JPS62150221A - 強誘電性液晶素子 - Google Patents
強誘電性液晶素子Info
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- JPS62150221A JPS62150221A JP60290423A JP29042385A JPS62150221A JP S62150221 A JPS62150221 A JP S62150221A JP 60290423 A JP60290423 A JP 60290423A JP 29042385 A JP29042385 A JP 29042385A JP S62150221 A JPS62150221 A JP S62150221A
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- Japan
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- liquid crystal
- ferroelectric liquid
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、液晶表示素子や液晶−光シヤツターアレイ等
の液晶素子に関し、更に詳しくは、液晶分子の初期配向
状態を４苦することにより表示なにらびに駆動特性を改
善した強誘電性液晶素子に関するものである。
の液晶素子に関し、更に詳しくは、液晶分子の初期配向
状態を４苦することにより表示なにらびに駆動特性を改
善した強誘電性液晶素子に関するものである。
［開示の概要］
本明細書及び図面は、液晶表示素子や液晶−光シヤツタ
ーアレイ等に用いられる強誘電性液晶素子において、各
画素のカラーフィルターを色素と透明樹脂、または色素
と透明な無機化合物で形成するとともに、各カラーフィ
ルター間の窪みに絶縁体からなる平坦化層を形成するこ
とにより、配向欠陥のない均一なモノドメインの液晶相
が得られるようにしたものである。
ーアレイ等に用いられる強誘電性液晶素子において、各
画素のカラーフィルターを色素と透明樹脂、または色素
と透明な無機化合物で形成するとともに、各カラーフィ
ルター間の窪みに絶縁体からなる平坦化層を形成するこ
とにより、配向欠陥のない均一なモノドメインの液晶相
が得られるようにしたものである。
［従来の技術］
従来の液晶素子としては、例えばエム、シャツ） （Ｍ
、 ５ｃｈａｄｔ） とダブリュー、ヘルフリッヒ（Ｗ
。
、 ５ｃｈａｄｔ） とダブリュー、ヘルフリッヒ（Ｗ
。
Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ） ！Ａ″アプライド・２イジツクス
・レターズ゛（Ａｐｐｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔ
ｔｅｒｓ″）第１８巻、第４号（１９７１年２月１５日
発行）、第１２７頁〜１２８頁の°゛ボルテージディペ
ンダント・オプティカル・アクティビティ−・オブ・ア
・ツィステッド・ネマチフク・リキッド・クリスタル゛
じＶｏｌｔａｇｅ Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ０ｐｔｉｃａ
ｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａＴｗｉｓｔｅｄ Ｎｅ
ｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ ＣｒｙＳｔａｌ″）に示さ
れたツイステンド・ネマチフク（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅ
ｍｅｔｉｃ）液晶を用いたものか知られている。このＴ
Ｎ液晶は、画素密度を高くしたマトリクス電極構造を用
いた時分割駆動の時、クロストークを発生する問題点が
あるため１画素数が制限されていた。
・レターズ゛（Ａｐｐｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔ
ｔｅｒｓ″）第１８巻、第４号（１９７１年２月１５日
発行）、第１２７頁〜１２８頁の°゛ボルテージディペ
ンダント・オプティカル・アクティビティ−・オブ・ア
・ツィステッド・ネマチフク・リキッド・クリスタル゛
じＶｏｌｔａｇｅ Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ０ｐｔｉｃａ
ｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａＴｗｉｓｔｅｄ Ｎｅ
ｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ ＣｒｙＳｔａｌ″）に示さ
れたツイステンド・ネマチフク（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅ
ｍｅｔｉｃ）液晶を用いたものか知られている。このＴ
Ｎ液晶は、画素密度を高くしたマトリクス電極構造を用
いた時分割駆動の時、クロストークを発生する問題点が
あるため１画素数が制限されていた。
また、各画素に薄膜トランジスタによるスイッチフグ素
子を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素
ｆが知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成
する工程が極めて煩雑なヒ、大面積の表示素子を作成す
ることが難しい問題点がある。
子を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素
ｆが知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成
する工程が極めて煩雑なヒ、大面積の表示素子を作成す
ることが難しい問題点がある。
これらの問題点を解決するものとして、クラークらによ
り米国特許第４３８７９２４号公報で強誘電性液晶層ｆ
が提案されている。
り米国特許第４３８７９２４号公報で強誘電性液晶層ｆ
が提案されている。
第２図は強誘電性液晶の動作説明のために、セルの例を
模式的に描いたものである。２１と２１’は、Ｉｎ２Ｏ
２，Ｓ＋１０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ
−Ｏｗｉｄｅ）′￥−の薄膜からなる透明電極で被覆さ
れた基板（カラス板）であり、その間に液晶分子層２２
がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ”相又はＳ
ｍＨ・相の液晶が封入されている。太線で示した線２３
が液晶層′ｆを表わしており、この液晶分子−２３はそ
の分子に直交した方向に双極子モーメン）（Ｐ□）２４
を有している。基板２１と２Ｖ上の電極間に一定の閾値
以りの電圧を印加すると、液晶分子２３のらせん構造が
ほどけ、双極子モーメント（Ｐ□）２４がすべて電界方
向に向くよう、液晶分子２３は配向方向を変えることが
できる。液晶分子２３は、細長い形状を有しており、そ
の長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例
えばガラス面のＬ′Ｆに互いにクロスニコルの偏光Ｔを
置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光
学変調素子となることは、容易に理解される。
模式的に描いたものである。２１と２１’は、Ｉｎ２Ｏ
２，Ｓ＋１０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ
−Ｏｗｉｄｅ）′￥−の薄膜からなる透明電極で被覆さ
れた基板（カラス板）であり、その間に液晶分子層２２
がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ”相又はＳ
ｍＨ・相の液晶が封入されている。太線で示した線２３
が液晶層′ｆを表わしており、この液晶分子−２３はそ
の分子に直交した方向に双極子モーメン）（Ｐ□）２４
を有している。基板２１と２Ｖ上の電極間に一定の閾値
以りの電圧を印加すると、液晶分子２３のらせん構造が
ほどけ、双極子モーメント（Ｐ□）２４がすべて電界方
向に向くよう、液晶分子２３は配向方向を変えることが
できる。液晶分子２３は、細長い形状を有しており、そ
の長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例
えばガラス面のＬ′Ｆに互いにクロスニコルの偏光Ｔを
置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光
学変調素子となることは、容易に理解される。
本発明の液晶素子で好ましく用いられる液晶セルは、そ
の厚さを充分に薄く（例えば１０７ｚ以下）することが
できる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第３
図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子
のらせん構造がほどけ。
の厚さを充分に薄く（例えば１０７ｚ以下）することが
できる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第３
図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子
のらせん構造がほどけ。
非らせん構造となり、その双極子モーメントＰまたはＰ
′はＬ向き（２４）又は下向き（２４’）のどちらかの
状態をとる。このようなセルに、第３図に示す如く一定
の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又はＥ′を電圧印加手
段２８と２６′により付ケーすると。
′はＬ向き（２４）又は下向き（２４’）のどちらかの
状態をとる。このようなセルに、第３図に示す如く一定
の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又はＥ′を電圧印加手
段２８と２６′により付ケーすると。
双極子モーメントは、電界Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに
対応してＬ向き２４又は下向き２４′と向きを変え、そ
れに応じて液晶分子は、第１の安定状態２５か、あるい
は第２の安定状態２５′の何れか一方に配向する。
対応してＬ向き２４又は下向き２４′と向きを変え、そ
れに応じて液晶分子は、第１の安定状態２５か、あるい
は第２の安定状態２５′の何れか一方に配向する。
このような強誘電性を液晶層ｆとして用いることの利点
は、先に述へたが２つある。その第１は、応答速度が極
めて速いことであり、第２は液晶分子の配向が双安定性
を有することである。第２の点を、例えば第３図によっ
て更に説明すると、電界Ｅを印加すると液晶分子は第１
の安定状ＩＥ２５に配向するが、この状態は電界を切っ
ても安定である。また、逆向きの電界Ｅ′を印加すると
、液晶分子は第２の安定状態２５′に配向してその分子
の向きを変えるが、やはり電界を！／Ｊっでもこの状ｙ
９に留まっている。また、′ｊ−える電界Ｅが一定の閑
＆ｉを越えない限り、それぞれの配向状態にやはり維持
されている。このような応答速度の速さと、双安定性が
有効に実現されるにはセルとしては出来るだけ薄い方が
好ましい。
は、先に述へたが２つある。その第１は、応答速度が極
めて速いことであり、第２は液晶分子の配向が双安定性
を有することである。第２の点を、例えば第３図によっ
て更に説明すると、電界Ｅを印加すると液晶分子は第１
の安定状ＩＥ２５に配向するが、この状態は電界を切っ
ても安定である。また、逆向きの電界Ｅ′を印加すると
、液晶分子は第２の安定状態２５′に配向してその分子
の向きを変えるが、やはり電界を！／Ｊっでもこの状ｙ
９に留まっている。また、′ｊ−える電界Ｅが一定の閑
＆ｉを越えない限り、それぞれの配向状態にやはり維持
されている。このような応答速度の速さと、双安定性が
有効に実現されるにはセルとしては出来るだけ薄い方が
好ましい。
［発明が解決しようとする問題点］
この強誘電性液晶素子が所定の駆動特性を発揮するため
には、一対の平行基板間に配首される強誘電性液晶が、
電界の印加状態とは無関係に、上記２つの安定状態の間
での変換が効果的に起こるような分子配列状態にあるこ
とが必要である。たとえばカイラルスメクティック相を
有する強誘電性液晶については、カイラルスメクティッ
ク相の液晶分子層が基板面に対して垂直で、したがって
液晶分子軸が基板面にほぼモ行に配列した領域（モノド
メイン）が形成される必要がある。しかしながら、これ
までの強調゛准性液晶素ｆにおいては、このようなモノ
ドメイン構造を有する液晶の配向状態が、必ずしも満足
に形成されなかったために、充分な特性が得られなかっ
たのが実情である。
には、一対の平行基板間に配首される強誘電性液晶が、
電界の印加状態とは無関係に、上記２つの安定状態の間
での変換が効果的に起こるような分子配列状態にあるこ
とが必要である。たとえばカイラルスメクティック相を
有する強誘電性液晶については、カイラルスメクティッ
ク相の液晶分子層が基板面に対して垂直で、したがって
液晶分子軸が基板面にほぼモ行に配列した領域（モノド
メイン）が形成される必要がある。しかしながら、これ
までの強調゛准性液晶素ｆにおいては、このようなモノ
ドメイン構造を有する液晶の配向状態が、必ずしも満足
に形成されなかったために、充分な特性が得られなかっ
たのが実情である。
第４図は従来の強誘電性液晶素子の断面図を表わし、第
５図は従来の強誘電性液晶素子に現われた配向欠陥の状
態を表わす図である。
５図は従来の強誘電性液晶素子に現われた配向欠陥の状
態を表わす図である。
すなわち、第４図に示す従来の強誘電性液晶素子４０は
、−・対のモ行基板４１と４２を有しており、基板４１
と４２にはそれぞれマトリクス電極構造をなすストライ
プ状の電極線４３と４４が設けられている（電極ｖｉ４
３は保護層４８を介して設けられている）。カラーフィ
ルターは赤（Ｒ）、緑ＣＧ） 、 １（Ｂ）の色素から
なっているが、各色素の膜厚はその形成法にかかわらず
それぞれ異なるので、２００ＯＡ −１ル程度の段差Ａ
が形成される。この結果、降温過程を利用して配向制御
を行うと、Ｌ述の段差Ａが原因となって、その段差Ａを
境にして強誘電性液晶４７に配向欠陥を生じることにな
る。
、−・対のモ行基板４１と４２を有しており、基板４１
と４２にはそれぞれマトリクス電極構造をなすストライ
プ状の電極線４３と４４が設けられている（電極ｖｉ４
３は保護層４８を介して設けられている）。カラーフィ
ルターは赤（Ｒ）、緑ＣＧ） 、 １（Ｂ）の色素から
なっているが、各色素の膜厚はその形成法にかかわらず
それぞれ異なるので、２００ＯＡ −１ル程度の段差Ａ
が形成される。この結果、降温過程を利用して配向制御
を行うと、Ｌ述の段差Ａが原因となって、その段差Ａを
境にして強誘電性液晶４７に配向欠陥を生じることにな
る。
また、この段差Ａが存在する基板４１と４２の上にそれ
ぞれ配向制御膜４５と４６を設けると、この配向制御膜
にも段差Ａに応じて形成された段差Ｂが画素のほぼ膜厚
分で生じ、上述の同様に強誘電性液晶４７に配向欠陥を
生じていた。
ぞれ配向制御膜４５と４６を設けると、この配向制御膜
にも段差Ａに応じて形成された段差Ｂが画素のほぼ膜厚
分で生じ、上述の同様に強誘電性液晶４７に配向欠陥を
生じていた。
第５図は、上記強誘電性液晶素子をクロスニコルの偏光
顕微鏡で観察した時のスケッチで、図中の白線５１は液
晶素トに使用したスペーサ（図示せず）のラインに対応
し、線５２及び５３は第４図の基板４１−１．の段差Ｂ
に、対応して観察されている。また、図中の部分５４は
対向電極間にはさまれた強誘電性液晶である。偏光顕微
鏡中に多数現出した刃状線５５は、強請゛市性液晶の配
向欠陥を表わしている。
顕微鏡で観察した時のスケッチで、図中の白線５１は液
晶素トに使用したスペーサ（図示せず）のラインに対応
し、線５２及び５３は第４図の基板４１−１．の段差Ｂ
に、対応して観察されている。また、図中の部分５４は
対向電極間にはさまれた強誘電性液晶である。偏光顕微
鏡中に多数現出した刃状線５５は、強請゛市性液晶の配
向欠陥を表わしている。
この様に強１誘電性液晶の接する面でＩＱＱＯＡ以Ｆの
段差が存在すると、その段差から配向欠陥を生じ、強誘
電性液晶のモノドメイン形成は阻害される。
段差が存在すると、その段差から配向欠陥を生じ、強誘
電性液晶のモノドメイン形成は阻害される。
本発明者らは、この様な基板上の段差が強誘電性液晶に
対する配向欠陥を発生させる原因となっていることを実
験により明らかにした。
対する配向欠陥を発生させる原因となっていることを実
験により明らかにした。
本発明の目的は、上記配向欠陥の発生を防止し１強誘電
性液晶素子が本来もっている高速応答性とメモリー効果
特性を充分に発揮することのできる強誘電性液晶素子を
提供することにある。
性液晶素子が本来もっている高速応答性とメモリー効果
特性を充分に発揮することのできる強誘電性液晶素子を
提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明者らは、とくに液晶が等方相（高温状態）より液
晶相（低温状態）へ移行する降温過程における初期配向
性に着目し、液晶の双安定性に基づく素子の作動特性と
液晶層のモノドメイン性を両立し得る構造を有する液晶
素子を見出したものである。本発明の液晶素子は、この
ような知見に基づくものであり、より詳しくは、液晶層
と接する面に段差がなく、つまり液晶層の膜厚に急激な
変化を生じさせなくすることにより降温過程における初
期配向性を良好な状態とし、配向欠陥のないモノドメイ
ンを形成する点に特徴を有している。
晶相（低温状態）へ移行する降温過程における初期配向
性に着目し、液晶の双安定性に基づく素子の作動特性と
液晶層のモノドメイン性を両立し得る構造を有する液晶
素子を見出したものである。本発明の液晶素子は、この
ような知見に基づくものであり、より詳しくは、液晶層
と接する面に段差がなく、つまり液晶層の膜厚に急激な
変化を生じさせなくすることにより降温過程における初
期配向性を良好な状態とし、配向欠陥のないモノドメイ
ンを形成する点に特徴を有している。
すなわち本発明は、透明電極の形成された一対の平行基
板間に強誘電性液晶を挟持し、少なくとも一方の透明電
極と基板間にカラーフィルターを有する強誘電性液晶層
ｒにおいて、各画素のカラーフィルターを色素と透明樹
脂、または色素と透明な無機化合物で形成するとともに
、各カラーフィルター間の窪みに絶縁体からなる平坦化
層を形成したことを特徴とする強誘電性液晶素子である
。
板間に強誘電性液晶を挟持し、少なくとも一方の透明電
極と基板間にカラーフィルターを有する強誘電性液晶層
ｒにおいて、各画素のカラーフィルターを色素と透明樹
脂、または色素と透明な無機化合物で形成するとともに
、各カラーフィルター間の窪みに絶縁体からなる平坦化
層を形成したことを特徴とする強誘電性液晶素子である
。
本発明で用いる液晶材料としてとくに適したものは双安
定性を有する液晶であって１強誘電性を有するものであ
り、具体的にはカイラルスメクテ４−／りＣ相（ＳＩＩ
ＩＣ・相）、Ｈ相（Ｓａ＋Ｈ”） 、 Ｉ相（Ｓｍｌ
″ｌ）、Ｊ相（ＳＩＩＩＪ”相）、に相（ＳｍＫ・相）
、Ｃ相（ＳｍＧ・相）又はＦ相（Ｓａ＋Ｆφ相）の液晶
を用いることができる。
定性を有する液晶であって１強誘電性を有するものであ
り、具体的にはカイラルスメクテ４−／りＣ相（ＳＩＩ
ＩＣ・相）、Ｈ相（Ｓａ＋Ｈ”） 、 Ｉ相（Ｓｍｌ
″ｌ）、Ｊ相（ＳＩＩＩＪ”相）、に相（ＳｍＫ・相）
、Ｃ相（ＳｍＧ・相）又はＦ相（Ｓａ＋Ｆφ相）の液晶
を用いることができる。
この強誘電性液晶については、′ル・ジュールナル・ド
・フィジーク・ルチール（”ＬＥ ＪＯＵＲＮＡＬＤＥ
ＰＨＹＳＩＱＵＥ ＬＥＴＴＥＲＳ ″） １
９７５ イＦ、 ３Ｂ （Ｌ−６９） 号。
・フィジーク・ルチール（”ＬＥ ＪＯＵＲＮＡＬＤＥ
ＰＨＹＳＩＱＵＥ ＬＥＴＴＥＲＳ ″） １
９７５ イＦ、 ３Ｂ （Ｌ−６９） 号。
「フェロエレクトリック・リキッド・クリスタルスＪ
（ｒＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙ
ｓｔａｌｓ’）： ”アプライド・フィジフクス・レ
ターズ°゛（”Ａｐｐｌｉｅｄｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ’） １９８０ 年 、 ３１３
（１１） ＋３ 、［サブミクロ・セカンド
・７へイスティプル・エレクトロオブチック・スイッチ
ング・イン・リキッド・クリスタルス（ｒｓｕｂｍｉｃ
ｒｏ ５ｅｃｏｎｄＢｉｓｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ Ｌｉｑｕｉｄ
ＣｒｙｓｔａｌｓＪ） ； ”固体物理”１９８１年
、＋６ （＋４１）号、「液晶」等に記載されており、
本発明においては、これらに開示された強誘電性液晶を
使用することができる。
（ｒＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙ
ｓｔａｌｓ’）： ”アプライド・フィジフクス・レ
ターズ°゛（”Ａｐｐｌｉｅｄｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ’） １９８０ 年 、 ３１３
（１１） ＋３ 、［サブミクロ・セカンド
・７へイスティプル・エレクトロオブチック・スイッチ
ング・イン・リキッド・クリスタルス（ｒｓｕｂｍｉｃ
ｒｏ ５ｅｃｏｎｄＢｉｓｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ Ｌｉｑｕｉｄ
ＣｒｙｓｔａｌｓＪ） ； ”固体物理”１９８１年
、＋６ （＋４１）号、「液晶」等に記載されており、
本発明においては、これらに開示された強誘電性液晶を
使用することができる。
強誘電液晶化合物の具体例としては、デシロキシヘンジ
リデンーｐ′−アミ／−２−メチルブチルシンナメー）
（ＤＯＢＡＭＢＣ：）、ヘキシルオキシベンジリデ
ン−ｐ′−アミノ−２−クロロプロピルシンナメート（
ＨＯＢＡＣＰＣ：）、４−ｏ−（２−メチル）−ブチル
レゾルシリテ′ンー４′−オクチルアニリン （ＭＢ）
？Ａ８）が挙げられる。
リデンーｐ′−アミ／−２−メチルブチルシンナメー）
（ＤＯＢＡＭＢＣ：）、ヘキシルオキシベンジリデ
ン−ｐ′−アミノ−２−クロロプロピルシンナメート（
ＨＯＢＡＣＰＣ：）、４−ｏ−（２−メチル）−ブチル
レゾルシリテ′ンー４′−オクチルアニリン （ＭＢ）
？Ａ８）が挙げられる。
これらの材料を用いてＪＴを構成する場合、液晶化合物
がカイラルスメクティック相となるような温度状態に保
持する為、必要に応して素子をヒーターが埋め込まれた
ブロック等により支持することができる。
がカイラルスメクティック相となるような温度状態に保
持する為、必要に応して素子をヒーターが埋め込まれた
ブロック等により支持することができる。
本発明に用いられる配向制御膜の材料としては、例えば
、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミ
ド、ポリエステル、ポリカーホネート、ポリビニルアセ
タール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド
、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリ
ャ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂類、あるいは感光性ポ
リイミド、感光性ポリアミド、環化ゴム系フォトレジス
ト、フェノールノボチック系フォトレジストあるいは電
子線フォトレジスト（ポリメチルメタクリレート、エポ
キシ化−１，４−ポリブタジェンなど）などから選釈し
て形成することができる。
、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミ
ド、ポリエステル、ポリカーホネート、ポリビニルアセ
タール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド
、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリ
ャ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂類、あるいは感光性ポ
リイミド、感光性ポリアミド、環化ゴム系フォトレジス
ト、フェノールノボチック系フォトレジストあるいは電
子線フォトレジスト（ポリメチルメタクリレート、エポ
キシ化−１，４−ポリブタジェンなど）などから選釈し
て形成することができる。
本発明に用いられる色素材料としては、アゾ系、アント
ラキノン系、フタロシアニン系、キナクリドン系、イソ
インドリノン系、ジオキサジン系、ペリレン系、ペリノ
ン系、チオインジゴ系、ピロコリン系、フルオルビン系
、キノフタロン系等が挙げられる。
ラキノン系、フタロシアニン系、キナクリドン系、イソ
インドリノン系、ジオキサジン系、ペリレン系、ペリノ
ン系、チオインジゴ系、ピロコリン系、フルオルビン系
、キノフタロン系等が挙げられる。
本発明に用いられる透明樹脂としては、ポリバラキシリ
レン（商品名；パリレン、ユニオンカーバイド社）、ポ
リエチレン、ポリスチレン、ポリカーボネート等が挙げ
られる。これらの塗布方法としては、スピンナー塗布法
を用いることができる。
レン（商品名；パリレン、ユニオンカーバイド社）、ポ
リエチレン、ポリスチレン、ポリカーボネート等が挙げ
られる。これらの塗布方法としては、スピンナー塗布法
を用いることができる。
本発明に用いられる透明な無機化合物とじては、ＳｉＯ
２，ＡＩ！２０３． ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，ＭｇＦ２．
ＳｉＯ等が挙げられる。
２，ＡＩ！２０３． ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，ＭｇＦ２．
ＳｉＯ等が挙げられる。
また１本発明に用いられる絶縁体乎坦化層としては、有
機顔料として前記Ｒ，Ｇ、Ｈの色素の混合物等、無機顔
料として鉄黒（Ｆｅ３０４又はＦｅ０Ｆｅ２０：＋）等
、あるいは他の無機物としてグラファイトの他にＰｒＭ
ｎ０：＋等が挙げられる。
機顔料として前記Ｒ，Ｇ、Ｈの色素の混合物等、無機顔
料として鉄黒（Ｆｅ３０４又はＦｅ０Ｆｅ２０：＋）等
、あるいは他の無機物としてグラファイトの他にＰｒＭ
ｎ０：＋等が挙げられる。
［作 用コ
モ面性のよい基板に挟持された液晶層は笠吉相より、液
晶相に移行する降温過程において、徐冷することにより
、液晶相領域が次第に広がり均一なモノドメインの液晶
相を形成するようになる。
晶相に移行する降温過程において、徐冷することにより
、液晶相領域が次第に広がり均一なモノドメインの液晶
相を形成するようになる。
例えば、液晶として強誘電液晶相を示す前述のＤＯＢＡ
）１８０を例にあげて説明するとＤＯＢＡＭＢＣ：の等
吉相より徐冷していくとき約＋１５°Ｃでスメクティッ
クＡ相（ＳｍＡ相）に相転移する。このとき、基板にラ
ヒングあるいはＳ ｉ０２斜め蒸着などの配向処理が施
されていると、液晶分子の分−７−４ｄ、が基板にモ行
で、かつ一方向に配向したモノドメインが形成される。
）１８０を例にあげて説明するとＤＯＢＡＭＢＣ：の等
吉相より徐冷していくとき約＋１５°Ｃでスメクティッ
クＡ相（ＳｍＡ相）に相転移する。このとき、基板にラ
ヒングあるいはＳ ｉ０２斜め蒸着などの配向処理が施
されていると、液晶分子の分−７−４ｄ、が基板にモ行
で、かつ一方向に配向したモノドメインが形成される。
さらに、冷却を進めていくと、液晶層の厚みに依存する
約９０〜７５℃の間の特定温度でカイラルスメクティッ
クＣ相（ＳｍＣ拳相）に相転移する。又、液晶層の厚み
を約２ｐ以下とした場合は、５ｒｒｒＣ”相のらせんが
解け、双安定性を示す。
約９０〜７５℃の間の特定温度でカイラルスメクティッ
クＣ相（ＳｍＣ拳相）に相転移する。又、液晶層の厚み
を約２ｐ以下とした場合は、５ｒｒｒＣ”相のらせんが
解け、双安定性を示す。
［実施例］
第１図は本発明による強誘電性液晶素子の基本構成を示
す断面図である。第１図において、強誘電性液晶素子１
はガラス板またはプラスチック板などの透明板を用いた
基板２と３を有し、その間には強誘電性液晶４が挟持さ
れている。各基板２と３にはマトリクス電極構造を形成
するストライプ形状の透明電極５と６が配置され、この
透明電極の上には配向制御膜７及び８が形成されている
。Ｒ，Ｇ、Ｈの各カラーフィルターは、はぼ等しい膜厚
となるように色素と透明な樹脂、もしくは色素と透明な
無機化合物で形成されている。一方、各カラーフィルタ
ー１ｊ：１の窪みには、絶縁体平坦化層１０が形成され
ている。この絶縁性平坦化層ＩＯは、遮光層としても機
能させることができる。
す断面図である。第１図において、強誘電性液晶素子１
はガラス板またはプラスチック板などの透明板を用いた
基板２と３を有し、その間には強誘電性液晶４が挟持さ
れている。各基板２と３にはマトリクス電極構造を形成
するストライプ形状の透明電極５と６が配置され、この
透明電極の上には配向制御膜７及び８が形成されている
。Ｒ，Ｇ、Ｈの各カラーフィルターは、はぼ等しい膜厚
となるように色素と透明な樹脂、もしくは色素と透明な
無機化合物で形成されている。一方、各カラーフィルタ
ー１ｊ：１の窪みには、絶縁体平坦化層１０が形成され
ている。この絶縁性平坦化層ＩＯは、遮光層としても機
能させることができる。
上記構成による基板では、カラーフィルターの膜厚及び
画素間の窪みによる段差が補正されているため、画素り
に透明電極、配向膜を順に形成しても、基板面をほぼ平
坦に保つことができる。
画素間の窪みによる段差が補正されているため、画素り
に透明電極、配向膜を順に形成しても、基板面をほぼ平
坦に保つことができる。
本発明では、前述の平坦化により、カラーフィルター基
板の段差を１００ＯＡ以丁とすることができるが、好ま
しくは５００Ａ以下とするのが望ましい。この段差が１
００ＯＡ以上、特に＋２００Ａ以上で形成された不用化
層を用いない液晶素子は、前述の第５図で示した刃状線
の配向欠陥を生じることになる。
板の段差を１００ＯＡ以丁とすることができるが、好ま
しくは５００Ａ以下とするのが望ましい。この段差が１
００ＯＡ以上、特に＋２００Ａ以上で形成された不用化
層を用いない液晶素子は、前述の第５図で示した刃状線
の配向欠陥を生じることになる。
前記配向制御膜７は、強誘電性液晶の膜厚にも依存する
が、一般的にはｌ０Ａ−ＩＪＬ、好適には１００Ａ〜３
０００Ａの範囲に設定する。また、保護膜９の膜厚は、
強誘電性液晶４の膜厚を決定することができるので、従
って液晶材料の種類や要求される応答速度などにより変
化するが、一般的には０．２ｗ〜２０ＪＬ、好適には０
．５ｗ〜１０延の範囲に設定される。
が、一般的にはｌ０Ａ−ＩＪＬ、好適には１００Ａ〜３
０００Ａの範囲に設定する。また、保護膜９の膜厚は、
強誘電性液晶４の膜厚を決定することができるので、従
って液晶材料の種類や要求される応答速度などにより変
化するが、一般的には０．２ｗ〜２０ＪＬ、好適には０
．５ｗ〜１０延の範囲に設定される。
以ｒ、本発明の実施例をさらに具体的に説明する。
第６図（ａ） 〜（ｆ）は、Ｒ，Ｇ、’８３色の色画Ｌ
ｙｓの形成１程を示す図である。まず、コーニング社の
１７０５９ガラス基板６１上にポジ型しンスト（商品名
； ０ＦＰＲ？？、東京応化製）をスピナーを用いて１
．０ ｇｔｓの層厚に塗布し、レジスト層６２を設けた
（第６図Ｃ参照）。次に、所定のパターンマスク６３を
用いてこれを露光しく第６図す参照）。
ｙｓの形成１程を示す図である。まず、コーニング社の
１７０５９ガラス基板６１上にポジ型しンスト（商品名
； ０ＦＰＲ？？、東京応化製）をスピナーを用いて１
．０ ｇｔｓの層厚に塗布し、レジスト層６２を設けた
（第６図Ｃ参照）。次に、所定のパターンマスク６３を
用いてこれを露光しく第６図す参照）。
０ＤＯＲ＋０１０シリーズ専用現像液によって現像して
所定のストライプ形状を有するリフトオフ用のパターン
［ｆ２ａを形成した（第６図Ｃ参照）。
所定のストライプ形状を有するリフトオフ用のパターン
［ｆ２ａを形成した（第６図Ｃ参照）。
次に、ガラス基板６１のパターン形成面の全面を露光し
、更に不要なパターン部以外のレジスト残渣を酸素プラ
ズマ灰化処理によってガラスノ。（板６１北から取り除
いた。
、更に不要なパターン部以外のレジスト残渣を酸素プラ
ズマ灰化処理によってガラスノ。（板６１北から取り除
いた。
このようにして、リフトオフ用のパターン８２ａが形成
されたガラス基板６１を真空蒸着装置内の所定の位置に
配置し、蒸発源としての二つのモリブデンポートの一方
に蒸着州庁色素としてニッケルフタロシアニンを、他の
ポートに樹脂としてパリレン（ユニオンカーバイト社製
）を入れ、前者の蒸発温度を４７０℃に、後者の温度を
２５０″Ｃに調節し、先ずニッケルフタロシアニン全４
５００Ａヲ次ニハリレンを１００ＯＡを基板６１のリフ
トオフ用パターン形成面に蒸着することによって着色層
６４を形成した（第６図Ｃ参照）。蒸着された着色層６
４の層厚は、 ５５００Ａとした。
されたガラス基板６１を真空蒸着装置内の所定の位置に
配置し、蒸発源としての二つのモリブデンポートの一方
に蒸着州庁色素としてニッケルフタロシアニンを、他の
ポートに樹脂としてパリレン（ユニオンカーバイト社製
）を入れ、前者の蒸発温度を４７０℃に、後者の温度を
２５０″Ｃに調節し、先ずニッケルフタロシアニン全４
５００Ａヲ次ニハリレンを１００ＯＡを基板６１のリフ
トオフ用パターン形成面に蒸着することによって着色層
６４を形成した（第６図Ｃ参照）。蒸着された着色層６
４の層厚は、 ５５００Ａとした。
このリフトオフ用パターン８２ａと着色層６４が形成さ
れている基板６１を０ＦＰＲ７７シリーズ専用現像液中
に５分間浸Ｖｉ攪拌し、レジストパターンＥｉ２ａと共
にこのパターン上に蒸着した着色層６４ａを基板から除
去し、青色ストライプフィルターを作製した（第６図Ｃ
参照）。
れている基板６１を０ＦＰＲ７７シリーズ専用現像液中
に５分間浸Ｖｉ攪拌し、レジストパターンＥｉ２ａと共
にこのパターン上に蒸着した着色層６４ａを基板から除
去し、青色ストライプフィルターを作製した（第６図Ｃ
参照）。
一方、緑色と赤色のストライプフィルターは第６図の（
ａ）〜（ｅ）の工程を繰返すことで得られる。
ａ）〜（ｅ）の工程を繰返すことで得られる。
先ず、緑色の蒸着用色素として、ナマリフタロシアニン
を５０００Ａ １次にパリレンを５０ＯＡ順に蒸着し緑
層を形成した。この緑色の着色層の層厚は５５００Ａと
した。
を５０００Ａ １次にパリレンを５０ＯＡ順に蒸着し緑
層を形成した。この緑色の着色層の層厚は５５００Ａと
した。
次に、赤色の蒸着用色素として、先ずアントラキノンを
３００ＯＡ、次にパリレンを２５０ＯＡ順に蒸着し赤色
層を形成した。赤色の着色層の層厚は５５００Ａとした
。
３００ＯＡ、次にパリレンを２５０ＯＡ順に蒸着し赤色
層を形成した。赤色の着色層の層厚は５５００Ａとした
。
以りのようにして第６図Ｕ）に示すようにＢ。
Ｇ、Ｒ共にほぼ同一膜厚のカラーフィルターを形成する
ことができた。
ことができた。
次に第１図の保護膜９として、ネガレジスト（０ＤＯＲ
東京応化）を塗布形成した。
東京応化）を塗布形成した。
次に各色票間に生じた窪みを埋める為に、絶縁体乎坦化
層１０を塗布形成した。まず、前記保１；刈膜９の上に
前記のフォトレジストと同じ０ＦＰＲを’ｌｌｚ ！（
ｉし、前記の窪み部だけに光が当るように露光し、現像
した。しかる後に絶縁体乎坦化層１０として。
層１０を塗布形成した。まず、前記保１；刈膜９の上に
前記のフォトレジストと同じ０ＦＰＲを’ｌｌｚ ！（
ｉし、前記の窪み部だけに光が当るように露光し、現像
した。しかる後に絶縁体乎坦化層１０として。
グラファイトを塗４１形成した。しかる後に前記の不要
なフォトレジストをＭＩＢＫ溶剤中でリフトオフし、絶
縁体！坦化層ｌＯを残した。従って、この段階ではカラ
ーフィルター基板は全く同＝−・モ面に形成される。
なフォトレジストをＭＩＢＫ溶剤中でリフトオフし、絶
縁体！坦化層ｌＯを残した。従って、この段階ではカラ
ーフィルター基板は全く同＝−・モ面に形成される。
次に、第１１図、に示すように、ｒＴＯを５００Ａの厚
さにスパッタリング法により成膜し、透明電極５とした
。この上に配向１１り７として、ポリイミド形成溶液（
日）７化成［業ｒＰＩＱＪ 、）を３００Ｏｒｐｍ テ
回転するスピンナーで’ｌｌｚ ｈし、１５０℃で３０
分間加熱を行って２００ＯＡのポリイミド被１１！２を
形成した。しかる後、このポリイミド被膜表面をラビン
グ処理した。
さにスパッタリング法により成膜し、透明電極５とした
。この上に配向１１り７として、ポリイミド形成溶液（
日）７化成［業ｒＰＩＱＪ 、）を３００Ｏｒｐｍ テ
回転するスピンナーで’ｌｌｚ ｈし、１５０℃で３０
分間加熱を行って２００ＯＡのポリイミド被１１！２を
形成した。しかる後、このポリイミド被膜表面をラビン
グ処理した。
このようにして形成したカラーフィルター基板と、対向
する基板３を貼り合せてセ゛ル組し、強誘電性液晶を注
入、月日して液晶素子を得た。この液晶素ｒ−をクロス
ニコルの偏光顕微鏡で観察したところ、内部の液晶分子
は配向欠陥を生じていないことが確認された。
する基板３を貼り合せてセ゛ル組し、強誘電性液晶を注
入、月日して液晶素子を得た。この液晶素ｒ−をクロス
ニコルの偏光顕微鏡で観察したところ、内部の液晶分子
は配向欠陥を生じていないことが確認された。
［発明の効果］
以り説明したように１本発明によれば、基板上のカラー
フィルター間の窪みに絶縁体からなる遮光層を形成して
カラーフィルターの膜厚の差をなくすことにより、配向
欠陥の発生を防止することができ、強誘電性液晶の特性
を十分に発揮し得る強誘電性液晶Ｊ ｆ−を提供するこ
とができる。
フィルター間の窪みに絶縁体からなる遮光層を形成して
カラーフィルターの膜厚の差をなくすことにより、配向
欠陥の発生を防止することができ、強誘電性液晶の特性
を十分に発揮し得る強誘電性液晶Ｊ ｆ−を提供するこ
とができる。
第１図は本発明による強誘電性液晶素子の基本構成を示
す断面図、第２図及び第３図は本発明で用いる強誘電性
液晶を模式的に表わした斜視図、第４図は従来の強誘電
性液晶素子の断面図、第５図は従来の強誘電性液晶素子
に現われた配向欠陥の状態を表わす図、第６図（ａ）〜
（ｆ）は本発明の色画素の形成工程を示す図である。 ｌ・・・強誘電性液晶素子、２，３・・・基板。 ４・・・強誘電性液晶、５．６・・・透明電極。 ７．８・・・配向制御膜、９・・・保護膜、ｌＯ・・・
絶縁体平坦化層。
す断面図、第２図及び第３図は本発明で用いる強誘電性
液晶を模式的に表わした斜視図、第４図は従来の強誘電
性液晶素子の断面図、第５図は従来の強誘電性液晶素子
に現われた配向欠陥の状態を表わす図、第６図（ａ）〜
（ｆ）は本発明の色画素の形成工程を示す図である。 ｌ・・・強誘電性液晶素子、２，３・・・基板。 ４・・・強誘電性液晶、５．６・・・透明電極。 ７．８・・・配向制御膜、９・・・保護膜、ｌＯ・・・
絶縁体平坦化層。
Claims (1)
- １）透明電極の形成された一対の平行基板間に強誘電性
液晶を挟持し、少なくとも一方の透明電極と基板間にカ
ラーフィルターを有する強誘電性液晶素子において、各
画素のカラーフィルターを色素と透明樹脂、または色素
と透明な無機化合物で形成するとともに、各カラーフィ
ルター間の窪みに絶縁体からなる平坦化層を形成したこ
とを特徴とする強誘電性液晶素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60290423A JPH0677120B2 (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 液晶素子 |
| US06/943,502 US4712874A (en) | 1985-12-25 | 1986-12-19 | Ferroelectric liquid crystal device having color filters on row or column electrodes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60290423A JPH0677120B2 (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62150221A true JPS62150221A (ja) | 1987-07-04 |
| JPH0677120B2 JPH0677120B2 (ja) | 1994-09-28 |
Family
ID=17755839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60290423A Expired - Fee Related JPH0677120B2 (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677120B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0317063A2 (en) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | International Business Machines Corporation | Color liquid crystal display device and method of manufacturing thereof |
| JPH02136825A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Toppan Printing Co Ltd | 表示装置用電極板及びその製造方法 |
| JPH02166404A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-27 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルター |
| JPH0311226U (ja) * | 1989-06-15 | 1991-02-04 | ||
| US5398126A (en) * | 1986-08-30 | 1995-03-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric color liquid crystal device lacking alignment defects |
| US5397560A (en) * | 1993-04-06 | 1995-03-14 | The Dow Chemical Company | Microporous crystalline aluminosilicate designated DCM-2 |
| JP2010190948A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び画像表示装置 |
| US9624814B2 (en) | 2013-02-19 | 2017-04-18 | Yanmar Co., Ltd. | Engine device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60237403A (ja) * | 1984-05-10 | 1985-11-26 | Toppan Printing Co Ltd | カラ−フィルタ−およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP60290423A patent/JPH0677120B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60237403A (ja) * | 1984-05-10 | 1985-11-26 | Toppan Printing Co Ltd | カラ−フィルタ−およびその製造方法 |
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| US5568293A (en) * | 1986-08-30 | 1996-10-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display having trapezoidal color filters formed from a low-temperature curing polyamino resin having a photosensitive group |
| US5398126A (en) * | 1986-08-30 | 1995-03-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric color liquid crystal device lacking alignment defects |
| US5548424A (en) * | 1986-08-30 | 1996-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device having two resins films formed from solutions of different viscosities |
| EP0317063A3 (en) * | 1987-11-18 | 1990-02-07 | International Business Machines Corporation | Color liquid crystal display device and method of manufacturing thereof |
| EP0317063A2 (en) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | International Business Machines Corporation | Color liquid crystal display device and method of manufacturing thereof |
| US5083853A (en) * | 1987-11-18 | 1992-01-28 | International Business Machines Corporation | Color liquid crystal display device having light-shielding conductive layers |
| US5142392A (en) * | 1987-11-18 | 1992-08-25 | International Business Machines Corporation | Color liquid crystal display having light shielding layers and method of manufacturing thereof |
| JPH02136825A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Toppan Printing Co Ltd | 表示装置用電極板及びその製造方法 |
| JPH02166404A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-27 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルター |
| JPH0750735Y2 (ja) * | 1989-06-15 | 1995-11-15 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示器 |
| JPH0311226U (ja) * | 1989-06-15 | 1991-02-04 | ||
| US5397560A (en) * | 1993-04-06 | 1995-03-14 | The Dow Chemical Company | Microporous crystalline aluminosilicate designated DCM-2 |
| JP2010190948A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び画像表示装置 |
| US9624814B2 (en) | 2013-02-19 | 2017-04-18 | Yanmar Co., Ltd. | Engine device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0677120B2 (ja) | 1994-09-28 |
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