JPS61132926A - 液晶素子の製法 - Google Patents
液晶素子の製法Info
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- JPS61132926A JPS61132926A JP25332484A JP25332484A JPS61132926A JP S61132926 A JPS61132926 A JP S61132926A JP 25332484 A JP25332484 A JP 25332484A JP 25332484 A JP25332484 A JP 25332484A JP S61132926 A JPS61132926 A JP S61132926A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶素子の製法に関し、詳しくは強誘電性を
示すカイラルスメクチック液晶素子の製造に適した液晶
の注入法に関する。
示すカイラルスメクチック液晶素子の製造に適した液晶
の注入法に関する。
従来、液晶素子の作成に当って、セルへの液晶の注入法
としては、毛細管現象を利用した注入法や減圧されたセ
ル内部へ大気圧で加圧された液晶を注入口から注入する
所謂真空注入法などが知られている。これらの方法は、
ネマチック液晶が低粘度であるため、ネマチック液晶素
子を作成する上で有効なものであった。
としては、毛細管現象を利用した注入法や減圧されたセ
ル内部へ大気圧で加圧された液晶を注入口から注入する
所謂真空注入法などが知られている。これらの方法は、
ネマチック液晶が低粘度であるため、ネマチック液晶素
子を作成する上で有効なものであった。
このネマチック液晶素子に多数の画素を形成するマトリ
クス１甑構造を組込み、多次時分割駆動を行なうとデユ
ーティ比の減少にともないクロストークを発生する問題
点やミリ・秒単位椙度の遅い応答速度しか得られない問
題点があった。
クス１甑構造を組込み、多次時分割駆動を行なうとデユ
ーティ比の減少にともないクロストークを発生する問題
点やミリ・秒単位椙度の遅い応答速度しか得られない問
題点があった。
これらの問題点を解決する上で、最近クラークらＫより
米国特許第４３６７９２４号公報等で発表されたカイラ
ルスメクチック液晶（強誘電性液晶）素子が注目されて
いる。このカイラルスメクチック液晶素子は、高速応答
性とメモリー効果等の利点を有している和もかかわらず
、一般にスメクチック液晶はネマチック液晶に較べ粘度
が高く、シかもメモリー効果を付与した素子とする場合
にはセルの厚さを１μ程度とする必要があり、このため
従来のネマチック液晶素子を作成する際に利用していた
注入法ではカイラルスメクチック液晶をセル内部に十分
に注入させることができず、特にカイラルスメクチック
液晶素子は高次の時分割駆動が可能なことから、大面積
（例えば、対角線１２インチ以上の画面サイズ）のディ
スプレイパネルへの適用が考えられているが、実際問題
として大面積のセル内部へのカイラルスメクチック液晶
の注入に際しては、十分く注入できない問題点があった
。
米国特許第４３６７９２４号公報等で発表されたカイラ
ルスメクチック液晶（強誘電性液晶）素子が注目されて
いる。このカイラルスメクチック液晶素子は、高速応答
性とメモリー効果等の利点を有している和もかかわらず
、一般にスメクチック液晶はネマチック液晶に較べ粘度
が高く、シかもメモリー効果を付与した素子とする場合
にはセルの厚さを１μ程度とする必要があり、このため
従来のネマチック液晶素子を作成する際に利用していた
注入法ではカイラルスメクチック液晶をセル内部に十分
に注入させることができず、特にカイラルスメクチック
液晶素子は高次の時分割駆動が可能なことから、大面積
（例えば、対角線１２インチ以上の画面サイズ）のディ
スプレイパネルへの適用が考えられているが、実際問題
として大面積のセル内部へのカイラルスメクチック液晶
の注入に際しては、十分く注入できない問題点があった
。
本発明の目的は、前述の問題点を解決した液晶注入法を
利用した液晶素子の製法を提供することＫあって、さら
に別の目的は薄いセル厚と大面積のセルにスメクチック
液晶を注入する方法を提供することにある。
利用した液晶素子の製法を提供することＫあって、さら
に別の目的は薄いセル厚と大面積のセルにスメクチック
液晶を注入する方法を提供することにある。
本発明のかかる目的は、少なくとも１つの注入口を有す
るセルの内部を減圧し、かかる注入口をスメクチック相
より高温側の相状態にまで加熱されている液状物質で封
口する第１段階と、前記セルの内部の気圧より該セルの
外部の気圧を高くした圧力差の下で、前記注入口から前
記液状物質を注入するとともに、かかる注入期間中のセ
ル内部に注入された液状物質をスメクチック相より高温
側の相状態に維持する温度の下で注入する第２段階とを
有する液晶素子の製法によって達成される。
るセルの内部を減圧し、かかる注入口をスメクチック相
より高温側の相状態にまで加熱されている液状物質で封
口する第１段階と、前記セルの内部の気圧より該セルの
外部の気圧を高くした圧力差の下で、前記注入口から前
記液状物質を注入するとともに、かかる注入期間中のセ
ル内部に注入された液状物質をスメクチック相より高温
側の相状態に維持する温度の下で注入する第２段階とを
有する液晶素子の製法によって達成される。
以下、本発明を図面に従って説明する。
第１図（Ａ）は空セルの平面図で、第１図（Ｂ）はその
Ａ−ｉ断面図である。図中、空セル１１は間隔を０．５
μ〜２０μ、好ましくは１μ〜１０μとした１対の平行
基板１２と１３を有し、この平行基板１２と１３によっ
て形成された空隙１４の周辺部にはかかる空＠１４をシ
ーリングする７−ル材１５が形成されている。このシー
ル材１５を形成する際には、後で液晶を空隙１４の内部
へ注入するための注入口となる開口部１６を形成してお
く。又、このシール材１５としては適当な接着剤５例え
ばエポキシ系接着剤を用−ることかできる。
Ａ−ｉ断面図である。図中、空セル１１は間隔を０．５
μ〜２０μ、好ましくは１μ〜１０μとした１対の平行
基板１２と１３を有し、この平行基板１２と１３によっ
て形成された空隙１４の周辺部にはかかる空＠１４をシ
ーリングする７−ル材１５が形成されている。このシー
ル材１５を形成する際には、後で液晶を空隙１４の内部
へ注入するための注入口となる開口部１６を形成してお
く。又、このシール材１５としては適当な接着剤５例え
ばエポキシ系接着剤を用−ることかできる。
下基板となる基板１２には、予めスペーサ部材１７がス
トライプ形状で設けられている。スペーサ部材１７Ｆｉ
、例えば基板上に感光性ポリイミドなどの感光性樹脂を
１μ厚にコーティングした後にフォトエツチングにょシ
得られ、又Ｓｉ偽などの無機物を１μ厚の膜形状に蒸着
形成した後に通常のフォトリソグラフィー技術を利用す
ることにより得られる。この基板１２としては、ストラ
イプ形状の透明導電膜パターンを一有するガラス板が適
しており、又基板１３としてはストライプ形状の透明導
電膜パターンを有する可撓性フィルム（ガラスやプラス
チック）が適している。
トライプ形状で設けられている。スペーサ部材１７Ｆｉ
、例えば基板上に感光性ポリイミドなどの感光性樹脂を
１μ厚にコーティングした後にフォトエツチングにょシ
得られ、又Ｓｉ偽などの無機物を１μ厚の膜形状に蒸着
形成した後に通常のフォトリソグラフィー技術を利用す
ることにより得られる。この基板１２としては、ストラ
イプ形状の透明導電膜パターンを一有するガラス板が適
しており、又基板１３としてはストライプ形状の透明導
電膜パターンを有する可撓性フィルム（ガラスやプラス
チック）が適している。
又、基板１２と１３の対向面にはそれぞれ液晶に対して
配向性を制御する配向制御膜（図示せず）を形成してお
くことが望ましい。又、配向制御膜としては、ポリイミ
ド膜やポリビニルアルコール膜が適しており、この膜表
面をスペーサ部材１７と平行方向となる様にラビングし
ておくことが望ましい。
配向性を制御する配向制御膜（図示せず）を形成してお
くことが望ましい。又、配向制御膜としては、ポリイミ
ド膜やポリビニルアルコール膜が適しており、この膜表
面をスペーサ部材１７と平行方向となる様にラビングし
ておくことが望ましい。
第２図は、本発明の注入法で好ましく用いられる液晶注
入装置の斜視図を表わしている。尚、この装置は、図示
されていない減圧可能な容器内に配設されている。
入装置の斜視図を表わしている。尚、この装置は、図示
されていない減圧可能な容器内に配設されている。
第２図において、２１は前述した様なセルを示しておシ
、このセル２１はバネなどの固定部材２０によってホル
ダー２４に支持され、そのセ＃２１の注入口２６がスメ
クチック液晶物質２７で封口される様に配置されている
。液晶物質２７は、皿２２の中に溜められている。この
皿２２は、注入時にスメクチック液晶物質２７をこれよ
り高温側の相状態、例えば等吉相、ネマチック相あるい
はコレステリック相まで加熱できるし一夕２８を内蔵し
たホルダー２３の上に配設されてｂる。従って、皿２２
は熱伝導率の高い物質で高耐久性のものを選択するが、
特にステンレス、あるいはフッ素樹脂で覆ったステンレ
スが適している。
、このセル２１はバネなどの固定部材２０によってホル
ダー２４に支持され、そのセ＃２１の注入口２６がスメ
クチック液晶物質２７で封口される様に配置されている
。液晶物質２７は、皿２２の中に溜められている。この
皿２２は、注入時にスメクチック液晶物質２７をこれよ
り高温側の相状態、例えば等吉相、ネマチック相あるい
はコレステリック相まで加熱できるし一夕２８を内蔵し
たホルダー２３の上に配設されてｂる。従って、皿２２
は熱伝導率の高い物質で高耐久性のものを選択するが、
特にステンレス、あるいはフッ素樹脂で覆ったステンレ
スが適している。
一方、セル２１を支持しているホルダー２４は、矢標２
９１Ｃ示す上下動が可能で、さらにヒータ２５が内蔵さ
れており、このヒータ２５はセル２１の内部に注入され
てくる液状物質がセル２１の内部でスメクチック相より
高温側の相状態を維持する様にセル２１を加熱すること
ができる。
９１Ｃ示す上下動が可能で、さらにヒータ２５が内蔵さ
れており、このヒータ２５はセル２１の内部に注入され
てくる液状物質がセル２１の内部でスメクチック相より
高温側の相状態を維持する様にセル２１を加熱すること
ができる。
セル２１の内部に液晶物質を注入するに当つては、まず
セル２１金上方に位置させ、注入口２６を開口状態のま
ま、真空容器内を排気して真空状態としてから、ホルダ
ー２３に内蔵されたヒータ２８に電流を加え、皿２２に
溜められたスメクチック液晶物質２７を等吉相にまで加
熱する。次いで、この等吉相の液状物質に前記セル２１
の注入口２６が接触する位置までホルダー２４を下降さ
せる。続いて、ホルダー２４に内蔵したヒータ２５に電
流を与えてセル２工を全体く亘って均一に加熱してから
、真空容器内に窒素ガスを導入してほぼ大気圧程度の気
圧とするととくよって、セル２１の注入口２６から等吉
相の液状物質がセル２１の内部に徐々に注入される。し
かる後、このセル２１を真空容器から取り出し、かかる
注入口２６をエポキシ接着剤などで封口し、再びセル２
１の内部に注入されている液晶物質を等吉相１ｃまで加
熱した後、徐々に冷却するとセル２１の内部にカイ２ル
スメクチツク相を形成することができる。
セル２１金上方に位置させ、注入口２６を開口状態のま
ま、真空容器内を排気して真空状態としてから、ホルダ
ー２３に内蔵されたヒータ２８に電流を加え、皿２２に
溜められたスメクチック液晶物質２７を等吉相にまで加
熱する。次いで、この等吉相の液状物質に前記セル２１
の注入口２６が接触する位置までホルダー２４を下降さ
せる。続いて、ホルダー２４に内蔵したヒータ２５に電
流を与えてセル２工を全体く亘って均一に加熱してから
、真空容器内に窒素ガスを導入してほぼ大気圧程度の気
圧とするととくよって、セル２１の注入口２６から等吉
相の液状物質がセル２１の内部に徐々に注入される。し
かる後、このセル２１を真空容器から取り出し、かかる
注入口２６をエポキシ接着剤などで封口し、再びセル２
１の内部に注入されている液晶物質を等吉相１ｃまで加
熱した後、徐々に冷却するとセル２１の内部にカイ２ル
スメクチツク相を形成することができる。
本発明者らは、カイ之ルスメクチツク液晶物質として、
例えばデシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノー２−メ
チルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ） 、ヘキシ
ルオキシベンジリデン−Ｐ’−アミノ−２−クロロプロ
ビルシンナメー） （ＨＯＢＡＣＰＣ）、４−Ｏ−（２
−メチル）−ブチル−レゾルシリチン−４′−オクチル
アニリン（ＭＢＲＡ８ ）などをｍ−て、前述した方法
で液晶素子を作成したところ注入時にセル全体が均一に
加熱されているため、セル内で注入途中の液状物質がス
メクチック相に相転移を生じないで、低粘度のネマチッ
ク相、コレステリックこれに対し、本発明者らは前述の
ホルダー２４に内蔵したヒータ２５１Ｃよる加熱を行な
わず、それ以外は前述と同様の方法で注入操作を行なっ
たところ、セル内で注入途中の液状物質が注入口より遠
い領域でスメクチック相に相転移を生じ、そこから液状
物質がセル内を進行することがなくなり、この結果セル
内を液状物質で満たせないことが判明した。さらに１前
述のヒータ２５による加熱を行なわない場合ではセルサ
イズを大面積なものとするに応じて、液状物質の未充填
領域が大きくなるが、ヒータ２５による加熱操作を行な
うと、前述の未充填領域の形成を完全に解消することが
できる。
例えばデシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノー２−メ
チルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ） 、ヘキシ
ルオキシベンジリデン−Ｐ’−アミノ−２−クロロプロ
ビルシンナメー） （ＨＯＢＡＣＰＣ）、４−Ｏ−（２
−メチル）−ブチル−レゾルシリチン−４′−オクチル
アニリン（ＭＢＲＡ８ ）などをｍ−て、前述した方法
で液晶素子を作成したところ注入時にセル全体が均一に
加熱されているため、セル内で注入途中の液状物質がス
メクチック相に相転移を生じないで、低粘度のネマチッ
ク相、コレステリックこれに対し、本発明者らは前述の
ホルダー２４に内蔵したヒータ２５１Ｃよる加熱を行な
わず、それ以外は前述と同様の方法で注入操作を行なっ
たところ、セル内で注入途中の液状物質が注入口より遠
い領域でスメクチック相に相転移を生じ、そこから液状
物質がセル内を進行することがなくなり、この結果セル
内を液状物質で満たせないことが判明した。さらに１前
述のヒータ２５による加熱を行なわない場合ではセルサ
イズを大面積なものとするに応じて、液状物質の未充填
領域が大きくなるが、ヒータ２５による加熱操作を行な
うと、前述の未充填領域の形成を完全に解消することが
できる。
又、本実施例で用いた加熱手段に代えて、例、ｔばハロ
ゲンランプや赤外線ランプなどの輻射熱を用いることが
できる。さらに、これらの輻射熱を第２図に示す加熱手
段と併用することも効果的である。
ゲンランプや赤外線ランプなどの輻射熱を用いることが
できる。さらに、これらの輻射熱を第２図に示す加熱手
段と併用することも効果的である。
第３図は、本発明の別の具体例を表わす断面図である。
図中の３１は前述の第１図に示す様なセルを表わしてい
る。このセル３１は、ヒータ３４を内蔵した１対の加圧
器３３の間に挾持され、この加圧器３３をそれぞれ矢標
３６の方向く加圧することＫよってセル３１の全体Ｉ／
Ｃ亘って均一に加圧することができる。この際、セル３
１と加圧器３３の間にシリコンゴム等のクッション材を
配置し、加圧時にセル３１が破損されることを防止する
ことができる。この加圧下でセル３１は、前述と同様の
方法でその内部が真空排気された後に、セル３１に形成
した注入口にスメクチック液晶物質３５をその注入口を
封口する如く配置し、次いでヒータ３４に電流を与えて
発熱状態とすることによって、注入口に付着されている
スメクチック液晶物質３５をこれより高温側の相状態、
例えば等吉相まで加熱する。しかる後、ヒータ３４によ
る加熱下で前述と同様に真空容器内に窒素ガスを大気圧
種度まで導入すると、等吉相状態のまま、セル３１の内
部に未充填領域を生ずることなく、注入を完了すること
ができる。第２図に示す実施例の場合では、注入口近傍
でセル厚が空セル設計時より厚くなる場合があったが、
前述の如き加圧下での注入操作により、注入口近傍での
セル厚を設計値どおり十分に薄くすることができ、従っ
てカイラルスメクチック液晶形成後の液晶セルは全面に
亘って均一なセル厚とすることができる。
る。このセル３１は、ヒータ３４を内蔵した１対の加圧
器３３の間に挾持され、この加圧器３３をそれぞれ矢標
３６の方向く加圧することＫよってセル３１の全体Ｉ／
Ｃ亘って均一に加圧することができる。この際、セル３
１と加圧器３３の間にシリコンゴム等のクッション材を
配置し、加圧時にセル３１が破損されることを防止する
ことができる。この加圧下でセル３１は、前述と同様の
方法でその内部が真空排気された後に、セル３１に形成
した注入口にスメクチック液晶物質３５をその注入口を
封口する如く配置し、次いでヒータ３４に電流を与えて
発熱状態とすることによって、注入口に付着されている
スメクチック液晶物質３５をこれより高温側の相状態、
例えば等吉相まで加熱する。しかる後、ヒータ３４によ
る加熱下で前述と同様に真空容器内に窒素ガスを大気圧
種度まで導入すると、等吉相状態のまま、セル３１の内
部に未充填領域を生ずることなく、注入を完了すること
ができる。第２図に示す実施例の場合では、注入口近傍
でセル厚が空セル設計時より厚くなる場合があったが、
前述の如き加圧下での注入操作により、注入口近傍での
セル厚を設計値どおり十分に薄くすることができ、従っ
てカイラルスメクチック液晶形成後の液晶セルは全面に
亘って均一なセル厚とすることができる。
第４図は、強誘電性液晶の動作説明のためく、セルの例
を模式的に描いたものである。４１と４１′は、ｌ１１
２０３．８ｎ０２やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ＴｉｎＱｚ
ｉｄｅ ）等の透明電極がコートされた基板（ガの液晶
が封入されている。太線で示した線４３が液晶分子を表
わしており、この液晶分子４３は、その分子に直交した
方向に双極子モーメント（Ｐ工）４４を有している。基
板４１と４１上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加
すると。
を模式的に描いたものである。４１と４１′は、ｌ１１
２０３．８ｎ０２やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ＴｉｎＱｚ
ｉｄｅ ）等の透明電極がコートされた基板（ガの液晶
が封入されている。太線で示した線４３が液晶分子を表
わしており、この液晶分子４３は、その分子に直交した
方向に双極子モーメント（Ｐ工）４４を有している。基
板４１と４１上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加
すると。
液晶分子４３のらせん構造がほどけ、双極子モーメン）
（Ｐ上）４４はすべて電界方向に向くよう、液晶分子
４３は配向方向を変えることができる。液晶分子４３は
細長い形状を有しておυ、その長袖方向と短軸方向で屈
折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互い
にクロスニフルの偏光子を置けば、電圧印加極性によっ
て光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容
易に理解される。
（Ｐ上）４４はすべて電界方向に向くよう、液晶分子
４３は配向方向を変えることができる。液晶分子４３は
細長い形状を有しておυ、その長袖方向と短軸方向で屈
折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互い
にクロスニフルの偏光子を置けば、電圧印加極性によっ
て光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容
易に理解される。
本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄く（例えば１μ）することができ
る。すなわち、第５図に示すように電界を印加していな
い状態でも液晶分子のらせん構造はほどけ、その双極子
モーメントＰ又はＰ′は上向き５４又は下向き５４′の
どちらかの状態をとる。このようなセルに第５図に示す
如く一定の閾値以上の極性の異る電界Ｅ又はＰ′を電圧
印加手段５１と５１′により付与すると、双極子モーメ
ントは′電界Ｅ又はＰ′の電界ベクトル〈対応して上向
き５４又は下向き５４′と向きを変え、それに応じて液
晶分子は第１の安このような強誘′成性液晶を光学変調
素子として用いることの利点は２つある。第１に、応答
速度が極めて速いこと、第２に液晶分子の配向が双安定
性を有することである。第２の点を例えば第５図によっ
て説明すると、１界Ｅを印加すると液晶分子は第１の安
定状帽５３に配向するが、この状態は電界を切っても安
定である。
、その厚さを充分に薄く（例えば１μ）することができ
る。すなわち、第５図に示すように電界を印加していな
い状態でも液晶分子のらせん構造はほどけ、その双極子
モーメントＰ又はＰ′は上向き５４又は下向き５４′の
どちらかの状態をとる。このようなセルに第５図に示す
如く一定の閾値以上の極性の異る電界Ｅ又はＰ′を電圧
印加手段５１と５１′により付与すると、双極子モーメ
ントは′電界Ｅ又はＰ′の電界ベクトル〈対応して上向
き５４又は下向き５４′と向きを変え、それに応じて液
晶分子は第１の安このような強誘′成性液晶を光学変調
素子として用いることの利点は２つある。第１に、応答
速度が極めて速いこと、第２に液晶分子の配向が双安定
性を有することである。第２の点を例えば第５図によっ
て説明すると、１界Ｅを印加すると液晶分子は第１の安
定状帽５３に配向するが、この状態は電界を切っても安
定である。
又、逆向きの電界Ｅを印加すると、液晶分子は第２の安
定状′ｌｌＡ３３’に配向してその分子の内置を変える
が、やはり電界を切ってもこの状態に留っている。又、
与える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの
配向状態にやはり維持されている。このような応答速度
の速さと、双安定性が有効に実現されるにはセルとして
は出来るだけ薄い方が好ましい。
定状′ｌｌＡ３３’に配向してその分子の内置を変える
が、やはり電界を切ってもこの状態に留っている。又、
与える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの
配向状態にやはり維持されている。このような応答速度
の速さと、双安定性が有効に実現されるにはセルとして
は出来るだけ薄い方が好ましい。
第１図（Ａ）は本発明の方法で用いるセルの平面図で、
第１図（Ｂ）はそのＡ −Ａ’断面図である。 ４２図は、本発明の実施態様を表わす斜視図である。第
３図は、本発明の別の実施態様を表わす断面図である。 第４図及び第５図は、本発明で用いる液晶セルを模式的
に表わす斜視図である。 ２１・・・セル、２２・・・皿、２３．２４・・・ホル
ダー、２５．２８・・・ヒータ、２６・・・注入口、２
７・・・スメクチック液晶物質、２０・・・固定部材、
３１・・・セル、３２・・・クッション材、３３・・・
加圧器、３４・・・ヒータ、３５・・・スメクチック液
晶物質。
第１図（Ｂ）はそのＡ −Ａ’断面図である。 ４２図は、本発明の実施態様を表わす斜視図である。第
３図は、本発明の別の実施態様を表わす断面図である。 第４図及び第５図は、本発明で用いる液晶セルを模式的
に表わす斜視図である。 ２１・・・セル、２２・・・皿、２３．２４・・・ホル
ダー、２５．２８・・・ヒータ、２６・・・注入口、２
７・・・スメクチック液晶物質、２０・・・固定部材、
３１・・・セル、３２・・・クッション材、３３・・・
加圧器、３４・・・ヒータ、３５・・・スメクチック液
晶物質。
Claims (12)
- （１）少なくとも１つの注入口を有するセルの内部を減
圧し、かかる注入口をスメクチック相より高温側の相状
態にまで加熱されている液状物質で封口する第１段階と
、前記セルの内部の気圧より該セルの外部の気圧を高く
した圧力差の下で、前記注入口から前記液状物質を注入
するとともに、かかる注入期間中のセル内部に注入され
た液状物質をスメクチック相より高温側の相状態に維持
する温度の下で注入する第２段階とを有することを特徴
とする液晶素子の製法。 - （２）前記液状物質がカイラルスメクチック相を有する
液状物質である特許請求の範囲第１項記載の液晶素子の
製法。 - （３）前記カイラルスメクチック相がＣ相、Ｈ相、Ｉ相
、Ｊ相、Ｋ相、Ｇ相又はＦ相である特許請求の範囲第２
項記載の液晶素子の製法。 - （４）前記カイラルスメクチック相が非らせん構造とな
つている特許請求の範囲第２項記載の液晶素子の製法。 - （５）少なくとも１つの注入口を有するセルの内部を減
圧し、かかる注入口をスメクチック相より高温側の相状
態にまで加熱されている液状物質で封口する第１段階と
、前記セルの内部の気圧より該セルの外部の気圧を高く
した圧力差の下で、前記注入口から前記液状物質を注入
するとともに、かかる注入期間中の空セルを外部から加
圧した状態下で該セル内部に封入された液状物質をスメ
クチック相より高温側の相状態に維持する温度の下で注
入する第２段階とを有することを特徴とする液晶素子の
製法。 - （６）前記液状物質がカイラルスメクチック相を有する
液状物質である特許請求の範囲第５項記載の液晶素子の
製法。 - （７）前記カイラルスメクチック相がＣ相、Ｈ相、Ｉ相
、Ｊ相、Ｋ相、Ｇ相又はＦ相である特許請求の範囲第６
項記載の液晶素子の製法。 - （８）前記カイラルスメクチック相が非らせん構造とな
つている特許請求の範囲第６項記載の液晶素子の製法。 - （９）少なくとも１つの注入口を有するセルの内部を減
圧し、かかる注入口をスメクチック相より高温側の相状
態にまで加熱されている液状物質で封口する第１段階と
、前記セルの内部の気圧より該セルの外部の気圧を高く
した圧力差の下で、前記封入口から前記液状物質を注入
するとともに、かかる注入期間中のセル内部に注入され
た液状物質をスメクチック相より高温側の相状態に維持
する温度の下で注入する第２段階と、前記セル内の液状
物質を降温下でスメクチック相にまで相転移させる第３
段階とを有することを特徴とする液晶素子の製法。 - （１０）前記スメクチック相の液状物質が降温下でスメ
クチック相からカイラルスメクチック相に相転移する物
質である特許請求の範囲第９項記載の液晶素子の製法。 - （１１）前記カイラルスメクチック相がＣ相、Ｈ相、Ｉ
相、Ｊ相、Ｋ相、Ｇ相又はＦ相である特許請求の範囲第
１０項記載の液晶素子の製法。 - （１２）前記カメラルスメクチック相が非らせん構造と
なつている特許請求の範囲第１０項記載の液晶素子の製
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25332484A JPS61132926A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 液晶素子の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25332484A JPS61132926A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 液晶素子の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61132926A true JPS61132926A (ja) | 1986-06-20 |
| JPH0570130B2 JPH0570130B2 (ja) | 1993-10-04 |
Family
ID=17249717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25332484A Granted JPS61132926A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 液晶素子の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61132926A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH035719A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電性液晶パネルの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6170528A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶セル |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25332484A patent/JPS61132926A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6170528A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶セル |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH035719A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電性液晶パネルの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0570130B2 (ja) | 1993-10-04 |
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