ｓ〜１Ｏ−６で、その
利用率は極めて少なく、常に微粒子の分散、ｆｉ布方法
が間趙となっている。
よいが実際には微粒子の分散性が悪かったりするため、
かなり多くの微粒子が使われている。通常の方法で８ｅ
ｅｄｉｎｇ シた場合の１例を示すと微粒子の数に対
するＶ Ｇ ＣＦの数は、１０°Ｓ〜１Ｏ−６で、その
利用率は極めて少なく、常に微粒子の分散、ｆｉ布方法
が間趙となっている。
このため、一般に行なわれているエタノールに微粒子を
分散し基材面にスプレー後、乾燥するｇｅｅｄｉｎｇ
法に代えてエタノールに界面活性剤を添加したり、超音
波をかけたり、エタノールとの湿式磨砕などで分散性を
よくして微粒子の使用量を減らす方法が試みられている
が、いずれも効果が十分でなく、かなり多くの微粒子を
使用しなければならない。微粒子はこのように多く使わ
れているので、１回のＶＧＣＦの析出ではかなり残留す
るはずであるが、実際にはその基材をそのまま用いて％
’ＧＣＦの析出を行なおうとしても殆んど析出がない。
分散し基材面にスプレー後、乾燥するｇｅｅｄｉｎｇ
法に代えてエタノールに界面活性剤を添加したり、超音
波をかけたり、エタノールとの湿式磨砕などで分散性を
よくして微粒子の使用量を減らす方法が試みられている
が、いずれも効果が十分でなく、かなり多くの微粒子を
使用しなければならない。微粒子はこのように多く使わ
れているので、１回のＶＧＣＦの析出ではかなり残留す
るはずであるが、実際にはその基材をそのまま用いて％
’ＧＣＦの析出を行なおうとしても殆んど析出がない。
本発明は上記の事情に鑑み、１回のＳｅｅｄｉｎｇで反
復して基材を使用し、ＶＧＣＦの製造が出来、さらに好
ましくは基材を高温にしたままでも反復することも可能
な極めて経済性の高い方法を提供することを目的とする
。。
復して基材を使用し、ＶＧＣＦの製造が出来、さらに好
ましくは基材を高温にしたままでも反復することも可能
な極めて経済性の高い方法を提供することを目的とする
。。
上記のように微粒子がかなり残っていると思われるにも
拘らず、その基材を使用した場合にＶＧＯＦが析出しな
いのは第４図に示すように微粒子がＰＣ４で憬われてい
るためであることがわかった。
拘らず、その基材を使用した場合にＶＧＯＦが析出しな
いのは第４図に示すように微粒子がＰＣ４で憬われてい
るためであることがわかった。
そこで、上記問題を解決すべく１本発明者は、鋭意研究
した結果、初めに８ｅｅｄ１ｎｇ して使用し。
した結果、初めに８ｅｅｄ１ｎｇ して使用し。
そこで析出したＰＣを燃焼除去した基材は８ｅｅｄ−ｉ
ｎｇＪｆ−施さなくとも何回かは繰り返し使用でき。
ｎｇＪｆ−施さなくとも何回かは繰り返し使用でき。
新しく Ｓｅｅｄｉｎｇ した基材と同じ程度或はそ
れ以上にＶＧＣＦが生成することを知見した。
れ以上にＶＧＣＦが生成することを知見した。
本発明は上記の知見に基づいてなされたもので。
その要旨は１周期律表のＶＩＩ族詔よびＶａ族より選ら
ばれた元素又は化合物の微粒子を基材上に存在させ、−
基材に炭化水素とキャリアガスとよりなる混合原料ガス
を炭素繊維が析出する温度下で接触させて上記基材面に
炭素繊維を析出生長させ。
ばれた元素又は化合物の微粒子を基材上に存在させ、−
基材に炭化水素とキャリアガスとよりなる混合原料ガス
を炭素繊維が析出する温度下で接触させて上記基材面に
炭素繊維を析出生長させ。
基材面から炭素繊維を回収し１次いでその基材面を酸化
性雰囲気下で加熱処理し、この加熱処理した基材面に、
上記混合原料ガスを所定の温度で接触させる操作を反復
して行なう気相法炭素繊維の製造法にある。
性雰囲気下で加熱処理し、この加熱処理した基材面に、
上記混合原料ガスを所定の温度で接触させる操作を反復
して行なう気相法炭素繊維の製造法にある。
Ｓｅｅｄｉｎｇ して、混合原料ガスを接触させてＶ
ＧＣＦを生成せしめた基材面には１通常かなり余分Ｃζ
微粒子が存在しているので、ｖｔ＋ｃｐの生成に利用さ
れなかった微粒子がＰＣに覆われて存在する。したがっ
て、ＶＧＣ１’を回収した後、ＰＣを燃焼除去する七、
微粒子は酸化された状態で基材面に存在する。この酸化
された微粒子は、高温下、水素によって還元され、もと
の３ｅｓＢｄｉｎｇ ３れた状態となり、混合原料ガス
と接することにより、ＶＧＣＦが生成される。
ＧＣＦを生成せしめた基材面には１通常かなり余分Ｃζ
微粒子が存在しているので、ｖｔ＋ｃｐの生成に利用さ
れなかった微粒子がＰＣに覆われて存在する。したがっ
て、ＶＧＣ１’を回収した後、ＰＣを燃焼除去する七、
微粒子は酸化された状態で基材面に存在する。この酸化
された微粒子は、高温下、水素によって還元され、もと
の３ｅｓＢｄｉｎｇ ３れた状態となり、混合原料ガス
と接することにより、ＶＧＣＦが生成される。
ＶＧＣＰ生成の際、微粒子の使用率は極めて低いので、
これがある程度の量残存している閏は、９ｅｅｄｉｎｇ
を施すことなく繰返しＶＧＣＦの生成が可能となる。
これがある程度の量残存している閏は、９ｅｅｄｉｎｇ
を施すことなく繰返しＶＧＣＦの生成が可能となる。
勿論、繰り返し使用中に微粒子が不足したら、そこで散
布等により補充することができることは云うまでもない
。
布等により補充することができることは云うまでもない
。
第１図（ａＸｂ）（Ｃ）は、本発明に係る気相法炭素繊
維の製造法を実施する装置の一例を示すもので、図中符
号１１は加熱炉である。加熱炉１１には、基材となる炉
芯管１２が挿通されている。この炉芯管１２の中央近傍
１２ａはＶＧＣＦの生成温度に加熱されるようになって
いる。この炉芯管１２の両端は、混合原料ガスの導人員
管１３．１４がそれぞれ取付けられた着脱自在な蓋によ
って密閉され、一方の蓋には生成したＶＧＣＦを掻取る
回転ハンドル１５が炉芯管１２の長さ方向の移動自在に
設けられている。
維の製造法を実施する装置の一例を示すもので、図中符
号１１は加熱炉である。加熱炉１１には、基材となる炉
芯管１２が挿通されている。この炉芯管１２の中央近傍
１２ａはＶＧＣＦの生成温度に加熱されるようになって
いる。この炉芯管１２の両端は、混合原料ガスの導人員
管１３．１４がそれぞれ取付けられた着脱自在な蓋によ
って密閉され、一方の蓋には生成したＶＧＣＦを掻取る
回転ハンドル１５が炉芯管１２の長さ方向の移動自在に
設けられている。
上記装置を用いてＶＧＣＦｊ）ｇ造するには、炉芯管中
央近傍部分１２ｇに微粒子を多目に５ｅｅｄｉ−”ｇ
Ｌ／％所定の温度に保持して、混合原料ガスを接触させ
てＶ（）ＣＦを生成させる。次いで、■。
央近傍部分１２ｇに微粒子を多目に５ｅｅｄｉ−”ｇ
Ｌ／％所定の温度に保持して、混合原料ガスを接触させ
てＶ（）ＣＦを生成させる。次いで、■。
ハンドル１５を回動させて生成したＶＧＣＦを掻取り、
■、炉芯管１２内を人ｒ、Ｎ雪等の・不活性ガスと置換
してｖＧｅＦ−１回収し、■、そのままの温度（８００
〜１１００℃となる）“で空気を通して固着しているＰ
Ｃを燃焼除去し、■、不活性ガス、次いでＨ，ガスを通
して酸化した微粒子を還元した後、■、混合原料ガスを
通してＶＧＣＦを生成させる。上記Φ〜■の操作を繰返
えすことにより、改めて３ｅｅｄｉｎｇを行なわなくと
も効率よ（ＶＧＣＦの製造が出来る。なお第１図（Ｃ）
に示すようｌζハンドル１５に代えてワイヤブラシ１６
を用いてもよい。
■、炉芯管１２内を人ｒ、Ｎ雪等の・不活性ガスと置換
してｖＧｅＦ−１回収し、■、そのままの温度（８００
〜１１００℃となる）“で空気を通して固着しているＰ
Ｃを燃焼除去し、■、不活性ガス、次いでＨ，ガスを通
して酸化した微粒子を還元した後、■、混合原料ガスを
通してＶＧＣＦを生成させる。上記Φ〜■の操作を繰返
えすことにより、改めて３ｅｅｄｉｎｇを行なわなくと
も効率よ（ＶＧＣＦの製造が出来る。なお第１図（Ｃ）
に示すようｌζハンドル１５に代えてワイヤブラシ１６
を用いてもよい。
上記製造法における各条件その他は従来の方法と同じで
よい。すなわち、 ５ｅｅｄｉｎＨする微粒子は、Ｖ■
族、 Ｖｓｓ族（Ｆｅ、 Ｎｉ、 Ｇｏ、 Ｐｔ、 Ｖ
、 Ｎｂ。
よい。すなわち、 ５ｅｅｄｉｎＨする微粒子は、Ｖ■
族、 Ｖｓｓ族（Ｆｅ、 Ｎｉ、 Ｇｏ、 Ｐｔ、 Ｖ
、 Ｎｂ。
Ｔａ等）の中から選ばれた元素又は化合物を、エタノー
ルに分散又は溶解してＩＩＪｊ霧、乾燥させたもので、
粒度は好ましくは３００Ａ以下のものである。混合原料
ガスは、ベンゼン、シフ・ｉ・ヘキサン、メタン、エチ
レン等の飽和又は不飽和の芳香族１Ｍ肪族等の炭化水素
と％Ｈ１又は、Ｈ８詔よび人ｒ１等の不活性ガスとの混
合ガスで、その混合比は、使用する炭化水素の種類によ
って異なる。
ルに分散又は溶解してＩＩＪｊ霧、乾燥させたもので、
粒度は好ましくは３００Ａ以下のものである。混合原料
ガスは、ベンゼン、シフ・ｉ・ヘキサン、メタン、エチ
レン等の飽和又は不飽和の芳香族１Ｍ肪族等の炭化水素
と％Ｈ１又は、Ｈ８詔よび人ｒ１等の不活性ガスとの混
合ガスで、その混合比は、使用する炭化水素の種類によ
って異なる。
例えば、ｅ／Ｈ比の高いベンゼンは、１〜３０モル％、
Ｃ／）（比の低いメタンでは％ ３〜６０モル慢が適当
である。ｖｕｃｐの生成温度は、９００〜１３００℃、
好ましくは、１０３０〜１１００℃である。
Ｃ／）（比の低いメタンでは％ ３〜６０モル慢が適当
である。ｖｕｃｐの生成温度は、９００〜１３００℃、
好ましくは、１０３０〜１１００℃である。
上記混合原料ガス中には、Ｈ８が含有されているので、
ＰＣを燃焼除去した後、ただちに混合原料ガスを通して
も、酸化された微粒子は還元されるが、前もってＨ，ガ
スによって還元しておいた方が好ましい。
ＰＣを燃焼除去した後、ただちに混合原料ガスを通して
も、酸化された微粒子は還元されるが、前もってＨ，ガ
スによって還元しておいた方が好ましい。
上記方法においては、従来のような基材の取出しに伴な
う昇温、降温を殆んど行なうことなく。
う昇温、降温を殆んど行なうことなく。
半連続的に操作することができ、全体のサイクル時間が
大幅に短縮され、従来、２回／日糧度のサイクルしか出
来なかったものを、５〜８回／日とすることが出来、ま
た利用されなかった微粒子を効率よく使用することによ
り、初めのＳｅｅｄｌｎｇだけで数十回のサイクルが可
能となる。
大幅に短縮され、従来、２回／日糧度のサイクルしか出
来なかったものを、５〜８回／日とすることが出来、ま
た利用されなかった微粒子を効率よく使用することによ
り、初めのＳｅｅｄｌｎｇだけで数十回のサイクルが可
能となる。
〔実施例１〕
粒度平均的１５０にのｐ ｅ微粒子を炉芯管に９ｅｅｄ
ｉｎＨシ、 １０５０℃に保持して、ベンゼン：１０
モル−とＨ１９Ｇモル慢との混合原料ガスを用いて、前
記した装置、方法番こよってＶＧＣＰを製造した。６日
間で３５回のサイクル運転を行なったが、その結果６日
目にややＶＧＣＦの生成密度の低下が見られたが、それ
までの各サイクル（ｉＤＶＧＦ！（７）生成量Ｇｔ、２
Ｉｉ／３時間、０．２１７ベンゼンＩＩｉで従来法とほ
ぼ同じであった。
ｉｎＨシ、 １０５０℃に保持して、ベンゼン：１０
モル−とＨ１９Ｇモル慢との混合原料ガスを用いて、前
記した装置、方法番こよってＶＧＣＰを製造した。６日
間で３５回のサイクル運転を行なったが、その結果６日
目にややＶＧＣＦの生成密度の低下が見られたが、それ
までの各サイクル（ｉＤＶＧＦ！（７）生成量Ｇｔ、２
Ｉｉ／３時間、０．２１７ベンゼンＩＩｉで従来法とほ
ぼ同じであった。
〔実施例２〕
１〜２ ａｍ （ＤｍイＶ Ｇ ＣＦヲ得ルタａ６．
ＶＧＣＦの生長時間を１時間短縮した外は、実施例２と
同じにして、４日間、４０回の運転を行なった。その結
果、４Ｇサイクルの終了段階まで、最初と同じレベルの
ＶＧＣＦ生成が認められた。
ＶＧＣＦの生長時間を１時間短縮した外は、実施例２と
同じにして、４日間、４０回の運転を行なった。その結
果、４Ｇサイクルの終了段階まで、最初と同じレベルの
ＶＧＣＦ生成が認められた。
以上述べたように１本発明の方法は半連続的に極めて能
率よ（行なうことができ、ｇらに８ｅｅｄ−１ｎｇは最
初に施せば、以後繰り返し便用でき、サイクル時間が大
輪に短縮されるとともに、数十回の運転を繰返し行なう
ことが出来るので、極めて能率的、経済的にＶ Ｇ Ｆ
Ｃを造ることが出来る。
率よ（行なうことができ、ｇらに８ｅｅｄ−１ｎｇは最
初に施せば、以後繰り返し便用でき、サイクル時間が大
輪に短縮されるとともに、数十回の運転を繰返し行なう
ことが出来るので、極めて能率的、経済的にＶ Ｇ Ｆ
Ｃを造ることが出来る。
第１ｙ図（ａＸｂＫｃｌは本発明の方法を実施する装置
の一例を示す図で、第１図（ａ）は斜視図、第１図（ｂ
）（Ｃ）は縦断面図、ｓ２図は基材の表面にＳｅｅｄｉ
ｎｇ した状態を示す断面図、第３図は、Ｓｅｅｄｉ
ｎｇ Ｌ、た微粒子を核としてＶＧＣＦが生成した状態
を示す断面図、第４図は、ＶＧＣＦを掻取ったあとの基
材表面を示す断面図である。 １・・・・・・耐熱基材（基材）％ ２・・・・・・微
粒子、３・・・・・・気相法炭素繊維（ＶＧＣＦ）、４
・・・・・・熱分解炭素（ｐｃ）、１１・・・・・・加
熱炉、１２・・・・・・炉芯管（基材）、１２ａ・・・
・・・中央近傍部分、１３・・・・・・導入管、１４・
・・・・・導出管、１５・・・・・・回転ハンドル（ハ
ンドル）。 第１図 第２図
の一例を示す図で、第１図（ａ）は斜視図、第１図（ｂ
）（Ｃ）は縦断面図、ｓ２図は基材の表面にＳｅｅｄｉ
ｎｇ した状態を示す断面図、第３図は、Ｓｅｅｄｉ
ｎｇ Ｌ、た微粒子を核としてＶＧＣＦが生成した状態
を示す断面図、第４図は、ＶＧＣＦを掻取ったあとの基
材表面を示す断面図である。 １・・・・・・耐熱基材（基材）％ ２・・・・・・微
粒子、３・・・・・・気相法炭素繊維（ＶＧＣＦ）、４
・・・・・・熱分解炭素（ｐｃ）、１１・・・・・・加
熱炉、１２・・・・・・炉芯管（基材）、１２ａ・・・
・・・中央近傍部分、１３・・・・・・導入管、１４・
・・・・・導出管、１５・・・・・・回転ハンドル（ハ
ンドル）。 第１図 第２図
Claims (1)
- 周期律表のVII族およびＶａ族より選ばれた元素又は化
合物の微粒子を基材上に存在させ、該基材に炭化水素と
キャリアガスとよりなる混合原料ガスを炭素繊維が析出
する温度下で接触させて上記基材面に炭素繊維を析出生
長させ、基材面から炭素繊維を回収し、次いでその基材
面を酸化性雰囲気下で加熱処理し、この加熱処理した基
材面に、上記混合原料ガスを所定の温度で接触させる操
作を反復して行なうことを特徴とする気相法炭素繊維の
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26250284A JPS61146816A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 気相法炭素繊維の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26250284A JPS61146816A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 気相法炭素繊維の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61146816A true JPS61146816A (ja) | 1986-07-04 |
Family
ID=17376689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26250284A Pending JPS61146816A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 気相法炭素繊維の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61146816A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63256720A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-24 | Showa Denko Kk | 気相法炭素繊維の製造装置 |
| US5374415A (en) * | 1993-02-03 | 1994-12-20 | General Motors Corporation | Method for forming carbon fibers |
| US5413773A (en) * | 1990-10-09 | 1995-05-09 | General Motors Corporation | Method for forming carbon filters |
| JP2007146316A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Bussan Nanotech Research Institute Inc | 気相法炭素繊維の製造方法 |
| JP2012172274A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Toshiba Corp | グラファイトナノカーボンファイバー及びその製造方法 |
| JP2012172273A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Toshiba Corp | グラファイトナノカーボンファイバー及びその製造方法 |
| JP2014001140A (ja) * | 2013-09-30 | 2014-01-09 | Toshiba Corp | グラファイトナノカーボンファイバー及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-12-12 JP JP26250284A patent/JPS61146816A/ja active Pending
Cited By (8)
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| JP2012172273A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Toshiba Corp | グラファイトナノカーボンファイバー及びその製造方法 |
| US8444948B2 (en) | 2011-02-18 | 2013-05-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Graphite nano-carbon fiber and method of producing the same |
| JP2014001140A (ja) * | 2013-09-30 | 2014-01-09 | Toshiba Corp | グラファイトナノカーボンファイバー及びその製造方法 |
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