JPS61120287A - Ｉｃカ−ド - Google Patents
Ｉｃカ−ドInfo
- Publication number
- JPS61120287A JPS61120287A JP59241728A JP24172884A JPS61120287A JP S61120287 A JPS61120287 A JP S61120287A JP 59241728 A JP59241728 A JP 59241728A JP 24172884 A JP24172884 A JP 24172884A JP S61120287 A JPS61120287 A JP S61120287A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- reference potential
- contact terminal
- card
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、薄板状で携帯用のＩＣカードに関し、特にＩ
Ｃカード内で半導体集積回路を構成している半導体が外
部ノイズによって破壊されるのを防止するのに好適なＩ
Ｃカードに間するものである。
Ｃカード内で半導体集積回路を構成している半導体が外
部ノイズによって破壊されるのを防止するのに好適なＩ
Ｃカードに間するものである。
従来、この種のカードは、メモリーカード、アクティブ
あるいはパッシブ・メモリーカードなどと呼ばれ、形も
大きさもクレジット・カードと同じで２便利で、かつ安
全なことから電子送金（ＥＦＴ）用、公衆電話での支払
い用、各種の認識。
あるいはパッシブ・メモリーカードなどと呼ばれ、形も
大きさもクレジット・カードと同じで２便利で、かつ安
全なことから電子送金（ＥＦＴ）用、公衆電話での支払
い用、各種の認識。
あるいは診断用などと広い分野で多く用いられてきてい
る。なお、以下の説明においては、用途にかかわらず上
記種類のカードであることを” Ｉ Ｃカード”の名称
で表現する。
る。なお、以下の説明においては、用途にかかわらず上
記種類のカードであることを” Ｉ Ｃカード”の名称
で表現する。
ＩＣカードは、キャッシュカード、定期券などに使用さ
れている磁気カードに較べて、記憶容量。
れている磁気カードに較べて、記憶容量。
データ保護などの点で優れているが、例えば、使用者が
発生する静電気などの高電圧（外部ノイズ）によって、
組み込まれている半導体集積回路が破壊され易いという
問題がある。
発生する静電気などの高電圧（外部ノイズ）によって、
組み込まれている半導体集積回路が破壊され易いという
問題がある。
上記欠点を除去する方法としては、特開昭５６−１５７
５９０号公報「メモリ・カード」に記載のように、半導
体素子の電子回路を導電性のある樹脂またはフィルムで
包囲してしまう方法がある。
５９０号公報「メモリ・カード」に記載のように、半導
体素子の電子回路を導電性のある樹脂またはフィルムで
包囲してしまう方法がある。
しかしながら、上記方法においては、接点端子。
導体を通って直接侵入する外部ノイズに対する考慮がな
されていない。
されていない。
゛本発明の目的は、このような従来の問題を解決し、簡
単かつ安価な方法により、ＩＣカードに内蔵する半導体
集積回路を外部の高電圧ノイズから確実に保護すること
ができ、信頼性の高いＩＣカードを提供することにある
。
単かつ安価な方法により、ＩＣカードに内蔵する半導体
集積回路を外部の高電圧ノイズから確実に保護すること
ができ、信頼性の高いＩＣカードを提供することにある
。
上記目的を達成するため１本発明のＩＣカードは、薄状
のプラスチック板内に機能を発生する半導体集積回路と
、該機能の入出力用の接点端子と、該接点端子と上記半
導体集積回路間を接続する導体が組み込まれている携帯
用ＩＣカードにおいて、上記接点端子と上記半導体集積
回路の基準電位間を接続する半導体スイッチ素子と、該
半導体スイッチ素子を導通または非導通状態にするため
の起電力を発生する太陽電池を備えることに特徴がある
。
のプラスチック板内に機能を発生する半導体集積回路と
、該機能の入出力用の接点端子と、該接点端子と上記半
導体集積回路間を接続する導体が組み込まれている携帯
用ＩＣカードにおいて、上記接点端子と上記半導体集積
回路の基準電位間を接続する半導体スイッチ素子と、該
半導体スイッチ素子を導通または非導通状態にするため
の起電力を発生する太陽電池を備えることに特徴がある
。
以下、本発明の実施例を図面により説明する。
第１図は１本発明の一実施例であるＩＣカードの構造を
示す縦断面図であり、第２図は、第１図に示すＩＣカー
ドの回路図である。
示す縦断面図であり、第２図は、第１図に示すＩＣカー
ドの回路図である。
第１図、第２図において、１はＩＣカードを形成する絶
縁プラスチック材、２はＩＣカードの機能を発生させる
半導体集積回路、３は保護回路。
縁プラスチック材、２はＩＣカードの機能を発生させる
半導体集積回路、３は保護回路。
４は各種情報の書込み、読出しを行うためにデータ伝送
装置に接続する接点端子群、５は光が照射されると起電
力を発生する太陽電池、６は各接点端子４を半導体集積
回路２に接続する接続導体、７は動作モードがデプレッ
ション形（Ｄ形）のＭ○Ｓトランジスタである。
装置に接続する接点端子群、５は光が照射されると起電
力を発生する太陽電池、６は各接点端子４を半導体集積
回路２に接続する接続導体、７は動作モードがデプレッ
ション形（Ｄ形）のＭ○Ｓトランジスタである。
保護回路３は、第１図に示すように、接点端子＃４の近
傍に配置し、その回路は、第２図に示すように、接続導
体６の本数（ただし、基準電位のものは除く）分のＭＯ
Ｓ ）−ランジスタフを設け。
傍に配置し、その回路は、第２図に示すように、接続導
体６の本数（ただし、基準電位のものは除く）分のＭＯ
Ｓ ）−ランジスタフを設け。
そのドレインＤは、各接続導体６に、ソースＳは。
共通にして半導体集積回路２の基準電位（ＯＶまたはグ
ラウンド電位）である接続導体６にそれぞれ接続する。
ラウンド電位）である接続導体６にそれぞれ接続する。
ＭＯＳトランジスタ７のゲートＧは、共通にして太陽電
池５のマイナス（−）電極に接続する。
池５のマイナス（−）電極に接続する。
太陽電池５のプラス（＋）電極は、上記ソースＳと同様
に、半導体集積回路２の基準電位である接続導体６に接
続する。
に、半導体集積回路２の基準電位である接続導体６に接
続する。
”ＭＯＳトランジスタ７は、第３゛図に示すようなドレ
イン電流ＩＤ５−ゲート・ソース間電圧ＶＣ８特性であ
る。それにより、光が太陽電池５に照射された場合は、
ＶｃＳが下って第３図に示す点ａとなり、非導通状態に
なる０反対に照射がなく暗くなった場合は、ＶＣＳが零
（第３図の点ｂ）となり、導通状態になる。
イン電流ＩＤ５−ゲート・ソース間電圧ＶＣ８特性であ
る。それにより、光が太陽電池５に照射された場合は、
ＶｃＳが下って第３図に示す点ａとなり、非導通状態に
なる０反対に照射がなく暗くなった場合は、ＶＣＳが零
（第３図の点ｂ）となり、導通状態になる。
ＭＯＳトランジスタ７が導通状態にあるときは。
接点端子４・からの入力信号を半導体集積回路２に伝達
することなく、基準電位レベルにバイパスするので、・
半導体集積回路２が外部からの高電圧によって破壊され
てしまうのを防止することができる。
することなく、基準電位レベルにバイパスするので、・
半導体集積回路２が外部からの高電圧によって破壊され
てしまうのを防止することができる。
また、外部からのノイズをバイパスするＭＯＳトランジ
スタ７すなわち保護回路３を、前述したのように、接点
端子群４の近傍に配置するのは、接点端子４に印加され
た高電圧（静電気）を半導体集積回路２から極力遠い位
置で処理することにより、静電気に対する耐力をより向
上させるためである。
スタ７すなわち保護回路３を、前述したのように、接点
端子群４の近傍に配置するのは、接点端子４に印加され
た高電圧（静電気）を半導体集積回路２から極力遠い位
置で処理することにより、静電気に対する耐力をより向
上させるためである。
非導通状態になる点ａは１通常の室内における、蛍光灯
程度の照度ではなく、もっと強い照度が当てられたとき
に発生する太陽電池５の起電力値に設定する。
程度の照度ではなく、もっと強い照度が当てられたとき
に発生する太陽電池５の起電力値に設定する。
次に、上記ＩＣカードをデータ伝送装百に装着し、デー
タの書込み、読取りを行う場合について述べる。
タの書込み、読取りを行う場合について述べる。
データ伝送装置は、先ず、接点端子群４を電気的に接続
した後、太陽電池５にやや強い光を照射して、ＭＯ８Ｉ
−ランジスタフを全て非導通状態にし、接点端子４に印
加した信号が半導体集積回路２に伝達される状態にした
後、データの書込みまたは読取り処理を実行する。
した後、太陽電池５にやや強い光を照射して、ＭＯ８Ｉ
−ランジスタフを全て非導通状態にし、接点端子４に印
加した信号が半導体集積回路２に伝達される状態にした
後、データの書込みまたは読取り処理を実行する。
次に、本発明の第２の実施例について述へる。
回路は、第２図に示す保護回路３のＭＯＳトランジスタ
に動作モードがエンハンスメント形（Ｅ形）のものを使
用し、太陽電池５の極性を逆（ゲートＧに十極、ソース
Ｓに一極）接続した構成にする。
に動作モードがエンハンスメント形（Ｅ形）のものを使
用し、太陽電池５の極性を逆（ゲートＧに十極、ソース
Ｓに一極）接続した構成にする。
上記回路の太陽電池は、前述とは反対に、光が照射され
たときに、ＭＯＳトランジスタを導通状態にして、接点
端子４を基準電位レベルにクランプし、前述同様、半導
体集積回路２が外部からの高電圧（静電気）によって破
壊されてしまうのを防止する。
たときに、ＭＯＳトランジスタを導通状態にして、接点
端子４を基準電位レベルにクランプし、前述同様、半導
体集積回路２が外部からの高電圧（静電気）によって破
壊されてしまうのを防止する。
次に１本発明の第３の実施例について述べる６回路は、
前述した第１．第２の実施例における太陽電池５をコン
バータ回路に変更し、そのコンバータ回路がＩＣカード
に給電される電源から太陽電池と同様の電圧を、ＭＯＳ
トランジスタに送出する構成にする。
前述した第１．第２の実施例における太陽電池５をコン
バータ回路に変更し、そのコンバータ回路がＩＣカード
に給電される電源から太陽電池と同様の電圧を、ＭＯＳ
トランジスタに送出する構成にする。
上記構成のＩＣカードは、データ伝送装置に装着した場
合にのみ、ＭＯＳトランジスタが非導通状態となるので
、前述同様、半導体集積回路２が外部からの高電圧（静
電気）によって破壊されてしまうのを防止できるものと
なる。
合にのみ、ＭＯＳトランジスタが非導通状態となるので
、前述同様、半導体集積回路２が外部からの高電圧（静
電気）によって破壊されてしまうのを防止できるものと
なる。
以上説明したように、本発明によれば、接点端子と基準
電位間を接続するＭｏＳトランジスタをデータの書込み
、読取り時の他は常に導通の状態にさせるので、内蔵す
る半導体集積回路が外部の高電圧ノイズによって破壊さ
れることがなく、ＩＣカードの信頼性は向上する。
電位間を接続するＭｏＳトランジスタをデータの書込み
、読取り時の他は常に導通の状態にさせるので、内蔵す
る半導体集積回路が外部の高電圧ノイズによって破壊さ
れることがなく、ＩＣカードの信頼性は向上する。
第１図は１本発明の一実施例であるＩＣカードの構造を
示す縦断面図、第２図は、第１図に示すＩＣカードの回
路図、第３図はｌＭＯＳトランジスタ７の特性図である
。 ■＝絶縁プラスチック材、２：半導体集積回路、３：保
護回路、４：接点端子群、５：太陽電池、６：接続導体
、７：ＭＯＳトランジスタ。
示す縦断面図、第２図は、第１図に示すＩＣカードの回
路図、第３図はｌＭＯＳトランジスタ７の特性図である
。 ■＝絶縁プラスチック材、２：半導体集積回路、３：保
護回路、４：接点端子群、５：太陽電池、６：接続導体
、７：ＭＯＳトランジスタ。
Claims (1)
- （１）薄状のプラスチック板内に機能を発生する半導体
集積回路と、該機能の入出力用の接点端子と、該接点端
子と上記半導体集積回路間を接続する導体が組み込まれ
ている携帯用ＩＣカードにおいて、上記接点端子と上記
半導体集積回路の基準電位間を接続する半導体スイッチ
素子と、該半導体スイッチ素子を導通または非導通状態
にするための起電力を発生する太陽電池を備えることを
特徴とするＩＣカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59241728A JPS61120287A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | Ｉｃカ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59241728A JPS61120287A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | Ｉｃカ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61120287A true JPS61120287A (ja) | 1986-06-07 |
Family
ID=17078648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59241728A Pending JPS61120287A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | Ｉｃカ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61120287A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61150090A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｉｃカ−ド |
| US4810864A (en) * | 1986-11-07 | 1989-03-07 | Seiko Instruments Inc. | Memory card having improved data protection |
-
1984
- 1984-11-16 JP JP59241728A patent/JPS61120287A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61150090A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｉｃカ−ド |
| US4810864A (en) * | 1986-11-07 | 1989-03-07 | Seiko Instruments Inc. | Memory card having improved data protection |
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