CN113777880A - Micro LED器件及其制备方法 - Google Patents

Micro LED器件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113777880A
CN113777880A CN202111068902.5A CN202111068902A CN113777880A CN 113777880 A CN113777880 A CN 113777880A CN 202111068902 A CN202111068902 A CN 202111068902A CN 113777880 A CN113777880 A CN 113777880A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist layer
led device
micro led
opening
convex part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111068902.5A
Other languages
English (en)
Inventor
吴万春
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Original Assignee
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd filed Critical TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority to CN202111068902.5A priority Critical patent/CN113777880A/zh
Priority to PCT/CN2021/118960 priority patent/WO2023035305A1/zh
Publication of CN113777880A publication Critical patent/CN113777880A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本申请公开了一种Micro LED器件及其制备方法,制备方法包括如下步骤:提供一压印模具;涂布光阻溶液光于一基板的侧面,形成未固化的液态光阻层;将所述压印模具的第一凸部压合至所述液态光阻层上;对所述液态光阻层进行固化处理,形成固态光阻层;将所述压印模具从所述固态光阻层上移除,得到图案化的固态光阻层;其中,所述固态光阻层包括若干个阵列排布的第二凸部以及开口;形成金属层于所述第二凸部上表面及所述开口内;以及剥离所述第二凸部及设于所述第二凸部上表面的金属层,剩余的金属层为金属线路。采用压印的方式在基板的侧面形成金属线路,以免去了激光雕刻的复杂工艺,从而缩短工艺时间,以加快生产速度。

Description

Micro LED器件及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种Micro LED器件及其制备方法。
背景技术
Micro LED(Micro Light Emitting Diode、微型发光二极管),是指尺寸小于100μm的LED,由Micro-LED组成的高密度显示器件具有高亮度、高对比度和高分辨率等优点,已经成为显示领域的焦点之一。
在目前常用的Micro LED器件中,Micro LED器件线路的制程一般先进行正面激光雕刻,以形成正面线路;然后再进行侧面激光雕刻,以形成侧面线路。具体的,在形成正面线路或者侧面线路的过程中,先在基板表面涂布银浆,再通过激光固化银浆,最后对固化的银浆进行激光雕刻,以形成正面线路或者侧面线路。
因此,Micro LED器件需要经过两次的激光雕刻才能完成正面线路和侧面线路的制作。然而,由于激光雕刻的方式较复杂,以致于工艺时间(tact time)较长。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种Micro LED器件及其制备方法,以解决现有MicroLED器件侧面线路激光雕刻的方式较复杂,导致工艺时间较长的技术问题。
为实现上述目的,本发明提供一种Micro LED器件的制备方法,包括如下步骤:提供一压印模具,所述压印模具的一侧表面具有若干个阵列排布的第一凸部;涂布光阻溶液光于一基板的侧面,形成未固化的液态光阻层;将所述压印模具的第一凸部压合至所述液态光阻层上;对所述液态光阻层进行固化处理,形成固态光阻层;将所述压印模具从所述固态光阻层上移除,得到图案化的固态光阻层;其中,所述固态光阻层包括若干个阵列排布的第二凸部以及开口;形成金属层于所述第二凸部上表面及所述开口内;以及剥离所述第二凸部及设于所述第二凸部上表面的金属层,剩余的金属层为金属线路。
进一步的,在紫外光的条件下,对所述液态光阻层进行固化处理60-100s,形成所述固态光阻层。
进一步的,在所述将所述压印模具从所述光阻层上移除的步骤中,在同一水平方向上,将所述压印模具沿着所述基板的侧面从所述固态光阻层上移除,得到图案化的所述固态光阻层。
进一步的,在所述形成金属层于所述第二凸部上表面及所述开口内的步骤中,采用物理气相沉积方法沉积金属材料于所述第二凸部上表面及所述开口内,形成所述金属层。
进一步的,所述第一凸部为等腰梯形,且所述第一凸部的形状与所述开口的形状相匹配。
进一步的,所述开口的顶部宽度小于所述开口的底部宽度。
进一步的,所述开口的顶部宽度为30-50um,底部宽度为40-60um。
进一步的,所述金属层的材质为钼、钛、铜以及银中的一种或者多种。
进一步的,所述金属线路包括若干走线,所述走线的宽度为40-60um,厚度为
Figure BDA0003259711200000021
为实现上述目的,本发明还提供一种Micro LED器件,包括:基板,其表面定义有一绑定区,该绑定区内设有若干间隔设置的端子;以及金属线路,形成于所述基板的侧面,所述金属线路包括若干走线,所述走线连接至所述端子。
本发明的技术效果在于,提供一种Micro LED器件及其制备方法,采用压印的方式在基板的侧面形成金属线路,以免去了激光雕刻的复杂工艺,从而缩短工艺时间,以加快生产速度。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的Micro LED器件的制备方法的流程图;
图2为本申请实施例提供的压印模具的结构示意图;
图3为本申请实施例提供的液态光阻层形成于基板的侧面的立体图;
图4为本申请实施例提供的液态光阻层形成于基板的侧面的侧视图;
图5为本申请实施例提供的压印模具压印至液态光阻层的结构示意图;
图6为本申请实施例提供的压印模具从固态光阻层上移除的结构示意图;
图7为本申请实施例提供的形成金属层于第二凸部上表面及开口内的结构示意图;
图8为本申请实施例提供的第二凸部被剥离后的结构示意图;
图9为本申请实施例提供的金属线路形成于基板的侧面的结构示意图。
附图部件标识如下:
100、压印模具; 101、底板;
102、第一凸部; 103、凹槽;
201、基板; 201a、显示区;
201b、绑定区; 202a、液态光阻层;
202b、固态光阻层; 301、第二凸部;
302、开口; 303a、金属层;
303b、金属线路; 10、端子;
20、走线。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。在本申请的描述中,需要理解的是,此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
如图1至图9所示,本实施例提供一种Micro LED器件的制备方法,包括如下步骤S1)-S7)。
S1)提供一压印模具100,所述压印模具100的一侧表面具有若干个阵列排布的第一凸部102。
如图2所示,压印模具100包括一底板101,该底板101的上表面上设有若干个阵列排布的第一凸部102。第一凸部102为等腰梯形,其下底(远离底板101端的顶部宽度的一侧)的长度为40-60um,上底(邻接底板101端的底部宽度的一侧)的长度为30-50um。其中,相邻的两个第一凸部102与底板101形成一凹槽103。
S2)涂布光阻溶液光于一基板的侧面,形成未固化的液态光阻层202a。
如图3和图4所示,基板201的表面定义有显示区201a和绑定区201b,该绑定区201b内设有若干间隔设置的端子10,该端子10与位于显示区201a内的信号走线同步形成,即该端子10的制备工艺与位于显示区201a内的信号走线的制备工艺例相同。端子10与位于显示区201a内的信号走线的制备方式可以为激光镭射、气相沉积等,在此不做特别的限定。
本实施例中,在基板201靠近绑定区201b的一个侧面涂布光阻溶液,形成未固化的液态光阻层202a。
S3)将所述压印模具的第一凸部102压合至所述液态光阻层202a上。
如图5所示,垂直移动压印模具100,使得压印模具100的第一凸部102压合在液态光阻层202a上。
S4)对所述液态光阻层202a进行固化处理,形成固态光阻层202b。
具体的,在紫外光的条件下,对液态光阻层202a进行固化处理60-100s,形成固态光阻层202b。
S5)将所述压印模具从所述固态光阻层202b上移除,得到图案化的固态光阻层202b;其中,所述固态光阻层202b包括若干个阵列排布的第二凸部301以及开口302。
如图6所示,在同一水平方向上,将压印模具100沿着基板201的侧面从固态光阻层202b上移除,得到图案化的固态光阻层202b。第二凸部301的形状为等腰梯形,开口302的大小与第一凸部102的大小相同,以确保压印模具100的第一凸部102完全压印至液态光阻层202a,使得后续成型的固态光阻层202b也具有与第一凸部102的形状相同的图案(开口302)。本实施例中,开口302的顶部宽度小于开口302的底部宽度,开口302的顶部宽度为30-50um,底部宽度为40-60um,意即开口302具有过切(Undercut)结构。
S6)形成金属层于所述第二凸部301上表面及所述开口302内。
如图7所示,采用物理气相沉积方法沉积金属材料于第二凸部301上表面及开口302内,形成金属层303a。金属层303a的材质为钼、钛、铜以及银中的一种或者多种。在沉积的过程中,由于金属材料从开口302的顶部沉积至开口302的底部,即沉积至基板201的表面,因此后续位于开口302内的金属层303a的宽度为开口302的顶部宽度。
S7)剥离所述第二凸部301及设于所述第二凸部301上表面的金属层,剩余的金属层为金属线路。
如图8所示,由于位于开口302内的金属层303a的宽度为开口302的顶部宽度,故而在同一水平线上,金属层303a的一端与其相邻的第二凸部301侧边的间距为8-12um左右,优选为10um,这样可以保证设于第二凸部301上表面的金属层303a不会与位于开口302内的金属层303a连接在一起。因此,剥离第二凸部301的过程中,设于第二凸部301上表面的金属层303a连同第二凸部301一起剥离,位于开口302内的金属层303a不会因第二凸部301的剥离而剥离或者发生翘起的现象。本实施例中,剩余的金属层303a(即位于开口302内的金属层303a形成金属线路303b)设于基板201的侧面,该金属线路303b包括若干走线20,所述走线20的宽度为40-60um,所述走线20的厚度为
Figure BDA0003259711200000051
(埃米)。
如图9所示,金属线路303b的走线20连接至绑定区201b内的端子10,从而实现显示面板面内走线与面外走线的信号连接。
本实施例提供一种Micro LED器件的制备方法,采用压印的方式在基板的侧面形成金属线路,以免去了Micro LED器件侧面的激光雕刻的复杂工艺,从而缩短工艺时间,以加快生产速度。
结合图9所示,本实施例还提供一种Micro LED器件,其为根据前文所述的方法制备而成的Micro LED器件,具体包括基板201及金属线路303b。
具体的,基板201的表面定义有一绑定区201b,该绑定区201b内设有若干间隔设置的端子10。金属线路303b形成于基板201的侧面,金属线路303b包括若干走线20,走线20连接至端子10。
本实施例提供一种Micro LED器件及其制备方法,采用压印的方式在基板的侧面形成金属线路,以免去了激光雕刻的复杂工艺,从而缩短工艺时间,以加快生产速度。
以上对本申请实施例所提供的一种Micro LED器件及其制备方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种Micro LED器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一压印模具,所述压印模具的一侧表面具有若干个阵列排布的第一凸部;
涂布光阻溶液光于一基板的侧面,形成未固化的液态光阻层;
将所述压印模具的第一凸部压合至所述液态光阻层上;
对所述液态光阻层进行固化处理,形成固态光阻层;
将所述压印模具从所述固态光阻层上移除,得到图案化的固态光阻层;其中,所述固态光阻层包括若干个阵列排布的第二凸部以及开口;
形成金属层于所述第二凸部上表面及所述开口内;以及
剥离所述第二凸部及设于所述第二凸部上表面的金属层,剩余的金属层为金属线路。
2.根据权利要求1所述的Micro LED器件的制备方法,其特征在于,
在紫外光的条件下,对所述液态光阻层进行固化处理60-100s,形成所述固态光阻层。
3.根据权利要求1所述的Micro LED器件的制备方法,其特征在于,
在所述将所述压印模具从所述光阻层上移除的步骤中,
在同一水平方向上,将所述压印模具沿着所述基板的侧面从所述固态光阻层上移除,得到图案化的所述固态光阻层。
4.根据权利要求1所述的Micro LED器件的制备方法,其特征在于,
在所述形成金属层于所述第二凸部上表面及所述开口内的步骤中,
采用物理气相沉积方法沉积金属材料于所述第二凸部上表面及所述开口内,形成所述金属层。
5.根据权利要求1所述的Micro LED器件的制备方法,其特征在于,
所述第一凸部为等腰梯形,且所述第一凸部的形状与所述开口的形状相匹配。
6.根据权利要求5所述的Micro LED器件的制备方法,其特征在于,
所述开口的顶部宽度小于所述开口的底部宽度。
7.根据权利要求6所述的Micro LED器件的制备方法,其特征在于,
所述开口的顶部宽度为30-50um,底部宽度为40-60um。
8.根据权利要求1所述的Micro LED器件的制备方法,其特征在于,
所述金属层的材质为钼、钛、铜以及银中的一种或者多种。
9.根据权利要求1所述的Micro LED器件的制备方法,其特征在于,
所述金属线路包括若干走线,所述走线的宽度为40-60um,所述走线的厚度为
Figure FDA0003259711190000021
10.一种Micro LED器件,其特征在于,包括:
基板,其表面定义有一绑定区,该绑定区内设有若干间隔设置的端子;以及
金属线路,形成于所述基板的侧面,所述金属线路包括若干走线,所述走线连接至所述端子。
CN202111068902.5A 2021-09-13 2021-09-13 Micro LED器件及其制备方法 Pending CN113777880A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111068902.5A CN113777880A (zh) 2021-09-13 2021-09-13 Micro LED器件及其制备方法
PCT/CN2021/118960 WO2023035305A1 (zh) 2021-09-13 2021-09-17 Micro LED器件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111068902.5A CN113777880A (zh) 2021-09-13 2021-09-13 Micro LED器件及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113777880A true CN113777880A (zh) 2021-12-10

Family

ID=78843095

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111068902.5A Pending CN113777880A (zh) 2021-09-13 2021-09-13 Micro LED器件及其制备方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN113777880A (zh)
WO (1) WO2023035305A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114698253A (zh) * 2022-03-29 2022-07-01 Tcl华星光电技术有限公司 一种基板侧面导线的制备方法及显示装置
CN116110847A (zh) * 2023-03-17 2023-05-12 东莞链芯半导体科技有限公司 用于3d电子器件的印刷电路制造方法及电子元器件

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200823968A (en) * 2006-09-19 2008-06-01 Molecular Imprints Inc Etch-enhanced technique for lift-off patterning
CN111613632A (zh) * 2020-05-22 2020-09-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001168096A (ja) * 1999-12-07 2001-06-22 Hitachi Cable Ltd 配線パターン形成方法
CN104797086A (zh) * 2014-01-17 2015-07-22 冠捷投资有限公司 于基材上形成线路图形的方法
CN110911393B (zh) * 2019-11-29 2022-05-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示驱动板及其制备方法和显示装置
CN113193157A (zh) * 2021-04-26 2021-07-30 睿馨(珠海)投资发展有限公司 一种纳米压印制备硅基oled微型显示器的方法
CN113380779A (zh) * 2021-06-08 2021-09-10 京东方科技集团股份有限公司 驱动基板、发光装置及其制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200823968A (en) * 2006-09-19 2008-06-01 Molecular Imprints Inc Etch-enhanced technique for lift-off patterning
CN111613632A (zh) * 2020-05-22 2020-09-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114698253A (zh) * 2022-03-29 2022-07-01 Tcl华星光电技术有限公司 一种基板侧面导线的制备方法及显示装置
CN114698253B (zh) * 2022-03-29 2024-03-19 Tcl华星光电技术有限公司 一种基板侧面导线的制备方法及显示装置
CN116110847A (zh) * 2023-03-17 2023-05-12 东莞链芯半导体科技有限公司 用于3d电子器件的印刷电路制造方法及电子元器件

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023035305A1 (zh) 2023-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7895742B2 (en) Method for manufacturing tape wiring board
CN113777880A (zh) Micro LED器件及其制备方法
CN204792778U (zh) 半导体衬底结构及半导体封装
JPS6053462B2 (ja) 半導体装置用ギヤングボンデイング接続テープおよびその製造方法
CN103681565A (zh) 具有柱体的半导体封装基板及其相关方法
CN102648670B (zh) 印刷电路板及其制造方法
JPH08264749A (ja) 凹部を含んだ基体上に導電通路を形成する方法
US20150302987A1 (en) Production method for coil element, coil element assembly, and coil component
KR20050065289A (ko) 동축 배선 구조를 갖는 반도체 다층 배선 기판과 그 제조방법
CN113766727B (zh) 柔性电路板及其制作方法
GB2266410A (en) Circuit parts including conductor patterns on moulded bases
JP2001347529A (ja) 配線基板製造用スタンパ及びスタンパの製造方法
JP2003068555A (ja) 電子部品の導体パターン形成方法及びコモンモードチョークコイル
JP2005161667A (ja) 微細金型の製造方法
JP4703065B2 (ja) 光導波路回路の製造方法
CN104703408B (zh) 高密度覆铜线路板的制备方法
KR20210053596A (ko) 함몰형 신축전극 및 그 제조방법
CN104821280A (zh) 高密度铜蚀刻线路板的制备方法
JP2002217248A (ja) パターン形成用転写版及びそれを用いた半導体装置用基板の製造方法
JP2006165198A (ja) 三次元成形回路部品の製造方法およびこれにより製造された三次元成形回路部品
TWI691244B (zh) 線路板結構
KR100491110B1 (ko) 반도체 장치 제조용 스텐실의 제조 방법
JPH0317294A (ja) 回路基板用樹脂成形金型を使用した基板の製造方法
CN108650794B (zh) 一种线路板的制备方法
KR100275372B1 (ko) 회로기판 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20211210