JPS61112654U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS61112654U JPS61112654U JP19628284U JP19628284U JPS61112654U JP S61112654 U JPS61112654 U JP S61112654U JP 19628284 U JP19628284 U JP 19628284U JP 19628284 U JP19628284 U JP 19628284U JP S61112654 U JPS61112654 U JP S61112654U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cantilever beam
- semiconductor device
- film
- thin film
- resonant frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例図、第２図は従来装
置の一例図、第３図は従来装置の製造工程図、第
４図は本考案の製造工程図である。 符号の説明、１……Ｓｉ基板、２，２′……ｐ
＋領域、３……ＳｉＯｚ膜、６……ゲート酸化膜
、７……下層Ｓｉ３Ｎ４膜、８……ｐ＋ポリシリ
コン膜、９……上層Ｓｉ３Ｎ４膜、１０……片持
梁、１２……電極配線、１３……保護膜、１４…
…実装基板、１５……ワイヤ、１６……絶縁体薄
膜、１７……梁厚制御用薄膜。
置の一例図、第３図は従来装置の製造工程図、第
４図は本考案の製造工程図である。 符号の説明、１……Ｓｉ基板、２，２′……ｐ
＋領域、３……ＳｉＯｚ膜、６……ゲート酸化膜
、７……下層Ｓｉ３Ｎ４膜、８……ｐ＋ポリシリ
コン膜、９……上層Ｓｉ３Ｎ４膜、１０……片持
梁、１２……電極配線、１３……保護膜、１４…
…実装基板、１５……ワイヤ、１６……絶縁体薄
膜、１７……梁厚制御用薄膜。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成され、一端を支持された片
持梁を有する半導体装置において、膜厚の制御さ
れた薄膜を少なくとも上記片持梁表面に形成する
ことにより上記片持梁の共振周波数を設定したこ
とを特徴とする片持梁を有する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19628284U JPS61112654U (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19628284U JPS61112654U (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61112654U true JPS61112654U (ja) | 1986-07-16 |
Family
ID=30753983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19628284U Pending JPS61112654U (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61112654U (ja) |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP19628284U patent/JPS61112654U/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1523677A (en) | Semiconductor device and a method for manufacturing the same | |
| JPH02140863U (ja) | ||
| JPS61112654U (ja) | ||
| JPS6339954U (ja) | ||
| JPH0369232U (ja) | ||
| JPH0224541U (ja) | ||
| JPH0383939U (ja) | ||
| JPH02102727U (ja) | ||
| JPS59112944U (ja) | 集積回路 | |
| JPS63112337U (ja) | ||
| JPS63121426U (ja) | ||
| JPS62168109U (ja) | ||
| JPH0184452U (ja) | ||
| JPS61166548U (ja) | ||
| JPS63167755U (ja) | ||
| JPH0233457U (ja) | ||
| JPS6420754U (ja) | ||
| JPS6226051U (ja) | ||
| JPS6018558U (ja) | 薄膜トランジスタ素子 | |
| JPH0487650U (ja) | ||
| JPH0321860U (ja) | ||
| JPS62188160U (ja) | ||
| JPH0265360U (ja) | ||
| JPH0252425U (ja) | ||
| JPS6172679U (ja) |