JPS61131829U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS61131829U JPS61131829U JP1462185U JP1462185U JPS61131829U JP S61131829 U JPS61131829 U JP S61131829U JP 1462185 U JP1462185 U JP 1462185U JP 1462185 U JP1462185 U JP 1462185U JP S61131829 U JPS61131829 U JP S61131829U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- semiconductor integrated
- aluminum
- ion implantation
- modifying
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例を製造工程毎に示す
断面模式図、第２図は本考案の効果を示す特性グ
ラフである。 １０……シリコン半導体基板、１３……アルミ
ニウム合金膜、１４……イオン打込み。
断面模式図、第２図は本考案の効果を示す特性グ
ラフである。 １０……シリコン半導体基板、１３……アルミ
ニウム合金膜、１４……イオン打込み。
Claims (1)
- 半導体集積回路の電極配線の製造工程において
、半導体基板上にアルミニウム又はアルミニウム
を主体とする金属膜を堆積する工程、該金属膜を
所定のパターンに加工する工程、該金属膜をイオ
ン打込みにより改質する工程、から成ることを特
徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1462185U JPS61131829U (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1462185U JPS61131829U (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131829U true JPS61131829U (ja) | 1986-08-18 |
Family
ID=30499712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1462185U Pending JPS61131829U (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61131829U (ja) |
-
1985
- 1985-02-06 JP JP1462185U patent/JPS61131829U/ja active Pending