JPS6114110A - 炭素微小中空体の製造方法 - Google Patents

炭素微小中空体の製造方法

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JPS6114110A JP59131767A JP13176784A JPS6114110A JP S6114110 A JPS6114110 A JP S6114110A JP 59131767 A JP59131767 A JP 59131767A JP 13176784 A JP13176784 A JP 13176784A JP S6114110 A JPS6114110 A JP S6114110A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、発泡剤として低沸点有機溶剤を混合させたピ
ッチを出発原料とした炭素微小中空体の製造方法に関す
るものである。
炭素微小中空体は、耐熱性、耐薬品性など種々の特徴を
有する軽量材料として、低温断熱材、金属や無機物との
複合材、原子炉用炉材、導電性プラスチック用材料等、
その利用が広く期待されている炭素材料である。
従来、炭素系微小中空体を得る方法としては、たとえば
特公昭49−30253、特公昭5〇−29837、特
公昭54−10948が知られている。
特公昭49−30253の方法は、加圧水中で高速攪拌
をおこなうことによりピッチ微小中空体を得るものであ
るが、この方法では大粒径のものが得にくく、特公昭5
0−29837の方法でも極めて限られた粒径のものし
か得られない、また両者とも製造方法が著しく複雑であ
るため高価なものとなり、数々の優れた特徴を有するに
も拘らず広く利用されるに至っていない、また、特公昭
54−10948の方法で得られるものは、真珠とは言
い難く、殻に割れをもつものが多い。
本発明は前記のような従来の欠点をすべて克服し、極め
て容易な方法で炭素微小中空体を安価に製造する新規な
方法を提供することを目的とする。
すなわち、本発明は、発泡剤として低沸点有機溶剤を混
合させたピッチを、6〜425メツシュ(32〜3−3
−3soの粒度・に粉砕し、これを上記低沸点有機溶剤
の沸点以上の温度で瞬間的に加熱をおこない、発泡せし
めてピッチ微小中空体とし、これをそのまま、あるいは
分級後、酸化性気体または酸化性液体で処理して不融化
し、次いで不活性ガス雰囲気中で炭化焼成することを特
徴とする炭素微小中空体の製造方法を提供するものであ
る。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明方法は、原料として石炭系または石油系ピッチを
用いる。用いるピッチの軟化点は60〜250 ’Cが
好ましい。軟化点60℃以下のピッチは、発泡工程にお
いて相互融着をおこし易く、また不融化、炭化処理が困
難であり、好ましくない。また軟化点250℃以上のピ
ッチは、極めて特殊なものであり、コスト的にも高価な
ものとなり、炭素微小中空体を安価に製造するという目
的には適さない、このような条件を満足するピッチは、
たとえばコールタール類に適切な熱処理をおこなった後
、低分子量成分を除去することにより得られる。
本発明において用いられる発泡剤は、ピッチと相溶性を
有する低沸点有機溶剤であり、原料として用いるピッチ
の分子量と有機溶剤の分子量の差が大きなものほど好ま
しい。これらは例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン
、ナフタリン等の芳香族炭化水素である。
発泡剤として使用される前記溶剤の含有量は、原料とし
て用いられるピッチの種類や希望する炭素微小中空体の
密度等により異なるものであるが、粉砕工程において粉
砕できる程度の粘度になるように発泡剤を加えることが
極めて重要である。
次に本発明の炭素微小中空体の製造プロセスに°°゛1
“4“6°              1、まず、原
料ピッチと発泡剤である低沸点有機溶剤の混合は十分に
均一におこなうことが極めて重要である。混合が十分で
ないと、発泡工程において不均一発泡の原因となり、目
的とする中空球体が得られない0発泡をおこなうに必要
な低沸点有機溶剤の含有量は0.5 wt%以、上であ
ればよいが、発泡剤の量が多すぎると粉砕工程において
該混合物の粉砕が難しくなるので、発泡剤の量は20w
t%以下にすることが望ましい。混合は100〜250
℃の間で、加圧下、不活性ガス雰囲気中で20〜150
分間攪拌することにより達成される。
粉砕工程において、粉砕は通常のアトマイザ−でおこな
うことが可能であり、粉砕した粒子は予め球状化する必
要はない0粒度は6〜425メツシュ(32〜3360
−)の範囲にそろえる必要がある。6メツシュより大き
い粒子では、発泡工程において中空球化させる条件を見
出すことは極めて困難であり、425メツシュより小さ
い粒子では、静電引力等により粒子同士が融着をおこし
易く栄−球を得ることは極めて困難である。
発泡工程においては、前記含溶剤ピッチ粒子を使用溶剤
の沸点以上の温度で瞬間的に加熱することにより、ピッ
チ微小中空体を得る。この場合。
必要に応じて粒度別におこなってもよい、また発泡温度
条件を適当に選ぶことにより空隙率を調節でき、嵩密度
0.05g/af〜0.7g/ゴの範囲のものが製造可
能である。但し、発泡温度が高すぎると生成球体が破裂
したり、球体同士が相互融着をおこして、希望するもの
が得られない。
不融化処理工程では、前工程で作られた微小中空体をそ
のままあるいは必要に応じて分級したものを、ピッチの
軟化点以下の温度で、酸化性の気体もしくは酸化性の液
体でピッチ成分の酸化をおこなう、酸化性気体としては
、空気、NO2、so2等、酸化性の液体としては、過
マンガン酸カリウム、硝酸等を代表的に挙げることがで
き、これらのうち、空気が経済性から考えて最も好まし
い。
炭化処理工程では、不融化処理をおこなったピッチ微小
中空体を、非酸化性雰囲気中で。
600〜2000℃の温度で20〜300分処理するこ
とによりおこなわれる。
上記の如くして得られる炭素微小中空体は、粒子径30
〜4000%、嵩密度0.05〜0.7g/larの性
状を有するものである。
次に、本発明を実施例につ・き、具体的に説明する。
〔実施何重〕
軟化点176℃、ベンゼン不溶部51%のピッチを原料
とし、このピッチ800gとベンゼン60gを攪拌羽根
のついた内容積11のオー°トクレープに仕込み、内部
を窒素ガスで十分置換した後、150℃迄30分かけて
昇温し、その温度−に2時間保ちなから500 r、p
、m、で撹拌をおこなった。この様にして製造した含溶
剤ピッチを7トマイザーを用いて微粉砕し、325〜8
メツシュ粒子96%、ベンゼン含有量3.2%のちりを
得た。
この含溶剤ピッチ粒子を、130℃に保った内容積18
000mの通風炉に入れて発泡せしめ、嵩密度0.31
g/cf、球状係数0.88のピッチ微小中空体を得た
このピッチ微小中空体を内容積8000dの電気炉内に
入れ、301■inの空気を流しながら、室温から30
0℃迄4時間かけて昇温させながら反応せしめた。この
様にして不融化されたピッチ微小中空体を同じ電気炉内
で2 On /sinのアルゴンガスを流しながら、3
00℃から1000℃迄4時間かけて昇温し、1000
℃で1時間保持した。かくして嵩密度0.218/at
、球状係数0.86の炭素微小中空体が得られた。
このようにして作られた炭素微小中空体の断面構造の走
査型電子顕微鏡写真を第1図に示す。この写真から、複
数の脱ガス孔を有する中空球体であることがわかる。
〔実施例2〕 ベンゼンのかわりにトルエン60gを用いた以外は実施
例1と同じ装置、同じ条件で混合、粉砕をおこなった。
得られた含溶剤ピッチ粒子は200〜20メツシュ81
%、トルエン含有量4.8%であった。このピッチ粒子
を150℃で発泡せしめ、嵩密度0.4g/C11f、
球状係数0.82のピッ      ヘチ微小中空体が
得られた。このピッチ微小中空体を実施例1と同じ装置
、同じ条件で不融化、炭化焼成し、嵩密度0.4g/ば
、球状係数0.82の炭素微小中空体を得た。このよう
にして作られた炭素微小中空体の全体の走査型電子顕微
鏡写真を第2図に示す、この写真から、滑らかな表面構
造の球状粒子であることがわかる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は粒子の構造を示す図面代用写真□
であり、第1図は実施例1で得られた炭素微小中空体の
断面の構造を示す走査型電子顕微鏡写真であり、第2図
は実施例2で得られた炭素微小中空体の全体図を示す走
査型電子顕微鏡写真である。 同   弁理士    石  井  陽  −第1図 100μm

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 発泡剤として低沸点有機溶剤を混合させた ピッチを、6〜425メッシュ(32〜3360μm)
    の粒度に粉砕し、これを上記低沸点有機溶剤の沸点以上
    の温度で瞬間的に加熱をおこない、発泡せしめてピッチ
    微小中空体とし、これをそのまま、あるいは分級後、酸
    化性気体または酸化性液体で処理して不融化し、次いで
    不活性ガス雰囲気中で炭化焼成することを特徴とする炭
    素微小中空体の製造方法。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04321559A (ja) * 1991-04-23 1992-11-11 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 炭素材料用組成物および炭素複合材料とその製法
CN1069603C (zh) * 1995-11-24 2001-08-15 丸善石油化学株式会社 含有小孔的多孔碳材料、其中间产物和成形制品的制备方法
CN1057278C (zh) * 1997-01-17 2000-10-11 中国科学院山西煤炭化学研究所 一种球状活性炭的制备方法
US6033506A (en) * 1997-09-02 2000-03-07 Lockheed Martin Engery Research Corporation Process for making carbon foam
CN1089098C (zh) * 1998-01-21 2002-08-14 中国科学院山西煤炭化学研究所 沥青基球状活性炭的制备方法
CN1089097C (zh) * 1998-01-23 2002-08-14 中国科学院山西煤炭化学研究所 添加金属无机盐制备沥青基球状活性炭的方法
US6662377B2 (en) * 2000-09-14 2003-12-16 Cole Williams Protective garments
WO2002083557A1 (en) * 2001-04-17 2002-10-24 Lg Chem, Ltd. Spherical carbons and method for preparing the same
KR100407804B1 (ko) * 2001-07-20 2003-11-28 재단법인 포항산업과학연구원 다중공형 핏치계 탄소섬유 및 그의 제조 방법
US7105141B2 (en) * 2002-08-20 2006-09-12 Honeywell International Inc. Process and apparatus for the manufacture of carbon microballoons
US7326664B2 (en) * 2004-03-05 2008-02-05 Polymergroup, Inc. Structurally stable flame retardant bedding articles
TW201140920A (en) * 2010-04-08 2011-11-16 Conocophillips Co Methods of preparing carbonaceous material
CN109250716A (zh) * 2018-12-05 2019-01-22 宁波设会物联网科技有限公司 一种沥青基空心球形活性炭的制备方法
CN113562721A (zh) * 2021-08-20 2021-10-29 北京化工大学 一种沥青基炭微球的制备方法及其应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4924348A (ja) * 1972-06-27 1974-03-04
JPS5018879A (ja) * 1973-06-20 1975-02-27

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4930253B1 (ja) * 1970-05-29 1974-08-12
JPS515836B1 (ja) * 1971-06-30 1976-02-23
US4025689A (en) * 1971-09-01 1977-05-24 Agency Of Industrial Science & Technology Method for manufacture of graphitized hollow spheres and hollow spheres manufactured thereby
USRE29101E (en) * 1972-09-30 1977-01-04 Kureha Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Method for the preparation of carbon moldings and activated carbon moulding therefrom
JPS5213516B2 (ja) * 1972-10-23 1977-04-14
JPS5318994B2 (ja) * 1973-03-13 1978-06-17
JPS6037046B2 (ja) * 1978-02-06 1985-08-23 呉羽化学工業株式会社 低粉化性高強度活性炭およびその製造法
JPS5527817A (en) * 1978-08-11 1980-02-28 Kureha Chem Ind Co Ltd Manufacture of spherical carbon or spherical activated carbon
US4371454A (en) * 1979-11-02 1983-02-01 Kureha Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Process for preparing spherical carbon material and spherical activated carbon
JPS5910930B2 (ja) * 1979-11-02 1984-03-12 呉羽化学工業株式会社 球状炭素成形体の製造方法
JPS5823882A (ja) * 1981-08-05 1983-02-12 Fuji Standard Res Kk 微粉含油炭素質球及びその製造法
JPS58113291A (ja) * 1981-12-28 1983-07-06 Fuji Standard Res Kk 微粒含油炭素質球の製造法
JPS59161483A (ja) * 1983-03-07 1984-09-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 炭素材用ピツチの製造方法
JPS60200816A (ja) * 1984-03-26 1985-10-11 Kawasaki Steel Corp 炭素材料の製造方法
JPS6187790A (ja) * 1984-10-05 1986-05-06 Kawasaki Steel Corp 炭素繊維用プリカ−サ−ピツチの製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4924348A (ja) * 1972-06-27 1974-03-04
JPS5018879A (ja) * 1973-06-20 1975-02-27

Also Published As

Publication number Publication date
EP0166413A3 (en) 1986-04-16
US4996009A (en) 1991-02-26
DE3565095D1 (en) 1988-10-27
EP0166413A2 (en) 1986-01-02
CA1245815A (en) 1988-12-06
KR860000217A (ko) 1986-01-27
EP0166413B1 (en) 1988-09-21
JPH0131447B2 (ja) 1989-06-26

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