JPS61126786A - 金属ピン列の製造方法 - Google Patents
金属ピン列の製造方法Info
- Publication number
- JPS61126786A JPS61126786A JP24811584A JP24811584A JPS61126786A JP S61126786 A JPS61126786 A JP S61126786A JP 24811584 A JP24811584 A JP 24811584A JP 24811584 A JP24811584 A JP 24811584A JP S61126786 A JPS61126786 A JP S61126786A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pin
- manufacturing
- metal
- pins
- array
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、高集積化された超高速電子計算機の基板実装
技術に係り、特に基板間の電圧的結合に用いられるコネ
クタ部における多数の高集積化した微小金属ピン列の製
造方法に関するものである。
技術に係り、特に基板間の電圧的結合に用いられるコネ
クタ部における多数の高集積化した微小金属ピン列の製
造方法に関するものである。
電子計算機の高速・高性能化は、電子集積回路技術の発
達によって近年、益々その進歩を早めている。しかしな
がら、集積回路を搭載した基板間の電気的結合は、着脱
可能なコネクタを用いた機械的な結合によって行う必要
があるため、微小コネクタをいかに実現するかが、計算
機の集積化のための大きなあい路になっている。
達によって近年、益々その進歩を早めている。しかしな
がら、集積回路を搭載した基板間の電気的結合は、着脱
可能なコネクタを用いた機械的な結合によって行う必要
があるため、微小コネクタをいかに実現するかが、計算
機の集積化のための大きなあい路になっている。
これを解決するため、いくつかのマイクロコネフタが提
案されているが、例えば特願昭５８−３２７５３号、特
願昭５８−２４２０２５号などがそれである。いずれの
方式のコネクタにおいても、接続部には極めて多数の金
属ピン列を、高密度かつ高精度に植付けることが要請さ
れる。
案されているが、例えば特願昭５８−３２７５３号、特
願昭５８−２４２０２５号などがそれである。いずれの
方式のコネクタにおいても、接続部には極めて多数の金
属ピン列を、高密度かつ高精度に植付けることが要請さ
れる。
金属ピン列の創造方法としては、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ
。
。
Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ、Ｈｙｂｒｉｄｓ ａｎｄ Ｍａ
ｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｔｓｅｈ。
ｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｔｓｅｈ。
Ｖｏｌ、ＣＨＭＴ −５＆２ （１９８２） におけ
るＬａｈｉｒｉらの論文また特願昭５９−１５１９４号
などにその記載がある。しかし、前者においては高価な
白金材の放電加工を行うことから、白金を大量に失う経
済的損失が大きいこと、また、ピンの数が増大するに従
い放電加工電極の製造が困難になり、大規模化がむずか
しいという欠点がある。また、後者においては、ピンを
一本ずつ植付けるさいのピンの直真度が劣ること、また
バッチ生産ができないことなどの問題がある。
るＬａｈｉｒｉらの論文また特願昭５９−１５１９４号
などにその記載がある。しかし、前者においては高価な
白金材の放電加工を行うことから、白金を大量に失う経
済的損失が大きいこと、また、ピンの数が増大するに従
い放電加工電極の製造が困難になり、大規模化がむずか
しいという欠点がある。また、後者においては、ピンを
一本ずつ植付けるさいのピンの直真度が劣ること、また
バッチ生産ができないことなどの問題がある。
本発明の目的は、限られた面積内に極めて多数の電気的
に独立した金属ピン配列を高精度に、しかもバッチ処理
により一括して形成する手段を提供することにある。
に独立した金属ピン配列を高精度に、しかもバッチ処理
により一括して形成する手段を提供することにある。
本発明では、ピンの配列の雌型となる孔の配列をホトリ
ソグラフィおよびエツチングによって形成し、この孔の
内部に電気化学的手段によって金属を析出させてピン列
を形成し、さらに雌型によってピンの相互の配列位置を
保持した状態で、ピンを所望の基板上に接合することに
より、上記の目的を達成した。
ソグラフィおよびエツチングによって形成し、この孔の
内部に電気化学的手段によって金属を析出させてピン列
を形成し、さらに雌型によってピンの相互の配列位置を
保持した状態で、ピンを所望の基板上に接合することに
より、上記の目的を達成した。
以下に本発明の詳細な説明する。
ここでは形成するピンの配列の寸法例として、ピン間ピ
ッチ０．４５閣、 ピンの高さ０．４ｍ。
ッチ０．４５閣、 ピンの高さ０．４ｍ。
ピンの先端の直径０．０６＋ａｍ、ピンの元の径０．２
閣の場合について説明する。加工プロセスを第１図の（
ａ）〜（ｅ）に、順を追って示した。
閣の場合について説明する。加工プロセスを第１図の（
ａ）〜（ｅ）に、順を追って示した。
ピンの雌型として、ここでは感光性ガラス（例えば保谷
硝子（株）ＰＥＧ−３）を用いる。ピンの配列に相当す
る位置に開口部１を有するマスク２を、感光性ガラス３
に密着′した後、紫外線４を露光して、ガラス内部に潜
像５を形成する（第１図（ａ））、本実施例では、−ピ
ンの径がテーパ状であるので、紫外線の露光時にその入
射角度を変化させることによってテーパ状の潜像を形成
する。
硝子（株）ＰＥＧ−３）を用いる。ピンの配列に相当す
る位置に開口部１を有するマスク２を、感光性ガラス３
に密着′した後、紫外線４を露光して、ガラス内部に潜
像５を形成する（第１図（ａ））、本実施例では、−ピ
ンの径がテーパ状であるので、紫外線の露光時にその入
射角度を変化させることによってテーパ状の潜像を形成
する。
ピンの配列の精度は、この工程で用いるマスクの開口の
配列精度に依存するが、ホトリソグラフィの手法で形成
したマスクは、極めて多数の開口を高い配列精度で作る
ことができるので１本発明の目的を十分に達成すること
ができる。
配列精度に依存するが、ホトリソグラフィの手法で形成
したマスクは、極めて多数の開口を高い配列精度で作る
ことができるので１本発明の目的を十分に達成すること
ができる。
第２の工程として、フッ酸水溶液によって、上記感光ガ
ラスの潜像部分を溶解して孔６を形成する（第１図（ｂ
） ）、電鋳によってこの孔の内部にピンを形成するに
先立ち、ガラスの表面に電極となる金属［Ｉ！７を蒸着
する（第１図（Ｃ））。ここでは、電鋳によって形成す
るピンの材・料として銅を選んだので、雌型とピンとの
離型性を考慮して、電極材にはＮｉを用いるが、ピンの
材料との関係において、他の導電性材料に置換える可能
性があることは自明である。
ラスの潜像部分を溶解して孔６を形成する（第１図（ｂ
） ）、電鋳によってこの孔の内部にピンを形成するに
先立ち、ガラスの表面に電極となる金属［Ｉ！７を蒸着
する（第１図（Ｃ））。ここでは、電鋳によって形成す
るピンの材・料として銅を選んだので、雌型とピンとの
離型性を考慮して、電極材にはＮｉを用いるが、ピンの
材料との関係において、他の導電性材料に置換える可能
性があることは自明である。
次いで、上記の電極を負極として電解液中で電鋳を行い
、孔の内部にピン８を析出させる（第１図（ｄ））。鋼
の電鋳においては１例えば、電解液として硫酸鋼および
硫酸の水溶液、また、陽極として含リン鋼の組合せが用
いられる。ピン材料として、例えば、白金、クロム等の
他の金属を用いる場合には、１それぞれの電鋳に用いら
れる電解液、および陽極材料の組合せを選ぶことが容易
に可能である。
、孔の内部にピン８を析出させる（第１図（ｄ））。鋼
の電鋳においては１例えば、電解液として硫酸鋼および
硫酸の水溶液、また、陽極として含リン鋼の組合せが用
いられる。ピン材料として、例えば、白金、クロム等の
他の金属を用いる場合には、１それぞれの電鋳に用いら
れる電解液、および陽極材料の組合せを選ぶことが容易
に可能である。
次いで、ピンを植付ける配線基板９上に、ピンをろう接
する（第１図（ｅ））。配線基板上には。
する（第１図（ｅ））。配線基板上には。
予め、ピンの配列に合致した金属膜のパッドが形成され
ている。ピンと基板上のパッドとの位置合せを行うさい
には、ピンの配列精度を依存するため、雌型はピン材と
組合せたまま作業が行われる。
ている。ピンと基板上のパッドとの位置合せを行うさい
には、ピンの配列精度を依存するため、雌型はピン材と
組合せたまま作業が行われる。
ろう接１０によってピンがパッド上に固定された後、雌
型を離型して、ピン配列の形成を終える（第１図（８）
）。
型を離型して、ピン配列の形成を終える（第１図（８）
）。
本実施例において、ピンの形状はテーパ状であるが、こ
れは、雌型からの離型のさいに有利である、コネクタの
方式上、Ｉｌ型できない断面形状のピンを形成する必要
がある場合は、電鋳の雌型を溶解して除去することも可
能である。この場合には、感光性ガラスを穿孔した後、
残った部分の安定化処理を施さず、ピン配列を形成した
後、再び雌型全体を紫外線に露光して、酸で溶解除去す
れば良い。
れは、雌型からの離型のさいに有利である、コネクタの
方式上、Ｉｌ型できない断面形状のピンを形成する必要
がある場合は、電鋳の雌型を溶解して除去することも可
能である。この場合には、感光性ガラスを穿孔した後、
残った部分の安定化処理を施さず、ピン配列を形成した
後、再び雌型全体を紫外線に露光して、酸で溶解除去す
れば良い。
また、本実施例では、雌型の材料として、感光性ガラス
を用いたが、例えば高分子材料に置き換えても、同様の
思想でピン列を形成することが可能である。すなわち、
高分子材料の表面に耐エツチング性のあるマスキング層
を形成し、第１図（ａ）と同様にホトリソグラフィの手
法でマスキング材に開口を形成する１次いで、高分子材
料を開口側からエツチングして孔の配列を形成する。
を用いたが、例えば高分子材料に置き換えても、同様の
思想でピン列を形成することが可能である。すなわち、
高分子材料の表面に耐エツチング性のあるマスキング層
を形成し、第１図（ａ）と同様にホトリソグラフィの手
法でマスキング材に開口を形成する１次いで、高分子材
料を開口側からエツチングして孔の配列を形成する。
この後は、前記の実施例と同様にして、ピンの配列を形
成することができる。
成することができる。
いずれの実施例においても共通する本発明の思想は、以
下の３点に要約される。
下の３点に要約される。
（１）リソグラフィの手法によって、電鋳の雌型となる
多数の孔配列を持つ板を形成する。
多数の孔配列を持つ板を形成する。
（２）電鋳により、ピンを形成する。
（３）雌型で得たピンの配列位置を保持して、ピンと基
板上のパッド間の接合を行う、 −〔発明の効果〕 以上に述べた本発明の効果をまとめると、以下のように
なる。
板上のパッド間の接合を行う、 −〔発明の効果〕 以上に述べた本発明の効果をまとめると、以下のように
なる。
（１）ピンの配列をホトリソグラフィの手法によって精
度良く形成できる。
度良く形成できる。
（２）一括して多数のピンを形成できるので、バッチ生
産が可能である。このため、相互にばらつきの少ないピ
ン配列を経済的に生産することが可能である。
産が可能である。このため、相互にばらつきの少ないピ
ン配列を経済的に生産することが可能である。
（３）ピン材が白金のよ□うに高価なものであっても、
電鋳で必要な場所にのみ析出させることができるので、
放電加工方式のような材料の損失を最小限に抑制できる
。
電鋳で必要な場所にのみ析出させることができるので、
放電加工方式のような材料の損失を最小限に抑制できる
。
第１図は本発明の加工プロセスの断面図であり。
（ａ）はホトマスクと密着した感光性ガラスの断面図、
（ｂ）はエツチングで穿孔した孔の断面図、（ｃ）は電
極金属を蒸着した雌型の断面図、（ｄ）は電鋳によって
ピンが析出した状態を示す断面図、（ｅ）は基板のパッ
ド上にピン列を形成しき状態を示す断面図である。 ２・・・ホトマスク、３・・・感光性ガラス、８・・・
ピン、寥１回 手 続 補 正 書 （方式）事件の表示 昭和５９年 特 許 願 第２４８１１５ 号発
明の名称 金属ピン列の製造方法 補正をする者 事件゛との関係 特 許 出 願 人名称（ＳｔＯ
） 株式会社 日 立 製 作 所代 理
人 居所〒１００ 東京都千代田区丸の内−丁目５番
１号株式会社 日 立 製 作 所 内 電 話 東 京２１２−１１１１（大代表）補正命令
の日付 昭和６０年３月２６日補正の内容 ｌ２本願明細書第３頁第６行目から同第８行目までを、
［金属ピン列の製造方法としては、アイイイイ トラン
ザクションズ オン コンポーネンツ、ハイブリッズ、
アンド マニュファクチュアリング テクノロジー、ボ
リューム シー二イチェムテー５．ナンバーツー、６月
、１９８２（夏 Ｅ Ｅ Ｅ Ｔｒａｎｓａｃ
ｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｅｓ。 Ｈｙｂｒｉｄｓ、 ａｎｄ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎ
ｇ Ｔｅｃｈｎｏｌ存。 Ｖｏｌ、 ＣＨＭＴ−５，Ｎｏ、２． Ｊｕｎｅ １９
８２）におけるラヒリ（Ｌ ａｈｉｒｉ）らの」に訂正
する。
（ｂ）はエツチングで穿孔した孔の断面図、（ｃ）は電
極金属を蒸着した雌型の断面図、（ｄ）は電鋳によって
ピンが析出した状態を示す断面図、（ｅ）は基板のパッ
ド上にピン列を形成しき状態を示す断面図である。 ２・・・ホトマスク、３・・・感光性ガラス、８・・・
ピン、寥１回 手 続 補 正 書 （方式）事件の表示 昭和５９年 特 許 願 第２４８１１５ 号発
明の名称 金属ピン列の製造方法 補正をする者 事件゛との関係 特 許 出 願 人名称（ＳｔＯ
） 株式会社 日 立 製 作 所代 理
人 居所〒１００ 東京都千代田区丸の内−丁目５番
１号株式会社 日 立 製 作 所 内 電 話 東 京２１２−１１１１（大代表）補正命令
の日付 昭和６０年３月２６日補正の内容 ｌ２本願明細書第３頁第６行目から同第８行目までを、
［金属ピン列の製造方法としては、アイイイイ トラン
ザクションズ オン コンポーネンツ、ハイブリッズ、
アンド マニュファクチュアリング テクノロジー、ボ
リューム シー二イチェムテー５．ナンバーツー、６月
、１９８２（夏 Ｅ Ｅ Ｅ Ｔｒａｎｓａｃ
ｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｅｓ。 Ｈｙｂｒｉｄｓ、 ａｎｄ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎ
ｇ Ｔｅｃｈｎｏｌ存。 Ｖｏｌ、 ＣＨＭＴ−５，Ｎｏ、２． Ｊｕｎｅ １９
８２）におけるラヒリ（Ｌ ａｈｉｒｉ）らの」に訂正
する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電子回路を搭載した複数部材の間の電気的結合を行
うコネクタの製造にさいし、少なくとも一方の部材に多
数のピン状突起列を形成する工程において、ピン列の雌
型の内部に電気化学的方法により金属を祈出させる工程
を有することを特徴とする金属ピン列の製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の方法において、ピン列
の雌型として感光性材料を使用することを特徴とする金
属ピン列の製造方法。 ３、特許請求の範囲第１項記載の方法において、ピン列
に相当する雌型の孔の少なくとも一部分がテーパ状であ
ることを特徴とする金属ピン列の製造方法。 ４、特許請求の範囲第１項記載の方法において、金属を
析出せしめる陰極側電極材料を雌型の少なくとも一面に
形成することを特徴とする金属ピン列の製造方法。 ５、特許請求の範囲第１項記載の方法において、ピン列
の雌型として、高分子材料を使用し、リソグラフイおよ
びエツチングの手法によつて孔列を形成することを特徴
とする金属ピン列の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24811584A JPS61126786A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 金属ピン列の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24811584A JPS61126786A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 金属ピン列の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61126786A true JPS61126786A (ja) | 1986-06-14 |
Family
ID=17173446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24811584A Pending JPS61126786A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 金属ピン列の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61126786A (ja) |
-
1984
- 1984-11-26 JP JP24811584A patent/JPS61126786A/ja active Pending
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