JPS61114845U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS61114845U JPS61114845U JP19890384U JP19890384U JPS61114845U JP S61114845 U JPS61114845 U JP S61114845U JP 19890384 U JP19890384 U JP 19890384U JP 19890384 U JP19890384 U JP 19890384U JP S61114845 U JPS61114845 U JP S61114845U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- capacitive part
- view
- wire
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
第１図ａは本考案実施例キヤパシタを挿入する
半導体装置要部の断面図、同図ｂはキヤパシタ段
差部の断面図、同図ｃは同図ａの装置の等価回路
図、第２図ａは高周波大電力トランジスタ・モジ
ユールの平面図、同図ｂは従来キヤパシタ使用例
の断面図、同図ｃはキヤパシタへの接続を示す断
面図である。 図中、１は誘電体基板、２は電極接続部、３は
チツプ、４はキヤパシタ、５はコレクタ電極、６
はベース電極、７は接地用メタライズ層、８はメ
タライズ層、９はＳｉ０２膜、１１は入力ワイヤ
、１２はアース線、をそれぞれ示す。
半導体装置要部の断面図、同図ｂはキヤパシタ段
差部の断面図、同図ｃは同図ａの装置の等価回路
図、第２図ａは高周波大電力トランジスタ・モジ
ユールの平面図、同図ｂは従来キヤパシタ使用例
の断面図、同図ｃはキヤパシタへの接続を示す断
面図である。 図中、１は誘電体基板、２は電極接続部、３は
チツプ、４はキヤパシタ、５はコレクタ電極、６
はベース電極、７は接地用メタライズ層、８はメ
タライズ層、９はＳｉ０２膜、１１は入力ワイヤ
、１２はアース線、をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 入力端にキヤパシタを挿入し入力インピーダン
スを上昇せしめてインピーダンス整合を行う高周
波大電力トランジスタ・モジユールにおいて、該
キヤパシタはワイヤを接続する容量部とそれより
一段低い接地端子部を設けてなることを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19890384U JPS61114845U (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19890384U JPS61114845U (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61114845U true JPS61114845U (ja) | 1986-07-19 |
Family
ID=30758328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19890384U Pending JPS61114845U (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61114845U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57196594A (en) * | 1981-05-26 | 1982-12-02 | Ibm | Method of producing ceramic substrate |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP19890384U patent/JPS61114845U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57196594A (en) * | 1981-05-26 | 1982-12-02 | Ibm | Method of producing ceramic substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5939949U (ja) | 高周波回路装置 | |
| JPS61114845U (ja) | ||
| JPS6035247Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6146722U (ja) | ３端子コンデンサ | |
| JPS6035621U (ja) | 高周波用高出力トランジスタ装置 | |
| JPS6338328U (ja) | ||
| JPS63187341U (ja) | ||
| JPS61151347U (ja) | ||
| JPH01149121U (ja) | ||
| JPH0226243U (ja) | ||
| JPS5899841U (ja) | 半導体装置 | |
| JPH042025U (ja) | ||
| JPS6186950U (ja) | ||
| JPH0332823U (ja) | ||
| JPS62197866U (ja) | ||
| JPS61305U (ja) | マイクロストリツプ線路 | |
| JPS58109254U (ja) | フエ−スダウン接続形チツプ用チツプキヤリヤ− | |
| JPS5839061U (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS6115754U (ja) | 集積回路容器 | |
| JPS6298242U (ja) | ||
| JPS604592B2 (ja) | 超高周波高出力半導体装置 | |
| JPS60144265U (ja) | 高周波実装基板 | |
| JPH0248366U (ja) | ||
| JPS5822741U (ja) | 半導体パツケ−ジ | |
| JPS60169834U (ja) | 集合抵抗の構造 |