JPS61131462A - イオン・ビ−ム加工法 - Google Patents
イオン・ビ−ム加工法Info
- Publication number
- JPS61131462A JPS61131462A JP25178884A JP25178884A JPS61131462A JP S61131462 A JPS61131462 A JP S61131462A JP 25178884 A JP25178884 A JP 25178884A JP 25178884 A JP25178884 A JP 25178884A JP S61131462 A JPS61131462 A JP S61131462A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- ion beam
- gaas
- crystal wafer
- deep
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3063—Electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１ 〔産業上の利用分野〕
本発明は、所望パターン通りの精密な微細加工を必要と
する場合に適用して好；結果が得られる集束イオン・ビ
ーム加工法に関する。
する場合に適用して好；結果が得られる集束イオン・ビ
ーム加工法に関する。
近年、直径を０．２乃至０．１ 〔μｍ〕程度に細く絞
った集束イオン・ビ」ムを用いて半導体装置の加工を行
う研究・開発が盛んである。
った集束イオン・ビ」ムを用いて半導体装置の加工を行
う研究・開発が盛んである。
このような集束イオン・ビーム加工に依□ると、イオン
・ビームの径に対応した例えば直径０．ＩＣａｍ）の孔
或いは幅０． １ （μｍ〕の溝を形成することが可
能である。
・ビームの径に対応した例えば直径０．ＩＣａｍ）の孔
或いは幅０． １ （μｍ〕の溝を形成することが可
能である。
従来の集束イオン・ビーム加工法を適用し、例えば溝を
形成する場合、′該溝の幅が適当に広く、また、浅い場
合には問題は生じないが、前記したように、集束イオン
・ビームの径と同程度の幅であうで、しかも、深い溝を
形成することは困難である。
形成する場合、′該溝の幅が適当に広く、また、浅い場
合には問題は生じないが、前記したように、集束イオン
・ビームの径と同程度の幅であうで、しかも、深い溝を
形成することは困難である。
第４図は従来の集束イオン・ビーム加工法を適用して半
纏体ウェハに溝を形成する場合を説明する為の要部切断
斜面図を表している。
纏体ウェハに溝を形成する場合を説明する為の要部切断
斜面図を表している。
図に於いて、１ｆｔ薫車導体ウェハ、１２は集束イオン
・ビーム、１３及び１３′は溝をそれぞれ示している。
・ビーム、１３及び１３′は溝をそれぞれ示している。
今、半導体ウェハ１１に対し集束イオン・ビーム１２を
照射して破線で示しである断面長方形状の溝１３′を形
成しよっとすると、実際には、実線で示しである断面三
角状の溝１３が形成されることになる。
照射して破線で示しである断面長方形状の溝１３′を形
成しよっとすると、実際には、実線で示しである断面三
角状の溝１３が形成されることになる。
本発明者等の実験に依ると、前記したように所定のパタ
ーンが得られない理由は、形成しようとする溝１３′の
幅が狭く、且つ、深いものになる−と、加工が行われた
ことに依り除去されるべき加工屑が排出され難くなり、
現に集束イオン・ビー゛ ム１２が照射されている領
域は所定パターンを維持しているものの、その直後の加
工が終了した部分には加工屑がそのまま再付着して溝１
３′が埋められ、その結果、三角状の溝１３になってし
まうことが判った。
ーンが得られない理由は、形成しようとする溝１３′の
幅が狭く、且つ、深いものになる−と、加工が行われた
ことに依り除去されるべき加工屑が排出され難くなり、
現に集束イオン・ビー゛ ム１２が照射されている領
域は所定パターンを維持しているものの、その直後の加
工が終了した部分には加工屑がそのまま再付着して溝１
３′が埋められ、その結果、三角状の溝１３になってし
まうことが判った。
本発明は、集束イオン・ビームを用い、狭く、且つ、深
いパターンの加工を行っても、設計通りのパターンが得
られるようにする。
いパターンの加工を行っても、設計通りのパターンが得
られるようにする。
本発明の一実施例を説明する為の図である第１図及び第
２図を借りて説明する。
２図を借りて説明する。
第１図に見られるように、ＧａＡｓ結晶ウェハ１に集束
イオン・ビームで横断面が長方形である溝３′を予定し
て加工を行うと三角状の溝３が形成される。
イオン・ビームで横断面が長方形である溝３′を予定し
て加工を行うと三角状の溝３が形成される。
予定された溝３′を埋めているのはＧａＡｓ非晶質部分
ＩＡである。
ＩＡである。
そこで、その非晶質化された部分、即ち、ＧａＡｓ非晶
質部分ＩＡを選択的にエツチングすると第２図に見られ
るように予定された溝３′が形成基れる。
質部分ＩＡを選択的にエツチングすると第２図に見られ
るように予定された溝３′が形成基れる。
゛〔作用〕
前記手段に依ると、集束イオン・ビームで形成される孔
或いは溝などが如何に狭く、且つ、深くて加工屑が排出
され難くても、該加工屑は非晶質になっているので、そ
の非晶質化された部分のみを選択的にエツチングして除
去するようにしているので、所期のパターンを容易に得
ることができる。
或いは溝などが如何に狭く、且つ、深くて加工屑が排出
され難くても、該加工屑は非晶質になっているので、そ
の非晶質化された部分のみを選択的にエツチングして除
去するようにしているので、所期のパターンを容易に得
ることができる。
第１図及び第２図は本発明一実施例を解説する為の工程
要所に於ける結晶ウェハの要部切断側面図であり、以下
、これ等の図を参照しつつ説明する。− 第１図参照 （ａｌＧａイオンを１００（ＫｅＶ）程度に加速すると
共に直径０．１〜０．２〔μｍ〕程度に集束して５０（
、ｐＡ）のＧａイオン・ビーム（図示せず）となし、そ
れをＧａＡｓ結晶ウェハつに約１０〜０．１ （μｍ）
、程度の速度で照射す゛ると溝３が得られる。
要所に於ける結晶ウェハの要部切断側面図であり、以下
、これ等の図を参照しつつ説明する。− 第１図参照 （ａｌＧａイオンを１００（ＫｅＶ）程度に加速すると
共に直径０．１〜０．２〔μｍ〕程度に集束して５０（
、ｐＡ）のＧａイオン・ビーム（図示せず）となし、そ
れをＧａＡｓ結晶ウェハつに約１０〜０．１ （μｍ）
、程度の速度で照射す゛ると溝３が得られる。
このような加工を行うと、本来は、破線で示されている
ような溝３′が得られる筈である。
ような溝３′が得られる筈である。
然しなから、前記したように、予定される溝３′の幅が
狭く、且つ、深いものである場合には加工屑が排出され
難（なるので、溝３′内に加工屑である非晶質のＧａＡ
ｓが再付着することに依り、ＧａＡｓ非晶質部分ＩＡを
構成することになる。
狭く、且つ、深いものである場合には加工屑が排出され
難（なるので、溝３′内に加工屑である非晶質のＧａＡ
ｓが再付着することに依り、ＧａＡｓ非晶質部分ＩＡを
構成することになる。
第２図参照
（ｂ） 前記のように加工を施したＧａＡｓ結晶ウェ
ハつを温度５０（’Ｃ）のＨＣＮ液に３〔分〕間程度浸
漬することに依り、ＧａＡｓ非晶質部分ＩＡを除去する
。
ハつを温度５０（’Ｃ）のＨＣＮ液に３〔分〕間程度浸
漬することに依り、ＧａＡｓ非晶質部分ＩＡを除去する
。
この選択的エツチングに依り、図示のような深い、且つ
、加工壁が略垂直に近く切り立った溝３′が得られる。
、加工壁が略垂直に近く切り立った溝３′が得られる。
尚、前記条件のＨＣＮ液を用いてエツチングする限りで
はＧａ／’ｓ緬晶ウェハｌ自体が損傷される虞は愉無で
ある。
はＧａ／’ｓ緬晶ウェハｌ自体が損傷される虞は愉無で
ある。
第３図は前記のようにしてエツチングした場合に得う糺
た≠−夕を従来技術に依うてニレ１°ングした場合のデ
ータと対比して表した線図である。
た≠−夕を従来技術に依うてニレ１°ングした場合のデ
ータと対比して表した線図である。
図に於いて、縦軸にはエツチングの深さを、また、横軸
には単位長さ当りのドーズ量をそれぞれ採ってあり、・
印は本発明一実施例に依る場合、Ｏ印は従来技術に依る
場合をそれぞれ示し、・印の方が１かに深い溝が、形成
されていることが看取できる。尚、従来、技、術の場合
、イオンのドーズ量２を大きくシ耳も余り変化は見られ
ない。
には単位長さ当りのドーズ量をそれぞれ採ってあり、・
印は本発明一実施例に依る場合、Ｏ印は従来技術に依る
場合をそれぞれ示し、・印の方が１かに深い溝が、形成
されていることが看取できる。尚、従来、技、術の場合
、イオンのドーズ量２を大きくシ耳も余り変化は見られ
ない。
前記実施例では、ＧａＡｓ結晶ウェハの加工にＧａイオ
ン・ビームとＨＣｊエツチング液とを用いたが、Ｇ ａ
Ａ ｓ結晶ウェハの場合には、前記の組み合わせが最
適である。
ン・ビームとＨＣｊエツチング液とを用いたが、Ｇ ａ
Ａ ｓ結晶ウェハの場合には、前記の組み合わせが最
適である。
この外、−加工対象物がシリコン結晶ウェハである場合
には、Ｓｔイスイ、・ビームとＨ３Ｐ０．エフチンダ液
の組み合わせが、また、ＩｎＰ結晶つエバに対しては、
Ｉｎイオン・ビームとＨ２Ｏ２エツチング液の組み合わ
せが最も好ましいことが判うている。
には、Ｓｔイスイ、・ビームとＨ３Ｐ０．エフチンダ液
の組み合わせが、また、ＩｎＰ結晶つエバに対しては、
Ｉｎイオン・ビームとＨ２Ｏ２エツチング液の組み合わ
せが最も好ましいことが判うている。
本発明のイオン・ビーム加工法では、結晶ウェハに対し
て集束イオン・ビームで所定パターンの加工を行った後
、非晶質化された部分を選択的にエツチングして除去す
るようにしている。
て集束イオン・ビームで所定パターンの加工を行った後
、非晶質化された部分を選択的にエツチングして除去す
るようにしている。
このようにすると、前記所定パターンが、狭く、且つ、
深い溝或いは孔であって、加工屑が排出され難い状態に
あっても、その非晶質の加工屑は後のエツチングで除去
されてしまうから設計通りの精密な加工を行うことが可
能であり、高集積化された半導体装置を製造する場合に
適用して好結果が得られる。
深い溝或いは孔であって、加工屑が排出され難い状態に
あっても、その非晶質の加工屑は後のエツチングで除去
されてしまうから設計通りの精密な加工を行うことが可
能であり、高集積化された半導体装置を製造する場合に
適用して好結果が得られる。
第１図及び第２図は本発明一実施例を説明する為の工程
要所に於けるＧａＡｓ結晶ウェハの要部切断側面図、第
３図はエツチング深さ対単位長さ当りのドーズ量の関係
を示す線図、第４図は従来技術を説明する為の工程要所
に於ける半導体結晶ウェハの要部切断斜面図をそれぞれ
表している。 図に於いて、ｌはＧａＡｓ結晶ウェハ、ＩＡはＧａＡｓ
非晶質部分、３及び３′は溝をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図 第２図 ぎ
要所に於けるＧａＡｓ結晶ウェハの要部切断側面図、第
３図はエツチング深さ対単位長さ当りのドーズ量の関係
を示す線図、第４図は従来技術を説明する為の工程要所
に於ける半導体結晶ウェハの要部切断斜面図をそれぞれ
表している。 図に於いて、ｌはＧａＡｓ結晶ウェハ、ＩＡはＧａＡｓ
非晶質部分、３及び３′は溝をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図 第２図 ぎ
Claims (1)
- 結晶ウェハに対して集束イオン・ビームで所定パター
ンの加工を行った後、非晶質化された部分を選択的にエ
ッチングして除去する工程が含まれてなることを特徴と
するイオン・ビーム加工法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25178884A JPS61131462A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | イオン・ビ−ム加工法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25178884A JPS61131462A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | イオン・ビ−ム加工法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131462A true JPS61131462A (ja) | 1986-06-19 |
Family
ID=17227939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25178884A Pending JPS61131462A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | イオン・ビ−ム加工法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61131462A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS649703A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-13 | Nec Corp | Processing method for high-temperature superconducting ceramic material |
| JPH06126469A (ja) * | 1992-10-22 | 1994-05-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 表面加工方法 |
| US6093445A (en) * | 1998-08-12 | 2000-07-25 | Shimane University | Microscopic element manufacturing method and equipment for carrying out the same |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25178884A patent/JPS61131462A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS649703A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-13 | Nec Corp | Processing method for high-temperature superconducting ceramic material |
| JPH06126469A (ja) * | 1992-10-22 | 1994-05-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 表面加工方法 |
| US6093445A (en) * | 1998-08-12 | 2000-07-25 | Shimane University | Microscopic element manufacturing method and equipment for carrying out the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4579489B2 (ja) | 半導体チップ製造方法及び半導体チップ | |
| US4224101A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices using laser beam cutting | |
| DE4317721C1 (de) | Verfahren zur Vereinzelung von Chips aus einem Wafer | |
| JPS61131462A (ja) | イオン・ビ−ム加工法 | |
| JPS60128622A (ja) | エツチング法 | |
| JPH02191326A (ja) | 結晶材料の微細加工方法 | |
| JP3849272B2 (ja) | 水晶基板のエッチング方法 | |
| JPS57208142A (en) | Method for forming fine pattern | |
| JP2005072174A (ja) | 基板とその表面に積層された積層体から構成された被加工物の分割方法 | |
| DE19840508A1 (de) | Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiter-Bauelementen | |
| JPS5931983B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6366931A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6196733A (ja) | イオン・ビ−ム加工法 | |
| JP3478739B2 (ja) | イオンビーム加工方法およびそれによる被加工物 | |
| JPS6226838A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH11160210A (ja) | 透過型電子顕微鏡用の観察試料とその作製方法 | |
| JPS61198730A (ja) | 半導体装置製造のエツチング方法 | |
| JPH0155574B2 (ja) | ||
| JPH0582502A (ja) | 絶縁膜のエツチング方法 | |
| KR0179020B1 (ko) | 딥 콘택트에서의 금속 배선 한정방법 | |
| JPS63104474A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5811095B2 (ja) | ハンドウタイキバンニスル−ホ−ルオケイセイスルホウホウ | |
| JPH0680858B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP4171122B2 (ja) | 半導体素子のツインウエル形成方法 | |
| JPH1019746A (ja) | 透過電子顕微鏡試料の作製方法 |