JPS61115255A - 静電容量型ピツクアツプ針及びその製造方法 - Google Patents
静電容量型ピツクアツプ針及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS61115255A JPS61115255A JP23552484A JP23552484A JPS61115255A JP S61115255 A JPS61115255 A JP S61115255A JP 23552484 A JP23552484 A JP 23552484A JP 23552484 A JP23552484 A JP 23552484A JP S61115255 A JPS61115255 A JP S61115255A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- pickup needle
- thin film
- carbon thin
- hard carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/06—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using record carriers having variable electrical capacitance; Record carriers therefor
- G11B9/07—Heads for reproducing capacitive information
- G11B9/075—Heads for reproducing capacitive information using mechanical contact with record carrier, e.g. by stylus
Landscapes
- Electrostatic Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は情報信号をピットとして円心状あるいは渦巻状
に記録された円盤状記録担体上をトレースして上記信号
を静電容量値の変化として検出する静電容量型ピックア
ップ針とその製造方法に関する。
に記録された円盤状記録担体上をトレースして上記信号
を静電容量値の変化として検出する静電容量型ピックア
ップ針とその製造方法に関する。
従来の技術
従来例を第４図に示す。静電容量型ピックアップ針とし
てはダイヤモンドを電極支持素子１として用い、電極２
に導電性の金属を蒸着したもの又はダイヤモンドにイオ
ン注入して一部導電性としたもの等が従来あった。（特
開昭５７−３６４４７号、５Ｂ−３１４４３号等） 発明が解決しようとする問題点 導電性の金属を蒸着したものについて硬度がダイヤモン
ドに比べて小さいため、電極部の摩耗が大きいという問
題が有り、ダイヤモンドにイオン注入したものは、イオ
ン注入装置を必要とし、コストが高いという問題があっ
た。
てはダイヤモンドを電極支持素子１として用い、電極２
に導電性の金属を蒸着したもの又はダイヤモンドにイオ
ン注入して一部導電性としたもの等が従来あった。（特
開昭５７−３６４４７号、５Ｂ−３１４４３号等） 発明が解決しようとする問題点 導電性の金属を蒸着したものについて硬度がダイヤモン
ドに比べて小さいため、電極部の摩耗が大きいという問
題が有り、ダイヤモンドにイオン注入したものは、イオ
ン注入装置を必要とし、コストが高いという問題があっ
た。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するため、本発明では、導電性の硬質
炭素薄膜を電極として用いることにより、低コストの硬
質電極を有する静電容量型ピックアップ針及びその製造
方法を提供する。
炭素薄膜を電極として用いることにより、低コストの硬
質電極を有する静電容量型ピックアップ針及びその製造
方法を提供する。
作 用
導電性の硬質炭素薄膜は電極面表面に不活性ガス又は炭
素のイオンビームを照射しながら炭素を蒸着することに
よって得られ、サファイアの倍以上の硬度を有している
。この高硬度の導電膜を用いることによシ靜電容量型ピ
ックアップ針の電極の摩耗を小さくおさえることができ
る。また、この硬質導電膜と電極支持素子との間に導電
性金属層をもうけることによシ、電極の硬度を下げずに
電導度を上げることができる。
素のイオンビームを照射しながら炭素を蒸着することに
よって得られ、サファイアの倍以上の硬度を有している
。この高硬度の導電膜を用いることによシ靜電容量型ピ
ックアップ針の電極の摩耗を小さくおさえることができ
る。また、この硬質導電膜と電極支持素子との間に導電
性金属層をもうけることによシ、電極の硬度を下げずに
電導度を上げることができる。
実施例
（実施例１）
第１図に本発明の一実施例を示す。ダイヤモンドの電極
支持素子１の電極面２に導電性の硬質炭素薄膜３を蒸着
しである。この硬質炭素薄膜３はシート抵抗数にΩ程度
の膜で、従来の導電性金属電極のピックアップ針の数倍
以上の長寿命を示す。
支持素子１の電極面２に導電性の硬質炭素薄膜３を蒸着
しである。この硬質炭素薄膜３はシート抵抗数にΩ程度
の膜で、従来の導電性金属電極のピックアップ針の数倍
以上の長寿命を示す。
（実施例２）
第２図に本発明のもう１つの実施例を示す。電極支持素
子１と硬質炭素薄膜３０間に導電性金属層４をもうけて
いる。この層４により電極部のシート抵抗を１桁以上下
げることができ、より良好なピックアップ特性が得られ
寿命は実施例１と同程度であった。
子１と硬質炭素薄膜３０間に導電性金属層４をもうけて
いる。この層４により電極部のシート抵抗を１桁以上下
げることができ、より良好なピックアップ特性が得られ
寿命は実施例１と同程度であった。
次に本発明の静電容量型ピックアップ針の製造方法の一
実施例について述べる。第３図に用いた装置を示す。こ
れはイオンビームスパッタ装置であり、イオンソース５
から不活性ガス（Ａｒ）のイオンビーふ６を炭素ターゲ
ット７に照射する。ここで電極支持素子８は電極面９を
下にしてイオンビーム６とほぼ平行となるように置かれ
る。イオンビーム６によシ炭素ターゲット７がスパッタ
され電極支持素子８の電極面９に蒸着されるが、この場
合電極面９には同時に不活性ガスのイオンビーム６も照
射されており、このイオンビーム６の効果によシ、電極
面９上に形成される炭素薄膜３は導電性を有する硬質の
膜となる。ここでは１つのイオンビームスパッタも電極
表面へのイオン照射も行う場合について述べたが、この
スパッタと電極表面へのイオン照射を別々のイオン源を
用いて別々のイオンビームで行っても良いし、蒸着粒子
としての炭素はスパッタによるものでなく例えば熱蒸発
や電子ビーム蒸発又はＣＶＤ法等による炭素粒子でも良
い。またイオンビームはＡｒだけでなく他の不活性ガス
でも炭素でも良い。
実施例について述べる。第３図に用いた装置を示す。こ
れはイオンビームスパッタ装置であり、イオンソース５
から不活性ガス（Ａｒ）のイオンビーふ６を炭素ターゲ
ット７に照射する。ここで電極支持素子８は電極面９を
下にしてイオンビーム６とほぼ平行となるように置かれ
る。イオンビーム６によシ炭素ターゲット７がスパッタ
され電極支持素子８の電極面９に蒸着されるが、この場
合電極面９には同時に不活性ガスのイオンビーム６も照
射されており、このイオンビーム６の効果によシ、電極
面９上に形成される炭素薄膜３は導電性を有する硬質の
膜となる。ここでは１つのイオンビームスパッタも電極
表面へのイオン照射も行う場合について述べたが、この
スパッタと電極表面へのイオン照射を別々のイオン源を
用いて別々のイオンビームで行っても良いし、蒸着粒子
としての炭素はスパッタによるものでなく例えば熱蒸発
や電子ビーム蒸発又はＣＶＤ法等による炭素粒子でも良
い。またイオンビームはＡｒだけでなく他の不活性ガス
でも炭素でも良い。
まだ、今まで述べた製造方法以外でも例えばイオン照射
をしないＣＶＤ法やスパッタ法等によっても電極として
有効な硬質炭素膜を得ることができ、又、これらの膜を
熱処理することにより導電性を良くすることもできる。
をしないＣＶＤ法やスパッタ法等によっても電極として
有効な硬質炭素膜を得ることができ、又、これらの膜を
熱処理することにより導電性を良くすることもできる。
発明の効果
本発明は低コストの硬質電極を有する高寿命な静電容量
型ピックアップ針及びその製造方法であり９本発明の工
業的価値は高い。
型ピックアップ針及びその製造方法であり９本発明の工
業的価値は高い。
第１図は本発明の一実施例のピックアップ針の概略図、
第２図は本発明のもう１つの実施例のピックアップ針の
概略図、第３図は本発明の製造方法の一実施例に用いた
装置の概略図、第４図は従来のピックアップ部の概略図
である。 １・・・・・・電極支持素子、２・・・・・・電極面、
３・・・・・・導電性の硬質炭素薄膜、４・・・・・・
導電性金属層、５・・・、・、イオンソース、６・・・
・・・イオンビーム、７・・・・・・炭素ターゲット、
８・・・・・・電極支持素子、９・・・・・・電極面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第４１１
第２図は本発明のもう１つの実施例のピックアップ針の
概略図、第３図は本発明の製造方法の一実施例に用いた
装置の概略図、第４図は従来のピックアップ部の概略図
である。 １・・・・・・電極支持素子、２・・・・・・電極面、
３・・・・・・導電性の硬質炭素薄膜、４・・・・・・
導電性金属層、５・・・、・、イオンソース、６・・・
・・・イオンビーム、７・・・・・・炭素ターゲット、
８・・・・・・電極支持素子、９・・・・・・電極面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第４１１
Claims (5)
- （１）電極支持素子の一端面上に設けた静電容量値を検
出する電極として硬質炭素薄膜を用いることを特徴とす
る静電容量型ピックアップ針。 - （２）電極支持素子と硬質炭素薄膜の間に導電性金属層
を設けることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
静電容量型ピックアップ針。 - （３）硬質炭素薄膜を電極面表面に不活性ガス又は炭素
のイオンビームを照射しながら炭素を蒸着形成すること
を特徴とする静電容量型ピックアップ針の製造方法。 - （４）硬質炭素薄膜をダラファイトをターゲットとした
イオンビームスパッタで形成することを特徴とする特許
請求の範囲第３項記載の静電容量型ピックアップ針の製
造方法。 - （５）電極面表面がイオンビームに対してほぼ平行とな
るようにし、硬質炭素薄膜を形成することを特徴とする
特許請求の範囲第４項記載の静電容量型ピックアップ針
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23552484A JPS61115255A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 静電容量型ピツクアツプ針及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23552484A JPS61115255A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 静電容量型ピツクアツプ針及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61115255A true JPS61115255A (ja) | 1986-06-02 |
Family
ID=16987249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23552484A Pending JPS61115255A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 静電容量型ピツクアツプ針及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61115255A (ja) |
-
1984
- 1984-11-08 JP JP23552484A patent/JPS61115255A/ja active Pending
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