JPS61121329A - 半導体の評価方法 - Google Patents
半導体の評価方法Info
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- JPS61121329A JPS61121329A JP24240284A JP24240284A JPS61121329A JP S61121329 A JPS61121329 A JP S61121329A JP 24240284 A JP24240284 A JP 24240284A JP 24240284 A JP24240284 A JP 24240284A JP S61121329 A JPS61121329 A JP S61121329A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、オーミック・コンタクト電極を形成すること
が困難な半導体の評価方法に関する。
が困難な半導体の評価方法に関する。
例えば赤外半導体装置を形成するのに用いられるウェハ
としては、高純度のカドミウム（Ｃｄ）テルル（Ｔ ｅ
）結晶からなる高抵抗材料である基板上に水銀（Ｈｇ
）ＣｄＴｅ層を成長させたものが知られ、そして、壱の
ＨｇＣｄＴｅ層に半導体素子を作り込むことが行われて
いる。
としては、高純度のカドミウム（Ｃｄ）テルル（Ｔ ｅ
）結晶からなる高抵抗材料である基板上に水銀（Ｈｇ
）ＣｄＴｅ層を成長させたものが知られ、そして、壱の
ＨｇＣｄＴｅ層に半導体素子を作り込むことが行われて
いる。
ところが、現在の製造技術で作られたＣｄＴｅ基板には
不所望の不純物が含有されていることが多く、そして、
ＣｄＴｅ基板上にＨｇＣｄＴｅ層を成長させた際、その
中に前記不所望の不純物が取り込まれるので、そこに所
期の特性を有する半導体素子を形成することが困難とな
る。
不所望の不純物が含有されていることが多く、そして、
ＣｄＴｅ基板上にＨｇＣｄＴｅ層を成長させた際、その
中に前記不所望の不純物が取り込まれるので、そこに所
期の特性を有する半導体素子を形成することが困難とな
る。
そこで、ＣｄＴｅ基板の特性、特に、キャリヤ濃度を予
め測定し、その中から高純度のもののみを選択し、その
上にＨｇＣｄＴｅ層を成長させて半導体素子を作り込む
ようにすれば、この種の半導体装置に於ける製造歩留り
は飛躍的に向上する筈である。
め測定し、その中から高純度のもののみを選択し、その
上にＨｇＣｄＴｅ層を成長させて半導体素子を作り込む
ようにすれば、この種の半導体装置に於ける製造歩留り
は飛躍的に向上する筈である。
前記ＣｄＴｅ基板の特性を測定するには、ファン・デア
・バラ（ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ）測定を行えば
良いが、それには、ＣｄＴｅ基板から電極を導出するこ
とが必要である。
・バラ（ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ）測定を行えば
良いが、それには、ＣｄＴｅ基板から電極を導出するこ
とが必要である。
然しながら、ＣｄＴｅ基板にオーミック・コンタクト電
極を形成することは容易ではない。
極を形成することは容易ではない。
例えば、ＣｄＴｅ基板にインジウム（Ｉ ｎ）の電極を
形成した場合、そのコンタクト部分には整流接合が生成
されてしまう。
形成した場合、そのコンタクト部分には整流接合が生成
されてしまう。
本発明は、オーミック・コンタクト電極を形成し得る適
当な電極材料が存在しない半導体、或いは、高抵抗の半
導体に対して実質的なオーミック・コンタクト電極を形
成できるようにする。
当な電極材料が存在しない半導体、或いは、高抵抗の半
導体に対して実質的なオーミック・コンタクト電極を形
成できるようにする。
本発明に依る半導体の評価方法では、オーミック・コン
タクト電極を形成することが困難である被評価半導体上
に該評価半導体と同種或いは類似であり且つ低抵抗値を
有する半導体を選択的に形成し、次いで、該選択的に形
成された半導体上にオーミック・コンタクト電極を形成
し、次いで、該オーミック・コンタクト電極を用いて前
記被評価半導体の特性を測定するようにしている。
タクト電極を形成することが困難である被評価半導体上
に該評価半導体と同種或いは類似であり且つ低抵抗値を
有する半導体を選択的に形成し、次いで、該選択的に形
成された半導体上にオーミック・コンタクト電極を形成
し、次いで、該オーミック・コンタクト電極を用いて前
記被評価半導体の特性を測定するようにしている。
前記手段に依ると、オーミック・コンタクト電極を形成
することが困難な被評価半導体であっても実質的にオー
ミック・コンタクトしている電極を導出することができ
るから、例えばＣｄＴｅのような半導体であっても評価
を行うことが可能である。
することが困難な被評価半導体であっても実質的にオー
ミック・コンタクトしている電極を導出することができ
るから、例えばＣｄＴｅのような半導体であっても評価
を行うことが可能である。
第１図及び第２図は本発明一実施例を解説する為の過程
要所に於けるウェハの要部切断斜面図をそれぞれ表し、
以下、これ等の図を参照しつつ説明する。
要所に於けるウェハの要部切断斜面図をそれぞれ表し、
以下、これ等の図を参照しつつ説明する。
第１図参照
（ａｌ 例えばボート・スライド法を適用することに
依りＣｄＴｅ基板ｌ上にＨｇＣｄＴｅ層２を厚さ約５０
〔μｍ〕程度にエピタキシャル成長させる。
依りＣｄＴｅ基板ｌ上にＨｇＣｄＴｅ層２を厚さ約５０
〔μｍ〕程度にエピタキシャル成長させる。
第２図参照
（ｂｌ 例えば通常のフォト・リソグラフィ技術を適
用することに依りＨｇ Ｃｄ Ｔ ｅ層２のパターニン
グを行って電極導出部分２′を残して他を除去する。尚
、この場合のエッチャントとしては、例えばＢｒ Ｃ
Ｈ３０Ｈ（５（％〕）溶液を用いることができる。
用することに依りＨｇ Ｃｄ Ｔ ｅ層２のパターニン
グを行って電極導出部分２′を残して他を除去する。尚
、この場合のエッチャントとしては、例えばＢｒ Ｃ
Ｈ３０Ｈ（５（％〕）溶液を用いることができる。
ｆｃｌ 各電極導出部分２′のそれぞれに金（Ａｕ）
からなるリード線３をオーミック・コンタクトさせる。
からなるリード線３をオーミック・コンタクトさせる。
そのオーミック・コンタクトをとるには、真空蒸着法を
通用することに依り、電極導出部分２′上に厚さ約２〜
５ 〔μｍ〕程度のインジウム（Ｉｎ）膜４を形成して
オーミック・コンタクトさせ、そのインジウム膜４の上
に金からなるリードｖＡ３をボンディングすると良い。
通用することに依り、電極導出部分２′上に厚さ約２〜
５ 〔μｍ〕程度のインジウム（Ｉｎ）膜４を形成して
オーミック・コンタクトさせ、そのインジウム膜４の上
に金からなるリードｖＡ３をボンディングすると良い。
前記のようにしてリード線３を導出すると、そのコンタ
クト部分に整流接合が形成されることはなく、良好に電
流を流すことができるので、ＣｄＴｅ基板１のファン・
デア・パラ測定を行うことが可能になる。
クト部分に整流接合が形成されることはなく、良好に電
流を流すことができるので、ＣｄＴｅ基板１のファン・
デア・パラ測定を行うことが可能になる。
本発明に依る半導体の評価方法では、オーミック・コン
タクト電極を形成することが困難である被評価半導体上
に該被評価半導体と同種或いは類似であり且つ低抵抗値
を有する半導体を選択的に形成し、次いで、該選択的に
形成された半導体上にオーミック・コンタクト電極を形
成し、次いで、該オーミック・コンタクト電極を用いて
前記被評価半導体の特性を測定するようにしている。
タクト電極を形成することが困難である被評価半導体上
に該被評価半導体と同種或いは類似であり且つ低抵抗値
を有する半導体を選択的に形成し、次いで、該選択的に
形成された半導体上にオーミック・コンタクト電極を形
成し、次いで、該オーミック・コンタクト電極を用いて
前記被評価半導体の特性を測定するようにしている。
このようにすると、本来、オーミック・コンタクト電極
を形成することができず、従って、電流を流すことが不
可能の半導体であっても、実質的なオーミック・コンタ
クト電極を形成することができるので、それを用いて、
ウェハの状態で種々の特性測定を行って取捨選択するこ
とが可能であるから、半導体装置を製造した場合の歩留
り・を向上することができる。
を形成することができず、従って、電流を流すことが不
可能の半導体であっても、実質的なオーミック・コンタ
クト電極を形成することができるので、それを用いて、
ウェハの状態で種々の特性測定を行って取捨選択するこ
とが可能であるから、半導体装置を製造した場合の歩留
り・を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は本発明一実施例を説明する為の過程
要所に於ける半導体装置の要部切断斜面図をそれぞれ表
している。 図に於いて、１はＣｄＴｅ基板、２はＨｇＣｄＴｅ層、
２′は電極導出部分、３はＩｎのリード線をそれぞれ示
している。 第１図 第２図
要所に於ける半導体装置の要部切断斜面図をそれぞれ表
している。 図に於いて、１はＣｄＴｅ基板、２はＨｇＣｄＴｅ層、
２′は電極導出部分、３はＩｎのリード線をそれぞれ示
している。 第１図 第２図
Claims (1)
- オーミック・コンタクト電極を形成することが困難で
ある被評価半導体上に該被評価半導体と同種或いは類似
であり且つ低抵抗値を有する半導体を選択的に形成し、
次いで、該選択的に形成された半導体上にオーミック・
コンタクト電極を形成し、次いで、該オーミック・コン
タクト電極を用いて前記被評価半導体の特性を測定する
過程が含まれてなることを特徴とする半導体の評価方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24240284A JPS61121329A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 半導体の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24240284A JPS61121329A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 半導体の評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61121329A true JPS61121329A (ja) | 1986-06-09 |
Family
ID=17088606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24240284A Pending JPS61121329A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 半導体の評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61121329A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08148705A (ja) * | 1994-11-21 | 1996-06-07 | Nec Corp | 赤外線検出素子 |
-
1984
- 1984-11-19 JP JP24240284A patent/JPS61121329A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08148705A (ja) * | 1994-11-21 | 1996-06-07 | Nec Corp | 赤外線検出素子 |
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