JPS61132966A - 電子写真用アルミナ被覆コロナワイヤ - Google Patents
電子写真用アルミナ被覆コロナワイヤInfo
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- JPS61132966A JPS61132966A JP25545184A JP25545184A JPS61132966A JP S61132966 A JPS61132966 A JP S61132966A JP 25545184 A JP25545184 A JP 25545184A JP 25545184 A JP25545184 A JP 25545184A JP S61132966 A JPS61132966 A JP S61132966A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/02—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for laying down a uniform charge, e.g. for sensitising; Corona discharge devices
- G03G15/0291—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for laying down a uniform charge, e.g. for sensitising; Corona discharge devices corona discharge devices, e.g. wires, pointed electrodes, means for cleaning the corona discharge device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、複写機等に使用される電子写真用コロナ放電
用ワイヤに関する。
用ワイヤに関する。
（従来の技術）
複写機等に使用される電子写真用コロナ放電用ワイヤ（
以下、コロナワイヤという。）は、コロナ放電時にオゾ
ンが発生し強烈な酸化雰囲気に曝されるため耐オゾン酸
化性が要求される。また、放電電圧は、コロナワイヤの
直径と密接な関係を有し、ワイヤ直径を小さくすると放
電電圧が低下し、その結果、電源の小型化延いては装置
の小型化、電力消費の低減を図ることができる。そのた
め、線径を細くすることも要求される。
以下、コロナワイヤという。）は、コロナ放電時にオゾ
ンが発生し強烈な酸化雰囲気に曝されるため耐オゾン酸
化性が要求される。また、放電電圧は、コロナワイヤの
直径と密接な関係を有し、ワイヤ直径を小さくすると放
電電圧が低下し、その結果、電源の小型化延いては装置
の小型化、電力消費の低減を図ることができる。そのた
め、線径を細くすることも要求される。
而して、これらの要求をある程度満足するものとして、
現在のところ直径８０μＩ程度のＷ線がコロナワイヤと
して使用されている。
現在のところ直径８０μＩ程度のＷ線がコロナワイヤと
して使用されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、Ｗワイヤは、耐オゾン酸化性にはある程度良好
だとはいえ、やはり酸化を防止することができず次第に
酸化が進行して行く。ワイヤの酸化が進行していくにつ
れ放電が不均一になり、コピー濃度にむらを生じる。ま
た、−皮下均一を生じると、放電密度の高いところが優
先的に酸化され、不均一が一層増幅されていくことにな
る。現在Ｗコロナワイヤの寿命は、コピ一枚数で数万枚
であるが、このような濃度むらが著しくなることが寿命
決定の主因となっている。また、酸化が進行すると線材
が詭（なり、メンテナンス中に断線する場合も多発する
ようになる。
だとはいえ、やはり酸化を防止することができず次第に
酸化が進行して行く。ワイヤの酸化が進行していくにつ
れ放電が不均一になり、コピー濃度にむらを生じる。ま
た、−皮下均一を生じると、放電密度の高いところが優
先的に酸化され、不均一が一層増幅されていくことにな
る。現在Ｗコロナワイヤの寿命は、コピ一枚数で数万枚
であるが、このような濃度むらが著しくなることが寿命
決定の主因となっている。また、酸化が進行すると線材
が詭（なり、メンテナンス中に断線する場合も多発する
ようになる。
このように、コロナワイヤの寿命は、ワイヤの酸化の進
行の程度に支配されており、酸化を防止するか、若しく
は酸化の進行を著しく抑制できればコロナワイヤの寿命
を長くすることができ、メンテナンス費用も節減するこ
とができる。
行の程度に支配されており、酸化を防止するか、若しく
は酸化の進行を著しく抑制できればコロナワイヤの寿命
を長くすることができ、メンテナンス費用も節減するこ
とができる。
本発明は、斯かる問題点に鑑みなされたもので、耐オゾ
ン酸化性に優れた長寿命のコロナワイヤをｉ是）共する
ことを目的とする。
ン酸化性に優れた長寿命のコロナワイヤをｉ是）共する
ことを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
叙上の目的を達成するために、本発明においては、コロ
ナワイヤの素線として、Ｆｅ−５ｉ−Ｂ系のアモルファ
ス合金線を用い、この合金線の表面にスパッタリングに
より膜厚５０００Å以上のＡＱｘＣｈ被膜を被覆形成す
る。
ナワイヤの素線として、Ｆｅ−５ｉ−Ｂ系のアモルファ
ス合金線を用い、この合金線の表面にスパッタリングに
より膜厚５０００Å以上のＡＱｘＣｈ被膜を被覆形成す
る。
（作 用）
本発明においては、コロナワイヤを素線にＡＱａＣｈを
被覆した構造とし、前記素線として高強度のＦｅ−５ｉ
−Ｂ系のアモルファス合金線を用いるから、従来のＷ線
よりも線の直径を小さくできる。また、素線の表面にス
パッタリングにより＾Ｑ、Ｃｈ被膜を形成するから、素
線であるアモルファス合金線を高温雰囲気に曝すことな
（、その組織を非晶質−相のままに保持できるので、Ａ
ρ、０．の被覆に際して強度を低下させることがない。
被覆した構造とし、前記素線として高強度のＦｅ−５ｉ
−Ｂ系のアモルファス合金線を用いるから、従来のＷ線
よりも線の直径を小さくできる。また、素線の表面にス
パッタリングにより＾Ｑ、Ｃｈ被膜を形成するから、素
線であるアモルファス合金線を高温雰囲気に曝すことな
（、その組織を非晶質−相のままに保持できるので、Ａ
ρ、０．の被覆に際して強度を低下させることがない。
また、被覆材と・ してＡＵｚＯ！を用いる力）ら、ス
パッタリングにより緻密な被覆層を形成することができ
る。またＡＱ。
パッタリングにより緻密な被覆層を形成することができ
る。またＡＱ。
Ｏ１Ｏ熱膨張率は素線のそれと近似しており、熱膨張に
よりへム０１被膜が素線より剥離することがない。更に
ＡＱｓ０１被膜は、その膜厚を５０００Å以上に形成し
たから、酸素を素線まで透過するのを可及的に抑止する
ことができ、耐オゾン酸化性を著しく向上させることが
できる。
よりへム０１被膜が素線より剥離することがない。更に
ＡＱｓ０１被膜は、その膜厚を５０００Å以上に形成し
たから、酸素を素線まで透過するのを可及的に抑止する
ことができ、耐オゾン酸化性を著しく向上させることが
できる。
（実施例）
本発明者は、Ｆｅ−５ｉ−Ｂ系のアモルファス合金線は
Ｗ線よりも高強度であることに着目し、アモルファス合
金線の高強度性能を生かし、かつ耐オゾン酸化性を付与
できないものかと考えた。Ｆｅ −３ｉ−Ｂ系のアモル
ファス合金線は、アモルファス合金線のなかでも特に強
度が高（、引張強さが３７０ ｋｇｆ ／ｎ。に達する
ことが報告（工業材料第３０巻第５号 第４７〜５３頁
）されており、Ｗ線の強度（引張強さで２２０〜２５０
ｋｇｆ ７ｍ（１程度）を大きく上回っている。
Ｗ線よりも高強度であることに着目し、アモルファス合
金線の高強度性能を生かし、かつ耐オゾン酸化性を付与
できないものかと考えた。Ｆｅ −３ｉ−Ｂ系のアモル
ファス合金線は、アモルファス合金線のなかでも特に強
度が高（、引張強さが３７０ ｋｇｆ ／ｎ。に達する
ことが報告（工業材料第３０巻第５号 第４７〜５３頁
）されており、Ｗ線の強度（引張強さで２２０〜２５０
ｋｇｆ ７ｍ（１程度）を大きく上回っている。
本発明者は、叙上の見地から、鋭意研究を重ねた結果、
Ｆｅ−５ｉ−Ｂ系のアモルファス合金線材は耐オゾン酸
化性が極めて悪いが、この高強度線材を素線としてその
表面をある程度の厚さの安定で緻密な酸化物、すなわち
ＡＲｚＯｓで覆ってしまうと、ワイヤが直接オゾン雰囲
気に曝されることがな（、ワイヤ表面の酸化が著しく抑
制されることを知見した。
Ｆｅ−５ｉ−Ｂ系のアモルファス合金線材は耐オゾン酸
化性が極めて悪いが、この高強度線材を素線としてその
表面をある程度の厚さの安定で緻密な酸化物、すなわち
ＡＲｚＯｓで覆ってしまうと、ワイヤが直接オゾン雰囲
気に曝されることがな（、ワイヤ表面の酸化が著しく抑
制されることを知見した。
すなわち、ワイヤ表面を八ρ、０．で被覆すると、オゾ
ン雰囲気に曝されるのは八ρ、０１となり、従ってワイ
ヤの酸化速度はＡｊ２ｔＣｈ中の酸素の透過速度に依存
するようになるため、オゾン雰囲気による酸化を著しく
抑制することができるのである。
ン雰囲気に曝されるのは八ρ、０１となり、従ってワイ
ヤの酸化速度はＡｊ２ｔＣｈ中の酸素の透過速度に依存
するようになるため、オゾン雰囲気による酸化を著しく
抑制することができるのである。
Ａλ、０３被膜が形成される素線としては、既述のよう
に高強度特性の優れたＦｅ−５ｉ−Ｂ系のアモルファス
合金線を用いる。而して、その好適な組成は、原子％で
、 Ｓｉ：３〜２０％、 Ｂ： ５〜２５％残部実質的にＦ
ｅからなる。この組成範囲で、非晶質−相のアモルファ
ス合金線が得られる。ここで、残部実質的にＦｅとは、
不可避的に含有される不純物元素の他、強度特性を害し
ない元素を含有できるという意味であって、具体的には
次の成分を許容できる。原子％で、 Ｎｂ ： ３％以下 Ｍｏ ： ３％以下 Ｔａ ： ３％以下 Ｃ：５％以下（但し、Ｃ＋Ｂ：１５％以下）Ｔｉ、Ｃｏ
、Ｗ、 Ｖ、 Ｎｉ、Ｐｄ ： １種又は２種以上
の合計３％以下 のうち、一種又は２種以上含有することができる。
に高強度特性の優れたＦｅ−５ｉ−Ｂ系のアモルファス
合金線を用いる。而して、その好適な組成は、原子％で
、 Ｓｉ：３〜２０％、 Ｂ： ５〜２５％残部実質的にＦ
ｅからなる。この組成範囲で、非晶質−相のアモルファ
ス合金線が得られる。ここで、残部実質的にＦｅとは、
不可避的に含有される不純物元素の他、強度特性を害し
ない元素を含有できるという意味であって、具体的には
次の成分を許容できる。原子％で、 Ｎｂ ： ３％以下 Ｍｏ ： ３％以下 Ｔａ ： ３％以下 Ｃ：５％以下（但し、Ｃ＋Ｂ：１５％以下）Ｔｉ、Ｃｏ
、Ｗ、 Ｖ、 Ｎｉ、Ｐｄ ： １種又は２種以上
の合計３％以下 のうち、一種又は２種以上含有することができる。
これらの成分のうち、Ｎ ｂ ＋ Ｍ ｏ ＋ Ｔ ａ
は合金の強度を害しないばかりか、種々の性質を改善す
る効果を有し、必要に応じて添加することができる。す
なわち、Ｎｂは、溶融状のアモルファス合金をジェット
噴出し急冷して細線に形成するとき、急冷条件、溶融合
金の噴出条件等の加工条件を広く採ることができ、加工
上の利点がある。Ｍｏは、塩素雰囲気での耐食性を向上
させることができ、Ｔａは、強度向上に寄与する。
は合金の強度を害しないばかりか、種々の性質を改善す
る効果を有し、必要に応じて添加することができる。す
なわち、Ｎｂは、溶融状のアモルファス合金をジェット
噴出し急冷して細線に形成するとき、急冷条件、溶融合
金の噴出条件等の加工条件を広く採ることができ、加工
上の利点がある。Ｍｏは、塩素雰囲気での耐食性を向上
させることができ、Ｔａは、強度向上に寄与する。
尚、Ｍｎは、アモルファス合金線の強度を低下させるの
で、不純物としては可及的に含有させないことが肝要で
ある。
で、不純物としては可及的に含有させないことが肝要で
ある。
前記アモルファス合金は、回転液中紡糸法によって細線
とされ、更に伸線して所要の線径とされる。前記回転液
中紡糸法とは、加熱炉に設けられた石英ノズル中にアモ
ルファス合金を挿入し、加熱して溶融させた後、回転す
るドラム内面に形成された水溶液中に、アルゴンガス等
の不活性ガスにより溶融合金をノズル孔より噴出させ、
ジェット流とされた溶融合金を急冷させてアモルファス
合金細線を得る方法である。
とされ、更に伸線して所要の線径とされる。前記回転液
中紡糸法とは、加熱炉に設けられた石英ノズル中にアモ
ルファス合金を挿入し、加熱して溶融させた後、回転す
るドラム内面に形成された水溶液中に、アルゴンガス等
の不活性ガスにより溶融合金をノズル孔より噴出させ、
ジェット流とされた溶融合金を急冷させてアモルファス
合金細線を得る方法である。
アモルファス合金線は、コロナワイヤ素線としては直径
５０〜８０μ頂のものを用いる。電源の小型化、省エネ
ルギの見地からコロナワイヤは小径の方がよいが、線材
としである程度の強度（破断荷重で１ ｋｇ程度）が要
求されることから、既述した通り従来のＷ線では８０μ
ｍ程度が限度とされていた。しかし、本発明においてコ
ロナワイヤ素線として用いるＦｅ−５ｉ−Ｂ系アモルフ
ァス合金線は高強度であるため５０μｍ程度までワイヤ
径を小さくすることができる。
５０〜８０μ頂のものを用いる。電源の小型化、省エネ
ルギの見地からコロナワイヤは小径の方がよいが、線材
としである程度の強度（破断荷重で１ ｋｇ程度）が要
求されることから、既述した通り従来のＷ線では８０μ
ｍ程度が限度とされていた。しかし、本発明においてコ
ロナワイヤ素線として用いるＦｅ−５ｉ−Ｂ系アモルフ
ァス合金線は高強度であるため５０μｍ程度までワイヤ
径を小さくすることができる。
また、Ｆｅ５ｉ−Ｂ系のアモルファス合金は、熱膨張率
が＾ム０１と極めて近似しており、熱膨張によって、素
線に被覆されたＡ ９．、０１被膜に割れ、剥離が生じ
難く好適である。因みに、Ｆｅ−１０原子％５ｉ−１５
原子％Ｂのアモルファス合金の熱膨張率は７、ＥＬ Ｘ
ｌ０−”であり、Ａ Ｑｘ Ｏｉのそれは８．ＯｘＬＯ
−’であり、両者は非常に近い値である。これに対して
、Ｗの熱膨張率は４．５ Ｘ１０−６とＡ九０１と著し
く相違しており、Ｗ線にＡＲｌｘｃｈを高周波スパッタ
リングで被覆すると、被膜に割れ、剥離が生じる。
が＾ム０１と極めて近似しており、熱膨張によって、素
線に被覆されたＡ ９．、０１被膜に割れ、剥離が生じ
難く好適である。因みに、Ｆｅ−１０原子％５ｉ−１５
原子％Ｂのアモルファス合金の熱膨張率は７、ＥＬ Ｘ
ｌ０−”であり、Ａ Ｑｘ Ｏｉのそれは８．ＯｘＬＯ
−’であり、両者は非常に近い値である。これに対して
、Ｗの熱膨張率は４．５ Ｘ１０−６とＡ九０１と著し
く相違しており、Ｗ線にＡＲｌｘｃｈを高周波スパッタ
リングで被覆すると、被膜に割れ、剥離が生じる。
アモルファス合金素線にＡＱｘＯ１被膜を形成する手段
としては、高周波スパッタリング、マグネトロンスパッ
タリング等のスパッタリングを用いる。
としては、高周波スパッタリング、マグネトロンスパッ
タリング等のスパッタリングを用いる。
これは、アモルファス合金素線を高温雰囲気にすること
なく、Ａｌ２ｔＯｉ被膜を形成できるからである。素線
が高温雰囲気に曝されると、素線の非晶質が変化し、ア
モルファス合金線特有の高強度が低下するので好ましく
ない。
なく、Ａｌ２ｔＯｉ被膜を形成できるからである。素線
が高温雰囲気に曝されると、素線の非晶質が変化し、ア
モルファス合金線特有の高強度が低下するので好ましく
ない。
第１図は、スパッタリングの説明図である。アモルファ
ス合金素線１は、基盤２上に載置されており、その上方
からへρ２０３粒子が素線１に進行し、これに当って素
線の表面にＡＱ、０１被膜を形成する。
ス合金素線１は、基盤２上に載置されており、その上方
からへρ２０３粒子が素線１に進行し、これに当って素
線の表面にＡＱ、０１被膜を形成する。
スパッタリングは、真空中で行われ、また、素線の全周
にＡｌ２Ｏ３被膜を形成するには、素線１を基盤２上で
回転させればよい。尚、Ａムかの密着性を向上させるた
めに、スパッタリングの前に逆スバ・ツタ（スパッタエ
ツチング）を行いワイヤ表面の汚れを除去するとよい。
にＡｌ２Ｏ３被膜を形成するには、素線１を基盤２上で
回転させればよい。尚、Ａムかの密着性を向上させるた
めに、スパッタリングの前に逆スバ・ツタ（スパッタエ
ツチング）を行いワイヤ表面の汚れを除去するとよい。
アモルファス合金素線の表面を＾ム０．で被覆するには
、ワイヤとＡ Ｑ、 ０１の密着性が良いことと、両者
の熱膨張率が近似していることの２つが要求される。後
者については、既述した通り、Ｆｅ−３ｉ−Ｂ系のアモ
ルファス合金とＡＱｘ０３との熱膨張率とは極めて良く
近似しており問題はない。本発明者は、前者について、
スパッタリングによって素線にＡＱ、ｘＣｈ被膜を形成
した場合、両者の密着性に問題がないか調べた。
、ワイヤとＡ Ｑ、 ０１の密着性が良いことと、両者
の熱膨張率が近似していることの２つが要求される。後
者については、既述した通り、Ｆｅ−３ｉ−Ｂ系のアモ
ルファス合金とＡＱｘ０３との熱膨張率とは極めて良く
近似しており問題はない。本発明者は、前者について、
スパッタリングによって素線にＡＱ、ｘＣｈ被膜を形成
した場合、両者の密着性に問題がないか調べた。
すなわち、素線としてＦｅ−１０原子％５ｉ−１５原子
％Ｂのアモルファス合金線を用い、ターゲットを９９％
純度のＡｌ２ｘＯ１とし、スパッタ入力を５００Ｗとし
て高周波スパッタリングを行った。Ａ Ｑ−Ｏｔの膜厚
３μｍまで実験を行ったが、密着性は全て良好で、９０
°曲げでも曲げ部の外周には被膜の剥離は生じなかった
。
％Ｂのアモルファス合金線を用い、ターゲットを９９％
純度のＡｌ２ｘＯ１とし、スパッタ入力を５００Ｗとし
て高周波スパッタリングを行った。Ａ Ｑ−Ｏｔの膜厚
３μｍまで実験を行ったが、密着性は全て良好で、９０
°曲げでも曲げ部の外周には被膜の剥離は生じなかった
。
アモルファス合金素線の表面に形成する＾ρ２０１被膜
の膜厚は５０００Å以上とする。５０００人未満では被
膜中の酸素の透過速度が比較的大きくなるため、オゾン
雰囲気で素線表面に部分的な酸化が生しるからである。
の膜厚は５０００Å以上とする。５０００人未満では被
膜中の酸素の透過速度が比較的大きくなるため、オゾン
雰囲気で素線表面に部分的な酸化が生しるからである。
次に具体的な本発明の実施例、比較例及び従来例を掲げ
て説明する。
て説明する。
先ず、ＡＱ、、ａ＊被被膜厚さと５Ｘ１０４回放電後の
アモルファス合金素線に生じた酸化層の厚さを調べた。
アモルファス合金素線に生じた酸化層の厚さを調べた。
組成がＦｅ−１０％原子％５ｉ−１５原子％Ｂで、直径
８０μｍのアモルファス合金線を素線として用い、その
表面に高周波スパッタリングによって種々、ｐＩｔｃｈ
被膜を形成した。この際、ターゲットに９９％純度のＡ
ＱｘＣｈを用い、スパッタ入力を５００Ｗとした。
８０μｍのアモルファス合金線を素線として用い、その
表面に高周波スパッタリングによって種々、ｐＩｔｃｈ
被膜を形成した。この際、ターゲットに９９％純度のＡ
ＱｘＣｈを用い、スパッタ入力を５００Ｗとした。
このようにして得られたコロナワイヤを、放電電圧７Ｋ
Ｖで５Ｘ１０４回放電させ、その後の酸化層平均厚さを
調べた。その結果を第１表に示す。同表中試料阻にＯを
付したものが本発明実施例であり、１１ｈ６は従来のＷ
線（直径８０μｍ）である。
Ｖで５Ｘ１０４回放電させ、その後の酸化層平均厚さを
調べた。その結果を第１表に示す。同表中試料阻にＯを
付したものが本発明実施例であり、１１ｈ６は従来のＷ
線（直径８０μｍ）である。
尚、酸化層平均厚さは、コロナワイヤ表面に形成された
Ａｆｌ−Ｏｓ被膜の脱落部分（素線表面が部分的に酸化
するため、その部分の＾ム０１被膜の密着性が劣化し、
部分的に脱落が生じる。）数カ所で、ワイヤを切断し、
切断した断面を１０００倍で光学顕微鏡観察し、合計２
０点における酸化層厚さを測定し、その平均値を酸化層
平均厚さとした。へρ、０１被膜の脱落がないものは、
ワイヤを６等分し、その断面内４カ所を測定して、酸化
層厚さの平均値を求めた。この際、１０００倍の視野で
測定したため、１μｍ未満は測定することができなかっ
た。また、ＡＱ＊０１Ｂ’Ａ厚は、スバ・ツタリング時
、基盤上にガラス板、若しくは水晶発振子を載置し、こ
れらの上に形成されたＡＱｘＯｓ膜厚を測定した。膜厚
１μｍ以上は、ガラス板に形成された膜厚を直接測定し
、１μｍ未満は、水晶発振子の発振周波数の変動を測定
することにより間接的に求めた。
Ａｆｌ−Ｏｓ被膜の脱落部分（素線表面が部分的に酸化
するため、その部分の＾ム０１被膜の密着性が劣化し、
部分的に脱落が生じる。）数カ所で、ワイヤを切断し、
切断した断面を１０００倍で光学顕微鏡観察し、合計２
０点における酸化層厚さを測定し、その平均値を酸化層
平均厚さとした。へρ、０１被膜の脱落がないものは、
ワイヤを６等分し、その断面内４カ所を測定して、酸化
層厚さの平均値を求めた。この際、１０００倍の視野で
測定したため、１μｍ未満は測定することができなかっ
た。また、ＡＱ＊０１Ｂ’Ａ厚は、スバ・ツタリング時
、基盤上にガラス板、若しくは水晶発振子を載置し、こ
れらの上に形成されたＡＱｘＯｓ膜厚を測定した。膜厚
１μｍ以上は、ガラス板に形成された膜厚を直接測定し
、１μｍ未満は、水晶発振子の発振周波数の変動を測定
することにより間接的に求めた。
第 １ 表
第１表より、Ａ Ｑｘ Ｃｈ膜厚が厚（なるほど酸化層
の厚さはうす（なり、５０００Å以上では、はとんど酸
化しないことが確認された。尚、従来のＷ線は隘６に示
したように酸化層厚さは７μｍであった。
の厚さはうす（なり、５０００Å以上では、はとんど酸
化しないことが確認された。尚、従来のＷ線は隘６に示
したように酸化層厚さは７μｍであった。
更に第１表中隘３と隘２について、５Ｘ１０５回放電後
のワイヤ表面を顕微鏡観察した。その顕微鏡写真を第２
図及び第３図に示す。本発明実施例の階３は第２図（倍
率１０００倍）に示すように素線表面の酸化に基づ＜
ＡＱｘＯ１被膜の脱落は見られなかったのに対し、ＡＱ
２０を被膜が１０００人の隘２は第３図（倍率４５００
倍）の如く、Ａ Ｑ＝ Ｃｈ被被膜大きな脱落が見られ
た。
のワイヤ表面を顕微鏡観察した。その顕微鏡写真を第２
図及び第３図に示す。本発明実施例の階３は第２図（倍
率１０００倍）に示すように素線表面の酸化に基づ＜
ＡＱｘＯ１被膜の脱落は見られなかったのに対し、ＡＱ
２０を被膜が１０００人の隘２は第３図（倍率４５００
倍）の如く、Ａ Ｑ＝ Ｃｈ被被膜大きな脱落が見られ
た。
次にアモルファス合金素線線の組成の影響を凋べた。第
２表の組成のアモルファス合金素線（直ｆｉｏμｍ）を
用いて、第１表の場合と同条件で高周波スパッタリング
により５０００人のＡＱｚＯｉ被膜を形成し、５Ｘ１０
４回放電（放電電圧７ＫＶ）後の酸化層平均厚さを調べ
た。尚、５０００人のＡｌ２ｚＣｈ被膜を形成するのに
３０分を要した。
２表の組成のアモルファス合金素線（直ｆｉｏμｍ）を
用いて、第１表の場合と同条件で高周波スパッタリング
により５０００人のＡＱｚＯｉ被膜を形成し、５Ｘ１０
４回放電（放電電圧７ＫＶ）後の酸化層平均厚さを調べ
た。尚、５０００人のＡｌ２ｚＣｈ被膜を形成するのに
３０分を要した。
次 葉
第 ２ 表
第２表より、Ｃ，Ｔｉ、 Ｎｂの微量添加は、＾ρ、０
（被膜による耐オゾン酸化性に影響を与えないことが確
認された。尚、第２表中Ｏ印を付したすべての試料は本
発明に包含されるものである。
（被膜による耐オゾン酸化性に影響を与えないことが確
認された。尚、第２表中Ｏ印を付したすべての試料は本
発明に包含されるものである。
（発明の効果）
以上説明した通り、本発明のコロナワイヤは、素線とし
て高強度のＦｅ−Ｓｉ−Ｂ系のアモルファス合金線を用
い、その表面にスパッタリングにより５０００Å以上の
ＡＱｘＣｈ被膜を被覆形成したから、素線を従来のＷ線
より小径化することができ、電源の小型化、省エネルギ
化に寄与せしめることができ、また、所定厚さの緻密な
Ａ９．ｚＯ１被膜によって、酸素の素線への透過を可及
的に抑止することができ、オゾン雰囲気中でも素線が酸
化することが殆どない。このように、本発明のコロナワ
イヤは長寿命かつ省エネルギーに優れ、電子写真用のコ
ロナワイヤとして利用価値は著大である。
て高強度のＦｅ−Ｓｉ−Ｂ系のアモルファス合金線を用
い、その表面にスパッタリングにより５０００Å以上の
ＡＱｘＣｈ被膜を被覆形成したから、素線を従来のＷ線
より小径化することができ、電源の小型化、省エネルギ
化に寄与せしめることができ、また、所定厚さの緻密な
Ａ９．ｚＯ１被膜によって、酸素の素線への透過を可及
的に抑止することができ、オゾン雰囲気中でも素線が酸
化することが殆どない。このように、本発明のコロナワ
イヤは長寿命かつ省エネルギーに優れ、電子写真用のコ
ロナワイヤとして利用価値は著大である。
第１図はスパフタリングの概略説明図を示す。
第２図は本発明実施例のコロナワイヤ表面組織顕微鏡写
真、第３図は比較例のコロナワイヤの表面組織顕微鏡写
真である。 特 許 出 願 人 株式会社神戸製鋼所ｆｓ２図
。 第３図 第１８ 手続補正書（１式］ 昭和６０年４ 月１０守； １、事件の表示 昭８１５９ 年待肝ｇｌ ｆｆｉ ２５！５４５１ ’
、；２、＋！ｌ ｆ！４ の名称 電子写真用アルミナ被覆コロナワイヤ ３、補正をする者 事件との関係 時計出願人 （１１Ｇ３ ａ式会辻 神ＰＩ製−所４、代理人 ・
５７７ ５、惜侍碍由通俸蟲具仲（補正命令の日付）６、補正。 対象 昭和６０年３月２６日・１５１ｍ＋沓の図面の簡
単な説明の欄７ 補正の内容
真、第３図は比較例のコロナワイヤの表面組織顕微鏡写
真である。 特 許 出 願 人 株式会社神戸製鋼所ｆｓ２図
。 第３図 第１８ 手続補正書（１式］ 昭和６０年４ 月１０守； １、事件の表示 昭８１５９ 年待肝ｇｌ ｆｆｉ ２５！５４５１ ’
、；２、＋！ｌ ｆ！４ の名称 電子写真用アルミナ被覆コロナワイヤ ３、補正をする者 事件との関係 時計出願人 （１１Ｇ３ ａ式会辻 神ＰＩ製−所４、代理人 ・
５７７ ５、惜侍碍由通俸蟲具仲（補正命令の日付）６、補正。 対象 昭和６０年３月２６日・１５１ｍ＋沓の図面の簡
単な説明の欄７ 補正の内容
Claims (1)
- １、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系アモルファス合金線の表面に、膜
厚５０００Å以上のＡｌ＿２Ｏ＿３被膜がスパッタリン
グにより被覆されてなることを特徴とする耐オゾン酸化
性に優れた電子写真用アルミナ被覆コロナワイヤ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25545184A JPS61132966A (ja) | 1984-12-01 | 1984-12-01 | 電子写真用アルミナ被覆コロナワイヤ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25545184A JPS61132966A (ja) | 1984-12-01 | 1984-12-01 | 電子写真用アルミナ被覆コロナワイヤ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61132966A true JPS61132966A (ja) | 1986-06-20 |
Family
ID=17278948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25545184A Pending JPS61132966A (ja) | 1984-12-01 | 1984-12-01 | 電子写真用アルミナ被覆コロナワイヤ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61132966A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0273165A2 (de) * | 1986-11-29 | 1988-07-06 | Klaus Kalwar | Verfahren zur Herstellung einer Koronaelektrode sowie nach diesem Verfahren hergestellte Koronaelektrode |
| US5087856A (en) * | 1989-06-19 | 1992-02-11 | Ricoh Company, Ltd. | Discharge electrode having a thin wire core and surface coating of amorphous alloy for a discharger |
| JP2010082092A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Panasonic Corp | 食器設置具およびこの食器設置具を設けた食器洗い機、食器乾燥機 |
-
1984
- 1984-12-01 JP JP25545184A patent/JPS61132966A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0273165A2 (de) * | 1986-11-29 | 1988-07-06 | Klaus Kalwar | Verfahren zur Herstellung einer Koronaelektrode sowie nach diesem Verfahren hergestellte Koronaelektrode |
| US5087856A (en) * | 1989-06-19 | 1992-02-11 | Ricoh Company, Ltd. | Discharge electrode having a thin wire core and surface coating of amorphous alloy for a discharger |
| JP2010082092A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Panasonic Corp | 食器設置具およびこの食器設置具を設けた食器洗い機、食器乾燥機 |
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