JPS61124179A

JPS61124179A - ソ−ラ−・アレ−とその製法

Info

Publication number: JPS61124179A
Application number: JP60195698A
Authority: JP
Inventors: ジユレス　デイー．レビン; ミラード　ジエイ．ジエンセン; ロナルド　イー．ヘネイ
Original assignee: Texas Instruments Inc
Current assignee: Texas Instruments Inc
Priority date: 1984-09-04
Filing date: 1985-09-04
Publication date: 1986-06-11
Anticipated expiration: 2010-06-07
Also published as: CN1042275A; CN1012777B; IN164227B; JPH0613633A; JPH0642561B2; JPH0754855B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】Ｌｌ」二悲泗」ＬＬ団この発明は金属箔マトリクス内に配置されたシリコンの
球から、露光した時に発電する太陽電池（ソーラー・セ
ル）を作る方法に関する。

、　の　　　び問題点太陽光線を他の形の有用なエネルギに変換することによ
ってエネルギを発生する装置はよく知られており、太陽
が主なエネルギ源であるという経済性の為、こういう装
置は絶えず開発され且つ改良されている。この様な１つ
の装置が米国特許第４．０２１．３２３号に記載されて
おり、この米国特許では、硝子又はプラスチックの様な
透明なマトリクスで構成されたソーラー・アレーに、そ
の片側にＮ形表皮部を持つＰ形のシリコン、又はその片
側にＰ形表皮部を持つＮ形シリコンの粒子をマトリクス
内に埋込んで設けたソーラー・アレーが記載されそいる
。大体半分の粒子がＮ形表皮部を持つＰ形であり、残り
がＰ形表皮部を持つＮ形であることが好ましいが、この
構成を変えることが出来る。マトリクスの裏側では、そ
れから突−〇　− 出する粒子が適当な導電メタライズ部分によって相互接
続される。シリコン粒子の表皮部がマトリクスの前側か
ら伸出す。こういうアレーは、マトリクスの前側と接触
する電解質、好ましくは臭化水素酸（ＨＢｒ）内に浸漬
する。電解質と接触する異なる導電型のシリコン粒子の
間の電位差の為、）−ＩＢｒを泡立つ水素ガスと溶解し
たままになっている臭素とに電気分解する太陽光の下で
、その間に電位差が設定される。水素ガスを収集し、例
えば燃料電池等の様なエネルギ源とするが、これは周知
である。

こういう形式のソーラー・アレーでは、シリコン粒子が
電気分解に独立に参加する。その結果、アレーによって
反応生成物が発生される速度は、若干の粒子のＰ−Ｎ接
合が短絡し又は分路されても、あまり影響を受けない。

太陽光線から有用なエネルギを発生する別の装置は、上
に述べた種類と同様であるが、電気分解を行なわずに、
電力を発生する様に構成されている。この様な１つの装
置が米国特許第２．９０４．６１３号に記載されている。その他の構
成も可能であるが、役に豆つ実施例は、硝子又はプラス
チックの様な透明マトリクスにＰ形表皮部を持つＮ形シ
リコンの粒子を設けて構成される。粒子のＮ形のコアが
マトリクスの裏側から突出し、適当な導電メタライズ部
分によって相互接続される。Ｐ形表皮部がマトリクスの
前側から突出し、細い金属格子の上の酸化錫の様な導電
性で透光性の材料によって相互接続される。太陽光の下
では、このアレーの後側及び前側の相互接続部の間に電
位差が設定され、それを適当に接続して、外部の電気負
荷に直接的に給電することが出来る。

この技術の改良が米国特許出願第５６２．７８２号に記載されている。この出願には、
前に述べた発明の改良が記載されている。

然し、現状では、上に述べた従来の方法に従って、ソー
ラニ・セルを製造するコストはあまり経済性がなく、こ
の従来の方式はこれまで経済的に大きな成功を収めてい
ない。従って、経済的に成り立ち得るソーラー・セルを
供給する為には、こういうアレーを比較的高価ではなく
製造出来ることが絶対条件である。

問題点を解決するための手段及び作用この発明では、上に述べた従来の問題を大幅に削減し、
前に引用した従来技術と較べて、ソーラー・アレーを経
済的に製造することが出来る様なソーラー・アレーの製
法を提供する。

簡単に言うと、この発明では、その表面に自然の酸化ア
ルミニウムを持つと考えられる様な標準型の可撓性アル
ミニウム箔の第１のシートを設けて、ソーラー・アレー
を形成する。シリコンの球を配置すべき場所で箔を打出
して、金属マトリクスを形成する。その後、箔をきれい
にして有機物を除き、打出しを行なった薄い区域を除去
してそこに開口を作る為にエツチングをし、シリコン球
を挿入する為の場所を作る。別のエツチング工程を用イ
テ、箔ニマット面（ｍａｔｔｅ　５ｕｒｆａｃｅ　）を
作る。箔が、それに適用すべき球に対するハウジングを
形成すると共にその前側接点を形成する。Ｐ形の上にＮ
形表皮部を持つシリコンの球を箔の表側にデポジットし
、箔の裏側に真空チャックを設けて、球を前駅って形成
した開口に吸込み、その中に途中まで入れて、空気がこ
の開口を通過することを遮断する。最初は開口の数に較
べて過剰の数の球を使うので、最終的には全ての開口が
球で埋められ、その後便われなかった球は、箔の後面を
ブラッシング等することによって除去される。

次にシリコンの球をインパクト・プレスを使うことによ
ってアルミニウム箔に結合する。このプレスが球を開口
の中に押込み、球の赤道が箔より上方にあって、箔の表
側（太陽又は光の方を向いた側）に来る様にする。強い
力で球を開口の中にこの様に押込むことにより、シリコ
ンの球と接触した表面のアルミニウムが裂け、その場所
で新鮮なアルミニウムが露出する。アルミニウムに対す
るシリコンの球の移動によって生ずる剪断により、表面
の酸化アルミニウムも削り落されて、この様な露出した
新鮮なアルミニウムが得られる。この作用は、アルミニ
ウム箔、特に露出したアルミニラムと接触する球の部分
から、酸化シリコンの実質上全部を除去する。この作用
は、約５００℃乃至５７７℃未満の範囲内の温度にアル
ミニウムをおいて行なわれ、この時、アルミニウムは固
体であるが変形し易くなり、これに対してシリコンはこ
の温度では依然として剛体である。（インパクトの持続
時間が十分短かければ、５７７℃より高い温度にするこ
とも出来る。）新鮮なアルミニウムが２酸化シリコンを
浸食し、インパクトの際、インパクトを加えた場所で実
質的にそれを除去する。この様にして、シリコンとアル
ミニウムの間の結合が得られ、シリコンのＮ形表皮層に
対するアルミニウム接点が形成される。この後、箔と球
から成るアレーを周囲温度まで冷却して、箔が再び硬化
するのに任せる。

次に、球が露出している箔の裏側をエッチして、そこに
あるＮ形表皮部を除去する。これは、アルミニウム箔が
シリコン・エッチャントに対するマスクとして作用する
からである。箔自体は、普通はその上にごく薄い自然の
酸化物コーティングが形成されている為に、あまり反応
性はない。次に、７Ｌ／　−ヲ１ｌｆｔハス（ｂａｔｈ
）　　（約１０％Ｈ２Ｓ０４）内に約１／２分間入れて
アレーを陽極酸化し、アルミニウムの上に酸化物コーテ
ィングを設ける。

次に、アルミニウムを密封してシリコンを陽極酸化する
為に、０．５％ＨＰＯ４を含む別の陽極酸化バスを用い
る。この様にして約１０μｍのＡｌ２Ｏ３及び０．１μ
？ＦＬのＳｉＯ２が成長する。

次に球の棲面をラップして、それと接触させる為の面を
設ける。ラップ過程により、この面が粗面化され、この
為良好なオーミック接点が形成されるようになる。次に
、薄いアルミニウムの第２の箔をラップした面に適用し
、５００℃乃至５７７℃未満の範囲内の湿度まで予熱し
た後、箔をラップした領域にインパクト・プレスして、
この領域に対する接点を形成する。

リール形実施例でアレーを形成する場合、第２の箔を球
に結合する前に、隣接するアレーの間の場所で、表皮部
を２つの箔の間に配置する。この実施例では、第２の箔
を球に結合する際、上側及び下側の箔を表皮部に押付け
るが、それと結合はしない。その後、アレーの両側で、
表皮部の上で箔を適当にけがき、アレーの両側で、各々
の箔に対する箔延長部を設ける。次にこの箔延長部を直
列回路に互いに接続して、拡大回路を形成することが出
来る。

上に述べた様な表皮部を持つアレーをけがき、互いに分
離し、面取りして、長方形のアレーの片側だけが接点の
形で外向きに伸びる第２の箔部分を持つ様にすることが
出来る。こういう接点を他のアレーの第１の箔部分に任
意の幾何学的な形で接続して、入力及び出力を持つモジ
ュールを作る。

その結果、各々のシリコンの球のおもな部分がアレーの
前側に配置されて太陽光線を受取る為に利用し得る表面
の大きさを大きくしたソーラー・セルが得られる。更に
、当然ながら、このアレーは可撓性であり、アルミニウ
ム箔に光反射器を持っており、比較的少数の高価ではな
い材料及び処理工程を用いて提供される。

実施例第１図及び第２図には、この発明に従ってソーラー・ア
レーを形成する為の、この発明の特徴を利用した処理工
程が略図で示されている。最初、厚さ約２ミルのアルミ
ニウム箔１を用意する。この箔は可撓性であって、環境
に対して普通に露出している為に、その表面にごく薄い
自然の酸化物層を持っているのが普通である。以下の説
明はソーラー・アレーの１個の部材に関するものである
が、前に説明した従来技術から判る様に、アレー全体に
は多数のアレ一部材があることを承知されたい。

最初にアルミニウム箔１を（２）に示す様に周期的な６
角形の配置で、例えば中心間１６ミルで打出し、厚さが
薄くなった打出し部３は、その中に配置しようとする球
の直径より若干小さい直径にする。打出し部は円形又は
６角形の様なその他の幾何学的な形であってよい。多角
形の打出しの場合、中心を通って多角形を横切る線は、
これに適用する球の直径より小さくする。次に、箔を洗
浄して有機物を除去し、その後０に示す様に熱した水酸
化ナトリウム又はカリウムを用いてエッヂし、箔の内、
打出し部３を作った領域を除去すると共に、その場所に
開口５を設ける。打出し領域３は、エツチングの間、箔
の他の部分よりも一層薄手である為に、箔の他の部分よ
り先に除去されると共に、そこで行なわれた打出しによ
る冷間加工がなされている為にも、エッチされるのが一
層速い。これをアルミニウム・マトリクスと呼ぶ。

この点で、随意選択により、２５％ＨＦ、６０％ＨＮＯ
３及び１５％氷酢酸である３９Ａエツチヤントの５０％
溶液を用いたエツチングにより、箔に成る生地を持たせ
、後方反射を最小限に抑えるマトリクス面を作ることが
出来る。

（ｂ）に示す様に、Ｎ形表皮部９及びＰ形内部１１を持
つ複数個のシリコンの球７を箔１上の７トリクスの上側
１５にデポジットし、真空チャックを用いて箔の裏側１
３に真空を加えて、球７を開口５の中に引込む。最初に
箔の裏側では、開口５の数に比べて過剰の球７を用いる
ので、全ての開口が球７で埋まり、その後過剰の球７が
ブラシがけ等により、箔１の上側から除去される。ここ
で用る球は直径が１４．５ミルであることが好ましく、
前に述べた様に、開口５の断面直径は１４．５ミルより
小さく、箔の裏側で箔に真空がかけられるが、その理由
は後で説明する。

この後、ゆに示す様に、箔を加熱し、ついでインパクト
・プレスを使うことにより、球７がアルミニウム箔１の
開口５の中に結合される。この時、球７が素早く開口５
の中に押込まれ、間口内で剪断作用を生じ、それが開口
の所の箔の内面にある酸化アルミニウムを削取り、新鮮
なアルミニウム元素を露出する。前に述べた様に、球７
が開口５の中に押込まれる時にアルミニウムは５３０℃
の温度に加熱されており、この為アルミニウムは反応性
であって、機械的な性質が幾分粘性を持ち、容易に変形
する。従って、元素のアルミニウムが球の上にある非常
に薄い自然の酸化シリコン層と反応して、それを除去し
、この為箔１のアルミニウムがこの詩法のＮ形層９内に
あるシリコン元素と直接的に結合して、それに対する接
点を形成することが出来る。

球の赤道がアルミニウム箔１より上方、又はその上方１
５にある様に、球７が開口５内に配置される。こういう
配置は、アルミニウム箔１の上下に配置された圧力パッ
ドを使うことによって可能になる。圧力パッドはクッシ
ョンとして作用する窒化硼素の粉末の様な離型剤で被覆
した厚さ約８ミルのアルミニウム箔で形成されており、
この為、インパクト・プレスのハンマーがインパクトを
加える際に球を損傷することがない。更に、圧力パッド
がハンマーの衝撃を吸収する。箔１の１５側にある上側
の圧力パッドで箔１の１３側にある下側の圧力パッドよ
りも厚手であって、前に述べた様に、球の赤道が箔から
ずれる様にする。２α平方のアレーに対し、約４８フイ
ート・ボンドのインパクト・エネルギが首尾よく作用す
ることが判った。この為、アルミニウムがこの時シリコ
ンに直接的に結合されることは、前に述べた通りである
。

箔１の後側の面１３及び球７の内、この側にある部分を
、この後（（４）に示す様に３９Ａエツチヤントを用い
てエッチして、Ｎ形層９の内、アレー後面の上にある部
分を取去り、Ｐ形領域を露出する。

自然の酸化物をその上に持つアルミニウム箔１がこのエ
ッチャントに対してマスクとして作用し、アレーの後側
１３にある層９の部分だけを除去することが出来る様に
する。この後、アレーを脱イオン水で洗滌してエッチャ
ントを除き、次に（ｆ）に示す様に、約２０ボルトで約
１／２分間の間、１０％Ｈ２ＳＯ４溶液内でアレーを陽
極酸化して、露出したシリコン及び不働態化する。次に
約２０ボルトで約１／２分間０．５％Ｈ３ＰＯ４溶液内
でアレーを陽極酸化する。陽極酸化に要する時間は、バ
スの電流がゼロになって打切られる時の関数であり、こ
れが約１／２分であることが判った。

燐酸を使うこ、とが重要であり、これは酸化アルミニウ
ム内の孔を塞ぎ、前にエッチしたシリコン表面に約１，
０００人の酸化物層２１を作ることが判った。

次に、陽極酸化の際に形成された後側２１を周知の方法
で機械的に削摩することにより、陽極酸化したアレーの
球７をラップする。このラッピングにより、２酸化シリ
コン２１及び若干のシリコンの両方が除去されて、球７
の後面１７が平坦になり、１７に示す様に粗面が得られ
、この為その上にオーミック接点を形成することが出来
る。次に、約１／２ミルのアルミニウムの薄箔１９をい
に示す様に各々の球７の後面１７の上に配置して、それ
がラップした平坦な領域１７の上に来る様にする。この
アルミニウムは好ましくは５３０℃の温度、又は約５０
０乃至５７７℃の範囲内の温度に加熱するが、前に述べ
た様な条件がある。加熱された箔１９がこの後インパク
ト・プレスによって球７に圧着され、このインパクトに
よって露出したアルミニウムと、ラッピング並びにアル
ミニウム元素によるインパクトの為に球７の後面で露出
したシリコンとの間の結合部が形成される。前に（ｃ）
について述べたのと同じ様に結合を行なうことにより、
シリコン領域１１に対する箔の接点１９が形成される。

アルミニウム箔１の陽極酸化の為、この箔の表面の上に
は厚い酸化アルミニウムがあって、箔１の及び箔１９０
間の短絡を防止する。（（ｉ）に示す様に、アレーの前
側の面の上に標準的な反射防止コーティングを適用し、
シリコンの光の吸収を改善することが出来る。）従って
、シリコンの球の大部分が入射する太陽光線に露出し、
アレーが可撓性であって、使われる処理並びに使われる
材料が比較的高価でなく且つ数が少ない様にして、ソー
ラー会アレーが提供されたことが理解されよう。

実際の処理工程では、上に述べた様なアレーは、別々の
アレーとしてではなく、リール形の実施例で設けるのが
普通である。その後、アレーは寸法が例えば１ＴｒＬＸ
２ＴｒＬである様なモジュールに形成され、こういう設
計のままで試験される。これまで述べた様にして形成さ
れた各々のアレーは各辺−が１０Ｃ１１程度であるのが
普通である。

上に述べた様なソーラー・アレーをリール形に作り、そ
れからモジュールを形成する為には、第３図乃至第６図
に示す様な手順に従う。最初に第３図について説明する
と、この図にはアレー相互接続装置が１次元で示されて
いる。第３図（２）では、前側の接点箔部材３３に球３
１を固定した１個のアレー３０が示されており、後側箔
部材３５はまだ球に取付けられていない。第４図（２）
にはっきりと示されている様に、アレー３０の間にシム
３７を挿入する。第４図（２）から判る様に、前側の箔
３３は後側の箔３５より寸法が小さいが、その理由は後
で明らかになる。

次に第３図（ｂ）を見ると、この時後側の箔３５が球３
１及びシム３７と接触していることが判る。

上側の箔３３もシムと接触している。これは第１図の工
程０で、この処理工程の一部分として後側の箔３５を球
３１に結合する時に達成される。箔３３．３５はシメ３
７に接着せず、単にそれと接触しているだけである。こ
の後、次にシムの上の、第３図（ｂ）の■字形記号の場
所で箔をけがき、アレーを互いに分離し且つシムを取外
した後、第３図（ｃ）及び第４図（ｃ）に示す様な装置
を作る。次に第３図（ｃ）及び第４図（ｂ）に示す様な
アレーを第４図に）に示す様に面取りして、後側の箔３
５の一部分である４つの耳を作る。これらの耳はアレー
の四角の各辺にあって、Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄと記しである。

次に第３図（ｃ）及び第４図ゆに示す様に、耳Ｂ、Ｃ。

Ｄをアレーの下に折返し、その後第３図（ｅ）に示す様
に、超音波結合等により、耳Ａをこの後、アレーの耳Ｂ
、Ｃ又はＤの内の１つに結合することにより、このアレ
ーをこの後のアレーに固定する。

相互接続工程は第５図の３次元表示の装置で示す様に行
なうことが出来る。この装置では、耳Ａが伸出している
１つのアレーを、別のアレーの耳Ｂ、Ｃ又はＤの内の１
つとこの耳へとが接触する様に位置きめする。この手順
を直線又はその他の通路で続けて、完全なモジュールを
作る。完成されたモジュールが第６図に示されており、
耳Δが隣接するアレー３０の耳Ｂ、Ｃ又はＤに固定され
て、６０個のアレーの直列回路を形成する前後に配置さ
れた通路を作る。更に、モジュールに対する入力４１及
び出力４３となる耳を設ける。

第６図のモジュールを形成した後、第２図について説明
すると、モジュールを試験し、試験に成功すれば、モジ
ュールは支持材料等に取付けられる工程に進み、その後
結合部で耳を超音波で結合し、その後モジュールをカプ
セル封じして、環境に対する適当な封じを施す。次にカ
プセル封じしたモジュールを標準的に試験し、動作し得
るモジュールが使える状態になる。

この発明を特定の好ましい実施例について説明したが、
当業者にはいろいろな変更が考えられよう。従って特許
請求の範囲は、この様な全ての変更を包括する様に、従
来技術から見て可能な限り広く解釈されるべきである。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に従ってソーラー・アレーを形成する
のに使われる処理工程を示す略図、第２図は第１図のプ
ロセスを示すプロセス線図、第３図は１次元で表わした
アレー相互接続手順を示す略図、第４図は２次元で示し
たアレー相互接続手順を示す略図、第５図は３次元で表
わしたアレー相互接続を示す略図、第６図はこの発明の
モジュ一ルの略図である。符号の説明１：第１のアルミニウム箔５：開口ア：シリコンの球９：Ｎ型表皮部１１：Ｐ型内部１９：第２のアルミニウム箔

Claims

【特許請求の範囲】

（１）（ａ）相隔たる複数個の開口を持つ第１のアルミ
ニウム箔層と、（ｂ）何れもＰ形領域及びＮ形領域を持つていて、該Ｎ
形領域が前記第１のアルミニウム箔に結合されている複
数個の半導体部材と、（ｃ）前記第１の箔から絶縁されていて、前記Ｐ形領域
に結合されている接点部材とを有するソーラー・アレー
。
（２）特許請求の範囲第１項に記載したソーラー・アレ
ーに於て、前記接点部材が第２のアルミニウム箔である
ソーラー・アレー。
（３）特許請求の範囲第１項に記載したソーラー・アレ
ーに於て、前記半導体部材が球状であるソーラー・アレ
ー。
（４）特許請求の範囲第２項に記載したソーラー・アレ
ーに於て、前記半導体部材が球状であるソーラー・アレ
ー。
（５）特許請求の範囲第３項に記載したソーラー・アレ
ーに於て、前記半導体部材の赤道（最大外周）が、前記
接点部材から遠い前記第一の箔の面より上側にあるソー
ラー・アレー。
（６）特許請求の範囲第４項に記載したソーラー・アレ
ーに於て、前記半導体部材の赤道が、前記接点部材から
遠い前記第一の箔の面より上側にあるソーラー・アレー
。
（７）特許請求の範囲第１項に記載したソーラー・アレ
ーに於て、前記第１の箔の、前記接点部材から遠い方の
表面の上に配置された反射防止コーティングを有するソ
ーラー・アレー。
（８）特許請求の範囲第２項に記載したソーラー・アレ
ーに於て、前記第１の箔の、前記接点部材から遠い方の
表面の上に配置された反射防止コーティングを有するソ
ーラー・アレー。
（９）特許請求の範囲第３項に記載したソーラー・アレ
ーに於て、前記第１の箔の、前記接点部材から遠い方の
表面の上に配置された反射防止コーテイングを有するソ
ーラー・アレー。
（１０）特許請求の範囲第４項に記載したソーラー・ア
レーに於て、前記第１の箔の、前記接点部材から遠い方
の表面の上に配置された反射防止コーティングを有する
ソーラー・アレー。
（１１）特許請求の範囲第５項に記載したソーラー・ア
レーに於て、前記第１の箔の、前記接点部材から遠い方
の表面の上に配置された反射防止コーティングを有する
ソーラー・アレー。
（１２）特許請求の範囲第６項に記載したソーラー・ア
レーに於て、前記第１の箔の、前記接点部材から遠い方
の表面の上に配置された反射防止コーティングを有する
ソーラー・アレー。
（１３）ソーラー・アレーを形成する方法に於て（ａ）
第１のアルミ箔を用意し、（ｂ）該箔の予定の位置に開口を形成し、（ｃ）Ｐ形の中心の上にＮ形の表皮部を持つ球状半導体
粒子を設け、（ｄ）前記箔の開口に前記Ｎ形領域を結合し、（ｅ）前
記第１の箔の片側にあるＮ形層を除去し、（ｆ）前記第１の箔の前記片側並びにＮ形層を除去した
表面の上に絶縁層を形成し、（ｇ）前記粒子のＰ形の中央部の一部分並びにその上の
絶縁層を除去し、（ｈ）前記Ｐ形中心の一部分を除去した領域に第２のア
ルミニウム箔を結合する工程から成る方法。
（１４）特許請求の範囲第１３項に記載した方法に於て
、前記工程（ｈ）の前に、前記Ｐ形中心の一部分を除去
した領域を粗面化する工程を含む方法。
（１５）特許請求の範囲第１３項に記載した方法に於て
、前記第１の箔の、前記第２の箔から遠い方の表面の上
に反射防止コーティングを形成する工程を含む方法。
（１６）特許請求の範囲第１４項に記載した方法に於て
、前記第１の箔の、前記第２の箔から遠い方の表面の上
に反射防止コーティングを形成する工程を含む方法。
（１７）特許請求の範囲第１３項に記載した方法に於て
、前記工程（ｄ）が、前記粒子の赤道が、前記第１の箔
の、前記第２の箔から遠い方の表面より前側に来る様に
、前記粒子を前記開口内に配置することを含む方法。
（１８）特許請求の範囲第１４項に記載した方法に於て
、前記工程（ｄ）が、前記粒子の赤道が、前記第１の箔
の、前記第２の箔から遠い方の表面より上側に来る様に
、前記粒子を前記開口に配置することを含む方法。
（１９）特許請求の範囲第１５項に記載した方法に於て
、前記工程（ｄ）が前記粒子の赤道が、前記第１の箔の
、前記第２の箔から遠い方の表面より上側に来る様に、
前記粒子を前記開口内に配置することを含む方法。
（２０）特許請求の範囲第１６項に記載した方法に於て
、前記工程（ｄ）が前記粒子の赤道が、前記第１の箔の
、前記第２の箔から遠い方の表面より前側に来る様に、
前記粒子を前記開口内に配置することを含む方法。