JPS61119672A - ロ−ドロツク室のベント方法 - Google Patents
ロ−ドロツク室のベント方法Info
- Publication number
- JPS61119672A JPS61119672A JP23862584A JP23862584A JPS61119672A JP S61119672 A JPS61119672 A JP S61119672A JP 23862584 A JP23862584 A JP 23862584A JP 23862584 A JP23862584 A JP 23862584A JP S61119672 A JPS61119672 A JP S61119672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- gas
- lock chamber
- load lock
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はシリコンウェハその他の基板にスパッタリング
、エッチクリーニング、イオン注入等の真空処理を施す
処理室に付設されるロードロック室のベント方法に関す
る。
、エッチクリーニング、イオン注入等の真空処理を施す
処理室に付設されるロードロック室のベント方法に関す
る。
（従来の技術）
従来前記のような真空処理を施す処理室には、図示のよ
うにロードロック室ａが設けられ、処理室すに於いて処
理されるべき基板Ｃ或は処理済みの基板を該ロードロッ
ク室ａを介して処理ｉｂと外部のカセットケースｄとの
間を搬送することが行なわれている。図示のようなカセ
ットケースｄに未処理の基板Ｃが収められている場合、
基板Ｃはバルブｅを介して一枚宛ロードロック室ａに送
り込まれ、さらに該バルブｅを閉じたのちバルブｍを圓
いて真空ポンプｎでロードロック室ａを真空に排気し、
バルブｆを開けて例えばスパッタリング用のターゲット
Ｑを備えた処理室すに送り込まれ、そこで基板Ｃにスパ
ッタリング処理が施される。該処理室す内は基板Ｃのス
パッタリング処理のためＡｒガス等のスパッタリングガ
スを含み１Ｏ−ＩＴｏｒｒ程度に真空化されるが、該基
板の真空処理中はロードロック’ｌａはバルブｆが開弁
されたままのこともあれば、該基板Ｃを処理室すに搬送
後バルブｆが閉じられることもある。真空処理が終了す
ると該基板Ｃをロードロック室ａに送り込んでバルブｆ
を閉じるが、バルブｅを開弁するに先立ち該ロードロッ
ク室ａに空気又は窒素ガスを例えばボンベｉから導入し
て該ロードロック室を大気圧とし該バルブｅの開弁を容
易ならしめるベント操作が行なわれる。ｌは処理室すの
真空ポンプを示す。
うにロードロック室ａが設けられ、処理室すに於いて処
理されるべき基板Ｃ或は処理済みの基板を該ロードロッ
ク室ａを介して処理ｉｂと外部のカセットケースｄとの
間を搬送することが行なわれている。図示のようなカセ
ットケースｄに未処理の基板Ｃが収められている場合、
基板Ｃはバルブｅを介して一枚宛ロードロック室ａに送
り込まれ、さらに該バルブｅを閉じたのちバルブｍを圓
いて真空ポンプｎでロードロック室ａを真空に排気し、
バルブｆを開けて例えばスパッタリング用のターゲット
Ｑを備えた処理室すに送り込まれ、そこで基板Ｃにスパ
ッタリング処理が施される。該処理室す内は基板Ｃのス
パッタリング処理のためＡｒガス等のスパッタリングガ
スを含み１Ｏ−ＩＴｏｒｒ程度に真空化されるが、該基
板の真空処理中はロードロック’ｌａはバルブｆが開弁
されたままのこともあれば、該基板Ｃを処理室すに搬送
後バルブｆが閉じられることもある。真空処理が終了す
ると該基板Ｃをロードロック室ａに送り込んでバルブｆ
を閉じるが、バルブｅを開弁するに先立ち該ロードロッ
ク室ａに空気又は窒素ガスを例えばボンベｉから導入し
て該ロードロック室を大気圧とし該バルブｅの開弁を容
易ならしめるベント操作が行なわれる。ｌは処理室すの
真空ポンプを示す。
（発明が解決しようとする問題点）
ロードロツタ室ａをベントするガスは排気管りに連なる
真空ポンプにより排気されるが、基板Ｃが例えば４０秒
に１回の高速でロードロック室ａを通過する場合多少と
も空気等のベンドガスがロードロック室ａに残存し勝ち
でありこれが次第に処理室ｂ１．：流入して該室す内を
汚染し、スパッタ膜の膜質を瘍下させる欠点がある。
真空ポンプにより排気されるが、基板Ｃが例えば４０秒
に１回の高速でロードロック室ａを通過する場合多少と
も空気等のベンドガスがロードロック室ａに残存し勝ち
でありこれが次第に処理室ｂ１．：流入して該室す内を
汚染し、スパッタ膜の膜質を瘍下させる欠点がある。
本発明は処理室内がロードロック室のベントガスで汚染
させることを防止するを目的とするものである。
させることを防止するを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明では基板にスパッタエツチング、エッチクリーニ
ング等の真空９８浬を施す真空の処理室から分離独立し
たロードロック室を設け、該ロードロック室内にベント
ガスを一旦注入して該基板を該ロードロック室と外部と
の間で搬送する式のものに於いて、該ロードロック室内
に注入するベントガスを該処理室で使用されるガスと同
種のガスを使用するようにした。
ング等の真空９８浬を施す真空の処理室から分離独立し
たロードロック室を設け、該ロードロック室内にベント
ガスを一旦注入して該基板を該ロードロック室と外部と
の間で搬送する式のものに於いて、該ロードロック室内
に注入するベントガスを該処理室で使用されるガスと同
種のガスを使用するようにした。
（作 用）
該ロードロック室から外部へと基板を搬出する場合、該
ロードロック室内へベントガスを注入し、外気と該室の
差圧で弁体が固着することを防止するが、該ベントガス
として処理室に於いてＡ「ガスが使用されるならば、こ
れと同種即ちＡｒガスが使用される。該ロードロック室
は処理室と連通する場合、該処理室内へ不純物が侵入し
ないように予め処理室の真空度と同程度又はそれ以下に
まで真空排気しても多少ともベントガスが残存しそれが
わずかずつ処理室へと侵入する。而して該ベントガスを
処理室に使用のガスと同種のものとすることにより残存
するベントガスが処理室に侵入しても処理室内の処理ガ
スを汚染することがなく、基板の処理の質の低下を防ぐ
ことが出来る。
ロードロック室内へベントガスを注入し、外気と該室の
差圧で弁体が固着することを防止するが、該ベントガス
として処理室に於いてＡ「ガスが使用されるならば、こ
れと同種即ちＡｒガスが使用される。該ロードロック室
は処理室と連通する場合、該処理室内へ不純物が侵入し
ないように予め処理室の真空度と同程度又はそれ以下に
まで真空排気しても多少ともベントガスが残存しそれが
わずかずつ処理室へと侵入する。而して該ベントガスを
処理室に使用のガスと同種のものとすることにより残存
するベントガスが処理室に侵入しても処理室内の処理ガ
スを汚染することがなく、基板の処理の質の低下を防ぐ
ことが出来る。
（実施例）
処理室内を約１０’ 丁ｏｒｒとし、そこにＡ「ガスを
注入してシリコン基板の表面にターゲットの物質の薄膜
を形成する場合、Ａ「ガスのベントガスをボンベからロ
ードロック室が略大気圧になるまでロードロック室に注
入し、バルブを開いて外部から処理されるべき基板を搬
入する。基板の搬入後該ロードロツタ室が約１０−ｇＴ
ｏｒｒにまで真空排気されると処理室にバルブを介して
基板が送り込まれる。処理室がロードロック室に連通す
る回数が多くなるとロードロック室に残存するベントガ
スが処理室に侵入するが該ベントガスは処理室で使用さ
れるガスと同種であるので処理室内のガスは汚染される
ことがなく基板に形成される薄膜の膜質が低下すること
が防げる。
注入してシリコン基板の表面にターゲットの物質の薄膜
を形成する場合、Ａ「ガスのベントガスをボンベからロ
ードロック室が略大気圧になるまでロードロック室に注
入し、バルブを開いて外部から処理されるべき基板を搬
入する。基板の搬入後該ロードロツタ室が約１０−ｇＴ
ｏｒｒにまで真空排気されると処理室にバルブを介して
基板が送り込まれる。処理室がロードロック室に連通す
る回数が多くなるとロードロック室に残存するベントガ
スが処理室に侵入するが該ベントガスは処理室で使用さ
れるガスと同種であるので処理室内のガスは汚染される
ことがなく基板に形成される薄膜の膜質が低下すること
が防げる。
基板を高速で処理する場合、約４０秒に１回の割で処理
室とロードロック室が連通し、従来は半日乃至１日で処
理室のガスに不純ガスが１／１０５乃至１／１０４混入
して膜質が低下したが、本発明の方法では２日に亘る連
続処理に於いても不純ガスが混入しない。尚、処理室に
は基板搬入専用のロードロック室と処理済みの基板の搬
出専用のロードロック室が設けられることがあるが各ロ
ードロック室のベントガスを処理室のガスと同種を使用
すれば膜質の低下が防止出来る。
室とロードロック室が連通し、従来は半日乃至１日で処
理室のガスに不純ガスが１／１０５乃至１／１０４混入
して膜質が低下したが、本発明の方法では２日に亘る連
続処理に於いても不純ガスが混入しない。尚、処理室に
は基板搬入専用のロードロック室と処理済みの基板の搬
出専用のロードロック室が設けられることがあるが各ロ
ードロック室のベントガスを処理室のガスと同種を使用
すれば膜質の低下が防止出来る。
（発明の効果）
このように本発明によればロードロック室のベントガス
を処理室のガスと同種のものを使用することにより処理
室のガスがロードロック室のガスで汚染されるとを防止
出来、処理室に於いて多数の基板を処理の質を低下する
ことなく行なえ作業性及び品質が向上す効果がある。
を処理室のガスと同種のものを使用することにより処理
室のガスがロードロック室のガスで汚染されるとを防止
出来、処理室に於いて多数の基板を処理の質を低下する
ことなく行なえ作業性及び品質が向上す効果がある。
図面は処理室にＯ−ドロック室を付設した一般的な真空
処理装置の側面線図である。 ａ・・・ロードロック室 ｂ・・・処理室 Ｃ・・・基板 外２′６−
処理装置の側面線図である。 ａ・・・ロードロック室 ｂ・・・処理室 Ｃ・・・基板 外２′６−
Claims (1)
- 基板にスパッタリング、エッチクリーニング等の真空
処理を施す真空の処理室から分離独立したロードロック
室を設け、該ロードロック室内にベントガスを一旦注入
して該基板を該ロードロック室と外部との間で搬送する
式のものに於いて、該ロードロック室内に注入するベン
トガスを該処理室で使用されるガスと同種のガスを使用
することを特徴とするロードロック室のベント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23862584A JPS61119672A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | ロ−ドロツク室のベント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23862584A JPS61119672A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | ロ−ドロツク室のベント方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61119672A true JPS61119672A (ja) | 1986-06-06 |
Family
ID=17032922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23862584A Pending JPS61119672A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | ロ−ドロツク室のベント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61119672A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5065698A (en) * | 1988-04-11 | 1991-11-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Film forming apparatus capable of preventing adhesion of film deposits |
| JP2008124481A (ja) * | 2007-11-26 | 2008-05-29 | Canon Anelva Corp | 真空処理装置における処理対象物搬送方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5367684A (en) * | 1976-11-26 | 1978-06-16 | Bosch Gmbh Robert | Method and apparatus for continuously coating glass or ceramic substrate by cathode sputtering |
-
1984
- 1984-11-14 JP JP23862584A patent/JPS61119672A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5367684A (en) * | 1976-11-26 | 1978-06-16 | Bosch Gmbh Robert | Method and apparatus for continuously coating glass or ceramic substrate by cathode sputtering |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5065698A (en) * | 1988-04-11 | 1991-11-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Film forming apparatus capable of preventing adhesion of film deposits |
| US5112185A (en) * | 1988-04-14 | 1992-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for replacing a deposit shield in an evacuated film forming chamber |
| JP2008124481A (ja) * | 2007-11-26 | 2008-05-29 | Canon Anelva Corp | 真空処理装置における処理対象物搬送方法 |
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