JPS61133940A - 印刷回路板の製造方法 - Google Patents
印刷回路板の製造方法Info
- Publication number
- JPS61133940A JPS61133940A JP25576884A JP25576884A JPS61133940A JP S61133940 A JPS61133940 A JP S61133940A JP 25576884 A JP25576884 A JP 25576884A JP 25576884 A JP25576884 A JP 25576884A JP S61133940 A JPS61133940 A JP S61133940A
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- JP
- Japan
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- resist
- film
- water
- exposure
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶リード、シートコイルなどのプリント回
路板、特に微細線プリント回路板を製造するに際し、解
像度の向上及び露光のバラツキを減少する為に、液状フ
ォトレジスト膜上に、水溶性高分子の薄膜を形成させる
方法に関するものである。
路板、特に微細線プリント回路板を製造するに際し、解
像度の向上及び露光のバラツキを減少する為に、液状フ
ォトレジスト膜上に、水溶性高分子の薄膜を形成させる
方法に関するものである。
印刷回路板を作成する方法として、写真法及び印刷法が
あるが、本発明は写真法に関するもので、従来は、銅張
板の上に、エツチングレジスト用ドライフィルムをラミ
ネート、或いは液状レジストをコーティングし、その上
に、ネガ又はポジフィルムを乗せ露光しているが、この
露光時に、多くの種類の７オトレジストは空気中の酸素
が重合禁止作用をし、レジストの表面での光重合が不十
分となり、エツチングレジストの膜減シが起ったシレジ
スト側壁が不鮮明となり、高い解像度が得られていなか
った。この酸素の悪影響を防止する方法として、ドライ
フィルムの場合はその上Ｋ。
あるが、本発明は写真法に関するもので、従来は、銅張
板の上に、エツチングレジスト用ドライフィルムをラミ
ネート、或いは液状レジストをコーティングし、その上
に、ネガ又はポジフィルムを乗せ露光しているが、この
露光時に、多くの種類の７オトレジストは空気中の酸素
が重合禁止作用をし、レジストの表面での光重合が不十
分となり、エツチングレジストの膜減シが起ったシレジ
スト側壁が不鮮明となり、高い解像度が得られていなか
った。この酸素の悪影響を防止する方法として、ドライ
フィルムの場合はその上Ｋ。
１２〜２５μｍ厚のカバーフィルムを貼合せる方法にて
、空気を速断し露光している。しかし、ドライフィルム
の場合、ピンホール問題からレジスト膜厚を１５〜３８
μｍと厚くしている事、更には、カバーフィルムが１２
〜２５μｍと厚い事から露光時、光が散乱して解像度を
悪化し、微細線回路を作成する場合には問題となる。
、空気を速断し露光している。しかし、ドライフィルム
の場合、ピンホール問題からレジスト膜厚を１５〜３８
μｍと厚くしている事、更には、カバーフィルムが１２
〜２５μｍと厚い事から露光時、光が散乱して解像度を
悪化し、微細線回路を作成する場合には問題となる。
この事から、液状の７オトレジストにし、膜厚を薄くす
ると共にカバーフィルムを使用しないで、光の透過経路
を短くし、極力、光の散乱を押え、解像度を上げる方法
がとられている。
ると共にカバーフィルムを使用しないで、光の透過経路
を短くし、極力、光の散乱を押え、解像度を上げる方法
がとられている。
しかし、重合禁止作用をする酸素の除去に苦慮しておシ
、フィルム又はシートで覆い真空にする事によシ、レジ
スト上の酸素を除去する等の対策がとられている。しか
し、完全く酸素を除去する事は難しく、未重合部分があ
ったシして、露光ムラの原因となシ、１５０μｍ以下の
銅箔の微細線回路作成には、大きな問題となっていた。
、フィルム又はシートで覆い真空にする事によシ、レジ
スト上の酸素を除去する等の対策がとられている。しか
し、完全く酸素を除去する事は難しく、未重合部分があ
ったシして、露光ムラの原因となシ、１５０μｍ以下の
銅箔の微細線回路作成には、大きな問題となっていた。
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、印刷回路板の作成
の際、フォトレジスト露光時の酸素の悪影響を排除し、
高解像度、露光ムラを減少すべく検討した結果、有機溶
剤型液状フォトレジスト膜上に水溶性高分子の薄膜を形
成させる事により、酸素を速断しうるとの考えに基づき
、種々実験し本発明を完成するに至りたものである。
の際、フォトレジスト露光時の酸素の悪影響を排除し、
高解像度、露光ムラを減少すべく検討した結果、有機溶
剤型液状フォトレジスト膜上に水溶性高分子の薄膜を形
成させる事により、酸素を速断しうるとの考えに基づき
、種々実験し本発明を完成するに至りたものである。
゛〔発明の構成〕
本発明は、銅張基板上に１有機溶剤盤液状フォトレジス
トをコーティングし、その表面に、水溶性高分子のα５
〜１０μｍ厚さの薄膜を成形させる事を特徴とする印刷
回路板の製造方法に関するものである。
トをコーティングし、その表面に、水溶性高分子のα５
〜１０μｍ厚さの薄膜を成形させる事を特徴とする印刷
回路板の製造方法に関するものである。
本発明において用いられる、薄膜の高分子皮膜は、水溶
性タイプであるが、その理由はここで使用する液体フォ
トレジストを溶剤タイプに限定した為である。
性タイプであるが、その理由はここで使用する液体フォ
トレジストを溶剤タイプに限定した為である。
即ち、液体フォトレジストの上（水溶性高分子の薄膜を
コーティングし、露光量、フォトレジスト上の水溶性高
分子皮膜を水洗にて除去しなのちに、現像を実施する方
法を採用している為である。
コーティングし、露光量、フォトレジスト上の水溶性高
分子皮膜を水洗にて除去しなのちに、現像を実施する方
法を採用している為である。
ここで云う、水溶性高分子とはポリビニルアルコール、
ポリエチレンオキサイド系、ポリアクリル酸ソーダなど
のアクリル酸系、無水マレイン酸系、無水７タル酸系、
アクリルアミド系、ポリビニルピロリドン及び天然高分
子系のセルロース系（ＣＭｃ他）、デンプン系である。
ポリエチレンオキサイド系、ポリアクリル酸ソーダなど
のアクリル酸系、無水マレイン酸系、無水７タル酸系、
アクリルアミド系、ポリビニルピロリドン及び天然高分
子系のセルロース系（ＣＭｃ他）、デンプン系である。
これらの高分子の水溶液を用い、ディッピング又はロー
ルコーティング法により、７オトレジスト上に、好まし
くはα５〜１０μｍ厚さにコートする０ ここで用いる液状フォトレジストとは、アクリル系、ポ
リエステル系、合成ゴム系、ビスフェノール系などの有
機溶剤塁レジストでそのｍ膜の厚さは、露光時の光の散
乱を極小化する上からも、３〜１５μｍの範囲が好まし
い。
ルコーティング法により、７オトレジスト上に、好まし
くはα５〜１０μｍ厚さにコートする０ ここで用いる液状フォトレジストとは、アクリル系、ポ
リエステル系、合成ゴム系、ビスフェノール系などの有
機溶剤塁レジストでそのｍ膜の厚さは、露光時の光の散
乱を極小化する上からも、３〜１５μｍの範囲が好まし
い。
本発明方法に従うと、露光時に真空ムラがあって、若干
の酸素が残存していても、フォトレジストの表面は完全
に水溶性高分子の皮膜でカバーされている事から、酸素
による重合禁止作用は一切なくなシ、露光ムラも減少し
高い解像度が体、られる。この事から、銅張基板の回路
中／回路間隔の微細線化、即ち高密度化に効果的である
。
の酸素が残存していても、フォトレジストの表面は完全
に水溶性高分子の皮膜でカバーされている事から、酸素
による重合禁止作用は一切なくなシ、露光ムラも減少し
高い解像度が体、られる。この事から、銅張基板の回路
中／回路間隔の微細線化、即ち高密度化に効果的である
。
実施例−１
厚さ２５μｍのポリイミド樹脂フィルムをベースに、厚
さ３５μｍの銅箔を貼シ合せた基板を使用し、その銅箔
上にアクリル系の溶剤タイプ、液状レジストをロールコ
ータ−にて塗布し、８５℃、２０分間乾燥させる。この
フォトレジスト層が形成された基板の上に、ケン化度８
５〜９０チのＰＶＡ ５チ水溶液（粘度５０ｃｐ１２５
℃）をディッピング法にて塗布し、８５℃、５分間乾燥
させる。このフォトレジストとＰＶＡの各薄膜が形成さ
れた基板に、フォトレジストの感光度を測定するステッ
プタブレットを貼９合せ、露光装置によシ露光する。
さ３５μｍの銅箔を貼シ合せた基板を使用し、その銅箔
上にアクリル系の溶剤タイプ、液状レジストをロールコ
ータ−にて塗布し、８５℃、２０分間乾燥させる。この
フォトレジスト層が形成された基板の上に、ケン化度８
５〜９０チのＰＶＡ ５チ水溶液（粘度５０ｃｐ１２５
℃）をディッピング法にて塗布し、８５℃、５分間乾燥
させる。このフォトレジストとＰＶＡの各薄膜が形成さ
れた基板に、フォトレジストの感光度を測定するステッ
プタブレットを貼９合せ、露光装置によシ露光する。
露光装置は■オーク製作所製Ｍ −２０１Ｂ 、光源に
は高圧水銀ランプ２ＫＷＸＺ本を使用した。露光量は１
００〜４００ｍｊの範囲で実施した。ステップタブレッ
トを除去し、水洗にてＰＶＡを洗い落した后、トリクロ
ールエタンにて現像し、ステップタブレットに現像され
た数字を読み取シ、レジストの感光度をＰＶＡを塗布し
ていないものと比較した。その結果を第−表に示す。
は高圧水銀ランプ２ＫＷＸＺ本を使用した。露光量は１
００〜４００ｍｊの範囲で実施した。ステップタブレッ
トを除去し、水洗にてＰＶＡを洗い落した后、トリクロ
ールエタンにて現像し、ステップタブレットに現像され
た数字を読み取シ、レジストの感光度をＰＶＡを塗布し
ていないものと比較した。その結果を第−表に示す。
第−表
第一光の結果から、明らかな様に７オトレジストの表面
Ｋ ＰＶＡの薄膜を形成させ、空気中の酸素を速断し、
露光する事によシ酸素による重合禁止作用がなくなシ、
レジ、スト膜減シもなく、高い感光度を示す。少量の光
量で高い数値を得られる事から、露光時間も短く、レジ
スト側壁のだれも少なくする事になシ、高い解像度を得
る事が出来る。
Ｋ ＰＶＡの薄膜を形成させ、空気中の酸素を速断し、
露光する事によシ酸素による重合禁止作用がなくなシ、
レジ、スト膜減シもなく、高い感光度を示す。少量の光
量で高い数値を得られる事から、露光時間も短く、レジ
スト側壁のだれも少なくする事になシ、高い解像度を得
る事が出来る。
実施例２
実施例１と同様にして、フォトレジストとＰＶＡの各薄
膜を形成させた基板に、ＰＶＡ Ｉ！Ｘ厚さα５．１Ｂ
、３．１μｍ、夫々の厚さに塗布し、ＰＶＡ膜厚の関係
を測定した。その結果は第２表の通）。
膜を形成させた基板に、ＰＶＡ Ｉ！Ｘ厚さα５．１Ｂ
、３．１μｍ、夫々の厚さに塗布し、ＰＶＡ膜厚の関係
を測定した。その結果は第２表の通）。
第二表
露光量の少ない所でＰＶＡ薄膜の効果は顕著に現われて
お）、レジスト側壁を垂直に近づける必要のある微細線
回路の作成Ｋａ効果的である事が解る。
お）、レジスト側壁を垂直に近づける必要のある微細線
回路の作成Ｋａ効果的である事が解る。
実施例３
実施例１と同様にして、フォトレジストとＰＶＡの各薄
膜を形成させた基板（、回路中／回路間隔を１０／１０
，２０／２０．３０／３０，４０／４０１５０１５０／
ＪｍＫ設計したネガフィルムを貼プ合せ、実施例１の露
光機を用い露光した后現像し、解像度を測定した。その
結果を第３表に示す。
膜を形成させた基板（、回路中／回路間隔を１０／１０
，２０／２０．３０／３０，４０／４０１５０１５０／
ＪｍＫ設計したネガフィルムを貼プ合せ、実施例１の露
光機を用い露光した后現像し、解像度を測定した。その
結果を第３表に示す。
第三表
＊膜厚Ｌ８μｍ
ＰＶＡ塗布し九ものは高い解像度が得られる。
Claims (1)
- 写真法による印刷回路板の製造方法において、銅張基板
上に有機溶剤型の液状レジストをコーティングし、その
表面に水溶性高分子の０．５〜１０μｍ厚さの薄膜をデ
ィッピング法、又はロールコーティング法により形成さ
せる事を特徴とする印刷回路板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25576884A JPS61133940A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 印刷回路板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25576884A JPS61133940A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 印刷回路板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61133940A true JPS61133940A (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=17283346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25576884A Pending JPS61133940A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 印刷回路板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61133940A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5255381A (en) * | 1975-10-31 | 1977-05-06 | Toshiba Corp | Photo exposure method |
| JPS5678192A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-26 | Hitachi Ltd | Method of forming extrefine resist pattern |
| JPS58159530A (ja) * | 1982-03-12 | 1983-09-21 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | 画像形成方法 |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP25576884A patent/JPS61133940A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5255381A (en) * | 1975-10-31 | 1977-05-06 | Toshiba Corp | Photo exposure method |
| JPS5678192A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-26 | Hitachi Ltd | Method of forming extrefine resist pattern |
| JPS58159530A (ja) * | 1982-03-12 | 1983-09-21 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | 画像形成方法 |
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