JPS61121056A - ブランク・マスク - Google Patents
ブランク・マスクInfo
- Publication number
- JPS61121056A JPS61121056A JP59242404A JP24240484A JPS61121056A JP S61121056 A JPS61121056 A JP S61121056A JP 59242404 A JP59242404 A JP 59242404A JP 24240484 A JP24240484 A JP 24240484A JP S61121056 A JPS61121056 A JP S61121056A
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- JP
- Japan
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- film
- amorphous carbon
- pattern
- electron beam
- forming
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
- G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に於けるパターンを形成する際に
用いる光露光用マスクを作製する為の電子ビーム露光用
ブランク・マスクに関する。
用いる光露光用マスクを作製する為の電子ビーム露光用
ブランク・マスクに関する。
一般に、半導体装置に於けるパターンを形成するには、
マスクを用いて光露光法を適用することが行われている
。
マスクを用いて光露光法を適用することが行われている
。
従来、光露光に用いられる光源としては紫外線が多用さ
れ、可能な最小パターンはｌ 〔μｍ〕前後である。
れ、可能な最小パターンはｌ 〔μｍ〕前後である。
然しなから、近年、例えば水銀（Ｈｇ） ・キセノン
（Ｘｅ）ランプ或いはエキシマ・レーザ等から発生する
遠紫外線に依り０．５〔μｍ〕前後のパターン転写が可
能になってきた。
（Ｘｅ）ランプ或いはエキシマ・レーザ等から発生する
遠紫外線に依り０．５〔μｍ〕前後のパターン転写が可
能になってきた。
この為、露光用マスクに形成されるパターンは高精度で
なければならない゛。
なければならない゛。
そのような露光用マスクにパターンの描画をするには、
微細パターン描画が可能であり且つ描画速度も比較的速
い電子ビーム露光法を適用することが有望視されている
。
微細パターン描画が可能であり且つ描画速度も比較的速
い電子ビーム露光法を適用することが有望視されている
。
第４図乃至第９図は光露光用マスクを作製する従来技術
を解説する為の工程要所に於けるマスクの要部切断斜面
図であり、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。
を解説する為の工程要所に於けるマスクの要部切断斜面
図であり、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。
第４図参照
（ａ） 蒸着法を適用することに依り、ガラス板ｌ上
に厚さ約７００ 〔入〕程度のクロム（Ｃｒ）ＩＩＩ２
を形成する。これに依り、所謂、ブランク・マスクが得
られたことになる。
に厚さ約７００ 〔入〕程度のクロム（Ｃｒ）ＩＩＩ２
を形成する。これに依り、所謂、ブランク・マスクが得
られたことになる。
ガラス板１としては、ソーダ・ガラス、ＬＥ（ｌ ｏｗ
ｅｘｐａｎｓ １ｏｎ）ガラス、石英ガラス等を用
いることができる。
ｅｘｐａｎｓ １ｏｎ）ガラス、石英ガラス等を用
いることができる。
第５図参照
（ｂ） ポリメチルメタクリレート（ｐｏｌｙｍｅｔ
ｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ：ＰＭＭＡ）からなる
レジスト膜３を厚さ約０．５〜１．０〔μｍ〕程度に形
成する。
ｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ：ＰＭＭＡ）からなる
レジスト膜３を厚さ約０．５〜１．０〔μｍ〕程度に形
成する。
第６図参照
（Ｃ） 電子ビーム露光法を適用することに依り、レ
ジスト膜３に露光パターン４を形成する。
ジスト膜３に露光パターン４を形成する。
第７図参照
（ｄ） 現像を行ってレジスト膜３に於ける露光パタ
ーン４の部分を除去すると開口５が形成され、その開口
５内にクロム膜２の一部が表出する。
ーン４の部分を除去すると開口５が形成され、その開口
５内にクロム膜２の一部が表出する。
第８図参照
（ｅ） エッチャントを第二セリウム・アンモニウム
とするウェット・エツチング法を適用することに依り、
レジスト膜３をマスクとしてクロム膜２のエツチングを
行い、開口５ （第７図参照）と同じパターンの開口６
を形成する。
とするウェット・エツチング法を適用することに依り、
レジスト膜３をマスクとしてクロム膜２のエツチングを
行い、開口５ （第７図参照）と同じパターンの開口６
を形成する。
第９図参照
（ｆ） レジスト膜３を剥離して露光用マスクを完成
する。
する。
前記したように、露光用マスクを形成する際のブランク
・マスクに対するパターンの描画は、その微細化の為、
電子ビームが多用されるようになった。
・マスクに対するパターンの描画は、その微細化の為、
電子ビームが多用されるようになった。
然しなから、その場合、電子ビーム・エネルギに依り、
ガラス板１及びレジスト膜３に於いて熱が発生してレジ
スト膜が熱的ダメージを受けること（前者）、また、電
子がガラス板１中で散乱され、所謂ガラス板１からの後
方散乱に依りレジスト膜３が感光して近接効果現象が現
れること（後者）等からパターンの精度が著しく劣化す
る。
ガラス板１及びレジスト膜３に於いて熱が発生してレジ
スト膜が熱的ダメージを受けること（前者）、また、電
子がガラス板１中で散乱され、所謂ガラス板１からの後
方散乱に依りレジスト膜３が感光して近接効果現象が現
れること（後者）等からパターンの精度が著しく劣化す
る。
前者の場合、透明基板、即ち、ソーダ・ガラス、ＬＥガ
ラス、石英ガラスなどのガラス板１及びレジスト膜３の
熱伝導率が小さい為、電子ビームに於ける電子の運動エ
ネルギが失われることに依り発生する熱エネルギの放散
が進行せずにレジスト膜３が熱変質することが原因とな
ってパターンぼけを生ずるものであり、これは、電子ビ
ームの電流密度を低下させれば成る程度の回避は可能で
あるが、スルー・プツトも低下してしまうから、得策と
は云い難い。
ラス、石英ガラスなどのガラス板１及びレジスト膜３の
熱伝導率が小さい為、電子ビームに於ける電子の運動エ
ネルギが失われることに依り発生する熱エネルギの放散
が進行せずにレジスト膜３が熱変質することが原因とな
ってパターンぼけを生ずるものであり、これは、電子ビ
ームの電流密度を低下させれば成る程度の回避は可能で
あるが、スルー・プツトも低下してしまうから、得策と
は云い難い。
後者の場合、電子の散乱は、金属薄膜であるクロム膜２
やシリコンを主成分とするガラス板１から生じ、電子ビ
ームの加速電圧が２０（ＫＶ）の場合、２〔μｍ〕以下
に近接したパターンは相互に干渉しあってパターンぼけ
を発生することになる。
やシリコンを主成分とするガラス板１から生じ、電子ビ
ームの加速電圧が２０（ＫＶ）の場合、２〔μｍ〕以下
に近接したパターンは相互に干渉しあってパターンぼけ
を発生することになる。
第１０図はレジス「膜の熱的ダメージ或いは後方散乱等
の影響でパターンぼけが発生したことを説明する為の半
導体装置の要部平面図を表している。
の影響でパターンぼけが発生したことを説明する為の半
導体装置の要部平面図を表している。
図に於いて、７は電子ビーム照射領域、８は現像後に於
けるレジスト・パターンをそれぞれ示している。
けるレジスト・パターンをそれぞれ示している。
第１１図はパターンが近接している場合に発生するパタ
ーンぼけを説明する為の半導体装置の要部平面図を表し
ている。
ーンぼけを説明する為の半導体装置の要部平面図を表し
ている。
図に於いて、９及び１０は電子ビーム照射領域、１１は
現像後に於けるレジスト・パターンをそれぞれ示してい
る。
現像後に於けるレジスト・パターンをそれぞれ示してい
る。
第１２図は電子ビームを照射した場合に後方散乱に依っ
てパターンが拡がってしまうことを説明゛する為の半導
体装置の要部切断側面図を表し、図では、第４図乃至第
９図に関して説明した部分と同部分は同記号で指示しで
ある。
てパターンが拡がってしまうことを説明゛する為の半導
体装置の要部切断側面図を表し、図では、第４図乃至第
９図に関して説明した部分と同部分は同記号で指示しで
ある。
図に於いて、１２は電子ビーム、１３は後方散乱した電
子ビーム、１４は露光領域をそれぞれ示している。
子ビーム、１４は露光領域をそれぞれ示している。
本発明は、電子ビーム露光した場合、熱放散が良好であ
り、且つ、電子ビームの後方散乱を抑制することができ
る構造のブランク・マスクを提供する。
り、且つ、電子ビームの後方散乱を抑制することができ
る構造のブランク・マスクを提供する。
本発明のブランク・マスクは、ガラス板等の透明基板上
にアモルファス・カーボン或いはダイヤモンドなど炭素
の同素体からなる膜及びクロムなどパターン形成用の金
属膜が形成された構造になっている。
にアモルファス・カーボン或いはダイヤモンドなど炭素
の同素体からなる膜及びクロムなどパターン形成用の金
属膜が形成された構造になっている。
前記手段に依ると、電子ビームが照射されて熱が発生し
ても速やかに放散されるのでレジスト膜が熱的ダメージ
を受けることが少なく、また、電子ビームの後方散乱も
抑制されるのでパターンぼけかない高精度のパターン形
成が可能である。
ても速やかに放散されるのでレジスト膜が熱的ダメージ
を受けることが少なく、また、電子ビームの後方散乱も
抑制されるのでパターンぼけかない高精度のパターン形
成が可能である。
第１図は本発明一実施例の要部切断斜面図を表し、第４
図乃至第９図に関して説明した部分と同部分は同記号で
指示して°ある。
図乃至第９図に関して説明した部分と同部分は同記号で
指示して°ある。
本実施例が第４図乃至第９図に見られる従来例と相違す
る点は、ガラス板１とクロム膜２との間にアモルファス
・カーボン膜１５が介挿されていることである。尚、ア
モルファス・カーボンは、生成させる為の条件を適切に
選択し、スパッタリング時に水素ガスの分圧を高くする
と透明度が向上し、特に、紫外線に対して透明であるこ
とが確認されている。
る点は、ガラス板１とクロム膜２との間にアモルファス
・カーボン膜１５が介挿されていることである。尚、ア
モルファス・カーボンは、生成させる為の条件を適切に
選択し、スパッタリング時に水素ガスの分圧を高くする
と透明度が向上し、特に、紫外線に対して透明であるこ
とが確認されている。
このブランク・マスクを作製するには、例えば石英ガラ
スからなるガラス板ｌを高周波スパッタリング装置内に
配置し、水素雰囲気中にて高純度グラファイトをターゲ
ットとして厚さ＝Ｌなるアモルファス・カーボン膜１５
を形成し、次いで、蒸着法を適用することに依り、厚さ
約０．１ 〔μｍ〕程度のクロム膜２を形成して完成す
る。
スからなるガラス板ｌを高周波スパッタリング装置内に
配置し、水素雰囲気中にて高純度グラファイトをターゲ
ットとして厚さ＝Ｌなるアモルファス・カーボン膜１５
を形成し、次いで、蒸着法を適用することに依り、厚さ
約０．１ 〔μｍ〕程度のクロム膜２を形成して完成す
る。
このブランク・マスクにＰＭＭＡからなる電子線レジス
ト（例えばＣＭＲ：富士通層）を厚さ約１ 〔μｍ〕程
度に形成し、電子ビームの幅を例えば３〔μｍ〕、加速
電圧２０（ＫＶ）、電流密度２ （Ａ／ｃｍ” ） 、
照射量４ Ｘ Ｉ Ｏ−’ （Ｃ／ｃｍ” ）照射時間
２０〔μ５ｅｃ）として電子ビーム露光を行い、その場
合の発熱温度を測定した結果が第２図に表されている。
ト（例えばＣＭＲ：富士通層）を厚さ約１ 〔μｍ〕程
度に形成し、電子ビームの幅を例えば３〔μｍ〕、加速
電圧２０（ＫＶ）、電流密度２ （Ａ／ｃｍ” ） 、
照射量４ Ｘ Ｉ Ｏ−’ （Ｃ／ｃｍ” ）照射時間
２０〔μ５ｅｃ）として電子ビーム露光を行い、その場
合の発熱温度を測定した結果が第２図に表されている。
図に於いて、縦軸には温度を、横軸にはアモルファス・
カーボン膜１５の厚さｔをそれぞれ採ってあり、○印は
照射電子ビームの中央部の直下で 。
カーボン膜１５の厚さｔをそれぞれ採ってあり、○印は
照射電子ビームの中央部の直下で 。
且つクロム膜２とレジスト膜３との境界部分の温度を表
し、・印は照射電子ビームのビーム境界直下で且つクロ
ム膜２とレジスト膜３との境界部分の温度を表している
。
し、・印は照射電子ビームのビーム境界直下で且つクロ
ム膜２とレジスト膜３との境界部分の温度を表している
。
図から明らかなように、アモルファス・カーボン膜１５
の厚さｔが５０００ （人〕を越えると発熱は１００
（’Ｃ）以下になり、これはＰＭＭＡがガラス化する温
度以下であるから、レジスト膜への熱的影響は皆無にな
る。
の厚さｔが５０００ （人〕を越えると発熱は１００
（’Ｃ）以下になり、これはＰＭＭＡがガラス化する温
度以下であるから、レジスト膜への熱的影響は皆無にな
る。
第３図は第１図に見られる本発明一実施例に於ける電子
散乱分布強度を従来のそれと比較して表した線図である
。
散乱分布強度を従来のそれと比較して表した線図である
。
図では、縦軸には強度を、横軸には電子ビームの中心か
らの距離ｒをそ′れぞれ採っである。
らの距離ｒをそ′れぞれ採っである。
図に於いて、Ａは本発明一実施例、即ち、アモルファス
・カーボン膜１５を有するブランク・マスクに於ける特
性線であり、Ｂは従来例、即ち、アモルファス・カーボ
ン膜１５が存在しないブランク・マスクに於ける特性線
をそれぞれ示している。
・カーボン膜１５を有するブランク・マスクに於ける特
性線であり、Ｂは従来例、即ち、アモルファス・カーボ
ン膜１５が存在しないブランク・マスクに於ける特性線
をそれぞれ示している。
図から明らかなように、電子ビームの中心から１Ｃμｍ
）Ｆｉｌれた点に於いて、ＡはＢ（７）１／２ｆ７）強
度になっている。これは、アモルファス・カーボン膜１
５の存在に依り、後方散乱が１／２に低減されているこ
とを示すものであり、近接効果の影響は小さくなること
が理解される。
）Ｆｉｌれた点に於いて、ＡはＢ（７）１／２ｆ７）強
度になっている。これは、アモルファス・カーボン膜１
５の存在に依り、後方散乱が１／２に低減されているこ
とを示すものであり、近接効果の影響は小さくなること
が理解される。
前記実施例では熱放散を向上し、後方散乱を抑制する為
の被膜としてアモルファス・カーボン膜を用いたが、そ
れに限定されることなく、例えばダイヤモンドの薄膜な
ど炭素の同素体を用いることができる。
の被膜としてアモルファス・カーボン膜を用いたが、そ
れに限定されることなく、例えばダイヤモンドの薄膜な
ど炭素の同素体を用いることができる。
本発明のブランク・マスクでは、ガラス板等の透明基板
上にアモルファス・カーボン或いはダイヤモンドなど炭
素の同素体からなる膜及びクロムなどパターン４形成用
の金属膜が形成された構造になっている。
上にアモルファス・カーボン或いはダイヤモンドなど炭
素の同素体からなる膜及びクロムなどパターン４形成用
の金属膜が形成された構造になっている。
このように、透明基板上に炭素の同素体からなる膜を形
成しておくと、レジスト膜を形成して電子ビーム露光を
行った場合、電子ビームに依る熱が発生しても速やかに
放散され、また、後方散乱も抑制されるので、レジスト
膜が熱的ダメージを受けたり、露光領域が不当に拡がっ
たりすることはなくなり、高精度のパターンが得られる
ので、微細パターンの形成に有効である。
成しておくと、レジスト膜を形成して電子ビーム露光を
行った場合、電子ビームに依る熱が発生しても速やかに
放散され、また、後方散乱も抑制されるので、レジスト
膜が熱的ダメージを受けたり、露光領域が不当に拡がっ
たりすることはなくなり、高精度のパターンが得られる
ので、微細パターンの形成に有効である。
第１図は本発明一実施例の要部切断斜面図、第２図はア
モルファス・カーボン膜の厚さと発熱の温度との関係を
示す線図、第３図は電子ビーム照射した場合の電子ビー
ム中心からの距離と電子散乱強度との関係を示す線図、
第４図乃至第９図は露光用マスクを製造する従来技術を
説明する為の工程要所に於ける半導体装置の要部切断斜
面図、第１Ｏ図及び第１１図゛はパターンのぼけを説明
する為の半導体装置の要部平面図、第１２図は電子ビー
ムの後方散乱を説明する為の半導体装置の要部切断側面
図をそれぞれ表している。 図に於いて、１はガラス板、２はクロム膜、３はレジス
ト膜、１５はアモルファス・カーボン膜をそれぞれ示し
ている。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図 第２図 膜厚ｔ（μ帽 第４図 第５図 第７図 第８図 第９図
モルファス・カーボン膜の厚さと発熱の温度との関係を
示す線図、第３図は電子ビーム照射した場合の電子ビー
ム中心からの距離と電子散乱強度との関係を示す線図、
第４図乃至第９図は露光用マスクを製造する従来技術を
説明する為の工程要所に於ける半導体装置の要部切断斜
面図、第１Ｏ図及び第１１図゛はパターンのぼけを説明
する為の半導体装置の要部平面図、第１２図は電子ビー
ムの後方散乱を説明する為の半導体装置の要部切断側面
図をそれぞれ表している。 図に於いて、１はガラス板、２はクロム膜、３はレジス
ト膜、１５はアモルファス・カーボン膜をそれぞれ示し
ている。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図 第２図 膜厚ｔ（μ帽 第４図 第５図 第７図 第８図 第９図
Claims (1)
- 透明基板上に順に形成された炭素の同素体からなる膜
及びパターン形成用の金属膜を有してなることを特徴と
するブランク・マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59242404A JPS61121056A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | ブランク・マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59242404A JPS61121056A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | ブランク・マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61121056A true JPS61121056A (ja) | 1986-06-09 |
Family
ID=17088633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59242404A Pending JPS61121056A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | ブランク・マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61121056A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1065566A2 (en) * | 1999-06-30 | 2001-01-03 | Hoya Corporation | Electron beam drawing mask blank, electron beam drawing mask, and method of manufacturing the same |
-
1984
- 1984-11-19 JP JP59242404A patent/JPS61121056A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1065566A2 (en) * | 1999-06-30 | 2001-01-03 | Hoya Corporation | Electron beam drawing mask blank, electron beam drawing mask, and method of manufacturing the same |
| US6812473B1 (en) | 1999-06-30 | 2004-11-02 | Hoya Corporation | Electron beam drawing mask blank, electron beam drawing mask, and method of manufacturing the same |
| EP1065566A3 (en) * | 1999-06-30 | 2010-01-13 | Hoya Corporation | Electron beam drawing mask blank, electron beam drawing mask, and method of manufacturing the same |
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