JPS61140871A - 電子線を用いた電位測定装置 - Google Patents

電子線を用いた電位測定装置

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JPS61140871A
JPS61140871A JP59263984A JP26398484A JPS61140871A JP S61140871 A JPS61140871 A JP S61140871A JP 59263984 A JP59263984 A JP 59263984A JP 26398484 A JP26398484 A JP 26398484A JP S61140871 A JPS61140871 A JP S61140871A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
control electrode
secondary electrons
sample
electron beam
electrons
Prior art date
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Pending
Application number
JP59263984A
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English (en)
Inventor
Susumu Takashima
進 高嶋
Kunihiko Uchida
邦彦 内田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は試料に電子線を照射し、試料より発生した二次
電子等のエネルギーを分析することにより試料の電位を
測定する装置に関する。
[従来の技術] 集積回路素子等の任意の点に電子線を照射し、その結果
試料より発生する二次電子を制御電極により弁別し、該
弁別された二次電子を検出器で検出し、この検出信号が
基準信号と一致するように該制御電極に印加する電圧を
負帰還制御し、この際の制御電極の電圧をモニターする
ことにより試料の電位を測定するようにした装置が開発
されている。
この種の装置にとって、制御電極によって弁別された二
次電子をできるだけ効率的に検出器に導くことが、高精
度の測定を行なう上で極めて重要である。そこで、制卸
電極によって弁別された二次電子を検出器の方ヘガイド
するための偏向電極を設ける(特開昭55−99053
号)ことが考えられたが、偏向場の影響により照射電子
線の位置ずれが生じると共に、非点収差が大きいために
電子線をあまり絞れないという欠点がある。
そこで、第3図に示すJ:うな装置が考えられた。
第3図において1は対物レンズ、2は試料であり、電子
線EBは対物レンズ1により集束されて試料2に照射さ
れる。3は電子線EBの照射により試F312から発4
1コシた二次電子seを引き出すl〔めの網目状の引き
出し電極、4は二次電子をそのエネルギーに応じて弁別
するだめの網目状に形成された制御電極、5は多数のチ
ャンネルトロンCTを束ねたチャンネルプレートである
。チャンネルプレート5の入射側には電源6により 1
00v稈度の電圧が、又その入射側と出射側との間には
電源7により二次電子増倍用の1KVPi!度の電圧が
印加されている。8はヂャンネルプレ−1〜5によって
増倍された二次電子を捕捉するためのコレクター電極で
あり、チャンネルプレート5の出口」側とコレクター電
極8との間には電源9により100V稈度の電圧が印加
されている。10はコレクター電極8により検出された
信号を増幅するための増幅器であり、増幅器10よりの
信号は差動増幅器11に供給される。差動増幅器11に
は基準電源12よりの基準信号も供給されており、差動
増幅器11は増幅器10よりの信号が基準伏目に一致J
るようにその出力を帰還制御する。13はこの差動増幅
器11の出力信号に基づいて前記制御電極4に電位を与
えるための電源、14はこの制御電極4の電位を記録す
るための記録計である。前記チャンネルプレート5の中
央部には電子線EBを通過させるための直径数mmの孔
5aが聞けられており、更にこの孔5aには絶縁性支持
部材15を介して円筒状の反射電極16が取り付【)ら
れている。この反射電極16には電源17より一10V
乃至−100V程度の電圧が印加されている。
このような構成において、電子線EBの照射によって試
料2より発生した二次電子seは、引ぎ出し電極3を通
過して制御電極4に向かい、引ぎ出し電極3と制御電極
4間の減速電界によって減速される。この減速電界に打
ち勝つエネルギーを有する二次電子は制御電極4を通過
してチャンネルプレート5に向かい検出される。
このような従来装置においては、チャンネルプレート5
が大ぎな検出面を右すると共に、制御電極4を通過して
電子線通過孔5aの向きに飛行する二次電子も反則電極
16ににり曲げられてチャンネルトロン1〜5に導かれ
るため、極めて効率良く二次電子を検出することができ
、しかも反射電極16は回転対称であるため、電子線E
Bの照射位置のずれや、非点収差に起因する電子線の絞
りの不足も生じない。
[発明が解決しJ:うとする問題点コ しか(〕ながら、上述した従来装置においては、電子線
EBの照射によって試料より発生する反射電子も検出器
に入射してしまうためバックグラウンド成分が大きくな
り、高精度の測定を行なうことができない。
本発明はこのような従来の欠点を解決し、反射電子に基
づくバックグラウンド成分を低減して高精度の測定を行
なうことのできる電子線を用いた電位測定装置を提供す
ることを目的としている。
[問題点を解決するための手段] このような目的を達成するため、本発明は電子線を照射
する手段と、該電子線の照射によって試料から発生した
二次電子等をそのエネルギーに応じて弁別するための制
御電極を具備し、該制御電極によって弁別された二次電
子等を検出することにより試料の電位を測定するように
した装置において、該検出器は該試料への入射電子線と
該試料よりの二次電子を通過させるための開口を有する
と共に該制御電極に対して該試r1側に設置−1られて
おり、該検出器の開口部を通過し該制御電極によって反
射された該二次電子等を検出するにうに構成したことを
特徴としている。
[実施例] 以下、図面に基づき本発明の実施例を前述する。
第1図は本発明の一実施例を示すためのもので、第3図
と同一の構成要素に対しては同一符号を付している。第
3図において18は引き出し電極であり、この引き出し
電極18は従来のように網目状ではなく板状に形成され
ており、その中央部に開口部18aを右している。19
はチャンネルプレー1〜であり、このヂVンネルプレー
ト19は従来と異なり制御電極20に対して試料2側に
配置されていると」しに、検出面を対物レンズ1側に向
(′Jで設けられている。又、チャンネルプレート19
には試別2より発生した二次電子seを通過させるため
の間口19aを有している。21はカーボン等の軽元素
材にJ:り形成された電子吸収板である。
このような構成において、電子線FBを試わ12に照射
すると、試H−2にり二次電子seが発生する。この二
次電子seは引き出し電極18にJ:り引ぎ出され、チ
ャンネルプレート19の開口19aを通過して制御電極
20に向かって飛行する。
この二次電子seは引き出し電極18と制御l電極20
どの間の減速電界により減速されるが、減速電界に打ち
勝つのに必要なエネルギーEcよりも大きなエネルギー
を有する二次電子は制御電極20を通過して吸収板21
に衝突し吸収され、このエネルギーECより小ざいエネ
ルギーを有する二次電子seは反射されてチャンネルプ
レー1へ19に入射し検出される。一方、試料2への電
子線EBの照射によって試F312より反射電子reも
発生するが、反射電子reは二次電子に比較してエネル
ギーが格段に大きいため、略直線的に飛行して制御電極
20を通過し電子吸収板21に衝突して吸収される。従
って、反Q1電子が検出されることに起因するバックグ
ラウンドを低減できる。
第2図は他の一実施例を示すためのもので、図中第1図
と同一の構成要素に対しては同一符号を付している。
第2図において、22は中央部に間口22aを有するシ
ンチレータであり、二次電子が入射した際にシンチレー
タ22より発生する光はライトガイド23及びグラスフ
ァイバー24を介して光電子増倍管25に導かれ検出さ
れる。シンチレータ22及びライトガイド23には電源
28により10KV程度の高電圧が印加されている。こ
のシンチレータ22の制御電極31側には網目状のシー
ルド電極26が配置されており、前記高電界による電界
の張り出しはシールドされている。このシールド電極2
6には可変電源30により 1oov程痕の電圧が印加
されている。27は電源29によりIKV程度の電圧が
印加された引き出し電極であり、この引き出し電極27
.ライトガイド23及びシールド電極26によって静電
レンズが形成されている。又、前記制御電極31は曲面
状に形成されている。
このような構成においても、試別2より発生した反射電
子reは制御電極31を通過した後、電子吸収板21に
衝突して吸収されるため、反射電子に基づくバックグラ
ウンドを押えることができる。一方、引き出し電極27
.ライトガイド23及びシールド電極26により静電レ
ンズが形成されているため、試12より発生した二次電
子seは集束されて開口22aを通過する。開口22a
を通過した二次電子seは制御電極31に向かうが、制
御電極31は曲面状に形成されているため、適当なシー
ルド電極電位を選ぶことににす、減速電Wと二次電子の
飛行方向は略平行となり、制御電極に向かう二次電子の
軌道が曲げられることに起因する測定精度の低下を防が
れる。
この実施例によれば、試料より発生した二次電子を集束
してシンチレータの開口を通過させているため、二次電
子の検出効率を更に向上させることができる。
[発明の効果コ 上述した説明より明らかなように、本発明に基づく装置
においては、エネルギーの格段に大ぎい反射電子は制御
電極を通過させると共に、エネルギーの一定以下の二次
電子を制御電極により反射させて検出し、その検出信号
に基づいて試料の電位を測定するようにしているため、
反射電子の検出に基づくバックグラウンドを低減でき、
測定精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示ずための図、第2図は本
発明の他の一実施例を示すための図、第3図は従来装置
を説明するための図である。 1:対物レンズ、2:試料、3.18.27:引き出し
電極、4,20.31 :制御電極、5゜19:チャン
ネルプレ−1へ、6.7.9,13゜17.28,29
.30:電源、8:コレクター電極、10:増幅器、1
2:基準電源、14:記録計、15:支持部材、16:
筒状電極、21:電子吸収板、22:シンチレータ、2
3ニライトガイド、24ニゲラスフアイバー、25:光
電子増倍管。 持前出願人 日本電子株式会社 代表者 9藤 −夫

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)試料に電子線を照射する手段と、該電子線の照射
    によって試料から発生した二次電子等をそのエネルギー
    に応じて弁別するための制御電極を具備し、該制御電極
    によって弁別された二次電子等を検出することにより試
    料の電位を測定するようにした装置において、該検出器
    は該試料への入射電子線と該試料よりの二次電子を通過
    させるための開口を有すると共に該制御電極に対して該
    試料側に設けられており、該検出器の開口部を通過し該
    制御電極によって反射された該二次電子等を検出するよ
    うに構成したことを特徴とする電子線を用いた電位測定
    装置。
  2. (2)該制御電極は網目状に形成されており、該制御電
    極を通過する反射電子を吸収するための部材が備えられ
    ている特許請求の範囲第(1)項記載の電子線を用いた
    電位測定装置。
JP59263984A 1984-12-14 1984-12-14 電子線を用いた電位測定装置 Pending JPS61140871A (ja)

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JP59263984A JPS61140871A (ja) 1984-12-14 1984-12-14 電子線を用いた電位測定装置

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JP59263984A JPS61140871A (ja) 1984-12-14 1984-12-14 電子線を用いた電位測定装置

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JPS61140871A true JPS61140871A (ja) 1986-06-27

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JP59263984A Pending JPS61140871A (ja) 1984-12-14 1984-12-14 電子線を用いた電位測定装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04313250A (ja) * 1990-12-07 1992-11-05 Siemens Ag 回路網領域の荷電状態検知方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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