JPS61123680A - ポリウレタン系絶縁電線 - Google Patents

ポリウレタン系絶縁電線

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JPS61123680A
JPS61123680A JP24689384A JP24689384A JPS61123680A JP S61123680 A JPS61123680 A JP S61123680A JP 24689384 A JP24689384 A JP 24689384A JP 24689384 A JP24689384 A JP 24689384A JP S61123680 A JPS61123680 A JP S61123680A
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JP
Japan
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polyurethane
imidazole
parts
polyol
weight
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Pending
Application number
JP24689384A
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English (en)
Inventor
Toshio Takigawa
滝川 敏男
Hiroshi Yokota
洋 横田
Takehiko Tanaka
武彦 田中
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
(a)At業上の利用分野 本発明は、ろう層性の改善されたポリウレタン系絶縁電
線に関するものである。 (bevit米技術及び問題点 ポリウレタン系絶縁電線は、電気的特性、機械的特性及
び化学的特性に優れるだけでなく、ろう着可能なため種
々のタイプのものが開発され使用されている。 しかし、従来のポリウレタン系樹脂を用いて得られるポ
リウレタン系絶縁電線では、例えば、その直径0.5φ
の場合、温度450℃のハング浴中でろう着時間が1秒
かかるのであり、従って、耐熱性の劣るトランジスター
、ICなどの種々の電子部品のときには、ハング付けの
際の高温により、上記電子部品が破壊さ八たり、その性
能が損なわれる等の問題があった。 又、ハング付けを高温で(〒う為、ハング付は工程での
エネルギーの無駄があった。 (c)発明の目的 本発明は、ポリウレタン系樹脂の主硬化促進触媒として
、イミダゾール或はイミダゾール誘導体を用いたポリウ
レタン系塗料を導体上に直接若しくは他の絶縁皮膜を介
して塗布、焼付けて成る蛯り9レタン系絶縁電線を提供
し、優れた電気的特性、機械的特性及び化学的特性を維
持しつつ、上記問題点を一挙に解決することを目的とす
る。 (d)発明の枯成 即ら、本発明は、ポリウレタン系樹脂と、イミダゾール
或はイミダゾール誘導体を含む岨戊物を、導体上に直接
若しくは他の絶縁被膜を介して塗布、焼付けてなるポリ
ウレタン系絶縁電線を特徴とするものである。 本発明において用いられるポリウレタン系樹脂は、主成
分として、ジイソシアナート、トリイソシアナート或は
ポリイソシアナートなどのインシアナートとポリオール
とで構成されている。 上記ポリオールとしては、通常平均分子1200〜10
,000、好ましくは400〜s、ooo、水酸基12
00〜500程度のものであり、分子の両末端に水酸基
を有するものが好適に使用される。 上記ポリオールの形態としては、ポリエステルポリオー
ル、ポリエーテルポリオールを挙げることができる。 この種のポリエステルポリオール或はポリエーテルポリ
オールはイソフタル酸、テレフタル酸、オルソフタル酸
、無水7タル酸、芳香族イミド酸、芳θ族7ミド酸、ト
リメリツト酸、無水トリメリド酸等の芳lff族多塩基
酸と、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プ
ロピレングリコール、ノプロビレングリコール、ヘキサ
ングリコール、ブタングリコール、グリセリン、トリメ
チロールプロパン、ペンタエリスリトール等の脂肪族多
価アルコールを、常法により合成して得られるが、この
際、場合により、コハク酸、7ノピン酸、セバシン酸、
イタコン酸、グルタル酸等の脂肪族多塩基酸を併用して
もよいのである。そして、この場合、全出発物質中に占
める芳香族系化合物の量的割合は20〜7011%とす
るのが好ましい。 本発明で用いろことができるポリエステルポリオール或
はポリエーテルポリオールの市販品の例としては、日本
メリウレタン社製ニッポラン2000.2006、バイ
エル社製7’ X モヘン6001800、F−951
,550,1025等を挙げることができる。 又本発明においては、ポリオールとしてラクトンを開環
重合して得られる(特公昭34−5294号、特開昭5
5−104315号等に記載あり)平均分子量200〜
10.0001好ましくは400〜5,000.水酸基
価50〜700程度のフクトンボリオールを使用するこ
ともできる。 上記ポリウレタン系樹脂を構成するジイソシアナート、
トリイソシアナート或はポリイソシアナートとしては、
分子量300〜io、ooo、好ましくは500〜4.
000程度のものが好適に使用される。 上記ツインシアナート或はトリイソシアナートの例とし
ては、例えば、フェニレンツインシアナート、トルイレ
ンジイソシアナート、1−エチルベンゼン−2,4−フ
ィンシアナート、ノ7工二ルメタンノイソシアナート1
.1−インプロピルベンゼン−2,4−ジイソシアナー
ト、1−クロルベンゼン−2,4−ツインシアナート、
キシリレンツインシフt−)、1−二Fロベンゼン−2
゜4−ジイソシアナート、インホロンツインシアナート
、1−メトキシベンゼン−2,4−ジイソシアナート、
ナ7タレンノイソシ7ナート、ツメチルビフェニレンノ
イソンアナート、1−メチルベンゼン−2,4,6−)
リインシアナート、トリフェニルメタントリイソシアナ
ート、1.3.5− )リメチルベンゼン−2,4,6
−)リインシアナート、ナフタレン−1,3,7−)ジ
イソシアナート、ビフェニル−2,4,4’−)ジイソ
シアナート等を挙げることができる。 又上記ポリイソシアナートの例としでは、分子量100
〜400程度の低分子インシアナート、特にジイソシア
ナートと、トリメチロールプロパン、ヘキサントリオー
ル、ブタンジオール等の分子量60〜200程度の低分
子量ポリオールの単独もしくは混合物を反応させて得ら
れるウレタン結合含有ポリイソシアナートを挙げること
ができろ、このとき水酸基1当量当たり、インシアナー
ト基1.5当量以上(通常の上限値は10当量程度)を
反応させるのが一般的である。 上記の分子j1300〜io、ooo程度のジイソシア
ナート、トリイソシアナート或はポリイソシアナートは
、その各々のインシアナート基を、フェノール、クレゾ
ール、キシレノール、クロルフェノール等のフェノール
類′、メチルエチルケトンオキシム等のオキシム類、第
1級、fI%2級、第3級の水酸基を有するモノアルコ
ール類、カプロラクタム類等公知のブロック化剤を用い
て常法でブロック化されたものを用いることがで終る。 ブロック化するときには、場合により、触媒を用いるこ
とができる。 触媒としては、金属カルボン酸塩、アミンjl(第3級
アミン等)、フェノール類を挙げることができる。具体
的には、例えばす7テン酸、オクテン酸、バーサチック
酸、サリチル酸、酢酸などの亜鉛塩、鉄塩、銅塩、鉛塩
、マンガン塩、コバルト塩、スズ塩、セシウム塩、アル
ミニウム塩、ツルコニウム塩、1.8ノ7ザービシクロ
(5,4,0>ウンデセン−7,2,4,6−)リス(
ツメチルアミ/メチル)フェノール等を挙げることがで
きる。 触媒の使用量は上記インシアナート100重量部当り、
通常0.1〜10重量部とするのが好ましい。 本発明で用いることができるブロック化インシアナート
の市販品としては、日本ポリウレタン社製コロネー)A
Pステーブル、コロネート2501.2503、ミリオ
ネートMS−50などを挙げることがで終る。 本発明で用いろポリウレタン系樹脂を得るには、上記ポ
リオールの1又は2以上と、上記イソン7す一トの1又
は2以上とを反応させればよく、この場合、上記インシ
アナートとポリオールとの配合比は、上記インシアナー
トのインシアナート基1当量につき、上記ポリオールの
水酸基0.4〜2.0当量、好ましくは0.6〜1.4
当量、将に好ましくは0.9〜1.1当量の範囲とする
のが良ν1゜ インシアナート基1当量につき、水酸基を0.4〜2.
0当量加える理由は、0.4当量以下では、得られる絶
縁電線の耐磨耗性が低下する傾向にあり、一方2.0当
量以上加えると、Ja緻t#lのクレーソング性が劣る
恐れがあるからである。 そして、本発明の大きな特徴は、上記ポリウレタン系F
JIWfIに、主硬化促進触媒として、イミダゾール或
はイミダゾール誘導体を使用した点にある。 即ち、ポリウレタン系樹脂と、イミダゾールあろイミダ
ゾール誘導体とから成る組成物を、導体上に直接若しく
は他の絶縁皮膜を介して塗布、焼付けて成るぼりウレタ
ン系絶縁電線は、従来のポリウレタン系絶縁電線に比較
しで、優れた電気的特性、機械的特性及び化学的特性を
維持しつつ、低温のハング浴中で短時間にハング付けで
きることが認められ、しかも誘導体への焼付は速度が増
し、生産性を上げることができる。この理由としで、イ
ミダゾール或はその誘導体がポリウレタン系樹脂の分解
促進剤として働くためと解される。 本発明において用いられるイミダゾール或はイミダゾー
ル誘導体は、通常グリオキサールにホルマリンと7ンモ
ニ7とを作用させて得られ、その構造式は、一般式、 (以下余白) で示される。 上記構造式において、R1は水素、メチル基、エチル基
、イソプロピル基、ブチル基、ペンチlし基、ヘキシル
基、ウンデシル基、ヘプタデシル基、フェニル基等であ
り、好ましくは、炭素数1〜6の炭化水素基であり、R
2は水素、メチル基、エチル基等が挙げられ、好ましく
は、水素又はメチル基である。 又、上記構造式中において、−位の水素が大の基で置換
された誘導体も有効である。 (以下余白) −CH,・CHt・CN           (シア
ノエチル基)(3,5−)7ミノトリアノニルエチル基
)上記イミダゾール誘導体の市販品の例としては、2−
メチルイミダゾール(商品名 キエ7ゾール2M2)、
 2−エチル−4−メチルイミダゾール(商品名 キエ
アゾール2E4M2)、2−フェニルイミダゾール(商
品名 2P2)、2−ウンデシルイミダゾール(商品名
 キエアゾールC,,2)、2−ヘプタデシルイミダゾ
ール(商品名 キュアV−ルC、、Z )、2−インプ
ロビルイミダゾール(商品名 キエアゾール212)、
 2 + 4− yメチルイミダゾール(商品名 キエ
7ゾール2.4DM2)、2−フェニル−4−メチルイ
ミダゾール(+If品名キエアゾール2P4M2)[い
ずれも四国化成社製]を挙げることができるが、これに
限定されるものではなく、上記構造式に含まにるもので
あれば良い。 本発明で用いる組成物を得るには、ポリウレタン系tl
J111oo111部に対して、上記イミダゾール或は
イミダゾール誘導体0.1〜10重量部、好ましくは1
〜5重量部加えるのがよく、0.1重量部未満では、低
温でのハング付けが困難となり、しかもハング付は時間
の短縮化を図ることができないのであり、逆に、10重
量部を雇えると発泡し易く外観が悪(なると共にクレー
ノング特性が低下するから避けることが望ましい。 本発明において、ポリウレタン系樹11!t100重量
部とは、安定化インシアナートとポリオールとの合計重
量をいい、上記の有機溶剤、主硬化促進触媒、添加剤等
を含めずに計算された値を意味する。 そして、本発明
においては、上記イミダゾール或はイミダゾール誘導体
と共に他の硬化促進触媒を併用できる。 この硬化促進
触媒としては、上記ツインシアナート、トリインシアナ
ート或はポリイソシアナートのイソシ7ナー)基をブロ
ック化するときに用いた触媒を用いることができる。 この場合の硬化促進触媒の使用量は、イミダゾール或は
イミダゾール誘導体の使用量と同量以下(1重量比)と
することが必要であり、それ以上加えると、低温でのろ
う層性が低下する。 本発明で用いろ組成物は、上記ポリウレタン系樹脂と、
上記イミダゾール或はイミダゾール誘導体の他、場合に
より、所Il量の上記硬化促進触媒を加え、更に適量の
有機溶剤(7エ)−ル類、グリコール類、ナフサ等)を
加え、通常、室温−60℃で系が均一になるまで攪拌す
ることにより、通常固形号含有1120〜60重量%程
度のものとすることにより得ることができる。このとき
必要に応じて外観改良剤、染料等の添加剤をM量配合し
てもよいのである。 そして、本発明のポリウレタン系絶縁電線は、導体上に
上記組成物を塗布後常用の焼付塗装々置で焼き付けるこ
とにより製造できる。この場合の塗布、焼付条件は、ポ
リウレタン系樹脂、イミダゾール或はその誘導体及び場
合により添加される硬化促進触媒の種類ないし配合量に
よっても異なるが、通常200〜400℃の温度で3〜
20秒程度焼付けることにより製造できる。 要は、組成物の硬化反応をほぼ完了させるに足りる温度
と時間焼付ける。 (e)発明の効果 本発明のポリウレタン系絶縁電線は、電気的特性、機械
的特性及び化学的特性を損なうことなく、低温でのろう
層性を実現したものであり、二の結果、耐熱性の劣るト
ランゾスター、ICなどの種々の電子部品にも使用しう
るのである。 又、本発明のポリウレタン系絶縁電線は、低温のハング
浴中で短時間にハング付けができるから、導体への焼付
は速度が増大して生産性が向上するのであり、更に、低
温でのハング付けが可能であるからハング付は工程での
エネルギーの無駄がない等の効果を奏するのである。 (f)実施例 (イ)本発明により得られるポリウレタン系絶縁先縁の
枯iL例。 本発明により得られるボIJウレタン系絶縁電線の構造
例を以下図面により説明する。 図面におり・で、(1)は銅線、(2)I土木発明で用
−する組成物より得られた焼付皮膜、(3)番よ他のろ
う理性絶縁皮膜である。 #41図は、銅線(1)上に上記焼(検液a(2)を直
接形成した場合であり、vS2図:よ、tj41図で示
゛ケ電線上に、更に他のろう理性絶縁被膜(3)を形成
した場合を例示するものであろ、又、第3図1よ銅線(
1)に、池のろう理性絶縁被膜(3)を介して、上記焼
付w1膜(2)を形成したポリウレタン系絶縁電線を例
示するものである。 本発明において、第2図及び第3図の如く他のろ)理性
絶縁皮膜を併用した複合皮膜を導体上餐二設けるときは
、他のろう理性絶縁皮膜の厚み(よ、本発明で用いる組
成物より得られろ皮膜厚みの2倍以下、好ましくは0.
5倍以下程度とされる。 説のろう理性絶縁皮膜を形成する材料として:よ、ポリ
アミド樹脂、特殊なボ1Jエステl!/輔(脂、特殊な
エポキシ樹脂等を挙げることができる。 本発明のポリウレタン系絶縁電線は油大型イグニッン書
ンコイルの製造に、特に好適に用−ることができる。 従来の絶縁電線を用いたイグニツシ1ンコイルでは、作
動時の過電流が原因で温度上昇が生じたり、油中の微量
の水分の影響で、絶縁m膜が加水分解され易し信頼性に
劣ってIllたが、本発明のポリウレタン系絶縁電線を
用11%ることにより、これらの欠点が改良できる。 (ロ)実施例1〜3及び比較例 以下に示す、実施例及び比較例中の部は重量部を意味す
る。 実施例1 安定化ポリイソシアナート
【商品名 コロネー)250
1(日本ポリウレタン社製)】57部、安定化ポリイソ
゛シアナー日商品名 ミリオネートMS−50(日本ポ
リウレタン社製)110部、芳香族ポリオール(商品名
 ニラボラン2006(日本ポリウレタン社製)133
部、2−ノチルイミダゾールτ商品名 キュアゾール2
MZ(四国化成社成)】2部、をクレゾール159部に
溶解し、不揮発成分50重量%の塗料組成物を得た。 
得られた組成物を直径0.51の銅線にダイスを用いて
塗布し、有効炉長5IIの炉中を線速45 m/s+i
nで5回通過させて焼付けを行った。 得られた電線をJIS  C3211に基づき評価した
結果を第1表に記載する。 実施例2 安定化ポリインシアナート
【商品名 コロネート250
1(日本ポリウレタン社製)】62部、芳香族ポリオー
ル【商品名 ニラボラン2006(日本ポリウレタン社
製)138部、2,4−ノメチルイミダゾール【商品名
 キュアゾール2・4部MZ(四国化成社!り13部、
をクレゾール160部に溶解し、不揮発成分50rLg
k%の塗料組成物を得た。 得られた組成物で実施例1と同様の方法により絶縁電線
を!!遺し、同様に評価した。この結果をrj%1表に
示す。 実施例3 安定化ポリイソシアナート【商品名 コロネーF250
1(日本ポリウレタン社製)1211%、安定化ポリイ
ソシアナート【商品名 ミリオネートMS−50(日本
ポリウレタン社at)144部、芳香族ポリオール【商
品名 ニラボラン2006(日本ポリウレタン社製)3
356%、2−エチル−4−メチルイミダゾール【商品
名 キエアゾーに2部4MZ(四国化我社1115部、
をクレゾール157部に溶解し、不揮発成分50重1%
の塗料組成物を得た。 得られた組成物で実施例1と同様の方法1二より絶縁電
線を製造し、同様に評価した。この結果を第1表に示す
。 比較例 安定化ポリイソシアナート【商品名 コロネート250
1(日本ポリウレタン社m1)157部、安定化ポリイ
ソシアナート【商品名 ミリオネー)MS−50(日本
ポリウレタン社り110部、芳香族ポリオール(商品名
 ニラボラン200G(日本ポリウレタン社製)133
部、をクレゾール160部に溶解し、不揮発成分50車
量%の塗料組成物を得た。 得られた組成物で実施例1と同様の方法に上り絶kk電
線を製造し、同様に評価した。この結果を第1表に示す
。 (以下余白) 第1表 上記結果より明らかな通り本発明のポリウレタン系絶縁
電線は、比較品と同程度の電気的特性、機械的特性及び
化学的特性を有し、しかも、比較品より低温でのハング
付けが可能であることが認められろ。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明で用いる組成物より()ちれる焼付皮膜
を銅線上に直接形成した場合を示すポリウレタン系絶縁
電線の断面図、第2図は、第1図で示す銅線上に、更に
池のろう理性絶縁皮膜を形成した場合を示すポリウレタ
ン系絶縁電線の断面図、第3図は銅線上に他の絶縁皮膜
を介して上記焼イ1皮膜を形成したポリウレタン系絶縁
電線の断面図である。 1・・・銅線 2・・・焼付皮膜 特許出願人 日東電気工業株式会社 図面の浄書(内容に変更なし) 第1図  第2図 第3図 1・−・訓練 2・・・達首支軌 手続補正書 特許庁長官    志賀  学  殿 2、発明の名称 ポリウレタン系絶縁電線 3、手続をする者 事件との関係   特許出願人

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ポリウレタン系樹脂と、イミダゾール或はイミダ
    ゾール誘導体を含む組成物を、導体上に直接若しくは他
    の絶縁被膜を介して塗布、焼付けてなるポリウレタン系
    絶縁電線。
  2. (2)上記ポリウレタン系樹脂100重量部に対して、
    上記イミダゾール或はイミダゾール誘導体が0.1〜1
    0重量部である特許請求の範囲第1項記載のポリウレタ
    ン系絶縁電線。
JP24689384A 1984-11-20 1984-11-20 ポリウレタン系絶縁電線 Pending JPS61123680A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE37426E1 (en) 1988-09-05 2001-10-30 Seiko Epson Corporation Floppy disk dive device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE37426E1 (en) 1988-09-05 2001-10-30 Seiko Epson Corporation Floppy disk dive device

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