JPS6114178Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6114178Y2 JPS6114178Y2 JP1084580U JP1084580U JPS6114178Y2 JP S6114178 Y2 JPS6114178 Y2 JP S6114178Y2 JP 1084580 U JP1084580 U JP 1084580U JP 1084580 U JP1084580 U JP 1084580U JP S6114178 Y2 JPS6114178 Y2 JP S6114178Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spacer
- conductor pattern
- insulating substrate
- resistor
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Slide Switches (AREA)
- Attenuators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は可変抵抗減衰器に関する。
一般に、抵抗減衰器はπ形またはＴ型回路によ
つて構成され、各枝回路の定数を選定することに
より入出力インピーダンスを一定にして信号を減
衰させている。
つて構成され、各枝回路の定数を選定することに
より入出力インピーダンスを一定にして信号を減
衰させている。
従来の減衰器は、第１図に示すような単位抵抗
減衰器の組合せから成り、例えば、１dB毎31ス
テツプの減衰器を可変する場合、減衰器筐体内部
に１dB，２bB，４dB，８dBおよび１６dBの各
単位抵抗減衰器を内蔵し、前記単位抵抗減衰器の
入出力端子をストラツプ線により半田付け接続す
ることにより前記単位抵抗減衰器が縦続接続さ
れ、所望の減衰量を得ている。
減衰器の組合せから成り、例えば、１dB毎31ス
テツプの減衰器を可変する場合、減衰器筐体内部
に１dB，２bB，４dB，８dBおよび１６dBの各
単位抵抗減衰器を内蔵し、前記単位抵抗減衰器の
入出力端子をストラツプ線により半田付け接続す
ることにより前記単位抵抗減衰器が縦続接続さ
れ、所望の減衰量を得ている。
しかし、装置のIC化にともない装置の小型化
および取り扱いの容易性が要求されている現在、
従来のストラツプ線による可変機構では取り扱い
が複雑で、調整端子の間隔が狭いという欠点があ
る。
および取り扱いの容易性が要求されている現在、
従来のストラツプ線による可変機構では取り扱い
が複雑で、調整端子の間隔が狭いという欠点があ
る。
本考案の目的は上述の欠点を除去した抵抗減衰
器を提供することにある。
器を提供することにある。
本考案の抵抗減衰器は、絶縁基板と、前記絶縁
基板上に形成された第１および第２の導体パター
ン部と、前記絶縁基板上に形成された複数の抵抗
体と、前記抵抗体を保護するために前記抵抗体上
に固定されかつ長さ方向に第１および第２の凹部
が設けられた板状のスペーサーと、切り込みが設
けられた第１および第２の凸部を有しかつ前記第
１の凸部と前記スペーサーの第１の凹部とが係合
しているときには前記第２の凸部と前記第２の導
体パターン部とが接触しまた前記第２の凸部と前
記スペーサーの第２の凹部とが係合しているとき
には前記第１の凸部と前記第１の導体パターン部
とが接触するようスペーサー上の幅方向に摺動可
能に設けられた信号減衰量をステツプ的に可変す
るための複数の摺動片と、前記第１および第２の
導体部に設けられた複数の入出力端子とから構成
されている。
基板上に形成された第１および第２の導体パター
ン部と、前記絶縁基板上に形成された複数の抵抗
体と、前記抵抗体を保護するために前記抵抗体上
に固定されかつ長さ方向に第１および第２の凹部
が設けられた板状のスペーサーと、切り込みが設
けられた第１および第２の凸部を有しかつ前記第
１の凸部と前記スペーサーの第１の凹部とが係合
しているときには前記第２の凸部と前記第２の導
体パターン部とが接触しまた前記第２の凸部と前
記スペーサーの第２の凹部とが係合しているとき
には前記第１の凸部と前記第１の導体パターン部
とが接触するようスペーサー上の幅方向に摺動可
能に設けられた信号減衰量をステツプ的に可変す
るための複数の摺動片と、前記第１および第２の
導体部に設けられた複数の入出力端子とから構成
されている。
次に本考案について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第２図および第３図はそれぞれ本考案の一実施
例の分解斜視図および断面図である。本実施例
は、絶縁基板１と、絶縁基板１上に形成された第
１および第２の導体パターン部１ａおよび１ｂ
と、絶縁基板１上に形成された第１図の単位抵抗
減衰器の縦配列から成る抵抗体部１ｃと抵抗体部
１ｃを保護するために抵抗体１ｃ上に固定されか
つ長さ方向に第１および第２の凹部２ａおよび２
ｂが設けられた板状のスペーサー２と、切り込み
が設けられた第１および第２の凸部３ａおよび３
ｂを有しかつ凸部３ａとスペーサー２の凹部２ａ
とが係合しているときには凸部３ｂと導体パター
ン部１ｂとが接触しまた凸部３ｂとスペーサー２
の凹部２ｂとが係合しているときには凸部３ａと
導体パターン部１ａとが接触するようスペーサー
２上の幅方向（第３図の矢印の方向）に摺動可能
に設けられた信号の減衰量をステツプ的に可変す
るための複数（第３図では１つしか示していない
が穴５ａの数に対応して設けられる）の摺動片３
と、導体パターン部１ａおよび１ｂに設けられた
複数の入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃおよび６ｄと
から構成されている。スペーサー２はスペーサー
２に設けられた引つ掛け部２ｃを絶縁基板１に設
けられた凹部１ｄに引つ掛けることにより絶縁基
板上に固定される。参照数字４は摺動片３を収納
しかつこの摺動片３と一体に動作するツマミであ
り、このツマミ４に設けられた凸部４ａがカバー
５に設けられた穴５ａと嵌合し、穴５ａの幅だけ
凸部４ｃが摺動する。１dBの穴に嵌合したツマ
ミ４を摺動させたときに摺動片３と接触する導体
パターンは参照英文字ＡまたはＢで示す部分であ
る。導体パターン部１ａおよび１ｂに半田付け固
定された端子６ａ，６ｄおよび６ｂ，６ｃは入出
力用端子として使用する。端子６ａ，６ｂは入力
端子、端子６ｃ，６ｄは出力端子となる。全ての
部品を組込んだ後カバー５とベース７は超音波溶
接等により固定される。
例の分解斜視図および断面図である。本実施例
は、絶縁基板１と、絶縁基板１上に形成された第
１および第２の導体パターン部１ａおよび１ｂ
と、絶縁基板１上に形成された第１図の単位抵抗
減衰器の縦配列から成る抵抗体部１ｃと抵抗体部
１ｃを保護するために抵抗体１ｃ上に固定されか
つ長さ方向に第１および第２の凹部２ａおよび２
ｂが設けられた板状のスペーサー２と、切り込み
が設けられた第１および第２の凸部３ａおよび３
ｂを有しかつ凸部３ａとスペーサー２の凹部２ａ
とが係合しているときには凸部３ｂと導体パター
ン部１ｂとが接触しまた凸部３ｂとスペーサー２
の凹部２ｂとが係合しているときには凸部３ａと
導体パターン部１ａとが接触するようスペーサー
２上の幅方向（第３図の矢印の方向）に摺動可能
に設けられた信号の減衰量をステツプ的に可変す
るための複数（第３図では１つしか示していない
が穴５ａの数に対応して設けられる）の摺動片３
と、導体パターン部１ａおよび１ｂに設けられた
複数の入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃおよび６ｄと
から構成されている。スペーサー２はスペーサー
２に設けられた引つ掛け部２ｃを絶縁基板１に設
けられた凹部１ｄに引つ掛けることにより絶縁基
板上に固定される。参照数字４は摺動片３を収納
しかつこの摺動片３と一体に動作するツマミであ
り、このツマミ４に設けられた凸部４ａがカバー
５に設けられた穴５ａと嵌合し、穴５ａの幅だけ
凸部４ｃが摺動する。１dBの穴に嵌合したツマ
ミ４を摺動させたときに摺動片３と接触する導体
パターンは参照英文字ＡまたはＢで示す部分であ
る。導体パターン部１ａおよび１ｂに半田付け固
定された端子６ａ，６ｄおよび６ｂ，６ｃは入出
力用端子として使用する。端子６ａ，６ｂは入力
端子、端子６ｃ，６ｄは出力端子となる。全ての
部品を組込んだ後カバー５とベース７は超音波溶
接等により固定される。
第４図は本実施例の回路の一部を示す図であ
る。図において、γ，ζは導体パターン１ａのＡ
部分の左側、右側、θ，ηは導体パターン部１ｂ
のＢ部分に相当し、このうちηはくし形のパター
ン部分の接続点を示す。また、δ，γは第２図に
対応して等価的に表わした端子である。第３図お
よび第４図において、ツマミ４がα側にあるとき
は、摺動片３の凸部３ｂが絶縁基板１に設けられ
た導体パターン部１ｂに接触しており、この結
果、第４図のγ−δおよびθ−η間が導通状態に
なりＡ部分とＢ部分との間の抵抗体により減衰量
１dBが得られる。
る。図において、γ，ζは導体パターン１ａのＡ
部分の左側、右側、θ，ηは導体パターン部１ｂ
のＢ部分に相当し、このうちηはくし形のパター
ン部分の接続点を示す。また、δ，γは第２図に
対応して等価的に表わした端子である。第３図お
よび第４図において、ツマミ４がα側にあるとき
は、摺動片３の凸部３ｂが絶縁基板１に設けられ
た導体パターン部１ｂに接触しており、この結
果、第４図のγ−δおよびθ−η間が導通状態に
なりＡ部分とＢ部分との間の抵抗体により減衰量
１dBが得られる。
ツマミ４をβ側に移動すると、摺動片３の凸部
３ｂは絶縁基板１からはずれてスペーサー２の凹
部２ｂと係合し第４図のγ−δ間およびθ−η間
は非導通状態となり、さらに、摺動片３の凸部２
ａが導体パターン部１ａと接触してη−γ間およ
びγ−δ間が導通状態となる。従つて、電気回路
としてはスルーな状態となり、Ａ部分とＢ部分と
の間の抵抗体による減衰はなくなる。２dBから
１６dBに対応する摺動片３の摺動動作は、上述
と同じ原理であり、導体パターン１ｂに接触する
ときは所望の減衰量が得られ、導体パターン１ａ
に接触するときは電気回路としてスルーな状態と
なる。ツマミを移動する際に、スペーサー２の凹
部２ａおよび２ｂと摺動片３の凸部３ｂおよび３
ａとの相互関係によりステツプ感覚が得られる。
３ｂは絶縁基板１からはずれてスペーサー２の凹
部２ｂと係合し第４図のγ−δ間およびθ−η間
は非導通状態となり、さらに、摺動片３の凸部２
ａが導体パターン部１ａと接触してη−γ間およ
びγ−δ間が導通状態となる。従つて、電気回路
としてはスルーな状態となり、Ａ部分とＢ部分と
の間の抵抗体による減衰はなくなる。２dBから
１６dBに対応する摺動片３の摺動動作は、上述
と同じ原理であり、導体パターン１ｂに接触する
ときは所望の減衰量が得られ、導体パターン１ａ
に接触するときは電気回路としてスルーな状態と
なる。ツマミを移動する際に、スペーサー２の凹
部２ａおよび２ｂと摺動片３の凸部３ｂおよび３
ａとの相互関係によりステツプ感覚が得られる。
以上、本考案には、従来のストラツプ線を用い
た抵抗減衰器に比べて取扱いが容易で小型化が達
成できるという効果がある。
た抵抗減衰器に比べて取扱いが容易で小型化が達
成できるという効果がある。
第１図は単位抵抗減衰器の回路図、第２図およ
び第３図はそれぞれ本考案の一実施例を示す分解
図および断面図ならびに第４図は本考案の部分回
路図である。 図において、１……絶縁基板、１ａ，１ｂ……
導体パターン部、１ｃ……抵抗体、１ｄ……引掛
け部、２……スペーサー、２ａ，２ｂ……凹部、
２ｃ……凸部、３……摺動片、３ａ，３ｂ……凸
部、４……ツマミ、４ａ……凸部、５……カバ
ー、５ａ……穴、６……入出力用端子、７……ベ
ース、７ａ……入出力端子挿入穴。
び第３図はそれぞれ本考案の一実施例を示す分解
図および断面図ならびに第４図は本考案の部分回
路図である。 図において、１……絶縁基板、１ａ，１ｂ……
導体パターン部、１ｃ……抵抗体、１ｄ……引掛
け部、２……スペーサー、２ａ，２ｂ……凹部、
２ｃ……凸部、３……摺動片、３ａ，３ｂ……凸
部、４……ツマミ、４ａ……凸部、５……カバ
ー、５ａ……穴、６……入出力用端子、７……ベ
ース、７ａ……入出力端子挿入穴。
Claims (1)
- 絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された第１
および第２の導体パターン部と、前記絶縁基板上
に形成された複数の抵抗体と、前記抵抗体を保護
するために前記抵抗体上に固定されかつ長さ方向
に第１および第２の凹部が設けられた板状のスペ
ーサーと、切り込みが設けられた第１および第２
の凸部を有しかつ前記第１の凸部と前記スペーサ
ーの第１の凹部とが係合しているときには前記第
２の凸部と前記第２の導体パターン部とが接触し
また前記第２の凸部と前記スペーサーの第２の凹
部とが係合しているときには前記第１の凸部と前
記第１の導体パターン部とが接触するよう前記ス
ペーサー上の幅方向に摺動可能に設けられ信号の
減衰量をステツプ的に可変するための複数の摺動
片と、前記第１および第２の導体パターン部に設
けられた複数の入出力端子とから構成されたこと
を特徴とする可変抵抗減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1084580U JPS6114178Y2 (ja) | 1980-01-31 | 1980-01-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1084580U JPS6114178Y2 (ja) | 1980-01-31 | 1980-01-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56114114U JPS56114114U (ja) | 1981-09-02 |
| JPS6114178Y2 true JPS6114178Y2 (ja) | 1986-05-02 |
Family
ID=29607485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1084580U Expired JPS6114178Y2 (ja) | 1980-01-31 | 1980-01-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6114178Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-01-31 JP JP1084580U patent/JPS6114178Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56114114U (ja) | 1981-09-02 |
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