JPS61145796A - 記憶装置 - Google Patents

記憶装置

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JPS61145796A
JPS61145796A JP59267914A JP26791484A JPS61145796A JP S61145796 A JPS61145796 A JP S61145796A JP 59267914 A JP59267914 A JP 59267914A JP 26791484 A JP26791484 A JP 26791484A JP S61145796 A JPS61145796 A JP S61145796A
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JP
Japan
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refresh
circuit
clock
signal
activation
Prior art date
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Pending
Application number
JP59267914A
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English (en)
Inventor
Shohei Ikehara
池原 昌平
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、リフレッシュ動作が必要な記憶装置に関する
ダイナミック型の半導体記憶素子は、情報をコンデンサ
に電荷の形で蓄積しておくため、定期的にこの電荷を再
生する動作、いわゆるリフレッシュ動作が必要である。
このリフレッシュ動作は、ある一定間隔で実行されない
と、記憶内容が破壊されてしまうことになる。
従って、この種の記憶素子を使用した電子計算機用の記
憶装置においては、中央処理装置(以下、CPUと略称
す)、チャネル等のアクセス源からのアクセスと並行し
てリフレッシュの起動をかける必要がある。これらの動
作は、通常時は連続のクロックで動作するが、中央処理
装置等の試験または診断のため、任意の時間に単一パル
スのクロックで動作させるモードの際にもリフレッシュ
が完全に行われなければならない。
[従来の技術] 第6図は、電子計算機システム中の記憶装置関連部分の
従来例を示す要部ブロック図である。
図において、1.2はcpu、チャネル等のアクセス源
、3はリフレッシュを定期的に発生させるためのりフレ
ソシェ起動回路、4はアクセス源1゜2のアクセス要求
およびリフレッシュ起動回路3からのリフレッシュ起動
信号を受け取ると、記憶部6の使用状態を調べ、優先順
位を決定して、タイミング発生回路5へ起動信号を送出
するアクセス制御回路である。
5は、アクセス制御回路4から受け取った起動信号によ
り、記憶部6に、読出し、書込み、リフレッシュの各動
作を行うためのタイミング信号を発生させるタイミング
発生回路である。6は、データの蓄積を行う記憶部であ
る。
上記の1〜5の回路は、クロックに同期して動作する。
電子計算機おいては、回路が正常に動作しないとき、回
路の内部状態をスキャン・イン/スキャン・アウトの機
能を用いてディスプレイ上に表示し、クロックを1発づ
つ入れながら状態が所定のとおりに遷移するか否かによ
り不良個所を探し出す、このような状態で使用されると
き、クロックは数秒に1回しか入らないので、クロック
は停止している状態と同一である。
通常、この状態をシングル・クロック・モードと呼び、
連続的に正規の周波数でクロ7りが出されている状態を
連続クロック・モードと呼ぶ。
一方において、リフレッシュは10数μ秒に1回の間隔
で行う必要があるため、シングル・クロック状態を有す
るクロックを使用することができない、従って、連続ク
ロック・モードとシングル・クロック・モードの両モー
ドを持ったノーマル・クロック(NCLK)とは別に、
常に動作するフリーラン・クロック (FCLK)が必
要になる。
即ち、CPU等のアクセス源1.2はノーマル・クロッ
クで、リフレッシュ起動回路3はフリーラ上記に説明し
たように、アクセスs 1.2はノーマル・クロックで
、リフレッシュ起動回路3はフリーラン・クロックで動
作させるため、これらのアクセス制御を行うアクセス制
御回路4およびタイミング発生回路5は、ノーマル・ク
ロックとフリーラン・クロックで動作する回路が入り交
じり、その制御が極めて複雑となる。
最近では、回路のLSI化が進み、回路の内部状態を観
測するために、スキャン・イン/スキャン・アウトの機
能がますます重要となってきているが、アクセス制御回
路4では回路自体が複雑であり、フリーラン・クロック
で動作するために、スキャン・イン/スキャン・アウト
機能を使用できない回路があることは、障害探索を非常
に困難にさせるという問題点がある。
[問題点を解決するための手段] 上記問題点は、リフレッシュ動作を起動する第1のリフ
レッシュ起動回路と、1つまたは複数のアクセス源より
の起動信号同士または前記第1のリフレッシュ起動回路
よりのりフレフシエ起動信号との競合・持ち合せ制御を
行うアクセス制御回路と、前記アクセス制御回路よりの
起動信号同士は記憶素子の書込み、読出し及びリフレッ
シュのためのタイミング信号を発生するタイミンク′信
号発生回路と、一定の周期で連続的に動作する第1のク
ロックを発生する発振器と、前記第1のクロックを基と
してリフレッシュ起動信号を発生させる第2のリフレッ
シュ起動回路とを具備し、前言己第1のリフレッシュ起
動回路、アクセスM’4B回路及びタイミング発生回路
は、連続/シンク゛ルの両クロック・モードを持つ第2
のクロック番こより鄭j御され、前記第2のクロックが
連続クロ・ツク・モードのときのリフレ・ノシエ動作は
前記第1の1ノフレッシュ起動回路より起動され、シン
グル・クロック・モードのときのリフレッシュ動作番ま
前言己第2のリフレッシュ起動回路に切換えられるよう
構成した本発明の記憶装置によって解決される。
[作用] 即ち、回路の大部分を連続/シングルの両モードを持つ
第2のクロックで動作させ、このクロックがシングル・
クロック・モードに切換わったときは、これを識別して
、リフレッシュの起動を、第2のクロックで動作する第
1のリフレッシュ起動回路から、常に連続で動作する第
1のクロックで動作する第2のリフレッシュ起動回路に
切換えるようにしたものである。
これによって、特にアクセス制御回路は1つのクロック
のみによって制御されるため、回路の複雑度は大いに軽
減される。
[実施例] 以下第1図〜第5図に示す実施例により、本発明の要旨
を具体的に説明する。企図を通じて同一の符号は同−旬
対象物を示す。
第1図は、本発明の一実施例を示す記憶装置関連部分の
要部ブロック図である。
図において、1〜6は第6図と同様な機能を行う、第6
図との差異は、1〜5は総て、連続クロック/シングル
・クロックの両モードで動作するノーマル・クロックで
制御されることである。
7は常に連続で動作する発振器、8はシングル・クロッ
ク・モードの識別制御を行うクロック・モード制御回路
、9は分周器である。
第2図は、第1図に示すタイミング発生回路5、記憶部
6、発振器7、クロック・モード制御回路8および分周
器9の詳細回路図である。
(1)連続クロック・モード時の動作 第3図は、連続クロック・モード時の動作を示すタイム
チャートである。
第2図および第3図を参照して、連続クロック・モード
時の動作を説明する。第1図で示すアクセス制御回路4
において発せられたアクセスは、起動信号(GO)、オ
ペレート信号(OPE) 、アドレス信号(AD)、お
よび書込み信号(WD)の形で、タイミング発生回路5
に送出される。タイミング発生回路5では、起動信号(
GO)を受け取ると、フリップフロップFF 10〜F
F 16より成るタイミング・チェーンを起動する。オ
ペレート信号(OPE)は、デコーダDEC40によっ
てデコードされ、読出しくRO)、書込み(WO)、リ
フレッシュ(RFO)の各動作モードが、それぞれFF
 1B、 19.20にセットされる。
読出しおよび書込み動作の場合は、周期T1において列
アドレス・ストローブ(RAS)が、周期T2において
行アドレス・ストローブ(CAS)が、それぞれ“オン
”となり、T5. T6において1オフ”となる。
FF 23にセットされたアドレス信号(AD)は、ざ
らにFF 24に周期TOをクロック・イネプルとして
セットされ、読出し、書込みのサイクル中保持される。
FF 24にセットされたアドレスは、RAS信号の遅
延した列・行変更信号(RCCH)によって、マルチプ
レクサ41においてマルチプレクサされた後、記tα部
(1?AM) 6へ入力される。
書込みデータ(WD)はFF 25にセントされた後、
さらに周期TOをクロック・イネプルとしてFF26に
セントされ、RAM 6へ入力される。書込み時には、
RAS、 CAS、アドレス信号(M^D)の他に、ラ
イト・イネプル信号(WE)が出され、FF 26にセ
ットされた書込みデータ(WD)をRA?I 6に書込
む。
読出し時には、RAS、 CAS、 MADによりRA
M 6から読出されたデータは、リード・クロック(R
CLK)によりFF 27にセットされ、周期T5でス
トローブされた後、FF 28を介して、第1図に示す
アクセス制御回路4へ転送される。
本実施例では、説明の便宜上“CAS Before 
RAS”リフレッシュ機能を持ったRAMを使用したも
のとしている。この機能は、RASが“オン”になる前
にCASが“オン”となっている場合、RAMはリフレ
ッシュ動作と認識し、内蔵のリフレッシュ・アクセス・
カウンタを更新し、リフレッシュを行う。
従って、リフレッシュの起動がかかった場合、T1でC
ASが、T2でRASが“オン”とすることによって、
リフレッシュ動作が行われる。このとき、アドレス信号
は何等意味を持たない。
(2)−シングル・クロック・モード時の動作つぎに、
第2図と、シングル・クロック・モード時の動作を示す
タイムチートである第4図および第5図を参照して、シ
ングル・クロック・モード時の動作を説明する。
シングル・クロック・モード信号(SING)は、ノー
マル・クロック(NCLK)が止る約100ns前に°
オン”となり、連続クロ7りとなる約800ns前に“
オフ゛となるようにしである。このシングル・クロック
・モード信号(SING)は、発振器7から出力される
フリーラン・クロック(IFCLK)によってFF 2
9にセットされる。
FF 29にセットされたSING信号は、さらに、F
F 30〜FF 32に順次シフトされ、第4図に示す
ように、81〜S4の各信号を作成する。
S2信号が“オン9となると、FF 21で作成される
RAS信号は抑止され、さらに33信号が“オン”とな
ると、FF 22で作成されるCAS信号が抑止される
。これは、RAS、 CAS信号が“オン”となったま
まシングル・クロック・モードに遷移した場合、順序を
とってRAS、 CAS (を号を6オフ”してやる必
要があるためである。
例えば、読出し動作の後半T4で、シングル・クロック
・モードになったとすると、RAS、 CASO順で“
オフ0していかないと、正しい読出しデータをFF 2
7ヘセツトすることができない、また、このS2. S
3信号は、シングル・クロック・モードから連続クロッ
ク・モードに戻る場合、規定のRAS、 CASのパル
ス幅と、“オン”になる順序の保証も行っている。
シングル・クロック・モード時のリフレッシュの起動は
、分周器9の出力RFGO信号により行われる。  R
FGO信号とS4信号のアンド条件がとられると、ゲー
ト60を通してCAS信号が“オン”となり、さらに、
そのCAS信号を遅延回路81で遅延したRAS信号が
“オン”となり、リフレッシュ動作を行う。
また、シングル・クロック・モード中の読出し、書込み
動作を保証するため、RAM起動信号として、フリーラ
ン・ゴー(FGO)信号を用いる。 FGO信号は、第
5図に示すように、RFGO信号と1/2周期ずれて起
動される。 FGO信号とS4. T3のアンドがとら
れると、ゲート59を通してRAS信号が“オン”とな
り、さらにこのRAS信号を遅延回路80で遅延したC
AS信号が“オン1となる。そのとき、FF 1Bまた
はFF 19の動作モードによって、RCLK、 WE
等所定のタイミングが出され、読出しまたは書込み動作
を行う。
FF 20が“オン”となったリフレッシュ状態では、
FGO信号は抑止される。  T3の“オン1の閘、何
度も読出し、書込みの動作が入るが、RAM 6の内容
を破壊したり、悪影響を及ぼすことはない。
以上、説明のように、本実施例によって、殆どの回路は
ノーマル・クロック(NCLK)だけによって制御され
、シングル・クロック・モードになったとき、リフレッ
シュ動作をフリーラン・クロックにより起動がかけられ
るよう切換えが行われる。
本実施例においては、CAS Before RASリ
フレッシュ機能を持ったダイナミックRAMについて説
明を行ったが、RAS 0nlyリフレフシ二またはリ
フレッシュ機能ピンを持ったダイナミックRAMについ
ても、本発明を通用できる・ことは明白である。
[発明の効果] 以上説明のように本発明によって、回路の殆どが、連続
/シングルの両モードで動作するクロックのみによって
動作されるため、その制御回路が大幅に簡略化でき、且
つスキャン・イン/スキャン・アウト機能を用いた診断
を容易に実施できるようになり、信頼性および保守性の
向上に大いに効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す要部ブロック図、 第2図は本発明の一実施例の要部回路図、第3図は本発
明の一実施例の連続クロック・モード時タイムチャート
、 第4図、第5図は本発明の一実施例のシングル・クロッ
ク・モード時タイムチャート、第6図は従来例の要部ブ
ロック図である。 図面において、 1.2はCPU等のアクセス源、 3はリフレッシュ起動回路、 4はアクセス制御回路、 5はタイミング発生回路、 6は記憶部、           7は発振器、8は
クロック・モード制御回路、  9は分周器、NCLK
  はノーマル・クロック、 FCLK  はフリーラン・クロック、をそれぞれ示す
。 −7寮1目 寥3 聞

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  定期的にリフレッシュ動作が必要な半導体記憶素子を
    用いた記憶装置において、リフレッシュ動作を起動する
    第1のリフレッシュ起動回路と、1つまたは複数のアク
    セス源よりの起動信号同士または前記第1のリフレッシ
    ュ起動回路よりのリフレッシュ起動信号との競合・持ち
    合せ制御を行うアクセス制御回路と、前記アクセス制御
    回路よりの起動信号を受け記憶素子の書込み、読出し及
    びリフレッシュのためのタイミング信号を発生するタイ
    ミング信号発生回路と、一定の周期で連続的に動作する
    第1のクロックを発生する発振器と、前記第1のクロッ
    クを基としてリフレッシュ起動信号を発生させる第2の
    リフレッシュ起動回路とを具備し、前記第1のリフレッ
    シュ起動回路、アクセス制御回路及びタイミング発生回
    路は、連続/シングルの両クロック・モードを持つ第2
    のクロックにより制御され、前記第2のクロックが連続
    クロック・モードのときのリフレッシュ動作は前記第1
    のリフレッシュ起動回路より起動され、シングル・クロ
    ック・モードのときのリフレッシュ動作は前記第2のリ
    フレッシュ起動回路に切換えられるよう構成したことを
    特徴とする記憶装置。
JP59267914A 1984-12-19 1984-12-19 記憶装置 Pending JPS61145796A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59267914A JPS61145796A (ja) 1984-12-19 1984-12-19 記憶装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP59267914A JPS61145796A (ja) 1984-12-19 1984-12-19 記憶装置

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Publication Number Publication Date
JPS61145796A true JPS61145796A (ja) 1986-07-03

Family

ID=17451372

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59267914A Pending JPS61145796A (ja) 1984-12-19 1984-12-19 記憶装置

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JP (1) JPS61145796A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01162297A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Fujitsu Ltd ダイナミックramのタイミング制御方式

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01162297A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Fujitsu Ltd ダイナミックramのタイミング制御方式

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