JPS62293734A - ウエハプロ−バ針及びその製造方法 - Google Patents
ウエハプロ−バ針及びその製造方法Info
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- JPS62293734A JPS62293734A JP13854486A JP13854486A JPS62293734A JP S62293734 A JPS62293734 A JP S62293734A JP 13854486 A JP13854486 A JP 13854486A JP 13854486 A JP13854486 A JP 13854486A JP S62293734 A JPS62293734 A JP S62293734A
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- wafer prober
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Links
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Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は、半導体素子製造工程において、形成された素
子をチェックする際に用いるウェノ・プローバの電極針
とその製造方法に関する。
子をチェックする際に用いるウェノ・プローバの電極針
とその製造方法に関する。
従来の技術
従来、ウェハブローバの電極としては金属の針を用いて
いる。
いる。
発明が解決しようとする問題点
金属のウェハプローバ針は、摩耗が大きく、摩耗による
ウェハブローバの読み取りエラーが発生し、一定時間で
の交換を必要としている。この交換までの時間が比較的
短く、そのメインテナンスに手間がかかるため、使用期
間を長くとれるウェハブローバ針が望まれていた。
ウェハブローバの読み取りエラーが発生し、一定時間で
の交換を必要としている。この交換までの時間が比較的
短く、そのメインテナンスに手間がかかるため、使用期
間を長くとれるウェハブローバ針が望まれていた。
問題点を解決するだめの手段
本発明によるウェハプローバ針およびその製造方法は、
導電性の硬質炭素薄膜をウエハプローバ表面にコートす
ることにより、その摩耗が人情に少なくなり、交換まで
の時間が大幅に長くしたものである。また、針の表面に
不活性ガス又は炭素のイオンビームを照射しつつ炭素薄
膜を蒸着形成することにより、硬質で導電性の膜が得ら
れることを発見し、これを利用してウェハプローバ針の
製造をするものである。
導電性の硬質炭素薄膜をウエハプローバ表面にコートす
ることにより、その摩耗が人情に少なくなり、交換まで
の時間が大幅に長くしたものである。また、針の表面に
不活性ガス又は炭素のイオンビームを照射しつつ炭素薄
膜を蒸着形成することにより、硬質で導電性の膜が得ら
れることを発見し、これを利用してウェハプローバ針の
製造をするものである。
作 用
導電性の硬質炭素薄膜は電極面表面ば不活性ガス又は炭
素のイオンビームを照射しながら炭素を蒸着することに
よって得られ、サファイアの倍以上の硬度を有している
。
素のイオンビームを照射しながら炭素を蒸着することに
よって得られ、サファイアの倍以上の硬度を有している
。
不活性ガス又は炭素のイオンビームが蒸着される炭素膜
に照射されることにより、イオンビームの衝撃が炭素膜
に加えられ、その部分で局所的な高温高圧領域ができ、
炭素がダイヤモンドを形成し硬質の膜となると考えられ
る。ダイヤモンドは局所的に形成されるため、膜中には
グラファイト構造の部分も残っており、この部分が導電
性を有し、硬質の導電性の炭素膜が実現される。
に照射されることにより、イオンビームの衝撃が炭素膜
に加えられ、その部分で局所的な高温高圧領域ができ、
炭素がダイヤモンドを形成し硬質の膜となると考えられ
る。ダイヤモンドは局所的に形成されるため、膜中には
グラファイト構造の部分も残っており、この部分が導電
性を有し、硬質の導電性の炭素膜が実現される。
この高硬度の導電膜を用いることにより静電容量型ピッ
クアツプ針の電極の摩耗を小さくおさえることができる
。
クアツプ針の電極の摩耗を小さくおさえることができる
。
実施例
第１図に本発明の一実施例の断面図を示す。ウエハプロ
ーバ針１の表面２に導電性の硬質炭素薄膜３を蒸着しで
ある。この硬質炭素薄膜３は抵抗率’Ｏ（ａ蒲） 程
度の膜で、従来の金属のウエハプローバ針と同程度の出
力を保ち、数倍以上の長寿命を示す。
ーバ針１の表面２に導電性の硬質炭素薄膜３を蒸着しで
ある。この硬質炭素薄膜３は抵抗率’Ｏ（ａ蒲） 程
度の膜で、従来の金属のウエハプローバ針と同程度の出
力を保ち、数倍以上の長寿命を示す。
次に本発明のウェハプローバ針の製造方法の一実施例に
ついて述べる。第２図に用いた装置を示す・これはイオ
ンビームスパッタ装置であり、イオンソース５から不活
性ガス（Ａｒ）のイオンビーム６を炭素ターゲット７に
照射する。イオンビーム６が当たる位置にウェハプロー
パ針１を設置し、その表面９にイオンビーム６が照射さ
れることとなる。イオンビーム６により炭素ターゲット
７がスパッタされウエハプローバ針１の表面９に蒸着さ
れるが、この場合表面９には同時に不活性ガスのイオン
ビーム６も照射されており、このイオンビーム６の効果
によシ、電極面９上に形成される炭素薄膜３は導電性を
有する硬質の膜となる。ここでは１つのイオンビームで
スパッタも電極表面へのイオン照射も行う場合について
述べたが、このスパッタと電極表面へのイオン照射を別
々のイオン源を用いて別々のイオンビームで行っても良
いし、蒸着粒子としての炭素はスパッタによるものでな
く例えば熱蒸発や電子ビーム蒸発又はＣＶＤ法等による
炭素粒子でも良い。またイオンビームはＡｒだけでなく
他の不活性ガスでも炭素でも良い。
ついて述べる。第２図に用いた装置を示す・これはイオ
ンビームスパッタ装置であり、イオンソース５から不活
性ガス（Ａｒ）のイオンビーム６を炭素ターゲット７に
照射する。イオンビーム６が当たる位置にウェハプロー
パ針１を設置し、その表面９にイオンビーム６が照射さ
れることとなる。イオンビーム６により炭素ターゲット
７がスパッタされウエハプローバ針１の表面９に蒸着さ
れるが、この場合表面９には同時に不活性ガスのイオン
ビーム６も照射されており、このイオンビーム６の効果
によシ、電極面９上に形成される炭素薄膜３は導電性を
有する硬質の膜となる。ここでは１つのイオンビームで
スパッタも電極表面へのイオン照射も行う場合について
述べたが、このスパッタと電極表面へのイオン照射を別
々のイオン源を用いて別々のイオンビームで行っても良
いし、蒸着粒子としての炭素はスパッタによるものでな
く例えば熱蒸発や電子ビーム蒸発又はＣＶＤ法等による
炭素粒子でも良い。またイオンビームはＡｒだけでなく
他の不活性ガスでも炭素でも良い。
また、今まで述べた製造方法以外でも例えばイオン照射
をしないＣＶＤ法やスパッタ法等によっても電極として
有効な硬質炭素膜を得ることができ、又、これらの膜を
熱処理することによシ導電性を良くすることもできる。
をしないＣＶＤ法やスパッタ法等によっても電極として
有効な硬質炭素膜を得ることができ、又、これらの膜を
熱処理することによシ導電性を良くすることもできる。
発明の効果
本発明は増々拡大する半導体素子の製造工程に用いる低
コストで良好な耐摩耗特性を有するウェハプローバ針及
びその製造方法を与えるものであり、本発明の工業的価
値は高い。
コストで良好な耐摩耗特性を有するウェハプローバ針及
びその製造方法を与えるものであり、本発明の工業的価
値は高い。
第１図は本発明の一実施例によるウェハプローバ針の断
面図、第２図は本発明の製造方法の一実施例に用いた装
置の概略図である。 １．０．１．、ウェハプローバ針、２．．００．０表面
、３．．０１．。 導電性の硬質炭素薄膜、５・・・・・・イオンソース、
６・・・・・・イオンビーム、７・・・・・・炭素ター
ゲット、９・・・・・・表面。
面図、第２図は本発明の製造方法の一実施例に用いた装
置の概略図である。 １．０．１．、ウェハプローバ針、２．．００．０表面
、３．．０１．。 導電性の硬質炭素薄膜、５・・・・・・イオンソース、
６・・・・・・イオンビーム、７・・・・・・炭素ター
ゲット、９・・・・・・表面。
Claims (4)
- （１）表面に導電性の硬質炭素薄膜をコートしたことを
特徴とするウェハプローバ針。 - （２）針の表面に、不活性ガス又は炭素のイオンビーム
を照射しつつ硬質炭素薄膜を蒸着形成することを特徴と
するウェハプローバ針の製造方法。 - （３）硬質炭素薄膜を、グラファイトをターゲットした
イオンビームスパッタで形成することを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載のウェハプローバ針の製造方法。 - （４）針表面をスパッタして寄与するイオンビームの照
射を受ける位置に設置して、硬質炭素薄膜を形成するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のウェハプロ
ーバ針の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13854486A JPS62293734A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | ウエハプロ−バ針及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13854486A JPS62293734A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | ウエハプロ−バ針及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62293734A true JPS62293734A (ja) | 1987-12-21 |
Family
ID=15224632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13854486A Pending JPS62293734A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | ウエハプロ−バ針及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62293734A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2295990A1 (en) * | 2009-09-15 | 2011-03-16 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Contact probe pin for semiconductor test apparatus |
-
1986
- 1986-06-13 JP JP13854486A patent/JPS62293734A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2295990A1 (en) * | 2009-09-15 | 2011-03-16 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Contact probe pin for semiconductor test apparatus |
| US8166568B2 (en) | 2009-09-15 | 2012-04-24 | Kobe Steel, Ltd. | Contact probe pin for semiconductor test apparatus |
| KR101156865B1 (ko) | 2009-09-15 | 2012-06-20 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 반도체 검사 장치용 콘택트 프로브 핀 |
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